CN101621106B - 具有增透效应薄膜的发光二极管及其制备方法 - Google Patents
具有增透效应薄膜的发光二极管及其制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN101621106B CN101621106B CN2009101013205A CN200910101320A CN101621106B CN 101621106 B CN101621106 B CN 101621106B CN 2009101013205 A CN2009101013205 A CN 2009101013205A CN 200910101320 A CN200910101320 A CN 200910101320A CN 101621106 B CN101621106 B CN 101621106B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- film
- led luminescence
- luminescence chip
- light
- dielectric oxide
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title description 11
- 239000000084 colloidal system Substances 0.000 claims abstract description 34
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 30
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 11
- 101150075118 sub1 gene Proteins 0.000 claims abstract description 8
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 4
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 4
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 4
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 4
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 4
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 4
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 4
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 4
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims abstract description 4
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims abstract description 4
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 claims description 42
- 238000012856 packing Methods 0.000 claims description 17
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 11
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 claims description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 3
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 abstract 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 14
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 14
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 13
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 description 8
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 8
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 5
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 5
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N Alumina Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- NCGICGYLBXGBGN-UHFFFAOYSA-N 3-morpholin-4-yl-1-oxa-3-azonia-2-azanidacyclopent-3-en-5-imine;hydrochloride Chemical compound Cl.[N-]1OC(=N)C=[N+]1N1CCOCC1 NCGICGYLBXGBGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- YBMRDBCBODYGJE-UHFFFAOYSA-N germanium oxide Inorganic materials O=[Ge]=O YBMRDBCBODYGJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000449 hafnium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Hf+4] WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 1
