CN101569243A - 减少等离子体辐射源中的快离子 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种减少等离子体辐射源中的快离子的方法。本发明公开一种具有阳极和阴极的辐射源以在阳极和阴极之间的放电空间内产生放电。在辐射源中形成等离子体，这产生例如EUV辐射的电磁辐射。辐射源包括第一激活源以将第一能量脉冲引导到放电空间附近的辐射源中的第一点上，以产生触发放电的主等离子体通道。辐射源还具有第二激活源以将第二能量脉冲引导到放电空间附近的辐射源中的第二点上，以便产生附加的等离子体通道。通过在同一的放电期间引导第二能量脉冲，实现主等离子体电流的短接，这又会减小快离子产生的量。
Description
技术领域
本发明涉及一种光刻设备和一种用于光刻设备的等离子体辐射源。
背景技术
光刻设备是一种将所需图案应用到衬底上，通常是衬底的目标部分上的机器。例如，可以将光刻设备用在集成电路(IC)的制造中。在这种情况下，可以将可选地称为掩模或掩模版的图案形成装置用于生成在所述IC的单层上待形成的电路图案。可以将该图案转移到衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括一部分管芯、一个或多个管芯)上。通常，图案的转移是通过把图案成像到提供到衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上进行的。通常，单独的衬底将包含被连续形成图案的相邻目标部分的网络。公知的光刻设备包括：所谓步进机，在所述步进机中，通过将全部图案一次曝光到所述目标部分上来辐射每一个目标部分；以及所谓扫描器，在所述扫描器中，通过辐射束沿给定方向(“扫描”方向)扫描所述图案、同时沿与该方向平行或反向平行的方向同步地扫描所述衬底来辐射每一个目标部分。也可能通过将图案压印(imprinting)到衬底上的方式从图案形成装置将图案转移到衬底上。
为了减小器件的临界尺寸，光刻投影设备可以设置有用于EUV辐射的辐射源。用于EUV辐射的辐射源可以是放电等离子体辐射源，其中在阳极和阴极之间的(例如气体或蒸汽)物质中产生等离子体，并且其中通过流过等离子体的(脉冲的)电流进行欧姆加热来产生高温放电的等离子体。
已有的用于EUV光刻术的基于放电的EUV源是基于等离子体箍缩效应的。作为等离子体箍缩的附加产物，出现会溅镀光刻设备中的光学元件的快离子。EUV辐射源中的快离子的能量的大小和分布依赖于在一个脉冲中的能量的大小。一个脉冲的能量越大，快离子的数量和它们的平均能量就越大，因而光学元件的溅镀速率越快。
发明内容
本发明旨在例如提供一种等离子体辐射源，其中快离子的形成被减少了。
根据本发明的一方面，提供一种辐射源，包括：
阳极和阴极，构造并配置成在所述阳极和所述阴极之间的放电空间内的物质中产生放电，并构造并配置成形成等离子体以便产生电磁辐射；
第一激活源，设置成将第一能量脉冲引导到所述放电空间附近的所述辐射源中的第一点上，以便产生触发所述放电的主等离子体通道；和
第二激活源，设置成将第二能量脉冲引导到所述放电空间附近的辐射源中的第二点上，以便产生附加的等离子体通道，所述第二点是与所述第一点不同的点，并且所述第二激活源设置用以在所述放电期间产生所述第二能量脉冲。
根据本发明的另一方面，提供一种光刻设备，包括：
辐射源，包括：
阳极和阴极，构造并配置成在所述阳极和所述阴极之间的放电空间内的物质中产生放电，以及构造并配置成形成等离子体以便产生电磁辐射；
第一激活源，设置成将第一能量脉冲引导到所述放电空间附近的所述辐射源中的第一点上，以便产生触发所述放电的主等离子体通道；和
