CN101634788B - 导电薄膜的连接结构及包括该连接结构的薄膜晶体管阵列面板 - Google Patents

Abstract

本发明提供了一种薄膜晶体管阵列面板，包括：显示单元阵列电路，包含多条栅极线、多条数据线、多个薄膜晶体管、及多个像素电极；栅极驱动电路，向栅极线提供栅极信号；以及信号线，与栅极驱动电路连接并包括彼此分开的第一和第二布线及通过可露出第一布线和第二布线中至少之一的至少一个接触孔与第一布线和第二布线连接的连接部件。

Description

导电薄膜的连接结构及包括该连接结构的薄膜晶体管阵列面板

本发明是申请日为2004年6月28日，申请号为200410059477.3，名称为“导电薄膜的连接结构及包括该连接结构的薄膜晶体管阵列面板”中国专利申请的分案申请。

技术领域

本发明涉及一种导电薄膜连接结构及包括该连接结构的薄膜晶体管阵列面板。

背景技术

最近，信息处理机器向具有多种形态、多种功能、更快的信息处理速度方向迅速发展。在这种信息处理装置中处理过的信息具有电信号形态。用户为了用肉眼识别信息处理装置中处理过的信息，需要具有界面功能的显示器。

目前的液晶显示器比代表性的CRT方式具有轻质、小型化、高分辨率、低耗电、及环保型优点，且可以全色显示，逐渐成为下一代显示器。

液晶显示器是向液晶特定的分子排列施加电压，改变成另外的分子排列，将根据这种分子排列发光的液晶单元双折射性、旋光强度、二色性、及光散射等光学性质改变成视角性转换，是利用液晶单元光调制的显示。

液晶显示器大致分为TN方式和STN方式，根据驱动方式的差异可分为用开关元件及TN液晶的有源矩阵显示方式和利用STN液晶的无源矩阵显示方式。

这两种方式的最大区别点是有源矩阵方式利用薄膜晶体管阵列面板，是利用薄膜晶体管驱动每个像素的方式。无源矩阵显示方式不使用晶体管，所以不需要相关的复杂电路。

薄膜晶体管液晶显示器通过作为半导体层是利用非晶硅或还是利用多晶硅而区分。多晶硅薄膜晶体管液晶显示器耗电小，价格低廉，但与非晶硅薄膜晶体管液晶显示器相比具有制造薄膜晶体管的工序复杂的弊端。因此，多晶硅薄膜晶体管液晶显示器主要在像IMT-2000便携式电话机的显示等小型显示器上使用。

非晶硅薄膜晶体管液晶显示器容易制作大屏幕且合格率高，所以主要使用在笔记本式个人电脑、桌上型电脑、及高清晰度电视机(HDTV)等大画面显示器上。

然而，在非晶硅液晶显示器中与多晶硅薄膜晶体管液晶显示器相比，在柔性印刷电路板上用COF方式设置数据驱动芯片，通过柔性印刷电路板连接印刷电路板和像素阵列数据线端子部。而且，在柔性印刷电路板上用COF方式形成驱动芯片，通过柔性印刷电路板连接栅极电路板和像素阵列栅极线端子部。即，非晶硅薄膜晶体管液晶显示器利用非晶硅，所以工序上具有高生产率的优点，但与多晶硅薄膜晶体管液晶显示器相比在费用方面和精巧结构方面处于落后的位置。

另外，制造薄膜晶体管阵列面板时，通过绝缘层接触孔连接相互不同层的布线，作为信号线使用时，为了使传送的信号不致产生扭曲而正常传送，优选地设计接触部，使其在接触部中不致信号线腐蚀或断线。

发明内容

本发明旨在解决上述传统液晶显示器中存在的问题。

本发明提供了一种薄膜晶体管阵列面板，包括：显示单元阵列电路，包含多条栅极线、多条数据线、多个薄膜晶体管、及多个像素电极；栅极驱动电路，向所述栅极线提供栅极信号；以及信号线，与栅极驱动电路连接并包括彼此分开的第一和第二布线及通过可露出第一布线和第二布线中至少之一的至少一个接触孔与第一布线和第二布线连接的连接部件。

