CN101576764A - Cmos数据清除电路 - Google Patents

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Abstract

一种CMOS数据清除电路，用于清除一电脑的CMOS数据，包括一第一电子开关、一第一电阻及一第二电阻，所述第一电子开关包括一第一端、一第二端及一第三端，所述第一电子开关的第一端通过所述第一电阻连接至所述电脑的一备用电源，第二端连接至所述电脑的一CMOS芯片的数据复位端，第三端连接至所述电脑的一硬件复位端，并通过所述第二电阻连接至所述电脑的一双重电源，当所述电脑上电但未开机时，所述备用电源输出一电压，控制所述第一电子开关导通，当触发所述硬件复位端时，所述数据复位端也被触发以清除所述电脑的CMOS数据。所述CMOS数据清除电路可方便用户清除电脑的CMOS数据。

Description

CMOS数据清除电路
技术领域
本发明涉及一种CMOS数据清除电路，特别涉及一种可方便清除电脑CMOS芯片中的CMOS数据的电路。
背景技术
电脑通常利用其主板上的跳线来清除CMOS芯片中的CMOS数据或者恢复BIOS设置，使得用户在忘记CMOS密码或者BIOS设置无法启动电脑时可启动电脑。电脑主板上最常见的是一种键帽式跳线，键帽式跳线由底座和键帽组成。跳线的底座上设置有若干不连通的引脚，相邻的两根引脚之间可通过跳线的键帽电性连接以实现特定的连接关系。在电脑正常工作的情况下，键帽被安装在底座上的两个特定引脚之间以实现供电电路对CMOS芯片的正常供电，保证CMOS芯片中的CMOS数据不会丢失。当电脑设置出现故障时，用户可将键帽从底座上取下并安装在另外两个引脚之间以清除CMOS芯片中的CMOS数据。这就需要拆开机箱，找到清除CMOS数据的跳线位置，再进行跳线操作，给用户带来极大的不便。
发明内容
鉴于以上内容，有必要提供一种CMOS数据清除电路，可方便用户清除CMOS芯片中的CMOS数据。
一种CMOS数据清除电路，用于清除一电脑的CMOS数据，包括一第一电子开关、一第一电阻及一第二电阻，所述第一电子开关包括一第一端、一第二端及一第三端，所述第一电子开关的第一端通过所述第一电阻连接至所述电脑的一备用电源，第二端连接至所述电脑的一CMOS芯片的数据复位端，第三端连接至所述电脑的一硬件复位端，并通过所述第二电阻连接至所述电脑的一双重电源，当所述电脑上电但未开机时，所述备用电源输出一电压，控制所述第一电子开关导通，当触发所述硬件复位端时，所述数据复位端也被触发以清除所述电脑的CMOS数据。
所述CMOS数据清除电路通过触发所述电脑的的硬件复位端来控制所述第一电子开关导通，进而触发所述数据复位端，以清除所述电脑的CMOS数据，避免了拆开机箱等繁琐的步骤，给用户带来了方便。
附图说明
图1是本发明CMOS数据清除电路较佳实施方式的电路图。
具体实施方式
下面结合附图及较佳实施方式对本发明作进一步详细描述：
请参考图1，本发明CMOS数据清除电路用于清除电脑的CMOS数据。所述CMOS数据清除电路的较佳实施方式包括场效应管Q1-Q5、二极管D1及电阻Q1-R4。所述场效应管Q1-Q4为N沟道MOS型场效应管，所述场效应管Q5为P沟道MOS型场效应管。
所述场效应管Q1的栅极通过所述电阻R1连接至所述电脑的一备用电源5V_SB，漏极连接至一CMOS芯片10的数据复位端RTCRST，源极连接至所述二极管D1的阴极，所述二极管D1的阳极连接至所述电脑的一硬件复位端HW_RST，所述二极管D1的阳极还通过所述电阻R2连接至所述电脑的一双重电源3D3V_DUAL，所述二极管D1的阴极与所述电脑的前面板的一复位按钮20相连，无论所述电脑处于开机状态或休眠状态，所述双重电源3D3V_DUAL都可以输出电压，使所述二极管D1导通，此时所述硬件复位端HW_RST相当于直接与所述电脑前面板的复位按钮20相连，当按压所述复位按钮20时，所述硬件复位端HW_RST为低电平，可重新启动所述电脑，当所述数据复位端RTCRST为低电平时，可使所述CMOS芯片10中的CMOS数据被清除。
所述场效应管Q2的栅极连接至所述场效应管Q3的栅极，并通过所述电阻R3接地，所述场效应管Q2的漏极连接至所述场效应管Q1的栅极，所述场效应管Q3的漏极连接至所述场效应管Q4的漏极，并通过所述电阻R4连接至所述备用电源5V_SB，所述场效应管Q4的栅极连接至所述电脑的一系统电源5V_SYS，所述场效应管Q2-Q4的源极均接地。所述场效应管Q5的栅极连接至所述场效应管Q3、Q4的漏极，所述场效应管Q5的漏极连接至所述场效应管Q2的栅极，所述场效应管Q5的源极连接至所述备用电源5V_SB。
当所述电脑上电但未开机时，所述备用电源5V_SB输出一电压，控制所述场效应管Q1导通，此时所述硬件复位端HW_RST与所述数据复位端RTCRST相连，通过触发所述电脑的前面板复位按钮20使所述数据复位端RTCRST为低电平，便可清除所述CMOS芯片10中的CMOS数据。
电脑开机后，所述系统电源5V_SYS输出一电压，控制所述场效应管Q4导通，所述场效应管Q5的栅极为低电平，所述场效应管Q5导通，因此所述场效应管Q2的栅极为高电平，所述场效应管Q2导通，使所述场效应管Q1截止，当触发所述硬件复位端HW_RST时，所述数据复位端RTCRST不会同时被触发，因此不会清除所述CMOS芯片10中的CMOS数据。
所述场效应管Q5在电脑开机后导通，使其漏极输出高电平，所述场效应管Q3也导通，所述场效应管Q3的漏极输出低电平，当所述电脑由开机状态进入休眠状态的瞬间，所述场效应管Q3的漏极依然为低电平，所述场效应管Q5导通，又使场效应管Q3保持在导通状态，其漏极输出低电平使所述场效应管Q5也始终保持在导通状态，即所述场效应管Q3及Q5在所述电脑由开机进入休眠状态后始终导通，从而使所述场效应管Q2导通，所述场效应管Q1始终保持在截止状态，因此当电脑由开机进入休眠状态时，由于所述场效应管Q1截止，即使操作所述复位按钮20触发所述硬件复位端HW_RST，也不会造成所述电脑的CMOS芯片10中的CMOS数据被清除。
本实施方式中，所述场效应管Q1-Q5作为电子开关，也可分别由一三极管代替，每一三极管的基极、集电极和发射极的连接方式分别与对应的场效应管的栅极、漏极和源极相同。所述二极管D1可防止反向电流产生的漏电现象，所述二极管D1也可省略。
本发明CMOS数据清除电路通过操作所述电脑的前面板复位按钮20来触发所述硬件复位端HW_RST，进而触发所述数据复位端RTCRST，以清除所述电脑的CMOS数据，避免在需要清除CMOS数据时拆开机箱，给用户带来了方便，且所述CMOS数据清除电路还可防止在所述电脑处于开机状态以及由开机状态进入休眠状态时，所述CMOS数据被误清除的问题，即当所述电脑处于开机状态以及由开机状态进入休眠状态时，触发所述硬件复位端HW_RST只会控制所述电脑被重启，而不会清除CMOS芯片10中的CMOS数据。本实施方式中，只有在所述电脑在断电后重新上电之时，所述CMOS芯片10中的CMOS数据才能被清除。