- PVADDRMAFCOOPC-UHFFFAOYSA-N oxogermanium Chemical compound [Ge]=O PVADDRMAFCOOPC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Led Device Packages (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
本发明涉及发光二极管领域，旨在提供一种具有增透效应薄膜的发光二极管，包括LED发光芯片、反光碗和LED发光芯片的引出导线，LED发光芯片置于反光碗内，LED发光芯片和反光碗封装于封装胶体内；所述LED发光芯片的出光面镀有电介质氧化物增透薄膜；LED发光芯片、电介质氧化物增透薄膜、封装胶体组成的膜系结构为Sub1/(HL)^n/Sub2，Sub1为LED发光芯片的半导体材料，Sub2为封装胶体，L为镀膜的低折射率电介质氧化物材料，H为镀膜的高折射率电介质氧化物材料，2n为膜层总数，n＝1-60；L、H均为电介质材料中的钛、钽、铪、硅、锆、锡、锌、锗、铝中的一种的氧化物。
Description
技术领域
本发明涉及发光二极管领域，特别是涉及一种具有增透效应薄膜的发光二极管及其制备方法。
背景技术
发光二极管具有体积小、效率高和寿命长等优点，在交通指示、户外全色显示等领域有着广泛的应用。尤其是利用大功率发光二极管(LEDs)可实现半导体固态照明，引起人类照明史的革命，从而逐渐成为目前光电子学领域的研究热点。为了获得高亮度的LED，关键要提高器件的外量子效率。目前，芯片光提取效率是限制器件外量子效率的主要因素，其主要原因是LED芯片半导体材料与环氧树脂封装材料以及空气与环氧树脂封装材料之间的折射率差别较大，导致有源区产生的光在不同折射率材料界面发生全反射而不能导出芯片。
当光入射到折射率为n1和n2两种物质的界面上时，入射角θ1和折射角θ2遵守斯涅耳定则，则n1sinθ1＝n2sinθ2。发光二极管的半导体材料的折射率很高，这种晶体与空气交界的临界角为θ1＝sin-1(1/n1)，入射角大于临界角时形成全反射。就在4π立体角内各向均匀发射的复合发光而言，临界角内的光只占1/4n12。正入射时，在界面上的反射比，可见n2与n1相差越大，界面反射损失越高。LED芯片半导体材料折射率一般为2.3～3.6，远远大于环氧树脂的折射率，所以LED芯片发出的光经过半导体材料与环氧树脂材料界面和环氧树脂与空气界面后，界面反射损失很大，出光效率下降。
例如环氧树脂的折射率约为1.5，绿光LED用半导体材料GaP的折射率约为3.45，正入射时半导体材料和环氧树脂的界面反射损失为＝15.5％，环氧树脂和空气的界面反射损失为＝4％，所以LED芯片发出的光经过两个界面后，界面反射引起的光能损失约为20％。
发明内容
本发明的目的是克服现有技术的不足，提供一种具有增透效应薄膜的发光二极管及其制备方法，利用分别介于LED发光芯片与封装胶体之间以及封装胶体与空气之间的两种增透薄膜，减少界面损失，从而极大的提高LED的外量子效率。
为了达到上述目的，本发明是通过以下技术方案实现的。
一种具有增透效应薄膜的发光二极管，包括LED发光芯片、反光碗和LED发光芯片的引出导线，LED发光芯片置于反光碗内，LED发光芯片和反光碗封装于封装胶体内；所述LED发光芯片的出光面镀有电介质氧化物增透薄膜；LED发光芯片、电介质氧化物增透薄膜、封装胶体组成的膜系结构为Sub1/(HL)^n/Sub2，Sub1为LED发光芯片的半导体材料，Sub2为封装胶体，L为镀膜的低折射率电介质氧化物材料，H为镀膜的高折射率电介质氧化物材料，2n为膜层总数，n＝1-60；L、H均为电介质材料中的钛、钽、铪、硅、锆、锡、锌、锗、铝中的一种的氧化物。
作为改进，所述的封装胶体出光面具有MgF2材料镀膜而成的光学增透薄膜。
作为进一步改进，所述的封装胶体出光面具有Al2O3、HfO2和MgF2依次镀膜而成的光学增透薄膜。
本发明提供了一种具有增透效应薄膜的发光二极管的制备方法，包含以下步骤：
(1)在LED发光芯片出光面上镀电介质氧化物增透薄膜，采用真空蒸镀并离子辅助成膜方式制备。
(2)用上述方法处理过的LED发光芯片置于反光碗内，用封装胶体封装。
(3)在封装胶体出光面上镀MgF2，采用真空蒸镀并离子辅助成膜方式制备。
本发明还提供了一种具有增透效应薄膜的发光二极管的制备方法，其特征在于，包含以下步骤：
(1)在LED发光芯片出光面上镀电介质氧化物增透薄膜，采用真空蒸镀并离子辅助成膜方式制备。
(2)用上述方法处理过的LED发光芯片置于反光碗内，用封装胶体封装。
(3)在封装胶体出光面上依次镀Al2O3、HfO2和MgF2，采用真空蒸镀并离子辅助成膜方式制备。
作为改进，上述两种制备方法所述的真空蒸镀并离子辅助成膜方式包括冷镀或热镀，温度在50℃～300℃之间。
本发明的具有增透效应薄膜的发光二极管，在LED发光芯片出光面和封装胶体出光面分别镀电介质氧化物增透薄膜和光学增透薄膜，此种结构减少了反射界面光的损失，从而提高LED的外量子效率。
附图说明
图1为本发明的具有增透效应薄膜的发光二极管的结构示意图；
图中：1-LED发光芯片，2-电介质氧化物增透薄膜，3-环氧树脂封装胶体，4-光学增透薄膜，5-LED发光芯片的引出导线，6-反光碗。
图2为本发明具体实施例1中LED发光芯片的出光面所镀增透薄膜对LED发光芯片出射光的反色光谱图；
图3为本发明具体实施例2中LED发光芯片的出光面所镀增透薄膜对LED发光芯片出射光的反色光谱图；
图4为本发明具体实施例3中LED发光芯片的出光面所镀增透薄膜对LED发光芯片出射光的反色光谱图。
具体实施方式