根据本发明的实施例，至少一个接触孔的边界线具有花瓣形态或凹凸结构。

根据本发明的另一实施例，第一布线和第二布线的边缘具有锯齿边缘且相互接合。

第一布线和第二布线可以设置在不同层。

薄膜晶体管阵列面板还可包括：第一绝缘层，形成于第一布线，其中至少一个接触孔包括设置在第一绝缘层上且至少部分露出第一布线的第一接触孔。

第一接触孔可以露出第一布线，可具有花瓣形态或凹凸结构。

第一布线可以包括下部薄膜及在下部薄膜上的上部薄膜。下部薄膜由铝、铝合金、银、或银合金组成，而上部薄膜由铬、钼、钛、或钽组成。优选地，第一接触孔露出第一布线的下部薄膜。

薄膜晶体管阵列面板还包括：第二绝缘层，形成于第二布线，其中至少一个接触孔还包括设置在第一绝缘层和第二绝缘层上且至少部分露出第二布线的第二接触孔及形成于第二绝缘层上且分别通过第一接触孔和第二接触孔与第一布线和第二布线连接的连接部件。

第一布线还可以所述第一布线与栅极线或数据线在同一层形成。连接部件可与先对速电极或栅极线或数据线在同一层形成。

栅极驱动电路包括移位寄存器，该移位寄存器可包括依次连接的多个级，而信号线传送具有相移位的多个时钟信号之一和电压。

薄膜晶体管阵列面板还可包括向数据线提供数据信号的数据驱动电路。

一种导电薄膜连接结构，该连接结构包括：第一导电层和第二导电层；绝缘体，形成于第一导电层且具有可至少部分露出第一导电层的接触孔；以及连接部件，形成于绝缘体上，通过接触孔与第一绝缘层连接且与第二导电层连接，其中接触孔中至少之一的边缘、第一导电层和第二导电层具有花瓣形态或凹凸结构。

该接触孔可以露出第一导电层的边缘，而第一导电层的露出边缘具有花瓣形态或凹凸结构。

第一布线和第二布线可以具有锯齿边缘且相互接合。

该接触孔还可以至少部分露出第二布线。

附图说明

本发明的上述和其它优点将通过参考附图详细地描述其优选实施例，从而变得更加明显，其中：

图1是根据本发明实施例的液晶显示器结构分解立体图；

图2是根据本发明实施例的液晶显示器薄膜晶体管阵列面板组成图；

图3是图2的数据驱动电路的移位寄存器分程序图；

图4是说明上述图2栅极驱动电路采用的移位寄存器的分程序图；

图5是向图4寄存器传送驱动信号的根据本发明一实施例的信号线结构布局图；

图6是沿着图5的线VI-VI′的截面图；

图7是向图4移位寄存器传送驱动信号的根据本发明另一实施例的信号线结构布局图；

图8是沿着线VIII-VIII′的图7信号线连接结构截面图；以及

图9是沿着线IX-IX′的图7信号线连接结构截面图。

具体实施方式

为了使本领域技术人员能够实施本发明，现参照附图详细说明本发明的优选实施例。但是，本发明可表现为不同形式，它不局限于在此说明的实施例。

在附图中，为了清楚起见夸大了各层的厚度及区域。在全篇说明书中对相同元件附上相同的符号，应当理解的是当提到层、区域、基片、和基板等元件在别的部分“之上”时，指其直接位于别的元件之上，或者也可能有别的元件介于其间。相反，当某个元件被提到“直接”位于别的部分之上时，指并无别的元件介于其间。

那么，参照图说明根据本发明实施例的非晶硅液晶显示器薄膜晶体管阵列面板结构。

图1是根据本发明实施例的a-Si TFT液晶显示器分解立体图。

参照图1，根据本发明实施例的液晶显示器包括液晶显示面板组合体300、背光源组合体340、和一对端盖310、320。

液晶显示面板组合体300包括液晶显示面板、柔性印刷电路板(FPC)510、集成控制及数据驱动芯片540。液晶显示面板包括薄膜晶体管阵列面板100和滤色器显示板200。在薄膜晶体管阵列面板100上形成通过非晶硅的薄膜晶体管制造工序形成的像素电极、薄膜晶体管、数据驱动电路、栅极驱动电路、及外部连接端子。在滤色器200上形成每个像素上顺次排列的红、绿、蓝滤色器及接收与像素电极一起驱动液晶分子的信号的共同电极。薄膜晶体管阵列面板100和滤色器200相互面对整列，在面板100、200之间封入形成的液晶。

在柔性印刷电路板210上设置的集成控制及数据驱动芯片540和在薄膜晶体管阵列面板100上形成的电路通过柔性印刷电路板510电连接。柔性印刷电路板510向薄膜晶体管阵列面板100的数据驱动电路及栅极驱动电路提供数据信号、数据定时信号、栅极定时信号、及栅极驱动电压。

