CN101585507B - 一种pdms微流控芯片中通孔结构的制作方法 - Google Patents

一种pdms微流控芯片中通孔结构的制作方法 Download PDF

Info

Publication number
CN101585507B
CN101585507B CN 200910053593 CN200910053593A CN101585507B CN 101585507 B CN101585507 B CN 101585507B CN 200910053593 CN200910053593 CN 200910053593 CN 200910053593 A CN200910053593 A CN 200910053593A CN 101585507 B CN101585507 B CN 101585507B
Authority
CN
China
Prior art keywords
pdms
micro
chip
microtrabeculae
hole structure
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN 200910053593
Other languages
English (en)
Other versions
CN101585507A (zh
Inventor
李刚
陈强
李俊君
赵建龙
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shanghai Prospective Innovation Research Institute Co ltd
Original Assignee
Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology of CAS
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology of CAS filed Critical Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology of CAS
Priority to CN 200910053593 priority Critical patent/CN101585507B/zh
Publication of CN101585507A publication Critical patent/CN101585507A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN101585507B publication Critical patent/CN101585507B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)

Abstract

本发明公开了一种PDMS微流控芯片中通孔结构的制作方法,其特征在于利用磁性力的辅助,将微柱或微管固定于芯片模具上拟制作通孔结构的位置,然后通过整体浇注PDMS预聚物,并固化键合,制作出具有高深宽比通孔结构的PDMS微流控芯片。本发明提供的微流控芯片成形与通孔制作一次完成,简化了微流控芯片制作工艺,而且通过微柱或微管与芯片模具固定,实施整体浇注,提高了通孔制作的精确度,保证了通孔形状的规整性,避免了形成通孔孔形不规则、损坏微管道结构等问题。另外,微磁柱排布利用预制模具镶嵌固定,还可以提高通孔制作密度,实现批量化加工制作。