结合附图，下面对本发明作进一步描述。
一种具有增透效应薄膜的发光二极管，包括LED发光芯片1、反光碗6和LED发光芯片的引出导线5，LED发光芯片1置于反光碗6内，LED发光芯片1和反光碗6封装于环氧树脂封装胶体3内；所述LED发光芯片1的出光面镀有电介质氧化物增透薄膜2；LED发光芯片1、电介质氧化物增透薄膜2、环氧树脂封装胶体3组成的膜系结构为Sub1/(HL)^n/Sub2，Sub1为LED发光芯片1的半导体材料，Sub2为环氧树脂封装胶体3，L为镀膜的低折射率电介质氧化物材料，H为镀膜的高折射率电介质氧化物材料，2n为膜层总数，n＝1-60；L、H均为电介质材料中的钛、钽、铪、硅、锆、锡、锌、锗、铝中的一种的氧化物。电介质氧化物增透薄膜2为氧化钛、氧化钽、氧化铪、氧化硅、氧化锆、氧化锡、氧化锌、氧化锗、氧化铝中的两种材料以折射率的高、低顺序交替镀膜而成；环氧树脂封装胶体3出光面镀有光学增透薄膜4。
实施例1：在GaN基蓝光(470±20nm)LED发光芯片1的出光面镀电介质氧化物增透薄膜2，该增透薄膜由Ta2O5材料和Al2O3材料组成，总层数为10，厚度约为1um；在环氧树脂封装胶体3的出光面镀光学增透薄膜4，光学增透薄膜4由MgF2材料组成，厚度为0.13um。镀膜后，LED发光芯片1和环氧树脂封装胶体3之间的反射损耗可以降低10％左右，环氧树脂封装胶体3和空气之间的反射损耗可以降低4％左右。
电介质氧化物增透薄膜2的膜系结构如下表：
| 层数 | 材料 | 厚度 |
| 1 | Ta2O5 | 110.36 |
| 2 | Al2O3 | 72.77 |
| 3 | Ta2O5 | 109.32 |
| 4 | Al2O3 | 135.47 |
| 5 | Ta2O5 | 109.97 |
| 6 | Al2O3 | 216.82 |
| 7 | Ta2O5 | 96.89 |
| 8 | Al2O3 | 111.88 |
| 9 | Ta2O5 | 53.54 |
| 10 | Al2O3 | 144.36 |
实施例2：在GaP基绿光(525±20nm)LED发光芯片1的出光面镀电介质氧化物增透薄膜2，该增透薄膜由TiO2材料和Al2O3材料组成，总层数为12，厚度约为1um；在环氧树脂封装胶体3的出光面镀光学增透薄膜4，光学增透薄膜4由Al2O3、HfO2和MgF2材料组成，厚度约为0.3um。镀膜后，LED发光芯片1和环氧树脂封装胶体3之间的反射损耗可以降低15％左右，环氧树脂封装胶体3和空气之间的反射损耗可以降低4％左右，总的光效可以提高约20％。
电介质氧化物增透薄膜2的膜系结构如下表：
| 层数 | 材料 | 厚度 |
| 1 | TiO2 | 111.95 |
| 2 | Al2O3 | 88.23 |
| 3 | TiO2 | 59.42 |
| 4 | Al2O3 | 17.55 |
| 5 | TiO2 | 142.9 |
| 6 | Al2O3 | 85.89 |
| 7 | TiO2 | 53.49 |
| 8 | Al2O3 | 144.62 |
| 9 | TiO2 | 83.67 |
| 10 | Al2O3 | 78.76 |
| 11 | TiO2 | 55.68 |
| 12 | Al2O3 | 165.65 |
光学增透薄膜4的膜系结构如下表：
| 层数 | 材料 | 厚度 |
| 1 | Al2O3 | 78.7 |
| 2 | HfO2 | 123.79 |
| 3 | MgF2 | 92.39 |
实施例3.在GaAs基红光(625±20nm)LED发光芯片1的出光镀电介质氧化物增透薄膜2，该增透薄膜由TiO2材料和Al2O3材料组成，层数为14，厚度约为2um；在环氧树脂封装胶体3的出光面镀光学增透薄膜4，光学增透薄膜4由Al2O3、HfO2和MgF2材料组成，厚度约为0.3um。镀膜后，LED发光芯片1和环氧树脂封装胶体3之间的反射损耗可以降低17％左右，环氧树脂封装胶体3和空气之间的反射损耗可以降低3％左右，总的光效可以提高约20％。光学增透薄膜4的膜系结构与实施例2相同。
电介质氧化物增透薄膜2的膜系结构如下表：
| 层数 | 材料 | 厚度 |
| 1 | TiO2 | 141.17 |
| 2 | Al2O3 | 91.02 |
| 3 | TiO2 | 179.41 |
| 4 | Al2O3 | 211.1 |
| 5 | TiO2 | 80.92 |
| 6 | Al2O3 | 307.53 |
| 7 | TiO2 | 145.9 |
| 8 | Al2O3 | 263.25 |
| 9 | TiO2 | 61.86 |
| 10 | Al2O3 | 369.45 |
| 11 | TiO2 | 114.72 |
| 12 | Al2O3 | 280 |
| 13 | TiO2 | 69.74 |
| 14 | Al2O3 | 197.75 |
最后，还需要注意的是，以上列举的仅是本发明的具体实施例子，显然，本发明不限于以上实施例子，还可以有许多变形。本领域的普通技术人员能从本发明公开的内容直接导出或联想到的所有变形，均应认为是本发明的保护范围。
Claims (3)
1.一种具有增透效应薄膜的发光二极管，其特征在于包括LED发光芯片、反光碗和LED发光芯片的引出导线，LED发光芯片置于反光碗内，LED发光芯片和反光碗封装于封装胶体内；所述LED发光芯片的出光面镀有电介质氧化物增透薄膜；LED发光芯片、电介质氧化物增透膜、封装胶体组成的膜系结构为Sub1/(HL)^n/Sub2，Sub1为LED发光芯片的半导体材料，Sub2为封装胶体，L为镀膜的低折射率电介质氧化物材料，H为镀膜的高折射率电介质氧化物材料，2n为膜层总数，n＝1-60；L、H均为电介质材料中的钛、钽、铪、硅、锆、锡、锌、锗、铝中的一种的氧化物。
2.根据权利要求1所述的具有增透效应薄膜的发光二极管，其特征在于：所述的封装胶体出光面具有MgF2材料镀膜而成的光学增透薄膜。