背光源组合体340包括灯组合体342、导光板344、光学薄片346、反射板348、及模型帧349。

图2是根据本发明实施例的液晶显示器用非晶硅薄膜晶体管阵列面板组成布局图。

参照图2，在根据本发明实施例的薄膜晶体管阵列面板100上形成显示单元阵列电路150、数据驱动电路160、栅极驱动电路170、数据驱动电路外部连接端子162、163、栅极驱动电路外部连接端子部169。它们在利用非晶硅半导体层的薄膜晶体管制造工序中一起形成。

显示单元阵列电路150包括以行方向延伸的m条数据线DL1～DLm和以列方向延伸的n条栅极线GL1～GLn。

本发明实施例在2″(英寸)液晶显示面板中，数据线及栅极线数分别具有528(即176×3)×192的分辨率。

在数据线和栅极线各交叉点上形成开关晶体管STi。开关晶体管STi源极与数据线DLi连接，栅极与栅极线GLi连接。开关晶体管STi漏极与透明像素电极PE连接。透明像素电极PE和滤色器显示板200上形成的透明共同电极CE之间具有液晶LC。

因此，通过向透明像素电极PE和透明共同电极CE之间施加的电压控制液晶排列，以调节通过的光亮，并显示各像素灰度。

数据驱动电路160包括移位寄存器164和528个开关晶体管SWT。528个开关晶体管SWT每66个形成8个数据线模块BL1～BL8。

每个数据线模块BLi中，与66个数据输入端子组成的外部输入端子163共同连接66个输入端子，与对应的66个数据线连接66个输出端子。而且，与移位寄存器164的8个输出端子中对应的一个输出端子连接模块选择端子。

528个的每一个开关晶体管SWT在对应的数据线上连接漏极，在66个数据输入端子中对应的输入端子上连接源极，由栅极上与选择端子连接的非晶硅薄膜晶体管组成。

因此，528条数据线每66个分割成8模块，通过移位寄存器164的8个模块选择信号顺次选择各模块。

移位寄存器164通过3端子中外部连接端子162接收第一定时CKH、第二定时CKHB、模块选择开始信号STH。移位寄存器164输出端子分别与对应的线模块的模块选择端子连接。

图3是图2的数据驱动电路的移位寄存器分程序图。

参照图3，根据本发明的移位寄存器164与9个级SRH1-SRH9连接。即，各级输出端子OUT与下一级输入端子IN连接。级数由对应于数据线模块的8个级SRH1-SRH8和一个成堆级SRH9组成。各级具有输入端子IN、输出端子OUT、控制端子CT、定时输入端子CK、第一电源端子VSS、第二电源端子VDD。8个级SRH1-SRH8向各数据线模块BL1-BL8的模块选择端子分别提供模块选择开始信号DE1-DE8。

向奇数级SRH1、SRH3、SRH5、SRH7、SRH9提供第一定时CKH，向偶数级SRC2、SRC4、SRH6、SRH8提供第二定时CKHB。第一定时CKH和第二定时CKHB具有相互相反的相位。定时CKH、CKHB的有效期间(工作周期)为1/66ms以下。

将下一级输出信号作为控制信号向各级的各控制端子CT上输入。即输入到控制端子CT的控制信号成为延迟自身输出信号有效期间的信号。

因此，各级的输出信号顺次具有有源区间(即高状态)产生，所以在对应各输出信号有源区间的数据线模块被选择得到允许。

成堆级SRH9向前级SRH8控制端子CT提供控制信号。

图4是说明上述图2栅极驱动电路采用的移位寄存器的分程序图。

参照图4，图2的栅极驱动电路170由一移位寄存器组成，这些中移位寄存器与多个级SRC1-SRC193连接。即，各级的输出端子OUT与下一级输入端子IN连接。级由对应于栅极线的192个级SRC1～SRC192和一个成堆级SRC193组成。各级具有输入端子IN、输出端子OUT、控制端子CT、定时输入端子CK、第一电源端子VSS、第二电源电压端子VDD。

向第一级SRC1输入端子输入扫描开始信号STV。在这时，扫描开始信号STV与垂直同步信号Vsync同步的脉冲。

各级的输出信号GOUT1-GOUT192与各对应的栅极线连接。向奇数级SRC1、SRC3、...提供第一定时CKV，向偶数级SRC2、SRC4、...提供第二定时CKVB。在这里，第一定时CKV和第二定时CKVB具有相反相位。而且，第一定时CKV和第二定时CKVB的有效期间约为16.6/192ms。

