CN101572094B - 磁写头及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种磁写头及其制造方法。一种磁写极结构被构造以极大地简化垂直磁写头的制造。该磁写头具有沿垂直于数据轨道方向的平面取向的磁轭。这允许整个轭在单个电镀步骤中形成，而不是构建在几个电镀层中。该轭可以形成有侧磁屏蔽部，或者形成有尾或环绕磁屏蔽部，它们可以与轭的其余部分为一体并可以在相同的单个电镀步骤中方便地形成。

Description

磁写头及其制造方法
技术领域
本发明涉及垂直磁记录，更具体地，涉及一种制造具有用于改善磁性能的锥形阶梯状尾屏蔽结构(tapered，stepped trailing shield structure)的磁写头的方法。
背景技术
计算机的长期存储器的核心是被称为磁盘驱动器的组件。磁盘驱动器包括：旋转磁盘；读头和写头，通过悬臂(suspension arm)悬置在旋转磁盘的表面附近；以及致动器，转动悬臂以将读头和写头置于旋转盘上的选定圆形轨道之上。读头和写头直接位于具有气垫面(ABS)的滑块上。悬臂使滑块偏向盘表面，当盘旋转时，邻近盘的空气同盘表面一起移动。滑块以此移动空气为缓冲飞行于盘表面之上。当滑块漂浮在气垫上时，利用写头和读头将磁转变(magnetic transition)写到旋转盘中和从旋转盘读取磁转变。读头和写头连接到根据计算机程序运行的处理电路以实现读和写功能。
写头通常包括埋入在第一、第二和第三绝缘层(绝缘堆叠)中的线圈层，该绝缘堆叠夹在第一极靴层(pole piece layer)和第二极靴层之间。间隙通过在写头的气垫面处的间隙层形成在第一极靴层和第二极靴层之间，并且极靴层在后间隙(back gap)处连接。传导到线圈层的电流在极靴中感应出磁通，该磁通导致磁场在ABS处的写间隙弥散出来以将前述磁转变写入移动介质上的轨道中(例如在前述旋转盘上在环形轨道中)。
在近来的读头设计中，GMR或者TMR传感器已经被用于检测来自旋转磁盘的磁场。传感器包括非磁导电层或者阻挡层(barrier layer)，该非磁导电层夹在第一铁磁层与第二铁磁层之间，第一铁磁层与第二铁磁层被称为被钉扎层和自由层。第一引线和第二引线连接到传感器用于传导通过其的检测电流。被钉扎层的磁化被钉扎为垂直于气垫面(ABS)，而自由层的磁矩平行于ABS并可响应外部磁场自由旋转。被钉扎层的磁化一般通过与反铁磁层的交换耦合而被钉扎。
分隔层(spacer layer)的厚度被选定为小于通过传感器的传导电子的平均自由程。以此布置，部分传导电子被分隔层与被钉扎层和自由层中的每个的界面散射。当被钉扎层和自由层的磁化相对于彼此平行时，散射是最小的；当被钉扎层和自由层的磁化反平行时，散射达到最大。散射的变化与cosθ成比例地改变自旋阀传感器(spin valve sensor)的电阻，其中θ是被钉扎层和自由层的磁化之间的角度。在读模式中，自旋阀传感器的电阻随来自旋转盘的磁场的大小成比例地改变。当检测电流传导通过自旋阀传感器时，电阻变化引起电势变化，该电势变化被探测并处理为读出信号(playback signal)。
为了满足对改善的数据速率和数据容量的不断增加的需求，研究者近来已经将他们的努力集中在垂直记录系统的开发上。传统纵向记录系统(例如包括上述写头的系统)将数据存储为沿磁盘表面的平面中的轨道纵向取向的磁位。此纵向数据位通过形成在被写间隙分隔的磁极对之间的弥散场(fringing field)来记录。
相反地，垂直记录系统将数据记录为垂直于磁盘的平面取向的磁化。该磁盘具有由薄的硬磁顶层覆盖的软磁底层。垂直写头具有写极(具有很小的横截面)和返回极(具有大得多的横截面)。高度集中的强磁场沿垂直于磁盘表面的方向从写极发出，使硬磁顶层磁化。然后，所得到的磁通穿过软磁底层并返回到返回极，该磁通在返回极处充分展开并且是弱的，这样当它在返回到返回极途中穿过硬磁顶层时将不擦除由写极记录的信号。
发明内容