Description

一种PDMS微流控芯片中通孔结构的制作方法
技术领域
本发明涉及一种PDMS微流控芯片中通孔结构的制作方法,可应用于芯片实验室。
背景技术
近年来,微流控芯片作为一种新的技术平台,在生物和化学领域受到广泛关注,是当前发展最活跃的领域之一。制作微流控芯片的材料主要有硅片、玻璃、石英和高分子聚合物等。其中聚二甲基硅氧烷(polydimethyl siloxane,PDMS)以其加工成形方便、价格便宜、耐用且化学惰性、生物相容性好等优点,在微流控芯片的加工制作中得到广泛应用。在PDMS微流控芯片的制作过程中,形成通孔结构用于PDMS微流控芯片与外界连接或连通不同结构层的微管道和微腔体具有重要意义。目前在PDMS微流控芯片上制作通孔的方法通常是采用基于金属针管的打孔器,目测对准待通孔位置,然后利用压力切除相应位置PDMS,从而形成通孔结构[Li S.and Chen S.Polydimethylsioxane fluidic interconnects for microfluidic systems.IEEETransactions On Advanced Packaging,2003,26:242-247.]。该方法虽然简单快捷,但是由于PDMS材料具有较大的弹性,打孔过程中往往容易因PDMS变形导致打孔位置偏移,从而损坏微流控芯片结构;另外,打孔时施力不均也容易导致形成通孔形状不规则,从而影响微流控芯片的应用。因此,开发简捷、定位准确且形状规整的通孔制作技术是PDMS微流控芯片应用发展和推广的关键问题之一。
发明内容
本发明的目的是提供一种PDMS微流控芯片中通孔结构的制作方法,以实现PDMS微流控芯片不同结构层或PDMS微流控芯片与外界的有效、可靠互连。
本发明提供的PDMS微流控芯片中通孔结构的制作方法,其特征在于:利用磁性力的辅助,将微柱或微管固定于芯片模具上拟制作通孔结构的位置,然后通过整体浇注PDMS预聚物,并固化键合,从而制作具有高深宽比(深宽比>5)通孔结构的PDMS微流控芯片。
具体而言,PDMS微流控芯片通孔结构制作时,首先利用光刻工艺制作微流控芯片模具,并将芯片模具置于培养皿或铝箔纸捏制的容器中;接着,在容器底部对应芯片模具基片的位置放置一不锈钢、铁、镍或含铁镍的合金材料平板,并在芯片模具上方对应欲制作通孔结构的位置放置基于磁性材料的微柱或微管;或者,在容器底部垂直对应芯片模具欲制作通孔结构的位置放置基于磁性材料的微柱,并在芯片模具上方对应欲制作通孔结构的位置放置基于不锈钢、铁、镍或含铁镍合金材料的微柱或微管;若微流控芯片上欲制作多个通孔结构,且通孔之间相距较小,则磁性微柱可镶嵌固定于预制孔形结构的模具中,防止磁性微柱因相互磁力作用而偏移固定位置;然后,在容器内浇注由PDMS前体和固化剂混合的PDMS预聚物;PDMS固化后,抽出微柱或微管,从芯片模具上剥离PDMS,与另一基片键合,从而制作具有通孔结构的PDMS微流控芯片;或者,PDMS固化后,直接从芯片模具上剥离PDMS,与另一基片键合,保留微管作为微流控芯片的组装结构,使微流控芯片直接通过微管插接软管与外界互连。
由此可见,①多个磁性材料微柱位于芯片模具基片下方时,若微柱之间间距较大,各微柱可分别自由单独放置;若微柱之间间距较小,可将微柱镶嵌于预制的平板模具中,然后放置于芯片模具基片下方;
②采用微柱固定时,PDMS固化后,需抽出微柱形成通孔;采用微管固定时,固定的微管可以抽出,也可以作为PDMS芯片的结构保留;
③所述的通孔结构可以为微流控芯片与外界连接的开口,也可以为连通微流控芯片不同微管道层的连接结构;
④微柱或微管通过磁性力的作用固定于芯片模具预定结构位置;
⑤微柱或微管外形或孔径与待制作通孔结构形状或孔径相同;微柱或微管的高度大于待制作PDMS芯片层的厚度;
多个磁性材料微柱位于芯片模具基片下方时,若微柱之间间距较大,各微柱可分别自由单独放置;若微柱之间间距较小,可将微柱镶嵌于预制的平板模具中,然后放置于芯片模具基片下方;
采用微柱固定时,PDMS固化后,需抽出微柱形成通孔;采用微管固定时,固定的微管可以抽出,也可以作为PDMS芯片的结构保留。
本发明与目前常规的基于针管打孔器的通孔制作方法相比,微流控芯片成形与通孔制作一次完成,简化了微流控芯片制作工艺,而且通过微柱或微管与芯片模具固定,实施整体浇注,提高了通孔制作的精确度,保证了通孔形状的规整性,避免了形成通孔孔形不规则、损坏微管道等问题。另外,微磁柱排布利用预制模具镶嵌固定,还可以提高通孔制作密度,实现批量化加工制作。
附图说明
图1为本发明的实施例1利用不锈钢板辅助磁性微柱定位固定于芯片模具上,用以制作通孔结构的示意图;
图2为本发明的实施例1利用磁柱辅助不锈钢微柱定位固定于芯片模具上,用以制作通孔结构的示意图;
图3为本发明的实施例1利用磁柱辅助不锈钢微管定位固定于芯片模具上,用以制作集成连接微管结构PDMS微流控芯片的示意图;
图4为本发明的实施例2利用镶嵌于PDMS中高密度磁柱组辅助多个不锈钢微柱高密度定位固定,以制作具有高密度通孔结构PDMS微流控芯片的示意图;