3.根据权利要求1所述的具有增透效应薄膜的发光二极管，其特征在于：所述的封装胶体出光面具有Al2O3、HfO2和MgF2依次镀膜而成的光学增透薄膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN2009101013205A CN101621106B (zh) | 2009-07-30 | 2009-07-30 | 具有增透效应薄膜的发光二极管及其制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN2009101013205A CN101621106B (zh) | 2009-07-30 | 2009-07-30 | 具有增透效应薄膜的发光二极管及其制备方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN101621106A CN101621106A (zh) | 2010-01-06 |
| CN101621106B true CN101621106B (zh) | 2012-05-16 |
Family
ID=41514230
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN2009101013205A Active CN101621106B (zh) | 2009-07-30 | 2009-07-30 | 具有增透效应薄膜的发光二极管及其制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN101621106B (zh) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102142514A (zh) * | 2010-01-28 | 2011-08-03 | 海洋王照明科技股份有限公司 | 一种led发光板及其制备方法 |
| CN103389608A (zh) * | 2013-07-24 | 2013-11-13 | 黄菁竹 | Led新闻采访灯 |
| DE102017107957A1 (de) * | 2017-04-12 | 2018-10-18 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Bauelement |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5802091A (en) * | 1996-11-27 | 1998-09-01 | Lucent Technologies Inc. | Tantalum-aluminum oxide coatings for semiconductor devices |
| CN1545146A (zh) * | 2003-11-18 | 2004-11-10 | 李明远 | 功率型半导体固体照明光源及其封装制备方法 |
| CN1581518A (zh) * | 2003-08-01 | 2005-02-16 | 厦门三安电子有限公司 | 一种表面增透发光二极管 |
| CN2726129Y (zh) * | 2004-07-30 | 2005-09-14 | 矢野昶晖科技（上海）有限公司 | 一种高亮度二极管白光光源 |
| CN101140964A (zh) * | 2006-09-08 | 2008-03-12 | 上海理工大学 | 一种用于提高led出光效率的薄膜及镀膜方法 |
-
2009
- 2009-07-30 CN CN2009101013205A patent/CN101621106B/zh active Active
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5802091A (en) * | 1996-11-27 | 1998-09-01 | Lucent Technologies Inc. | Tantalum-aluminum oxide coatings for semiconductor devices |
| CN1581518A (zh) * | 2003-08-01 | 2005-02-16 | 厦门三安电子有限公司 | 一种表面增透发光二极管 |
| CN1545146A (zh) * | 2003-11-18 | 2004-11-10 | 李明远 | 功率型半导体固体照明光源及其封装制备方法 |
| CN2726129Y (zh) * | 2004-07-30 | 2005-09-14 | 矢野昶晖科技（上海）有限公司 | 一种高亮度二极管白光光源 |
| CN101140964A (zh) * | 2006-09-08 | 2008-03-12 | 上海理工大学 | 一种用于提高led出光效率的薄膜及镀膜方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN101621106A (zh) | 2010-01-06 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN102376843A (zh) | Led封装透镜 | |
| US8853937B2 (en) | Wavelength conversion structure, manufacturing method thereof, and light-emitting device comprising the wavelength conversion structure | |
| US20130099661A1 (en) | Light emitting diode component | |
| CN103219449A (zh) | Led封装结构及led封装方法 | |
| CN108365075A (zh) | 具有斜面晶片反射结构的晶片级封装发光装置及其制造方法 | |
| TWI575781B (zh) | 用於發光二極體之寬頻介電反射器 | |
| CN101621106B (zh) | 具有增透效应薄膜的发光二极管及其制备方法 | |
| TW201533931A (zh) | 一種強光ｌｅｄ光源模組及其生產工藝 | |