Claims (8)

1.一种CMOS数据清除电路，用于清除一电脑的CMOS数据，包括一第一电子开关、一第一电阻及一第二电阻，所述第一电子开关包括一第一端、一第二端及一第三端，所述第一电子开关的第一端通过所述第一电阻连接至所述电脑的一备用电源，第二端连接至所述电脑的一CMOS芯片的数据复位端，第三端连接至所述电脑的一硬件复位端，并通过所述第二电阻连接至所述电脑的一双重电源，当所述电脑上电但未开机时，所述备用电源输出一电压，控制所述第一电子开关导通，当触发所述硬件复位端时，所述数据复位端也被触发以清除所述电脑的CMOS数据。
2.如权利要求1所述的CMOS数据清除电路，其特征在于：所述硬件复位端与所述第一电子开关的第三端之间还连接一二极管，所述二极管的阳极与所述硬件复位端相连，阴极与所述第一电子开关的第三端相连。
3.如权利要求1或2所述的CMOS数据清除电路，其特征在于：所述第一电子开关为N沟道MOS型场效应管，其第一、第二、第三端分别为栅极、漏极和源极。
4.如权利要求1或2所述的CMOS数据清除电路，其特征在于：所述第一电子开关为NPN型三极管，其第一、第二、第三端分别为基极、集电极和发射极。
5.如权利要求1所述的CMOS数据清除电路，其特征在于：所述CMOS数据清除电路还包括一第二电子开关、一第三电子开关、一第四电子开关、一第五电子开关、一第三电阻及一第四电阻，所述第二至第五电子开关分别包括一第一端、一第二端及一第三端，所述第二电子开关的第一端连接至所述第三电子开关的第一端，并通过所述第三电阻接地，所述第二电子开关的第二端连接至所述第一电子开关的第一端，所述第二电子开关的第三端接地，所述第三、第四电子开关的第二端互相连接，其连接节点通过所述第四电阻连接至所述备用电源，所述第三、第四电子开关的第三端均接地，所述第四电子开关的第一端连接至所述电脑的一系统电源，所述第五电子开关的第一端连接至所述第三、第四电子开关的第二端，所述第五电子开关的第二端连接至所述第二电子开关的第一端，所述第五电子开关的第三端连接至所述备用电源；电脑开机后，所述第二至第五电子开关导通，所述第一电子开关截止，当所述硬件复位端被触发时，所述数据复位端不被触发，所述电脑的CMOS数据不被清除；当所述电脑由开机状态进入休眠状态时，所述第三电子开关及第五电子开关始终处于导通状态，使所述第二电子开关导通，所述第一电子开关截止，此时如所述硬件复位端被触发，所述数据复位端也不被触发，所述电脑的CMOS数据不被清除。
6.如权利要求5所述的CMOS数据清除电路，其特征在于：所述第二至第四电子开关为N沟道MOS型场效应管，所述第五电子开关为P沟道MOS型场效应管，所述第二至第五电子开关的第一、第二、第三端分别为栅极、漏极和源极。
7.如权利要求5所述的CMOS数据清除电路，其特征在于：所述第二至第四电子开关为NPN型三极管，所述第五电子开关为PNP型三极管，所述第二至第五电子开关的第一、第二、第三端分别为基极、集电极和发射极。
8.如权利要求1所述的CMOS数据清除电路，其特征在于：所述第一电子开关的第三端与所述电脑前面板的一复位按钮相连，当操作所述复位按钮时，所述硬件复位端被触发。
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