本发明提供了一种磁写头，该磁写头具有形成为且沿基本垂直于数据轨道方向的平面形成的单个一体层的磁轭(magnetic yoke)，并且该磁写头具有与磁轭连接的磁写极。
轭可以形成为“E”形轭，该“E”形轭具有横向相对的第一磁返回极和第二磁返回极以及设置在第一磁返回极与第二磁返回极之间的磁通引导部(flux guide)。轭也可以形成为包括磁屏蔽部，该磁屏蔽部可以与轭一体形成并与轭的其他部分在同一电镀步骤中形成。屏蔽部可以是第一侧屏蔽部和第二侧屏蔽部的形式，第一侧屏蔽部和第二侧屏蔽部的每个与返回极之一连接并且向写极延伸。屏蔽部也可以是在写极的尾缘(trailing edge)上方延伸的尾或者环绕(wrap around)磁屏蔽部，并通过非磁性间隙层与写极分隔。
轭沿垂直于数据轨道方向的平面取向有利于允许磁轭(以及屏蔽部，如果有屏蔽部的话)在单个电镀步骤中形成。与现有技术的设计(其中轭在一系列光刻和电镀步骤中形成)相比，这大大降低了所需的制造步骤的数目。
通过阅读以下结合附图的对优选实施例的详细描述，本发明的这些和其它的特征以及优点将变得明显，在附图中相同的附图标记始终指示相同的元件。
附图说明
为了更充分理解本发明的本质、优点及优选使用模式，应当参照下面结合附图的详细描述，附图不一定按比例。
图1是其中可以包括本发明的盘驱动系统的示意图；
图2是沿图1的线2-2截取的滑块的ABS视图，其示出磁头在滑块上的位置；
图3是根据本发明实施例的磁写头的磁头的截面图，其沿图2的线3-3截取且逆时针旋转90度；
图4是沿图3的线4-4截取的写头的俯视截面图；
图5是沿图3的线5-5截取的写头的气垫面的视图；
图6是本发明的可选实施例的磁写头的截面图；
图7是沿图6的线7-7截取的俯视截面图；
图8-13是写头在制造的各种居间阶段中的视图，示出制造根据本发明可选实施例的写头的方法。
具体实施方式
下面的描述是关于目前认为用于实现本发明的最佳实施例。给出该描述是为了说明本发明的基本原理而并不意欲限制这里所要求的发明概念。
现在参照图1，其示出了包括本发明的盘驱动器100。如图1中所示，至少一个可旋转的磁盘112被支撑在主轴(spindle)114上并由盘驱动马达118旋转。每个盘上的磁记录呈磁盘112上同心数据轨道(未示出)的环形图案的形式。
至少一个滑块113位于磁盘112附近，每个滑块113支撑一个或者多个磁头组件121。随着磁盘旋转，滑块113在盘表面122之上径向地移进或移出，从而磁头组件121可以存取磁盘的写有所期望的数据的不同轨道。每个滑块113通过悬臂115装设到致动器臂119。悬臂115提供微小的弹力，该弹力偏置滑块113靠着盘表面122。每个致动器臂119装设到致动器装置127。图1中示出的致动器装置127可以是音圈马达(VCM)。VCM包括可在固定磁场内移动的线圈，线圈移动的方向和速度通过由控制器129供给的马达电流信号控制。
在盘存储系统运行期间，磁盘112的旋转在滑块113和盘表面122之间产生气垫(air bearing)，该气垫对滑块施加向上的力或者升力。从而，在正常运行期间，气垫平衡悬臂115的微小的弹力，并且支撑滑块113离开盘表面且略微在盘表面之上而有基本恒定的小间隔。
盘存储系统的各种组件在运行中通过由控制单元129产生的控制信号来控制，这些控制信号诸如存取控制信号和内部时钟信号。通常，控制单元129包括逻辑控制电路、存储装置和微处理器。控制单元129产生控制信号以控制各种系统工作，诸如线123中的驱动马达控制信号、线128中的头定位和搜寻控制信号。线128上的控制信号提供期望的电流分布(current profile)以使滑块113优化地移动和定位到盘112上的期望的数据轨道。写信号和读信号通过记录通道125传送到写头和读头121以及从写头和读头121传出。
参照图2，可以更详细地看到滑块113中磁头121的取向。图2是滑块113的ABS的视图，可以看到包括感应写头和读传感器的磁头位于滑块的尾缘处。对典型的磁盘存储系统的以上描述及图1的附图仅是出于示例的目的。显然地，盘存储系统可以包括大量的盘和致动器，每个致动器可以支撑多个滑块。