第二激活源，设置成将第二能量脉冲引导到所述放电空间附近的辐射源中的第二点上，以便产生附加的等离子体通道，所述第二点是与所述第一点不同的点，并且所述第二激活源设置用以在所述放电期间产生所述第二能量脉冲；
照射系统，构建成将所述电磁辐射调节成辐射束；
支撑结构，构建成支撑图案形成装置，所述图案形成装置能够将图案在辐射束的横截面上赋予所述辐射束以形成图案化的辐射束；
衬底台，构建成保持衬底；和
投影系统，构建成将图案化的辐射束投影到所述衬底的目标部分上。
根据本发明的另一方面，提供一种产生辐射的方法，包括步骤：
产生在辐射源的阳极和阴极之间的电压；
将第一能量脉冲引导到辐射源中的第一点上，以便产生触发所述阳极和所述阴极之间放电的主等离子体通道；
将第二能量脉冲引导到辐射源中的第二点上，以便在所述阳极和所述阴极之间产生附加的等离子体通道，所述第二点是与所述第一点不同的点，并且所述第二能量脉冲是在所述放电期间产生的。
附图说明
下面仅通过示例的方式，参考附图对本发明的实施例进行描述，其中示意性附图中相应的标记表示相应的部件，在附图中：
图1示出根据本发明实施例的光刻设备；
图2示出根据本发明的实施例的等离子体辐射源；
图3示出根据本发明另一实施例的等离子体辐射源；和
图4示出根据本发明另一实施例的等离子体辐射源。
具体实施方式
图1示意地示出了根据本发明一个实施例的光刻设备。所述光刻设备包括：
照射系统(照射器)IL，其配置用于调节辐射束B(例如，紫外(UV)，或极紫外(EUV)辐射)；
支撑结构(例如掩模台)MT，其配置用于支撑图案形成装置(例如掩模)MA，并与配置用于根据确定的参数精确地定位图案形成装置的第一定位装置PM相连；
衬底台(例如晶片台)WT，其配置用于保持衬底(例如涂覆有抗蚀剂的晶片)W，并与配置用于根据确定的参数精确地定位衬底的第二定位装置PW相连；和
投影系统(例如折射式投影透镜系统)PS，其构建用于将由图案形成装置MA赋予辐射束B的图案投影到衬底W的目标部分C(例如包括一根或多根管芯)上。
照射系统可以包括各种类型的光学部件，例如折射型、反射型、磁性型、电磁型、静电型或其它类型的光学部件、或其任意组合，以引导、成形、或控制辐射。
支撑结构以依赖于图案形成装置的方向、光刻设备的设计以及诸如图案形成装置是否保持在真空环境中等其他条件的方式保持图案形成装置。所述支撑结构可以采用机械的、真空的、静电的或其他夹持技术保持图案形成装置。所述支撑结构可以是框架或台，例如，其可以根据需要成为固定的或可移动的。所述支撑结构可以确保图案形成装置位于所需的位置上(例如相对于投影系统)。在这里任何使用的术语“掩模版”或“掩模”都可以认为与更上位的术语“图案形成装置”同义。
这里所使用的术语“图案形成装置”应该被广义地理解为表示能够用于将图案在辐射束的横截面上赋予辐射束、以便在衬底的目标部分上形成图案的任何装置。应当注意，赋予辐射束的图案可能不与在衬底的目标部分上所需的图案完全相符(例如如果该图案包括相移特征或所谓辅助特征)。通常，赋予辐射束的图案将与在目标部分上形成的器件中的特定的功能层相对应，例如集成电路。
图案形成装置可以是透射式的或反射式的。图案形成装置的示例包括掩模、可编程反射镜阵列以及可编程液晶显示(LCD)面板。掩模在光刻术中是公知的，并且包括诸如二元掩模类型、交替型相移掩模类型、衰减型相移掩模类型和各种混合掩模类型之类的掩模类型。可编程反射镜阵列的示例采用小反射镜的矩阵布置，每一个小反射镜可以独立地倾斜，以便沿不同方向反射入射的辐射束。所述已倾斜的反射镜将图案赋予由所述反射镜矩阵反射的辐射束。
