CN101615638B - 具有Te缓冲层的CdTe薄膜太阳电池 - Google Patents
具有Te缓冲层的CdTe薄膜太阳电池 Download PDFInfo
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Abstract
具有Te缓冲层的CdTe薄膜太阳电池,属于新能源材料与器件领域。采用Te作为缓冲层沉积在HNO3-H3PO4-H2O(NP)腐蚀后的碲化镉薄膜表面和背接触层之间的一种碲化镉太阳电池。添加的缓冲层Te,一方面,可以与腐蚀出来的富Te层形成良好的晶格匹配,同时降低了与CdTe之间的势垒高度。另一方面,可形成组分和结构单一且性质稳定的CuxTe,或者阻挡杂质离子的扩散,尤其避免了其在腐蚀后的晶界上迅速扩散。因此,可增加转换效率和旁路电阻,提高器件的性能,有利于CdTe薄膜太阳电池的规模化生产。
Description
技术领域
本发明属于新能源材料与器件领域。
背景技术
CdTe是一种重要的光伏材料,其能隙~1.44eV接近太阳能转换的最佳能隙,它与宽能隙的CdS(~2.42eV)形成CdS/CdTe异质结太阳电池,有很高的理论转换效率。目前,商业化组件的效率已达10%。
在CdTe太阳电池的制备过程中,实现CdTe与金属电极之间的欧姆接触是获得稳定、高效电池的关键技术之一。由于CdTe的电子亲和势为4.3eV,与大多数的金属都难以形成低电阻接触。因此,在工业化生产中,常采用HNO3-H3PO4-H2O(NP)腐蚀以去除CdTe表面杂质,获得富Te层(图1),随后,沉积背接触层,以减少背接触势垒的影响,从而实现CdTe与金属背电极间的欧姆接触。
但不足之处是NP腐蚀的富Te层厚薄不均,为孔状结构,而且这种腐蚀为择优腐蚀,特别是沿晶粒间界腐蚀。常规的CdTe太阳电池,背接触层常采用铜或含铜材料,会出现如下问题:对于含铜材料,因择优腐蚀导致金属离子或杂质沿晶粒间界扩散,可能形成导电旁路;对于铜,因孔状富Te层不均匀可能产生成分和结构复杂的CuxTe(1≤x≤2)。
发明内容
本发明的目的是为了解决NP腐蚀后CdTe表面形成的孔状富Te层以及择优腐蚀与铜或含铜背接触材料相互作用带来的问题。
为实现本发明,本发明的技术方案是在结构为玻璃/透明导电膜(TCO)/CdS/CdTe的薄膜表面,采用NP腐蚀后,沉积一层Te作为缓冲层,然后按照正常的顺序沉积背接触层以及金属电极以完成CdTe薄膜太阳电池的制备。
添加的缓冲层Te,可以与腐蚀出来的富Te层形成良好的晶格匹配,同时降低了与CdTe之间的势垒高度,减小了接触电阻,进而减少了在晶界的复合电流,同时作为P+层,其能隙约0.33eV,与CdTe界面的价带偏移约0.26eV,有利于空穴由CdTe进入Te层。
为了减小肖特基势垒,还需沉积Cu或含Cu背接触层,如ZnTe:Cu、HgTe:Cu、CuxTe,以减小界面态密度,增加pn结附近的载流子浓度,降低肖特基势垒高度。由于插入厚度均匀的缓冲层Te,因此,在沉积铜以及后处理后,将形成组分和结构单一且性质稳定的CuxTe;在沉积含铜背接触层后,缓冲层Te将阻挡杂质离子的扩散,尤其避免了其在腐蚀后的晶界上迅速扩散。
通过比较有无缓冲层Te的CdTe太阳电池,可以发现,添加缓冲层后,器件的旁路电阻可从200Ωcm2提高到500Ωcm2左右,转换效率普遍可提高5%~10%。因此,本发明的有益效果是:对于NP腐蚀后CdTe薄膜太阳电池,添加缓冲层Te后,增加了转换效率和旁路电阻,提高了器件性能的稳定性和重复性,有利于CdTe薄膜太阳电池的规模化生产。
附图说明
图1为NP腐蚀后CdTe薄膜的XRD示意图。
图2为NP腐蚀CdTe薄膜后的示意图。
图3为具有Te缓冲层的CdTe薄膜太阳电池结构示意图。
图2和图3中的符号表示:G为玻璃衬底,T为TCO,W为CdS,A为CdTe,B为缓冲层Te,B1为背接触层,M为金属电极。
具体实施方式
以下结合图1-3和实施例详述本发明。
