CN101515568A - InP衬底上集成增强型和耗尽型HEMT的制作方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提出一种在InP衬底上集成增强型和耗尽型HEMT(高电子迁移率晶体管)的制作方法,此方法适用于需要同时集成增强型HEMT和耗尽型HEMT的InP基集成电路。其特征在于:a)在InAlAs有源层和n+InGaAs帽层之间生长双AlAs阻挡层;b)采用选择腐蚀在两层AlAs阻挡层之间形成两种不同厚度、不同结构的势垒层;c)在两种不同的势垒层上分别制作两种不同结构的栅电极,分别形成增强型和耗尽型的HEMT。
Description
技术领域
本发明涉及半导体材料与器件,特别涉及一种在InP衬底上集成增强型和耗尽型HEMT(高电子迁移率晶体管)的制作方法。
背景技术
自从1980年Mimura E等首先研制成功AlGaAs/GaAs异质结高电子迁移率晶体管(HEMT)以来,由于其卓越的电子输运特性,使得此类器件和电路具有高频、高速和低噪声等特性,并得到了快速的发展和广泛的应用。
就衬底材料而言,InP与GaAs相比,击穿电场、热导率、电子饱和速率均更高,用它制作的HEMT器件的截止频率已经接近600GHz。参见YoshimiYamashita,“Pseudomorphic In0.52Al0.48As/In0.7Ga0.3As HEMTs With anUltrahigh fT of 562GHz”,IEEE Electron Dev.Lett,2002年。InP基纳米栅高电子迁移率晶体管(HEMT)被公认为是在40-100Gb/s传输速率的光纤通信用电路及微波,毫米波以及亚毫米波无线通信应用的首选。用InP基HEMT制作的低噪声放大器、压控振荡器等都具有其他器件不可比拟的优越性。
HEMT器件根据其开启电压的不同,分为增强型HEMT和耗尽型HEMT。增强型HEMT定义为开启电压大于0V的HEMT器件,耗尽型HEMT定义为开启电压小于0V的HEMT器件。在现代超大规模集成电路中,耗尽型晶体管和增强型晶体管都是基本的三端控制器件。然而实际制作中,耗尽型HEMT相对来说比较容易实现,目前为止,基于InP基HEMT的实际应用一般都采用耗尽型HEMT,随着近几年HEMT技术的迅速发展,耗尽型HEMT的成品率、高频特性、功率特性等已经可以满足小规模超高速集成电路的需求(已有文献报导可在同一芯片上集成上千个耗尽型HEMT);而增强型InP基HEMT的制作则要困难的多,虽然近几年增强型HEMT的制作技术得到不断的改进,但距离实际应用于集成电路尚有一定的差距,对InP基HEMT在逻辑电路方面的应用有较大的限制。尤其在一些逻辑电路中,更需要同时制作增强型和耗尽型HEMT(比如DCFL电路)。
由于在现代集成电路中,增强型晶体管和耗尽型晶体管都是关键的三端控制器件,而InP基HEMT的高频高速特性则远强于一般的MOS晶体管,也比GaAs基HEMT的高频高速特性好得多。因而如果能在InP衬底上集成增强型和耗尽型HEMT,就可以进一步制作出各种包括增强型HEMT和耗尽型HEMT的InP基超高速集成电路芯片,使得InP基HEMT在超高速集成电路方面的应用范围取得极大的突破。用InP基HEMT制作的集成电路芯片的工作频率可以超过100GHz,相当于一般电脑芯片工作频率的几十倍到一百倍。
本发明的基本出发点是在InP衬底上实现增强型HEMT制作的基础上,通过适当的改进,使得可以在制作出增强型HEMT的同时也制作出耗尽型HEMT。
发明内容
本发明的目的在于,提供一种在同一InP衬底上集成增强型和耗尽型HEMT的制作方法,这种方法采用较成熟的InP基HEMT制作工艺,依靠在材料结构中生长两层AlAs阻挡层,实现增强型HEMT和耗尽型HEMT在InP衬底上的集成。本发明对HEMT的栅长或栅的结构无特殊要求,栅的制作可分别采用增强型和耗尽型HEMT栅制作的各种成熟的方案。
本发明一种在InP衬底上集成增强型和耗尽型HEMT的制作方法,其特征在于:
1)半绝缘的InP衬底。
2)在InP衬底上生长缓冲层:这一层为不掺杂的半导体,目的是为获得高质量的外延层,减少衬底中的缺陷对电子沟道层的影响,厚度需以上,较厚的缓冲层会有较好的效果,但成本也相应增加,一般采用的In0.52Al0.48As层。