这里使用的术语“投影系统”应该广义地解释为包括任意类型的投影系统，包括折射型、反射型、反射折射型、磁性型、电磁型和静电型光学系统或其任意组合，如对于所使用的曝光辐射所适合的、或对于诸如使用浸没液体或使用真空之类的其他因素所适合的。这里使用的任何术语“投影透镜”可以认为是与更上位的术语“投影系统”同义。
如这里所示的，所述设备可以是反射型的(例如，采用反射式掩模)。替代地，所述设备可以是透射型的(例如，采用透射式掩模)。
所述光刻设备可以是具有两个(双台)或更多衬底台(和/或两个或更多的支撑结构)的类型。在这种“多台”机器中，可以并行地使用附加的台和/或支撑结构，或可以在一个或更多个台和/或支撑结构上执行预备步骤的同时，将一个或更多个其它台和/或支撑结构用于曝光。
光刻设备也可以是以下类型的，其中衬底的至少一部分可以被具有相对高折射率的液体(例如水)所覆盖，以填充投影系统和衬底之间的空间。浸没液体也可以施加到光刻设备中的其它空间，例如施加到掩模和投影系统之间。浸没技术可用于增加投影系统的数值孔径在本领域中是公知的。本文中所使用的术语“浸没”并不意味着诸如衬底等结构必须浸没在液体中，而仅仅意味着在曝光期间液体处于投影系统和衬底之间。
参照图1，所述照射器IL接收从等离子体辐射源SO发出的辐射束。所述等离子体辐射源SO和所述光刻设备可以是分立的实体。在这种情况下，不会将所述源考虑成光刻设备的组成部分，并且通过包括例如合适的定向反射镜和/或扩束器的束传递系统BD的帮助，将所述辐射束从所述等离子体辐射源SO传到所述照射器IL。可以将所述等离子体辐射源SO和所述照射器IL、以及如果需要时的所述束传递系统BD一起称作“辐射系统”。
所述照射器IL可以包括用于调整所述辐射束的角强度分布的调整器。通常，可以对所述照射器的光瞳平面中的强度分布的至少所述外部和/或内部径向范围(一般分别称为σ-外部和σ-内部)进行调整。此外，所述照射器IL可以包括各种其他部件，例如积分器和聚光器。所述照射器可以用来调节所述辐射束，以在其横截面中具有所需的均匀度和强度分布。
所述辐射束B入射到保持在支撑结构(例如，掩模台)MT上的所述图案形成装置(例如，掩模)MA上，并且通过所述图案形成装置来形成图案。已经穿过图案形成装置MA后，辐射束B通过投影系统PS，所述投影系统PS将辐射束聚焦到所述衬底W的目标部分C上。通过第二定位装置PW和位置传感器IF2(例如，干涉仪器件、线性编码器或电容传感器)的帮助，可以精确地移动所述衬底台WT，例如以便将不同的目标部分C定位于所述辐射束B的路径中。类似地，例如在从掩模库的机械获取之后，或在扫描期间，可以将所述第一定位装置PM和另一个位置传感器IF1用于将图案形成装置MA相对于所述辐射束B的路径精确地定位。通常，可以通过形成所述第一定位装置PM的一部分的长行程模块(粗定位)和短行程模块(精定位)的帮助来实现支撑结构MT的移动。类似地，可以采用形成所述第二定位装置PW的一部分的长行程模块和短行程模块来实现所述衬底台WT的移动。在步进机的情况下(与扫描器相反)，所述支撑结构MT可以仅与短行程致动器相连，或可以是固定的。可以使用图案形成装置对准标记M1、M2和衬底对准标记P1、P2来对准图案形成装置MA和衬底W。尽管所示的衬底对准标记占据了专用目标部分，但是他们可以位于目标部分之间的空间上(这些公知为划线对齐标记)。类似地，在将多于一个的管芯设置在图案形成装置MA上的情况下，所述图案形成装置对准标记可以位于所述管芯之间。
可以将所述设备用于以下模式的至少一种：