各级SRC1、SRC2、SRC3、...的各控制端子CT中，下一级SRC2、SRC3、SRC4、...输出信号GOUT2、GOUT3、GOUT4作为控制信号向控制端子CT输入。即，输入到控制端子CT的控制信号成为延迟自身输入信号有效期间的信号。

因此，各级输出信号顺次具有有源区间(高状态)产生，所以在各输出信号有源区间中选择对应的水平线。

在本发明第一实施例中，如图1及图4所示，与栅极驱动电路外部连接端子部169连接并传送第一定时CKV、第二定时CKVB或连接第一电源端子VSS、第二电源端子VDD的信号线与级SRC1、SRC2、SRC3、...一起形成在薄膜晶体管阵列面板上。但这种信号线包括至少在不同层形成的布线和连接这种布线的连接部件，连接部件通过在相互不同布线之间形成的绝缘层接触孔电连接相互不同层形成的布线。对此将参照图进行具体说明。

图5是向图4寄存器传送驱动信号的根据本发明一实施例的信号线结构布局图，图6是沿着图5的线VI-VI′的截面图。

图5及图6所示，在根据本发明实施例的薄膜晶体管阵列面板100上形成由第一导电层和第二导电层组成第一布线120S，第一导电层201由在绝缘基板110上像铬或钼或钽或钛或包含它们的合金等具有与其它材料接触特性良好的导电材料组成，第二导电层由像铝或银或包含它们的合金等具有低电阻率的导电材料组成。

而且，在由氮化硅或氧化硅组成并覆盖第一布线120S的第一绝缘层140上形成包括由具有与其它材料良好接触特性的导电材料组成的第一导电层701和由具有低电阻率的导电材料组成的第二导电层702的第二布线170S。

在第一绝缘层140上形成由像氮化硅等无机绝缘材料或具有低电容率的有机绝缘材料组成并覆盖第二布线170S的第二绝缘层180。在第二绝缘层180具有露出第一及第二布线120S、170S的接触孔182S、187S。这时，如图5所示，在接触孔182S、187S中除去第二导电层202、702，以露出第一及第二布线120S、170S的下部层201、701，接触孔182S、187S侧壁具有完全倾斜的锥形结构。通过它可以很好地引导将以后在第二绝缘层180上形成的另一导电层的剖面。这时，露出第一及第二布线120S、170S的接触孔182S、187S具有花瓣形态或凹凸结构的边界线，露出第一布线120S的接触孔182S露出第一布线120S的边界线，通过接触孔182S露出的第一布线120S边界线具有花瓣或凹凸结构。如此，接触孔182S、187S及第一布线120S边界线以花瓣或凹凸结构形成，所以可以将通过接触孔182S、187S露出的第一及第二布线120S、170S的下部层201、701面积保持较宽或较长。在这里，通过接触孔182S、187S露出的第一及第二布线120S、170S部分下部层201、701成为与在第二绝缘层180上形成的另外导电层接触的接触部。

在第二绝缘层180上形成由导电材料组成，并通过接触孔182S、187S与第一及第二布线120S、170S接触，以电连接第一及第二布线120S、170S的连接部。

根据本发明实施例的薄膜晶体管阵列面板中，第一及第二布线120S、170S和电连接第一及第二布线120S、170S的连接部件190S是连接栅极驱动电路外部连接端子169和第一电源电压端子VSS的电源电压施加用信号线。这时，通过第一及第二布线120S、170S流动的电流为1.5mA左右，它比通过显示单元阵列电路150(参照图2)流动的电流高10倍。所以在本发明实施例中以花瓣或凹凸结构设计接触孔182S、187S及第一或第二布线120S边界线，通过接触孔182S、187S露出的第一及第二布线120S、170S下部层201、701保持较宽面积，从而可以使第一及第二布线120S、170S和连结它们的连接部件190S之间接触电阻率变得最小，下部层201、701露出的边界线保持较长，从而即使流动高电流，也可以防止在第一及第二布线120S、170和连接它们的连接部件190S之间的接触部中出现断线。而且，设计接触孔182S、187S，使露出第一或第二布线120S、170S边界线，从而在制造工序中通过第一及第二布线120S、170S上部层202、702全面蚀刻除去时，即使蚀刻到上部层202S、702S的第一及第二绝缘层140、180下部产生底切，也在通过接触孔182S、187S露出的第一或第二布线120S、170S边界线中不产生底切结构。通过它，可以很好地引导与第一或第二布线120S、170S连接的连接部件190S的剖面，稳定地保持接触部的接触结构，可以提高接触部的可靠度。