现在参照图3，本发明可以实施为磁头302，磁头302包括读头304和写头306。读头304可以包括磁致电阻传感器308，磁致电阻传感器308夹在第一引线层310和第二引线层312之间并被埋入绝缘层314中。写头306包括与磁轭318磁连接的磁写极316。下面将更详细地描述磁写极316和磁轭318。导电写线圈320穿过磁写极316和轭318的上方和下方。写线圈可以由例如铜的导电材料构建，并且可以是螺旋状线圈或者一个或者多个扁平线圈(pancake coil)。优选地，磁屏蔽332设置在写头306和读头304之间，从而防止来自写线圈320的磁场影响读头304的传感器308。写线圈320可以埋入在例如氧化铝的绝缘层324中。部分磁轭318可以形成尾环绕磁屏蔽部322，下面将对其进行更详细的描述。在图3中可以看到，磁头302具有平行于数据轨道方向的气垫面(ABS)，数据轨道方向的取向用箭头DT表示。
磁头302构建在基板326之上，基板326也是如图1和图2中所示的滑块113的主体。基板326具有表面328，表面328垂直于ABS并也基本垂直于数据轨道的方向DT。此基板表面328是其上构建有磁头302的晶片的表面。如本领域技术人员所知，磁头利用各种制造工艺(例如材料沉积、光刻工艺)和各种材料去除工艺(例如反应离子蚀刻和离子磨(ion milling))形成在晶片上。在磁头302(读头304和写头306)已形成在晶片(基板326)上之后，晶片被划片成多行滑块。进行研磨操作(lapping operation)以定义气垫面(ABS)的位置，并进行划片操作以将成行的滑块切割成单个的滑块。因此，基板表面328是其上形成有磁头302的晶片的表面。绝缘层330(例如氧化铝层)可以设置在基板的表面328与磁头302的其余部之间。
图4示出沿图3的线4-4截取的写头的俯视截面图。从图4中可以看出，轭318形成“E”形并被取向为基本上扁平的(flat)，形成在基本垂直于数据轨道方向的平面中，其中数据轨道方向由图4中的箭头符号DT表示。轭318也基本平行于基板326的表面328(参照图3描述)。通过允许整个轭318在单个电镀工艺中形成，轭318的这种取向非常有利于制造，这将在下面变得明显。
继续参照图4，“E”形轭318具有磁通引导部(也被称为成形层)402以及横向相对的第一返回极部404和第二返回极部406，磁通引导部402形成在写极316之上并与写极316连接。横向相对的返回极部404和406以及磁通引导402通过远离气垫面ABS设置的后部408彼此磁连接。返回极部404和406的每个可以与屏蔽部322连接，屏蔽部322朝向写极316延伸并且在写极316之上。整个轭318(包括后部408、磁通引导部402、返回极404和406以及屏蔽部322)可以在单个光刻图案化和电镀步骤中方便地形成，如下面将看到的。
可以看到，在当前描述的实施例中，轭318形成在写极316上方。写极的经过轭318下方的部分由图4中的虚线示出。写极可以由高磁矩材料形成，优选地构建为由非磁性材料的薄层分隔的高磁矩材料(例如CoFe)的叠层。轭318可以是可易于被电镀的导电磁性材料例如NiFe或者CoFe。
图5示出写头306的放大气垫面视图。参照图3、4和5可以看出，部分轭延伸到气垫面ABS并且跨过及环绕写极316的尖端而形成尾环绕磁屏蔽部322。可以看到，从气垫面观察的写极316的尖端具有梯形形状并具有尾缘501。屏蔽部322环绕写极316，通过非磁性尾间隙层502与尾缘501分隔，并且也通过非磁性侧间隙层504和506与写极的侧面分隔。尾间隙层502和侧间隙层504、506可以由相同或者不同的材料形成。