1.在步进模式中，在将支撑结构MT和衬底台WT保持为基本静止的同时，将赋予所述辐射束的整个图案一次投影到目标部分C上(即，单一的静态曝光)。然后将所述衬底台WT沿X和/或Y方向移动，使得可以对不同目标部分C曝光。在步进模式中，曝光场的最大尺寸限制了在单一的静态曝光中成像的所述目标部分C的尺寸。
2.在扫描模式中，在对支撑结构MT和衬底台WT同步地进行扫描的同时，将赋予所述辐射束的图案投影到目标部分C上(即，单一的动态曝光)。衬底台WT相对于支撑结构MT的速度和方向可以通过所述投影系统PS的(缩小)放大率和图像反转特征来确定。在扫描模式中，曝光场的最大尺寸限制了在单一的动态曝光中的所述目标部分的宽度(沿非扫描方向)，而所述扫描移动的长度确定了所述目标部分的高度(沿所述扫描方向)。
3.在另一个模式中，将用于保持可编程图案形成装置的支撑结构MT保持为基本静止状态，并且在对所述衬底台WT进行移动或扫描的同时，将赋予所述辐射束的图案投影到目标部分C上。在这种模式中，通常采用脉冲辐射源，并且在所述衬底台WT的每一次移动之后、或在扫描期间的连续辐射脉冲之间，根据需要更新所述可编程图案形成装置。这种操作模式可易于应用于利用可编程图案形成装置(例如，如上所述类型的可编程反射镜阵列)的无掩模光刻术中。
也可以采用上述使用模式的组合和/或变体，或完全不同的使用模式。
根据一个实施例的辐射源SO包括阳极和阴极，所述阳极和阴极构造并配置成在阳极和阴极之间的放电空间中的物质中产生放电。将要形成的暂时等离子体箍缩将会瓦解(collapse)以产生电磁辐射，例如EUV辐射。在施加电压(2-5kV)时，除了产生电磁辐射，还会由于等离子体箍缩的瓦解而产生快离子。
根据本发明的实施例，第一能量脉冲产生触发放电的主等离子体通道。在放电形成的特定阶段，第二能量脉冲在十分靠近邻近主等离子体通道处产生第二导电等离子体通道。第一能量脉冲还可以被称为主能量脉冲，并且第二能量脉冲还被称为附加的能量脉冲。
图2示意地示出根据实施例的等离子体辐射源SO。源SO包括阳极2和阴极4。阳极2和阴极4设置成，如本领域技术人员公知的通过在阳极2和阴极4之间施加足够的电压来在阳极2和阴极4之间的放电空间中的物质(例如锡蒸汽)内产生放电。正如本领域技术人员公知的，箍缩等离子体6将会形成，这产生包括EUV辐射的电磁辐射。要注意的是，在第一种情况下，箍缩等离子体6是箍缩的主等离子体通道6。辐射源SO还包括第一激活源10，其可以是激光束源10。激光束源10设置成将第一能量脉冲12引导到放电空间附近的辐射源SO的第一点14上。这将会烧蚀(ablate)点14并产生等离子体通道(称为主等离子体通道)，并因此触发放电。根据实施例，辐射源SO还包括第二激活源16，其配置成引导第二能量脉冲18(例如激光脉冲18)到放电空间附近的辐射源SO的第二点20上。这将会产生附加的等离子体通道22。根据实施例，第二点20的位置与第一点14的位置不同，并且第二激活源16配置成在相同的放电过程中产生第二等离子体通道22。要注意的是，第一激活源10和第二激活源16可以合并为一个激活源，其中通过例如旋转反射镜的方式沿与第一能量脉冲不同的方向引导第二能量脉冲18。在实施例中，第一和/或第二点可以位于阳极上和/或第一和/或第二点可以位于阴极上。
快离子在等离子体瓦解中比EUV辐射产生的阶段更后面的阶段中产生。快离子接收来自与I2成比例的磁场能量的能量，其中I是从阳极2到阴极4的放电电流。这意味着，如果仅在EUV发射之后放电电流I减小得足够快，则快离子的数量将会减少。等离子体6的辐射瓦解优选是在放电电流I的最大值附近发生，因而应用下式：
L*dI/dt＝-RI (1)
其中R是在主等离子体通道中箍缩的电阻，L是放电源的全电感(fullinductance)：