图5为本发明的实施例3利用镶嵌于PDMS中磁柱组辅助不锈钢微柱定位固定,以制作集成连接性通孔结构PDMS微流控芯片底层芯片层的示意图;
图6为本发明的实施例3利用镶嵌于PDMS中磁柱组辅助不锈钢微柱定位固定,以制作集成连接性通孔结构PDMS微流控芯片上层层芯片层的示意图;
图7为本发明的实施例3利用上述微柱定位固定方法制作集成连接性通孔结构多层PDMS微流控芯片的组装示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例进一步说明本发明的实质性特点和显著的进步。
实施例1.PDMS微流控芯片上用作进样口和出样口通孔结构的制作
1.1磁性微柱固定
本发明可用于在PDMS微流控芯片上制作进样口和出样口的通孔结构,如图1所示,首先利用光刻工艺制作微流控芯片模具1,并将芯片模具1置于铝箔纸捏制的容器2中;然后,在容器底部对应芯片模具位置放置一不锈钢平板3,并在芯片模具上方对应欲制作通孔结构的位置放置微磁柱4,以磁力固定之;固定好微磁柱后,在容器内浇注由PDMS预聚体和固化剂混合(质量比10∶1)的PDMS预聚物,并置于80℃热板上固化1小时;待PDMS固化后,移除不锈钢平板3,抽出微磁柱4,从芯片模具上剥离PDMS,并与另一平整基片键合,从而制作具有进样口和出样口通孔结构的的PDMS微流控芯片。
1.2不锈钢微柱固定
本发明也可采用另一种方式固定用于制作通孔结构的微柱,如图2所示,首先利用光刻工艺制作微流控芯片模具1,并将芯片模具1置于铝箔纸捏制的容器2中;然后,在容器底部垂直对应芯片模具欲制作通孔结构的位置放置磁柱5,并在芯片模具上方对应欲制作通孔结构的位置放置不锈钢微柱6,以磁力固定之;固定好微磁柱后,在容器内浇注由PDMS预聚体和固化剂混合(质量比10∶1)的PDMS预聚物,并置于80℃热板上固化1小时;待PDMS固化后,移除磁柱5,抽出不锈钢微柱6,从芯片模具上剥离PDMS,并与另一平整基片键合,从而制作具有进样口和出样口通孔结构的PDMS微流控芯片。
1.3不锈钢微管固定
本发明制作PDMS微流控芯片上的进样口和出样口通孔结构时,可实现通孔结构和连接安装的一次完成,如图3所示,首先利用光刻工艺制作微流控芯片模具1,并将芯片模具1置于铝箔纸捏制的容器2中;然后,在容器底部垂直对应芯片模具欲制作通孔结构的位置放置磁柱5,并在芯片模具上方对应欲制作通孔结构的位置放置不锈钢微管7,以磁力固定之;固定好微管后,在容器内浇注由PDMS前体和固化剂混合(10∶1)的PDMS预聚物,并置于热板上固化;待PDMS固化后,移除磁柱5,并从芯片模具上剥离PDMS,然后与另一平整基片键合,从而制作集成有连接微管的PDMS微流控芯片。
实施例2.PDMS微流控芯片上高密度通孔结构的制作
若PDMS微流控芯片上欲制作多个通孔结构,且通孔之间相距较小,则相邻磁柱之间的相互磁力作用会导致磁柱的位置偏移,影响微柱的定位固定;为了避免PDMS微流控芯片上制作较高密度通孔结构时,相邻磁柱之间的相互磁力作用对微柱定位固定的影响,可采用如下方式进行微柱固定(如图4所示):首先浇注一基于PDMS材料的平板8,并以打孔器在此平板上制作一组小孔,小孔中心位置与模具上待制作通孔中心基本对应,且小孔孔径等于或略小于磁性微柱直径,然后将磁性微柱一一镶嵌于小孔中固定,通过这种固定方式防止两个或多个磁柱紧密排布时因相互磁力作用导致位置偏移。固定磁柱的模板制作完成后,将装有芯片模具1的铝箔纸容器2放置于此平板模板上,并保持芯片模具欲制作通孔结构的位置与模板上磁柱位置对准,然后在芯片模具上方对应欲制作通孔结构的位置上放置不锈钢微柱6,以磁力固定之;固定好微柱后,在容器内浇注由PDMS前体和固化剂混合(10∶1)的PDMS预聚物,并置于热板上固化;待PDMS固化后,移除磁柱5,并从芯片模具上剥离PDMS,然后与另一平整基片键合,从而制作具有较高密度通孔结构的PDMS微流控芯片。
实施例3.PDMS微流控芯片上连通不同微管道层的通孔结构的制作
本发明也用于制作PDMS微流控芯片上连通不同微管道层的通孔结构,如图5和图6所示,首先分别制作含微通孔结构的底层微管道层模具和上层微管道层模具,整个制作流程与实施例2操作类似,以对应位点镶嵌有磁性微柱5的PDMS平板8,置于装有芯片模具1的铝箔纸容器2下面,实现通孔位置处不锈钢微柱的固定,与实施例2不同之处在于:底层芯片模具1上除了以磁力固定有一组用于制作芯片开口结构的不锈钢微柱6外,还固定了一组用于制作连接通孔结构的更小直径的不锈钢微柱9。固定好微柱后,在容器内浇注由PDMS前体和固化剂混合(10∶1)的PDMS预聚物,并置于热板上固化;待PDMS固化后,从两个铝箔纸容器下面分别移除镶嵌磁柱的PDMS平板8,并从芯片模具上剥离PDMS,分别制得上层微管道层芯片层10和底层微管道层芯片层11,将二者对准键合,最后再与一平整玻璃或PDMS基片12键合,制作完成含有连接微通孔结构的多层PDMS微流控芯片。

