CN101602984A - 一种硅片清洗剂的制备方法 - Google Patents

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Abstract

一种硅片清洗剂的制备方法，涉及光利用技术领域，先将硼酸钠和焦磷酸钾混合溶于水中，再将氢氧化钾溶于水中，再分别将椰子油烷基醇酰胺磷酸酯、辛烷基苯酚聚氧乙烯醚溶于水中，再将两溶液均匀混合，最后将以上三种溶液均匀混合，即成硅片清洗剂。本发明方法简单、易于生产，可有效降低生产成本，且生成的清洗剂原液可长期保存、运输，产品不含任何有机溶剂，无任何刺激性气味，工作液的pH值在9～11，并且清洗效率高，使用周期长，对硅片无腐蚀性等特点。本发明与传统的硅片清洗剂相比单位成本下降近60％。

Description

一种硅片清洗剂的制备方法
技术领域
本发明涉及光利用技术领域。
背景技术
在光伏产业、硅片生产过程中需将硅片进行清洗，才能生产出合格产品。目前此类清洗剂采用磷酸三钠、氢氧化钠、表面活性剂、丙酮等混合而成，由于PH值高，不利于硅片的长时间的浸泡清洗，容易出现花斑现象，含有磷酸三钠，不利于环境保护，而且在浓缩液中的溶解度小，为提高在其中的溶解度，因而时常会采用双组分配方，给使用带来不便。
发明内容
本发明目的在于发明一种PH值低、不含有机溶剂、无刺激性气味、成本低的清洗剂的生产方法：
包括以下步骤：
1)将硼酸钠和焦磷酸钾混合溶于水中；
2)将氢氧化钾溶于水中；
3)分别将椰子油烷基醇酰胺磷酸酯、辛烷基苯酚聚氧乙烯醚溶于水中，再将两溶液均匀混合；
4)将以上三种溶液均匀混合，即成硅片清洗剂。
本发明方法简单、易于生产，可有效降低生产成本，且生成的清洗剂原液可长期保存、运输。实际应用时，只需以洁净的水稀释即可。发明产品不含任何有机溶剂，无任何刺激性气味，工作液的PH值在9～11，并且清洗效率高，使用周期长，对硅片无腐蚀性等特点。
另，本发明用于溶解硼酸钠和焦磷酸钾的水温为60～80℃。
本发明用于溶解氢氧化钾的水为常温。
本发明用于溶解椰子油烷基醇酰胺磷酸酯和辛烷基苯酚聚氧乙烯醚水为常温。
本发明步骤4)的混合温度为常温。
具体实施方式：
一、调配步骤：
1、将1～2g硼酸钠和3～5g焦磷酸钾混合后溶于100ml 60～80℃的温水中，搅拌均匀，制成溶液A。
2、常温条件下，将1～2g氢氧化钾溶于100ml水中，并搅拌均匀，制成溶液B。
3、分别先将4～6g椰子油烷基醇酰胺磷酸酯(6503)、3～5g辛烷基苯酚聚氧乙烯醚(TX-10)溶于300ml水中，然后将两液混合，并搅拌均匀，制成溶液C。
4、将上述三份溶液A、B、C混合，再加入500ml水，并搅拌均匀即成1000ml硅片清洗剂原液。
二、应用：
取10ml硅片清洗剂原液和清水190ml混合并搅拌均匀用于硅片进行清洗。
三、效果：
经试验，本发明硅片清洗剂可长时间浸泡清洗，不出现花斑现象。工作环境环保，在实际使用过程中，单位清洗成本在1分钱左右。

Claims (5)

1、一种硅片清洗剂的制备方法，其特征在于包括以下步骤：
1)将硼酸钠和焦磷酸钾混合溶于水中；
2)将氢氧化钾溶于水中；
3)分别将椰子油烷基醇酰胺磷酸酯、辛烷基苯酚聚氧乙烯醚溶于水中，再将两溶液均匀混合；
4)将以上三种溶液均匀混合，即成硅片清洗剂。
2、根据权利要求1所述硅片清洗剂的制备方法，其特征在于用于溶解硼酸钠和焦磷酸钾的水温为60～80℃。
3、根据权利要求1所述硅片清洗剂的制备方法，其特征在于用于溶解氢氧化钾的水为常温。
4、根据权利要求1所述硅片清洗剂的制备方法，其特征在于用于溶解椰子油烷基醇酰胺磷酸酯和辛烷基苯酚聚氧乙烯醚水为常温。
5、根据权利要求1所述硅片清洗剂的制备方法，其特征在于步骤4)的混合温度为常温。
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PB01 Publication
C02 Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001)
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Open date: 20091216