在前面实施例中说明了传送电源电压的信号线，但如图5所示，与栅极驱动电路外部连接端子部169连接并组成传送第一定时CKV、第二定时CKVB的信号线的第一及第二布线120V、170V、120B、170B和露出它们的接触孔182V、187V、182B、187B及通过接触孔182V、187V、182B、187B分别电连接它们的连接部件190V、190B也与连接电源电压的信号线具有相同结构，并同样具有前述效果。

这时，第一及第二布线120S、102V、120B、170S、170V、170B分别由与显示单元阵列电路150(参照图2)栅极线及数据线相同层组成，连接部件190S、190V、190B由显示单元阵列电路150(参照图2)像素电极相同层组成，以可以形成具有像ITO及IZO的透明导电材料或反射度的低电阻率导电材料。而且，当第一及第二布线120S、102V、120B、170S、170V、170B中一个由栅极线或数据线组成时，连接部件190S、190V、190B可以由数据线或栅极线组成。

另外，可以根据制造方法或需要在第一或第二布线120S、102V、120B、170S、170V、170B下部残留非晶硅层。

另外，前述实施例中，在信号线连接结构中使与连接部件接触的面积变得最大，或在接触部中使不产生底切结构，或缓慢地引导了连接部件剖面，但在信号线连接结构中使只由连接部件组成的信号传送途径变得最小，对此，参照图将具体说明。

图7是向图4寄存器传送驱动信号的根据本发明另一实施例的信号线结构布局图，图8是沿着线VIII-VIII′的图7信号线连接结构截面图，图9是沿着线IX-IX′的图7信号线连接结构截面图。

如图7至图9所示，在薄膜晶体管阵列面板100中根据本发明另一实施例的信号线结构和布线单层及布置结构与图5及图6相同。即，在绝缘基板110上以横向延伸的第一布线120S包括由具有与其它材料良好特性的导电材料组成的第一导电层201和具有低电阻率的导电材料组成的第二导电层202，在覆盖第一布线120S的第一绝缘层140上也形成包括第一导电层701和第二导电层702的第二布线170S。

而且，在第一绝缘层140上由像氮化硅的无机绝缘材料或具有低电容率的有机材料组成的第二绝缘层180覆盖第二布线170S，第二绝缘层180与第一绝缘层140一起具有露出第一及第二布线120S、170S的接触孔182S、187S。而且，在第二绝缘层180上形成由导电材料组成并通过接触孔182S、187S与第一及第二布线120S、170S接触，电连接第一及第二布线120S、170S的连接部件190S。

与如图5及图6不同，在与电源端子VSS电连接的电源电压施加用信号线的连接结构中，第一及第二布线120S、170S边界线具有凹凸或锯齿结构，同时第一及第二布线120S、170S相互面对具有接合形态。因此，分别通过露出第一及第二布线120S、170S的接触孔182S、187S连接第一及第二布线120S、170S时，可以很短地设计只由连接部件190S单一层组成的信号传送途径。在这里，连接部件190S与像素电极相同层组成，以形成ITO或IZO，比金属导电性材料具有稍微高的电阻率，如同本实施例，使只由连接部件190S单一层组成的信号途径变得最小，从而可以防止产生传送信号的扭曲或信号线的断开。优选地，在接触部相互面对的第一及第二布线120S、170S边界线之间距离为约2-10微米(microns)。

上述传送电源电压的信号线连接结构中第一及第二绝缘层140、180分别具有露出第一及第二布线120S、170S的接触孔182S、187S。

如图9所示，绝缘层140、180，与栅极驱动电路外部连接部169连接，在传送第一定时CKV或第二定时CKVB的信号线连接结构中第一及第二绝缘层140、180接触孔182V、187V共同露出第一及第二布线120V、170V、120B、170B。

综上所述，根据本发明在非晶硅薄膜晶体管液晶显示器的薄膜晶体管阵列面板上设置包括移位寄存器的栅极驱动电路，以降低制造费用的同时，可以具有精巧结构。而且，以花瓣或凹凸结构设置在接触部中露出布线的接触孔或布线边界线，设置接触孔，使接触部的接触电阻率变得最小，可以很好地引导连接布线的连接部件的剖面，可以提高接触部的可靠性。而且，以相互接合的形态由凹凸或锯齿结构设置组成信号线的布线之间的边界线，从而可以使连接布线的连接部件途径变得最小，可以防止在接触部产生信号扭曲或断线现象。