Claims (8)

1.一种PDMS微流控芯片中通孔结构的制作方法,其特征在于首先将微柱或微管固定于芯片模具上拟制作通孔结构的位置;然后通过整体浇注,制作具有高深宽比通孔结构的PDMS微流控芯片,PDMS系聚二甲基硅烷的英文缩写;制作步骤为:
(a)首先利用光刻工艺制作微流控芯片模具,并将芯片模具置于培养皿或铝箔纸捏制的容器中;
(b)接着,在容器底部对应芯片模具基片的位置放置一不锈钢、铁、镍或含铁镍的合金材料平板,并在芯片模具上方对应欲制作通孔结构的位置放置基于磁性材料的第二微柱或微管;或者,在容器底部垂直对应芯片模具欲制作通孔结构的位置放置基于磁性材料的第一微柱,并在芯片模具上方对应欲制作通孔结构的位置放置基于不锈钢、铁、镍或含铁镍合金材料的第二微柱或微管;
(c)然后,在容器内浇注由PDMS预聚前体和固化剂混合的PDMS预聚物;PDMS固化后,抽出基于磁性材料或基于不锈钢、铁、镍或含铁镍合金材料的第二微柱,从芯片模具上剥离PDMS,与另一基片键合,从而制作具有通孔结构的PDMS微流控芯片;或者,PDMS固化后,直接从芯片模具上剥离PDMS,与另一基片键合,保留基于磁性材料或基于不锈钢、铁、镍或含铁镍合金材料的微管作为微流控芯片的组装结构,使微流控芯片直接通过微管插接软管与外界互联。
2.按权利要求1所述的PDMS微流控芯片中通孔结构的制作方法,其特征在于第二微柱或微管外形和孔径与待制作通孔结构形状和孔径相同;第二微柱或微管的高度大于待制作PDMS芯片层的厚度。
3.按权利要求1所述的PDMS微流控芯片中通孔结构的制作方法,其特征在于多个磁性材料第一微柱位于芯片模具基片下方时,若磁性第一微柱之间间距较大,各磁性第一微柱分别自由单独放置;若磁性第一微柱之间间距较小,将磁性第一微柱镶嵌于预制有一组小孔的平板模板中,然后放置于芯片模具基片下方。
4.按权利要求1所述的PDMS微流控芯片中通孔结构的制作方法,其特征在于微柱或微管通过磁性力固定于芯片模具预定的结构位置。
5.按权利要求1所述的PDMS微流控芯片中通孔结构的制作方法,其特征在于微流控芯片成形与通孔的制作一次完成。
6.按权利要求3所述的PDMS微流控芯片中通孔结构的制作方法,其特征在于平板模板上的一组小孔的孔径等于或略大于磁性第一微柱直径;小孔的中心位置与模板上待制作的通孔中心对应。
7.按权利要求3或6所述的PDMS微流控芯片中通孔结构的制作方法,其特征在于平板模板上的一组小孔是用打孔器制作的。
8.按权利要求1所述的PDMS微流控芯片中通孔结构的制作方法,其特征在于所述的第二微柱的底层芯片模具上除固定有一组制作芯片开口结构的不锈钢第二微柱外,还固定一组用于制作连接通孔结构的更小直径的不锈钢第三微柱。
CN 200910053593 2009-06-23 2009-06-23 一种pdms微流控芯片中通孔结构的制作方法 Active CN101585507B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN 200910053593 CN101585507B (zh) 2009-06-23 2009-06-23 一种pdms微流控芯片中通孔结构的制作方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN 200910053593 CN101585507B (zh) 2009-06-23 2009-06-23 一种pdms微流控芯片中通孔结构的制作方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101585507A CN101585507A (zh) 2009-11-25
CN101585507B true CN101585507B (zh) 2013-07-03