新颖的扁平“E”形轭318有利于允许尾环绕屏蔽部322与轭318在相同的电镀步骤中一体形成。但是，应当指出，这仅是本发明的可行的实施例。轭318可以形成为不具有任何尾环绕屏蔽部322，或者可以形成为具有侧屏蔽部而没有尾屏蔽部，或者可以形成为具有尾屏蔽部而没有侧屏蔽部。通过极大地降低形成轭所需的制造步骤的数量(与利用多个图案化和电镀步骤制造的现有技术的写头轭相比)，不管有或者没有尾环绕屏蔽部322，轭318的扁平取向(沿基本垂直于数据轨道方向的平面形成)都有利于方便制造。参照图6，尾磁屏蔽部604可以设置在气垫面ABS处并通过非磁性尾间隙606与写极316分隔。尾屏蔽部604和尾间隙606可以在独立于轭602的制造步骤且在其之后的制造步骤中构造。
现在参照图6，本发明的可选实施例包括写头600，其中写极316形成在磁轭602的顶部(而不像前述实施例那样形成在磁轭下方)。与前述实施例一样，轭602沿基本垂直于数据轨道方向DT的平面形成。参照图7，轭602具有“E”形，具有磁通引导或者成形层部702、后部704及横向相对的第一返回极706和第二返回极708。返回极也可以与屏蔽部710和712连接，屏蔽部710和712在气垫面ABS处朝向写极316延伸。这些侧屏蔽部有利于防止例如来自写线圈320或者磁通引导702的杂散磁通(stray flux)到达邻近的磁介质(未示出)。可选地，屏蔽部712和710可以经过写极316下方以形成前端屏蔽(leading shield)部(与图5中描述的尾屏蔽部相对)。
现在参照图8-13，对用于制造根据本发明实施例的写头的方法的示例进行描述，其示出本发明如何极大地简化写头的制造。详细参照图8，基板800被设置。此基板800可以是氧化铝绝缘层，例如上面参照图3描述的绝缘层324。
磁写极材料层802沉积在基板上方。写极材料802可以是各种材料，但是优选地为由非磁性材料薄层分隔的高磁矩材料(例如Co-Fe)的叠层。应该注意，整个结构(包括之前形成的读头304)形成在晶片表面(在图8未示出)上，该晶片表面可以与图3中描述的基板表面328相对应。
掩模结构804形成在写极材料802上方。掩模结构804可以包括：硬掩模层806，例如SiO2、类金刚石碳(DLC)或氧化铝；光致抗蚀剂掩模层808，形成在硬掩模层806上方。
然后，进行材料去除工艺(例如离子磨)以去除写极材料802未被掩模804保护的部分，结果形成如图9所示的结构。可以在相对于法线的一个或多个角度进行离子磨以形成具有所示的梯形形状的写极802。图9示出沿平行于气垫面的平面观察的写极的极尖部(pole tip portion)。写极802的更宽的展开部形成在页面(plane of the page)内。从图9中看到，离子磨去除全部或者部分光致抗蚀剂掩模，任何剩余的光致抗蚀剂掩模可以被剥离，只留下硬掩模806。
参照图10，沉积非磁性侧间隙材料层1002。非磁性侧间隙层1002可以是例如氧化铝的材料，优选地通过共形沉积法(例如原子层沉积或者化学气相沉积)沉积，并沉积达到定义非磁性侧壁的厚度。然后，进行例如反应离子蚀刻(RIE)的材料去除工艺以优先去除非磁性层1002的水平设置部分，从而形成如图11所示的非磁性侧壁1002。还可以进行反应离子蚀刻(RIE)以去除剩余的硬掩模806。
然后，沉积非磁性导电籽晶层1102达到定义尾间隙层的厚度。非磁性籽晶层1102可以是例如Rh的材料。然后，电镀框架掩模1104形成在籽晶层1102上方。掩模1104可以由光致抗蚀剂形成，并可以被光刻图案化和显影以具有开口1106，构造开口1106以定义尾环绕屏蔽部。开口1106可以在图12中更清楚地看到，图12示出了从图11的线12-12得到的俯视图。写极802和侧壁1102的在掩模结构1104下方延伸的部分在图12中由点线示出。
在这点上，应当指出，写极802具有极尖部1202(延伸超过由虚线表示的且标注为“ABS”的气垫面平面)，并且还具有位于远离ABS平面的后部1204。之前沉积的非磁性籽晶层1102以这样的方式沉积：其覆盖极尖部1202，留下后部1204未覆盖。磁性籽晶层(未示出)可以沉积在写极802的后部1204上方。