d(ln(I))/dt＝-R/L (2)
要注意的是，电阻R是放电过程的固有参数，并且很难在不减小转化效率(CE)的情况下改变它。通过在阳极2和阴极4之间产生第二等离子体通道22，产生并联电流路径。结果，放电电流将会转向到具有更小电阻率的新的电流路径。由于由主等离子体通道和第二等离子体通道产生的电流的小的电感，完全转向的过程可以变得非常短(在几纳秒以下)。并联电流路径实际上在阳极2和阴极4之间形成短路。产生的电路可以看成：阴极4-主等离子体通道6-阳极2-第二等离子体通道22。该电路具有相对小的电感(～几nH)，其中在第二等离子体通道中适当地增大电流的情况下箍缩放电电流将迅速地消失。放电电流的快速的减小将显著地减少快离子的形成。
第二激光脉冲18被引导到点20，以使得其相对于由第一激活源10产生的第一激光脉冲12被延迟。在实施例中，两个激光脉冲之间的时间延迟调节成使得在临近EUV生成阶段的结束(例如～10-100ns)时产生第二等离子体通道。在实施例中，依赖于在辐射源SO附近位置上测量的快离子的量调节延迟时间。
在图2中，示出辐射源SO，其包括轴对称的阳极2和阴极4。实际上，仅需要一个附加的激光束(也就是激光束18)用来产生附加的等离子体通道22。但是根据另一实施例，提供第三激活源24，其设置用以产生能量脉冲，例如激光脉冲26，所述能量脉冲被引导到位于阴极4上的第三点28。从图2可以看到，这将形成第三等离子体通道30，其与上面所述的第二等离子体通道22一起出现。要注意的是，可以想得到，第三激光束在附加的激光束18照射到阴极4之后才照射到阴极4。这可能有利于减小短接回路(shortcutting circuit)的电感和减小快离子数量。附加的等离子体通道22、30的数量和形状可以适当地进行选定，以最小化短接电感(shortcutting inductance)，正如本领域技术人员公知的那样。要注意的是，辐射源SO可以具有与图2所示不同的形式和几何形状。辐射源SO也可以包括第三实体(body)，引导激光到所述第三实体的表面上以产生附加的等离子体通道22、30。
图3是辐射源SO的另一实施例，所述辐射源SO包括液体喷射流阳极50和液体喷射流阴极52。液体喷射流阳极50和液体喷射流阴极52以本领域技术人员公知的方法形成。根据实施例，第一激活源54设置成将第一激光束56引导到阴极52上。这将形成用于触发放电的主等离子体通道58。在放电期间，借助第二激活源60将第二激光脉冲62引导到阴极52。正如上面参照图2说明的，这将导致在液体喷射流阴极52和液体喷射流阳极50之间的短路。更多液态阳极或特殊形成的第三实体(例如液滴)可以用于产生第二等离子体通道。
图4示出一个实施例，其中在液体喷射流阴极52和液体喷射流阳极50之间发射液滴70。液滴70通过液滴产生单元61产生。液滴70可以是液态金属液滴，但是可选地，它们可以通过使用例如水或氙的非导电材料产生。正如本领域技术人员公知的，用于产生这种液滴的技术在激光等离子体产生(LPP)的辐射源中广泛使用。在实施例中，可以提供一系列的具有例如40μm直径、液滴之间间距例如为40μm以及速度为例如10m/s的液滴。这些液滴的位置和尺寸可以非常好地进行限定(～几μm)。辐射源SO包括控制机构，所述控制机构设置用以控制激活源54、60发送激光脉冲到液滴上，在两个连续的激光脉冲之间具有特定的时间间隔。加热(烧蚀)液滴的过程与聚焦在液态阴极52上的主激光脉冲的情况相同。通过聚焦的激光脉冲62加热并蒸发液滴材料，然后紧跟着在蒸汽中激光击穿。这以后，在蒸汽中激光脉冲能量被吸收，从而电离蒸汽并产生等离子体云。将这种云扩展到液滴的每一侧，就在液体喷射流阳极50和液体喷射流阴极52之间形成一个新的等离子体通道72。这种新的等离子体通道72将会短接主等离子体通道58中的电流。