以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (23)

1.一种薄膜晶体管阵列面板，包括：

显示单元阵列电路，包含多条栅极线、多条数据线、多个薄膜晶体管、及多个像素电极；

栅极驱动电路，向所述栅极线提供栅极信号；以及

信号线，与所述栅极驱动电路连接并包括彼此分开的第一和第二布线及通过同时露出所述第一布线和所述第二布线的接触孔与所述第一布线和所述第二布线连接的连接部件，

其中所述接触孔的边界线具有花瓣形态或凹凸结构。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列面板，其特征在于，所述第一布线和第二布线设置在不同层。

3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管阵列面板，其特征在于，还包括：

第一绝缘层，形成于所述第一布线上。

4.根据权利要求3所述的薄膜晶体管阵列面板，其特征在于，所述接触孔露出所述第一布线的边缘。

5.根据权利要求4所述的薄膜晶体管阵列面板，其特征在于，所述第一布线的露出边缘具有花瓣形态或凹凸结构。

6.根据权利要求3所述的薄膜晶体管阵列面板，其特征在于，所述第一布线包括下部薄膜及在所述下部薄膜上的上部薄膜。

7.根据权利要求6所述的薄膜晶体管阵列面板，其特征在于，所述下部薄膜由铝、铝合金、银、或银合金组成，而所述上部薄膜由铬、钼、钛、或钽组成。

8.根据权利要求7所述的薄膜晶体管阵列面板，其特征在于，所述接触孔露出所述第一布线的所述下部薄膜。

9.根据权利要求3所述的薄膜晶体管阵列面板，其特征在于，还包括：

第二绝缘层，形成于所述第二布线上。

10.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列面板，其特征在于，所述第一布线与所述栅极线或所述数据线在同一层形成。

11.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列面板，其特征在于，所述连接部件与所述像素电极在同一层形成。

12.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列面板，其特征在于，所述连接部件与所述栅极线或所述数据线在同一层形成。

13.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列面板，其特征在于，所述栅极驱动电路包括移位寄存器，所述移位寄存器包括依次连接的多个级，而所述信号线传送具有相移位的多个时钟信号之一和电压。

14.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列面板，其特征在于，还包括向所述数据线提供数据信号的数据驱动电路。

15.一种薄膜晶体管阵列面板，包括：

显示单元阵列电路，包含多条栅极线、多条数据线、多个薄膜晶体管、及多个像素电极；

栅极驱动电路，向所述多条栅极线提供栅极信号；

信号线，与所述栅极驱动电路连接并包括彼此分开的第一布线和第二布线及通过同时露出所述第一布线和所述第二布线的接触孔与所述第一布线和所述第二布线连接的连接部件，

其中所述第一布线和所述第二布线的边缘具有锯齿状且相互接合。

16.根据权利要求15所述的薄膜晶体管阵列面板，其特征在于，所述第一布线和所述第二布线设置在不同层。

17.根据权利要求16所述的薄膜晶体管阵列面板，其特征在于，所述接触孔至少部分露出所述第一布线和所述第二布线。

18.根据权利要求17所述的薄膜晶体管阵列面板，其特征在于，所述接触孔露出所述第一布线和所述第二布线的边缘。

19.根据权利要求15所述的薄膜晶体管阵列面板，其特征在于，所述第一布线与所述栅极线或所述数据线在同一层形成。

20.根据权利要求15所述的薄膜晶体管阵列面板，其特征在于，所述连接部件与所述像素电极在同一层形成。

21.根据权利要求15所述的信号线连接结构，其特征在于，所述连接部件与所述栅极线或所述数据线在同一层形成。

22.一种导电薄膜连接结构，所述连接结构包括：

第一导电层和第二导电层；

绝缘体，形成于所述第二导电层且具有可至少部分地同时露出所述第一导电层和所述第二导电层的接触孔；以及

连接部件，形成于所述绝缘体上，通过所述接触孔与所述第一导电层连接且与所述第二导电层连接，

其中所述接触孔的边缘具有花瓣形态或凹凸结构。

23.根据权利要求22所述的连接结构，其特征在于，所述第一布线和所述第二布线具有锯齿边缘且相互接合。

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