然后，导电磁性材料(例如Ni-Fe或者Co-Fe)可以电镀到掩模1104中的开口1106中。然后，掩模1104可以被剥离，留下如图13所示的结构，轭1302形成在写极802上方。轭1302与写极802的后部1204磁连接，但是通过非磁性籽晶层1102和非磁性侧间隙层1002与极尖部1202分隔。在形成轭1302之后，任何延伸超过轭1302的不需要的籽晶层可以通过离子磨或者反应离子蚀刻去除，从而露出基板800。
应当指出，尽管上面将轭1302描述为电镀到框架电镀掩模(frame platingmask)中，但是轭1302还可以通过其他的方法形成。例如，磁性材料可以全膜(full film)地沉积，例如通过毯覆膜(blanket film)溅射沉积。然后，掩模可以形成在磁性材料上方，构造该掩模以定义轭1302。然后，可以进行材料去除工艺(例如离子磨、反应离子蚀刻或者湿法化学蚀刻)以去除磁性材料的未被掩模保护的部分，从而形成轭1302。
可以看出，通过将轭1302扁平地构建在垂直于数据轨道方向DT的平面内(以及在图3中示出的基板表面328的平面内)，轭1302的全部或者部分可以在单个电镀步骤中形成，而不像现有技术的设计在一系列的多个光刻图案化和电镀步骤中形成，在现有技术设计中轭构建为一系列的几个电镀结构。这大大简化了制造，并大大减少了制造时间和制造成本。
尽管已经描述了不同的实施例，但是应当理解，它们仅以示例的方式示出而不是为了限制。落在本发明的范围内的其他实施例对于本领域技术人员也会变得明显。因此，本发明的外延和范围不应限于上述任何示范性实施例，而是应当根据所附权利要求书及其等同物来限定。

Claims (23)

1.一种磁写头，包括：
基板，具有表面；
磁轭，沿基本平行于所述基板的表面的平面形成为单个一体层；以及
磁写极，与所述磁轭连接，
其中所述磁轭还包括：横向相对的第一磁返回极和第二磁返回极，所述第一磁返回极和所述第二磁返回极分别具有延伸到气垫面的末端；设置在所述第一磁返回极和所述第二磁返回极之间的磁通引导部，所述磁通引导部未到达所述气垫面就终止并且与所述磁写极磁连接；以及后部，远离所述气垫面ABS，并且用于将所述第一磁返回极和所述第二磁返回极与所述磁通引导部彼此磁连接。
2.如权利要求1所述的磁写头，其中所述磁轭形成在所述磁写极上方。
3.如权利要求1所述的磁写头，其中所述磁写极形成在所述磁轭上方。
4.如权利要求1所述的磁写头，其中所述磁轭还包括第一磁屏蔽部和第二磁屏蔽部，所述第一磁屏蔽部和所述第二磁屏蔽部分别与所述第一磁返回极和所述第二磁返回极在所述气垫面处连接并且向所述磁写极延伸。
5.如权利要求4所述的磁写头，其中所述第一磁屏蔽部和所述第二磁屏蔽部均通过非磁性间隙层与所述磁写极分隔。
6.如权利要求1所述的磁写头，其中所述磁轭还包括与所述第一磁返回极和所述第二磁返回极连接的环绕磁屏蔽部，该环绕磁屏蔽部形成在所述气垫面处并且具有尾屏蔽部以及第一侧部和第二侧部，该尾屏蔽部通过非磁性尾间隙与所述磁写极的尾缘分隔，所述第一侧部和所述第二侧部通过第一非磁性侧间隙层和第二非磁性侧间隙层与所述磁写极的第一侧和第二侧分隔。
7.如权利要求1所述的磁写头，其中所述磁轭还包括磁屏蔽部，该磁屏蔽部从所述第一磁返回极延伸到所述第二磁返回极并且通过非磁性间隙层与所述磁写极分隔。
8.如权利要求1所述的磁写头，其中所述磁轭还包括磁屏蔽部，该磁屏蔽部从所述第一磁返回极延伸到所述第二磁返回极并且通过非磁性间隙层与所述磁写极的尾缘分隔。
9.如权利要求1所述的磁写头，其中所述磁轭还包括磁屏蔽部，该磁屏蔽部从所述第一磁返回极延伸到所述第二磁返回极并且通过非磁性间隙层与所述磁写极的前端边缘分隔。
10.如权利要求1所述的磁写头，还包括读头以及设置在所述读头与所述磁写头之间的磁屏蔽。
11.一种制造磁写头的方法，包括：
设置基板；
形成磁写极；以及
