CN101527335B - 应用绿激光制备薄膜太阳能电池的方法 - Google Patents

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Abstract

应用绿激光制备薄膜太阳能电池的方法，它包括以下步骤：用绿激光在衬底玻璃上的透明导电膜上刻出若干等宽的凹槽；在透明导电膜上沉积出非晶硅膜或微晶硅膜；在非晶硅膜或微晶硅膜上位于透明导电膜上的每一条凹槽的同向旁侧处第二次用绿激光分别刻出一条凹槽；在非晶硅或微晶硅膜上沉积负电极膜；再使用绿激光对非晶硅膜或微晶硅膜和负电极膜进行第三次刻槽，第三次刻出的每条凹槽分别位于非晶硅膜或微晶硅膜上的凹槽的同向旁侧，三次刻槽在同一台激光刻膜机的平台上完成。本发明可降低刻错的几率，提高良品率，使产品精确度大大提高，它工艺可靠，掌握容易，可操作性强。

Description

应用绿激光制备薄膜太阳能电池的方法
技术领域
本发明涉及一种薄膜太阳能电池的制作方法。 
背景技术
目前，在薄膜太阳能电池制作中，先对透明导电膜的刻槽是使用1064nm红外激光，再依次对非晶硅膜或微晶硅膜及非晶硅膜或微晶硅膜和负电极膜的刻槽是使用波长532nm的绿激光，且使用红外激光和绿激光需要在不同的激光刻膜机上进行，在两台激光刻膜机分别完成刻槽，对每一次的刻槽要求有很高的准确度，稍有偏差，会造成刻槽交叉，导致产品报废。因此，上述现有薄膜太阳能电池制的加工方法的难度较大。 
发明内容
本发明的目的在于提供一种应用绿激光制备薄膜太阳能电池的方法，该方法可保证薄膜太阳能电池制作中的三次刻槽在同一台激光刻膜机上完成。 
为实现上述目的，本发明采用以下方案：应用绿激光制备薄膜太阳能电池的方法，包括以下步骤： 
a、用波长为532nm的绿激光在衬底玻璃上的透明导电膜上刻出若干所需等宽的凹槽； 
b、采用等离子体增强化学气相沉积法在透明导电膜上沉积出厚度为500～2000埃的非晶硅膜或微晶硅膜； 
c、在非晶硅膜或微晶硅膜上位于透明导电膜上的每一条凹槽的同向旁侧处第二次用波长为532nm的绿激光分别刻出一条凹槽； 
d、采用磁控溅射的方法在非晶硅或微晶硅膜上沉积厚度为500～2000埃的负电极膜； 
e、再使用波长为532nm的绿激光对非晶硅膜或微晶硅膜和负电极膜进行第三次刻槽，第三次刻出的每条凹槽分别位于非晶硅膜或微晶硅膜上的各凹槽的同向旁侧； 
以上三次刻槽均在同一台激光刻膜机的平台上完成。 
由上述方案可见，三次刻膜在同一台激光刻膜机的平台上完成，可降低刻错的几率，提高了良品率。使薄膜太阳能电池的精确度大大提高，并能增加其有效利用面积。本发明具有工艺可靠，掌握容易，可操作性强的特点。 
附图说明
图1～图5为本发明之实施例中衬底玻璃及其上的透明导电膜经过每一步骤加工后的结构示意图。 
具体实施方式
以下结合实施例及附图进一步说明本发明。 
实施例一 
本实施例所提供的制备薄膜太阳能电池的方法，采用以下步骤： 
a、参见图1，用波长为532nm的绿激光在衬底玻璃1上的透明导电膜2上刻出若干等宽的凹槽3； 
b、参见图2，采用等离子体增强化学气相沉积法在透明导电膜2上沉积出厚度为2000埃的非晶硅膜4，气相沉积法所用的工艺气体为硅烷和氢气； 
c、参见图3，在非晶硅膜4上位于透明导电膜2上的每一条凹槽3的同向旁侧处第二次用波长为532nm的绿激光分别刻出一条凹槽5； 
d、参见图4，采用磁控溅射的方法在非晶硅膜4上沉积厚度为2000埃的负电极膜6；磁控溅射所用的工艺气体为氩气； 