不用说明，本方面的实施例可以应用到其他类型的辐射源中，例如其他放电产生的等离子体(DPP)EUV源。
本发明的实施例在阳极和阴极之间引起更小的总的放电电阻，因而减小电极附近产生的热量。因而，需要去除更少的热量。而且，在外部电路中的电流将会更大，因而允许在那里收集附加的电能，因此提高了总的转化效率CE，所述转化效率CE是(EUV)辐射与由放电消耗的电能的比值。在EUV脉冲之后，由放电消耗的能量的一部分对于产生EUV是无用的，因而减小它将是有益的。如果在外部电路中能够收集更大部分的能量用于在下一个脉冲中使用，那么将能够得到更大的总的CE。
要注意的是，代替使用Sn(锡)，可以使用例如镓、铟和锡的合金，或锡和铟的合金(对于产生EUV辐射是已知的)的一种或更多种其他金属，或在使用第三实体情况下用于产生良好的导电率的等离子体通道的任何已知物质。
虽然在本文中详述了光刻设备用在制造ICs(集成电路)，但是应该理解到这里所述的光刻设备可以有其他的应用，例如制造集成光学系统、磁畴存储器的引导和检测图案、平板显示器、液晶显示器(LCDs)、薄膜磁头等。本领域技术人员应该认识到，在这种替代应用的情况中，可以将这里使用的任何术语“晶片”或“管芯”分别认为是与更上位的术语“衬底”或“目标部分”同义。这里所指的衬底可以在曝光之前或之后进行处理，例如在轨道(一种典型地将抗蚀剂层涂到衬底上，并且对已曝光的抗蚀剂进行显影的工具)、量测工具和/或检验工具中。在可应用的情况下，可以将所述公开内容应用于这种和其他衬底处理工具中。另外，所述衬底可以处理一次以上，例如为产生多层IC，使得这里使用的所述术语“衬底”也可以表示已经包含多个已处理层的衬底。
尽管以上已经做出了具体的参考，在光学光刻的情况中使用本发明的实施例，但应该理解的是，本发明的实施例可以有其它的应用，例如压印光刻，并且只要情况允许，不局限于光学光刻。在压印光刻中，图案形成装置中的拓扑限定了在衬底上产生的图案。可以将所述图案形成装置的拓扑印刷到提供给所述衬底的抗蚀剂层中，在其上通过施加电磁辐射、热、压力或其组合来使所述抗蚀剂固化。在所述抗蚀剂固化之后，所述图案形成装置从所述抗蚀剂上移走，并在抗蚀剂中留下图案
这里使用的术语“辐射”和“束”包含全部类型的电磁辐射，包括：紫外(UV)辐射(例如具有约365、355、248、193、157或126nm的波长)和极紫外(EUV)辐射(例如具有5-20nm范围的波长)，以及其他粒子束，例如离子束或电子束。
在上下文允许的情况下，所述术语“透镜”可以表示各种类型的光学部件中的任何一种或它们的组合，包括折射式、反射式、磁性式、电磁式和静电式的光学部件。
尽管以上已经描述了本发明的具体实施例，但应该认识到，本发明可以以与上述不同的方式来实现。上面描述的内容是例证性的，而不是限制性的。因而，应该认识到，本领域的技术人员在不脱离所附的本发明的权利要求的范围的情况下，可以对上述本发明进行更改。
Claims (20)
1.一种辐射源，包括：
阳极和阴极，构造并配置成在所述阳极和所述阴极之间的放电空间内的物质中产生放电，以及构造并配置成形成等离子体以便产生电磁辐射；
第一激活源，设置成将第一能量脉冲引导到所述放电空间附近的所述辐射源中的第一点上，以便产生触发所述放电的主等离子体通道；和
第二激活源，设置成将第二能量脉冲引导到所述放电空间附近的辐射源中的第二点上，以便产生附加的等离子体通道，所述第二点是与所述第一点不同的点，并且所述第二激活源设置用以在所述放电期间产生所述第二能量脉冲。