在形成所述磁写极之后，以磁轭的形式电镀磁性材料，所述磁轭具有第一磁返回极和第二磁返回极以及设置在所述第一磁返回极和所述第二磁返回极之间的磁通引导部，所述第一磁返回极和所述第二磁返回极以及所述磁通引导部通过所述磁轭的后部彼此磁连接，其中所述磁轭在单个电镀步骤中形成为单个一体层，且其中所述磁写极的一部分至少接触所述磁轭的所述磁通引导部的一部分。
12.如权利要求11所述的方法，其中电镀磁轭还包括：
设置所述基板；
在所述基板上形成掩模，所述掩模具有开口，该开口被构造以定义所述磁轭；以及
电镀磁性材料到所述掩模的所述开口中。
13.如权利要求11所述的方法，其中电镀所述磁轭还包括形成具有第一磁屏蔽部和第二磁屏蔽部的所述磁轭，所述第一磁屏蔽部和所述第二磁屏蔽部分别从所述第一磁返回极和所述第二磁返回极向所述磁写极延伸。
14.如权利要求11所述的方法，其中电镀所述磁轭还包括形成具有磁屏蔽部的所述磁轭的结构，该磁屏蔽部从所述第一磁返回极延伸到所述第二磁返回极，所述方法还包括：在形成所述磁写极之前，在所述磁屏蔽的至少一部分上方沉积非磁性材料从而将所述磁屏蔽部与所述磁写极分隔。
15.一种制造磁写头的方法，包括：
设置基板；
在所述基板上方形成磁写极；以及
在形成所述磁写极之后，电镀磁轭，所述磁轭形成有第一磁返回极和第二磁返回极、设置在所述第一磁返回极和所述第二磁返回极之间的磁通引导部以及远离气垫面ABS的后部，所述第一磁返回极和所述第二磁返回极以及所述磁通引导部通过所述磁轭的后部彼此磁连接，
其中所述磁轭在单个电镀步骤中形成为单个一体层。
16.如权利要求15所述的方法，其中电镀所述磁轭还包括：形成具有开口的掩模，该开口被构造以定义所述磁轭；以及电镀磁性材料到所述掩模的所述开口中。
17.如权利要求15所述的方法，其中电镀所述磁轭还包括形成具有磁屏蔽部的所述磁轭，所述磁屏蔽部分别从所述第一磁返回极和所述第二磁返回极向所述磁写极延伸。
18.如权利要求15所述的方法，其中所述磁写极形成有第一侧和第二侧以及从所述第一侧延伸到所述第二侧的尾缘，其中电镀磁轭结构还包括形成具有从所述第一磁返回极延伸到所述第二磁返回极的环绕屏蔽部的磁轭结构，所述环绕屏蔽部从第一屏蔽部延伸到第二屏蔽部并且在所述磁写极的所述尾缘上方，所述环绕磁屏蔽部通过非磁性尾间隙层与所述磁写极的所述尾缘分隔，并通过第一非磁性侧间隙层和第二非磁性侧间隙层跟所述磁写极的所述第一侧和所述第二侧分隔。
19.如权利要求18所述的方法，其中形成所述磁写极还包括：
在所述基板上方沉积磁写极材料；
在所述磁写极材料上方形成磁写极掩模结构；
进行离子磨以去除所述磁写极材料的未被所述磁写极掩模结构保护的部分；
形成非磁性侧壁；
去除该掩模结构；以及
沉积非磁性导电籽晶层至定义非磁性尾间隙的选定厚度。
20.如权利要求18所述的方法，其中形成所述磁写极还包括：
在所述基板上方沉积磁写极材料；
在所述磁写极材料上方形成磁写极掩模结构；
进行离子磨以去除所述磁写极材料的未被所述磁写极掩模结构保护的部分；
沉积非磁性侧间隙材料层；
进行材料去除工艺以选择性地去除所述非磁性侧间隙材料层的水平设置部，留下形成在所述磁写极的第一侧和第二侧上的非磁性侧壁；
去除该掩模结构的剩余部分；以及
沉积非磁性导电籽晶层至定义非磁性尾间隙的选定厚度。
21.一种制造磁写头的方法，包括：
设置基板；
形成磁写极；
沉积磁性材料；
在所述磁性材料上方形成掩模，所述掩模定义磁轭，所述磁轭具有第一磁返回极和第二磁返回极以及磁通引导部，该磁通引导部设置在所述第一磁返回极与所述第二磁返回极之间，所述第一磁返回极和所述第二磁返回极以及所述磁通引导部通过所述磁轭的后部彼此磁连接；以及
进行材料去除工艺以定义磁轭，所述磁轭在单个电镀步骤中形成为单个一体层，其中所述磁写极的一部分至少接触所述磁轭的所述磁通引导部的一部分。
22.如权利要求21所述的方法，其中所述材料去除工艺包括反应离子蚀刻、离子磨或者湿法化学蚀刻。
23.如权利要求21所述的方法，其中沉积所述磁性材料包括溅射沉积。
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