| US8928024B2 (en) | Optical device and method for manufacturing the same | |
| CN101207173A (zh) | 一种具有一维光子晶体的发光二极管 | |
| CN101140967B (zh) | 高效率荧光体转换发光装置及其制造方法 | |
| CN106848032B (zh) | 一种晶圆级封装的led器件结构 | |
| US20150098239A1 (en) | Lighting device with remote down-converting material | |
| CN103915551A (zh) | 一种新型白光led封装结构及制作方法 | |
| CN111512453B (zh) | 一种复合绝缘反射层 | |
| Wang et al. | Enhancement of light extraction efficiency in GaN-based blue light-emitting diodes by doping TiO2 nanoparticles in specific region of encapsulation silicone | |
| CN103280499B (zh) | 发光二极管芯片及其制造方法 | |
| CN201956394U (zh) | 一种led照明模块 | |
| CN102468400B (zh) | Led封装结构及其制作方法 | |
| CN201103846Y (zh) | 发光二极管 | |
| CN219759608U (zh) | 封装结构 | |
| TWI587543B (zh) | 發光二極體封裝結構及其製造方法 | |
| CN203179937U (zh) | Led发光芯片的光提取层及led装置 | |
| CN113497013B (zh) | 发光装置 | |
| CN220155559U (zh) | 一种led器件 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| EE01 | Entry into force of recordation of patent licensing contract |
Application publication date: 20100106 Assignee: Hangzhou Network Technology Co., Ltd. Ger Assignor: China Jiliang University Contract record no.: 2014330000066 Denomination of invention: LED with antireflection film and preparation method thereof Granted publication date: 20120516 License type: Exclusive License Record date: 20140402 |
|
| LICC | Enforcement, change and cancellation of record of contracts on the licence for exploitation of a patent or utility model | ||
| CP01 | Change in the name or title of a patent holder |
Address after: 310018 learning source street, Xiasha Higher Education Park, Hangzhou, Zhejiang Patentee after: China Jiliang University Address before: 310018 learning source street, Xiasha Higher Education Park, Hangzhou, Zhejiang Patentee before: China Jiliang University |
|
| CP01 | Change in the name or title of a patent holder | ||
| EC01 | Cancellation of recordation of patent licensing contract |
Assignee: Hangzhou Network Technology Co.,Ltd. Ger Assignor: China Jiliang University Contract record no.: 2014330000066 Date of cancellation: 20220301 |
|
| EC01 | Cancellation of recordation of patent licensing contract | ||
| EE01 | Entry into force of recordation of patent licensing contract |
Application publication date: 20100106 Assignee: HANGZHOU KOTI OPTICAL TECHNOLOGY Co.,Ltd. Assignor: China Jiliang University Contract record no.: X2022330000051 Denomination of invention: Light emitting diode with antireflection effect film and its preparation method Granted publication date: 20120516 License type: Common License Record date: 20220309 |
|
| EE01 | Entry into force of recordation of patent licensing contract |