e、参见图5，再使用波长为532nm的绿激光对非晶硅膜4和负电极膜6进行第三次刻槽，第三次刻出的每条凹槽7分别位于非晶硅膜4上的各凹槽5的同向旁侧。 
以上三次刻槽均在同一台激光刻膜机的平台上完成。制作完成后的薄膜太阳能电池的结构如图5所示。 
另外，三次刻出的每三条相邻凹槽3、凹槽5、凹槽7的宽度之和小于等于1mm。 
实施例二 
本实施例所提供的制备薄膜太阳能电池的方法，采用以下步骤： 
a、参见图1，用波长为532nm的绿激光在衬底玻璃1上的透明导电膜2上刻出若干等宽的凹槽3； 
b、参见图2，采用等离子体增强化学气相沉积法在透明导电膜2上沉积 出厚度为800埃的非晶硅膜4，气相沉积法所用的工艺气体为硅烷和氢气； 
c、参见图3，在非晶硅膜4上位于透明导电膜2上的每一条凹槽3的同向旁侧处第二次用波长为532nm的绿激光分别刻出一条凹槽5； 
d、参见图4，采用磁控溅射的方法在非晶硅膜4上沉积厚度为800埃的负电极膜6；磁控溅射所用的工艺气体为氩气； 
e、参见图5，再使用波长为532nm的绿激光对非晶硅膜4和负电极膜6进行第三次刻槽，第三次刻出的每条凹槽7分别位于非晶硅膜4上的各凹槽5的同向旁侧。 
以上三次刻槽均在同一台激光刻膜机的平台上完成。制作完成后的薄膜太阳能电池的结构如图5所示。 
另外，三次刻出的每三条相邻凹槽3、凹槽5、凹槽7的宽度之和小于等于1mm。 
实施例三 
本实施例所提供的制备薄膜太阳能电池的方法，采用以下步骤： 
a、参见图1，用波长为532nm的绿激光在衬底玻璃1上的透明导电膜2上刻出若干等宽的凹槽3； 
b、参见图2，采用等离子体增强化学气相沉积法在透明导电膜2上沉积出厚度为1000埃的微晶硅膜4，气相沉积法所用的工艺气体为硅烷和氢气； 
c、参见图3，在微晶硅膜4上位于透明导电膜2上的每一条凹槽3的同向旁侧处第二次用波长为532nm的绿激光分别刻出一条凹槽5； 
d、参见图4，采用磁控溅射的方法在微晶硅膜4上沉积厚度为1000埃的负电极膜6；磁控溅射所用的工艺气体为氩气； 
e、参见图5，再使用波长为532nm的绿激光对微晶硅膜4和负电极膜6进行第三次刻槽，第三次刻出的每条凹槽7分别位于微晶硅膜4上的各凹槽5的同向旁侧。 
以上三次刻槽均在同一台激光刻膜机的平台上完成。制作完成后的薄膜太阳能电池的结构如图5所示。 
另外，三次刻出的每三条相邻凹槽3、凹槽5、凹槽7的宽度之和小于等于1mm。 

Claims (2)

1.应用绿激光制备薄膜太阳能电池的方法，其特征在它包括以下步骤：
a、用波长为532nm的绿激光在衬底玻璃上的透明导电膜上刻出若干所需等宽的凹槽；
b、采用等离子体增强化学气相沉积法在透明导电膜上沉积出厚度为500～2000埃的非晶硅膜或微晶硅膜；
c、在非晶硅膜或微晶硅膜上位于透明导电膜上的每一条凹槽的同向旁侧处第二次用波长为532nm的绿激光分别刻出一条凹槽；
d、采用磁控溅射的方法在非晶硅或微晶硅膜上沉积厚度为500～2000埃的负电极膜；
e、再使用波长为532nm的绿激光对非晶硅膜或微晶硅膜和负电极膜进行第三次刻槽，第三次刻出的每条凹槽分别位于非晶硅膜或微晶硅膜上的各凹槽的同向旁侧；
以上三次刻槽均在同一台激光刻膜机的平台上完成。
2.根据权利要求1所述的应用绿激光制备薄膜太阳能电池的方法，其特征在于，三次刻出的每三条相邻凹槽的宽度之和小于等于1mm。
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