2.如权利要求1所述的辐射源，其中所述第一和第二能量脉冲是激光脉冲。
3.如权利要求1所述的辐射源，其中所述电磁辐射包括EUV辐射。
4.如权利要求1所述的辐射源，其中所述第一点和所述第二点位于所述阴极上。
5.如权利要求1所述的辐射源，其中所述第一点和所述第二点位于所述阳极上。
6.如权利要求1所述的辐射源，其中所述阳极包括液体喷射流阳极，并且其中所述阴极包括液体喷射流阴极。
7.如权利要求6所述的辐射源，还包括液滴产生单元，所述液滴产生单元设置成在所述阴极和所述阳极之间发射液滴，其中所述第二激活源设置成当所述液滴中的一个液滴处于所述阴极和所述阳极之间时，将所述第二能量脉冲引导到所述一个液滴上。
8.如权利要求7所述的辐射源，其中所述液滴由锡或含锡金属合金形成。
9.如权利要求7所述的辐射源，其中所述液滴由与所述液体喷射流阳极和所述液体喷射流阴极的材料不同的材料形成。
10.如权利要求1所述的辐射源，其中所述第一和第二激活源设置成允许所述第一和第二能量脉冲以大约10-100ns之间的时间差分别入射到第一和第二点。
11.如权利要求1所述的辐射源，其中所述第一激活源和所述第二激活源是同一激活源。
12.一种光刻设备，包括：
辐射源，包括：
阳极和阴极，构造并配置成在所述阳极和所述阴极之间的放电空间内的物质中产生放电，以及构造并配置成形成等离子体以便产生电磁辐射；
第一激活源，设置成将第一能量脉冲引导到所述放电空间附近的所述辐射源中的第一点上，以便产生触发所述放电的主等离子体通道；和
第二激活源，设置成将第二能量脉冲引导到所述放电空间附近的辐射源中的第二点上，以便产生附加的等离子体通道，所述第二点是与所述第一点不同的点，并且所述第二激活源设置用以在所述放电期间产生所述第二能量脉冲；
照射系统，构造成将所述电磁辐射调节成辐射束；
支撑结构，构建成支撑图案形成装置，所述图案形成装置能够将图案在辐射束的横截面上赋予给所述辐射束以形成图案化的辐射束；
衬底台，构建成保持衬底；和
投影系统，构建成将所述图案化的辐射束投影到所述衬底的目标部分上。
13.如权利要求12所述的光刻设备，其中所述第一和第二激活源设置成允许所述第一和所述第二能量脉冲以大约10-100ns之间的时间差分别入射到第一和第二点。
14.如权利要求12所述的光刻设备，其中所述第一激活源和所述第二激活源是同一激活源。
15.如权利要求12所述的光刻设备，其中所述第一和所述第二能量脉冲是激光脉冲。
16.如权利要求12所述的光刻设备，其中所述第一点和所述第二点位于所述阴极、或所述阳极、或所述阴极和所述阳极两者上。
17.一种产生辐射的方法，包括步骤：
在辐射源的阳极和阴极之间产生电压；
将第一能量脉冲引导到所述辐射源中的第一点上，以便产生触发所述阳极和所述阴极之间放电的主等离子体通道；
将第二能量脉冲引导到所述辐射源中的第二点上，以便在所述阳极和所述阴极之间产生附加的等离子体通道，所述第二点是与所述第一点不同的点，并且所述第二能量脉冲是在所述放电期间产生的。
18.如权利要求17所述的方法，其中所述第一和所述第二能量脉冲以大约10-100ns之间的时间差分别入射到第一点和第二点。
19.如权利要求17所述的方法，其中所述阳极包括液体喷射流阳极，并且其中所述阴极包括液体喷射流阴极。
20.如权利要求19所述的方法，还包括步骤：在所述阴极和所述阳极之间提供液滴，并且当所述液滴中的一个液滴处于所述阴极和所述阳极之间时，将所述第二能量脉冲引导到所述一个液滴上。
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