Family

ID=41369966

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN 200910053593 Active CN101585507B (zh) 2009-06-23 2009-06-23 一种pdms微流控芯片中通孔结构的制作方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN101585507B (zh)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011174856A (ja) * 2010-02-25 2011-09-08 Tokyo Electron Ltd クロマトグラフィー用カラム、その製造方法、および分析装置
CN102897710B (zh) * 2012-10-22 2015-05-20 清华大学 一种pdms微流体器件中通孔结构的制作方法
CN103203257B (zh) * 2013-03-12 2015-03-04 西安交通大学 一种制备纸质微流体芯片的方法
CN103398252B (zh) * 2013-08-07 2016-09-28 苏州扬清芯片科技有限公司 一种电磁型芯片接头
CN103386339A (zh) * 2013-08-07 2013-11-13 苏州扬清芯片科技有限公司 一种微流控芯片接头装置
CN107389642A (zh) * 2017-08-01 2017-11-24 北京科技大学 单细胞高效捕获、高内涵成像和全转录组分析装置和方法
CN112387316B (zh) * 2019-08-19 2021-09-21 中国科学院亚热带农业生态研究所 一种3d微流控芯片模型、3d微流控芯片及其制备方法和应用

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6238538B1 (en) * 1996-04-16 2001-05-29 Caliper Technologies, Corp. Controlled fluid transport in microfabricated polymeric substrates
CN1629640A (zh) * 2003-12-18 2005-06-22 中国科学院大连化学物理研究所 一种集成了透析功能的微流控芯片及其制备方法
CN101224867A (zh) * 2008-01-24 2008-07-23 浙江大学 基于微观层流控制的各向同性材料高深宽比结构刻蚀方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6238538B1 (en) * 1996-04-16 2001-05-29 Caliper Technologies, Corp. Controlled fluid transport in microfabricated polymeric substrates
CN1629640A (zh) * 2003-12-18 2005-06-22 中国科学院大连化学物理研究所 一种集成了透析功能的微流控芯片及其制备方法
CN101224867A (zh) * 2008-01-24 2008-07-23 浙江大学 基于微观层流控制的各向同性材料高深宽比结构刻蚀方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN101585507A (zh) 2009-11-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101585507B (zh) 一种pdms微流控芯片中通孔结构的制作方法
CN103081317B (zh) 叠积式铁心的制造方法
US9815054B2 (en) Lab-on-a-chip fabrication method and system
CN101977749B (zh) 注塑成形方法及注塑成形模具
WO2008105561A1 (ja) 回路基板およびその製造方法
CN106179543A (zh) 一种基于焦糖倒模制作微流控芯片的方法及其应用
CN202356108U (zh) 微米级粒子高通量分选的微流控器件
CN102513169A (zh) 一种微米级粒子高通量分选的微流控器件及其制作方法
CN101135690B (zh) 一种微磁场集成的聚合物微流控装置的制作方法
CN102371194B (zh) 制造微流体系统的方法
CN103262226A (zh) 用于制造具有成型体的电子组件的方法
CN101150008A (zh) 聚合物基底双平面电磁线圈的制作方法
TW201527071A (zh) 成形品之製造方法及金屬樹脂一體成形品
CN101716473B (zh) 芯片内微混合器及其制作方法
JP2006349509A (ja) μ−TAS用チップの製造方法
CN2550156Y (zh) 一种微流控塑料芯片注射成型模具
CN113351269B (zh) 一种pdms微流控芯片上半球腔制备工艺
KR101151221B1 (ko) 마이크로 채널을 가진 구조물의 제조 방법 및 그 구조물
US20100074815A1 (en) Master and Microreactor
TW201625488A (zh) 油水分離孔洞結構、其製造方法及包含其的油水分離裝置
CN208482481U (zh) 一种用于防止纳米通道键合密封堵塞的填充阻隔器
KR100791363B1 (ko) 미세유로 형성물 및 미세유체소자 제조방법
JP4601493B2 (ja) シート加工装置及びシート加工装置の作製方法
CN117732525B (zh) 一种微流控芯片制造方法
KR101148592B1 (ko) 마이크로플루이딕 채널 제조방법, 이에 의하여 제조된 마이크로플루이딕 채널 및 그 응용

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20230614

Address after: 201108 3rd floor, building 2 (b), 515 Shennan Road, Minhang District, Shanghai

Patentee after: Shanghai prospective Innovation Research Institute Co.,Ltd.

Address before: 200050 No. 865, Changning Road, Shanghai, Changning District

Patentee before: SHANGHAI INSTITUTE OF MICROSYSTEM AND INFORMATION TECHNOLOGY, CHINESE ACADEMY OF SCIENCES

TR01 Transfer of patent right