本发明实施例中采用的CdTe薄膜样品经过常规的CdCl2退火处理,其结构为玻璃衬底(G)/TCO(T)/CdS(W)/CdTe(A),把上述CdTe薄膜样品置入NP腐蚀液中,腐蚀液是质量百分比分别为65%~68%的硝酸、85%的磷酸和去离子水以(1~5)∶(60~100)∶(10~100)体积比混合,腐蚀时间30~200秒,腐蚀温度为常温,约27℃。在腐蚀液中氧化剂HNO3作用下,在CdTe(A)表面生成富Te层。图1给出了CdTe薄膜经NP腐蚀后,在衍射角27.7°附近出现了六方相Te的(101)的衍射峰。NP腐蚀为择优腐蚀,如图2所示。随后,用去离子水冲洗,并用氮气吹干,再溅射或真空蒸发沉积缓冲层Te(B),厚度5nm~150nm。最后,制作Cu或含Cu背接触层(B1),其中含Cu背接触层为ZnTe:Cu、HgTe:Cu、CuxTe中任一种,厚度30nm~150μm,并沉积金属电极(M),如Ni、Ni/Al合金或Au中的一种,厚度100nm~3μm,这样完成了CdTe太阳电池的制备,其结构为玻璃衬底(G)/TCO(T)/CdS(W)/CdTe(A)/Te/背接触层(B1)/金属电极(M),如图3所示。
实施例一:
(1)腐蚀液的温度控制在27℃的情况下,将样品放入腐蚀液中,腐蚀液是质量百分比分别为65%~68%的硝酸、85%的磷酸和去离子水以1∶70∶29体积比混合,腐蚀时间为30秒。
(2)取出样品,去离子水冲洗数次,用氮气吹干。
(3)用溅射法或真空热蒸发法,沉积缓冲层Te(B),厚度5nm~150nm。
(4)真空热蒸发或溅射Cu(B1),厚度20~200nm,氮气保护退火~20分钟,温度250℃~300℃。
(5)最后沉积100nm~3μm金属电极(M),是Ni、Ni/Al合金或Au中的一种,制备方法为电子束蒸发、溅射或真空热蒸发。
实施例二:
(1)腐蚀液的温度控制在27℃的情况下,将样品放入腐蚀液中,腐蚀液是质量百分比分别为65%~68%的硝酸、85%的磷酸和去离子水以1∶70∶29体积比混合,腐蚀时间为30秒。
(2)取出样品,用去离子水冲洗数次,氮气吹干。
(3)用溅射法或真空热蒸发法,沉积缓冲层Te(B),厚度5nm~150nm。
(4)用10%HgTe∶Cu/90%石墨浆(B1)涂覆其上,厚度100μm,氦气保护退火~20分钟,温度250℃~300℃。
(5)最后沉积100nm~3μm金属电极(C),是Ni、Ni/Al合金或Au中的一种,制备方法为电子束蒸发、溅射或真空热蒸发。
实施例三:
(1)腐蚀液的温度控制在27℃的情况下,将样品放入腐蚀液中,腐蚀液是质量百分比分别为65%~68%的硝酸、85%的磷酸和去离子水以1∶70∶29体积比混合,腐蚀时间为30秒。
(2)取出样品,去离子水冲洗数次,用氮气吹干。
(3)用溅射法或真空热蒸发法,沉积缓冲层Te(B),厚度5nm~150nm。
(4)沉积ZnTe:Cu(B1),厚度30nm~200nm,制备技术为真空热蒸发或溅射。随后,氮气保护退火~20分钟,温度100℃~250℃。
(5)最后沉积100nm~3μm金属电极(C),是Ni、Ni/Al合金或Au中的一种,制备方法为电子束蒸发、溅射或真空热蒸发。
实施例四:
(1)腐蚀液的温度控制在27℃的情况下,将样品放入腐蚀液中,腐蚀液是质量百分比分别为65%~68%的硝酸、85%的磷酸和去离子水以1∶70∶29体积比混合,腐蚀时间为30秒。
(2)取出样品,用去离子水冲洗数次,氮气吹干。
(3)用溅射法或真空热蒸发法,沉积缓冲层Te(B),厚度5nm~150nm。
(4)沉积CuxTe(B1)薄膜,采用的技术为真空热蒸发法或溅射法,厚度30nm~200nm。随后,氮气保护退火~20分钟,温度150℃~250℃。
(5)最后沉积100nm~3μm金属电极(C),是Ni、Ni/Al合金或Au中的一种,制备方法为电子束蒸发、溅射或真空热蒸发。
Claims (4)
1.具有Te缓冲层的CdTe薄膜太阳电池,结构为:玻璃/TCO/CdS/CdTe/Te/背接触层/金属电极,其特征是:常温下利用腐蚀液HNO3-H3PO4-H2O对玻璃/TCO/CdS/CdTe腐蚀30~200秒后,在CdTe表面生成富Te层,随后沉积缓冲层碲,接着顺序沉积背接触层和金属电极,其中腐蚀液为质量百分比浓度65%~68%的硝酸、85%的磷酸和去离子水以(1~5)∶(60~100)∶(10~100)的体积比混合。
2.如权利要求1所述的具有Te缓冲层的CdTe薄膜太阳电池,其特征是:碲的厚度5nm~150nm。
3.如权利要求1所述的具有Te缓冲层的CdTe薄膜太阳电池,其特征是:背接触层为Cu或含Cu材料,是Cu、CuxTe、ZnTe:Cu、HgTe:Cu中的任一种,厚度为30nm~150μm,其中,CuxTe中x的取值为1≤x≤2。
4.如权利要求1所述的具有Te缓冲层的CdTe薄膜太阳电池,其特征是:金属电极为Ni、Ni/Al合金、Au中的一种,厚度100nm~3μm。
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