5)在空间层上生长面掺杂层:掺杂浓度2×1012cm-2,所掺杂质为Si。该层的目的是为沟道层提供二维电子气。由于需要制作增强型HEMT,掺杂浓度不宜太高。
7)在第一层势垒层上生长第一层腐蚀阻挡层:这一层为不掺杂AlAs层,厚度作为增强型HEMT的栅槽的选择腐蚀阻挡层。AlAs与InP之间的晶格常数不匹配,所以不宜太厚。该层与增强型HEMT的栅电极之间形成肖特基势垒。
10)在第二层腐蚀阻挡层上生长帽层:这一层为高掺杂In0.53Ga0.47As层,掺杂浓度1×1019cm-3或更高,掺杂杂质为Si。该层用来形成源漏的欧姆接触,同时可以保护下面的AlAs层不被氧化。厚度一般为
进一步,所述增强型和耗尽型HEMT是在同一片InP衬底上制作的。
进一步,所述增强型和耗尽型HEMT的源漏电极是统一制作的,淀积在InGaAs帽层上,采用Ni/Ge/Au、GeAu/Ni/Au或Ti/Pt/Au;
进一步,所述腐蚀阻挡层为两层AlAs腐蚀阻挡层,用于阻挡选择湿法腐蚀。
进一步,所述增强型和耗尽型HEMT的器件隔离采用非选择湿法腐蚀,栅槽制作采用选择湿法腐蚀。
进一步,所述非选择湿法腐蚀采用硫酸、双氧水和水的混合溶液;选择湿法腐蚀一般采用丁二酸、氨水、双氧水和水的混合溶液。
进一步,所述增强型HEMT的栅槽和耗尽型HEMT的栅槽是分别制作的,增强型HEMT的栅槽腐蚀到第一层AlAs腐蚀阻挡层,耗尽型HEMT的栅槽腐蚀到第二层InAlAs势垒层,栅槽制作采用选择湿法腐蚀加上用稀盐酸去AlAs腐蚀阻挡层的方法制作。
进一步,所述增强型HEMT的栅金属淀积在第一层AlAs腐蚀阻挡层上,而耗尽型HEMT的栅金属淀积在第二层InAlAs势垒层上。
进一步,用于制作增强型HEMT的栅金属结构为Pt/Ti/Pt/Au四层金属结构,用于制作耗尽型HEMT的栅金属结构为Ti/Pt/Au三层金属结构。
上述结构的HEMT器件的生长采用成熟的分子束外延(MBE)技术。电极的制作采用电子束蒸发技术。器件图形的形成采用光学曝光技术,在制作0.1μm量级栅长的时候可采用电子束曝光技术。
本发明的优点在于,除两层很薄的AlAs阻挡层以外,其他各层材料都是晶格匹配的,这样可以降低材料生长的难度,提高器件的成品率和器件性能的一致性;制作过程中均采用湿法腐蚀,不会对二维电子气造成损伤;所用选择腐蚀液对AlAs与In0.53Ga0.47As、In0.52Al0.48As之间有很好的选择比,可有效控制腐蚀深度。
附图说明
图1为HEMT整体结构示意图;
图2为HEMT器件制备流程示意图。
具体实施方式
采用本发明提出的方法制备的增强型和耗尽型HEMT的器件结构如图1所示。其中1为InP衬底,2为厚的InAlAs缓冲层,3为厚的InGaAs沟道层,4为厚的InAlAs空间层,5为掺杂浓度为2×1012cm-2的Si面掺杂层,6为厚的第一层InAlAs势垒层,7为厚的第一层AlAs腐蚀阻挡层,8为厚的第二层InAlAs势垒层,9为厚的第二层AlAs腐蚀阻挡层,10为厚掺杂浓度为1×1019cm-3的InGaAs帽层,11为Pt/Ti/Pt/Au层状结构的增强型HEMT栅电极,12为Ti/Pt/Au层状结构的耗尽型HEMT栅电极,13为增强型HEMT的源电极,14为增强型HEMT的漏电极,15为耗尽型HEMT的源电极,16为耗尽型HEMT的漏电极。其中13、14、15、16是一起一次性制作的,都是在InGaAs帽层上制作的Ni/Ge/Au结构的欧姆接触。以上各层的厚度只是一个示意性的数值,其可选择的范围参见下表。
制备过程如图2所示:
1.首先进行器件隔离:通过光学曝光刻出HEMT台面的图形,然后用硫酸、双氧水和水的混合溶液进行湿法腐蚀,腐蚀过程在冰水混合物形成的外部环境下进行。通过对隔离区域腐蚀到InAlAs缓冲层2及以下实现器件的隔离。如图1所示。
2.接着制作源漏电极的欧姆接触(图1中13、14、15、16):通过光学曝光在HEMT台面上刻出源和漏区,用电子束蒸发Ti/Pt/Au(或者Ni/Ge/Au和GeAu/Ni/Au)金属作为源漏的接触金属,并在N2气和H2气的混合环境下合金,形成良好的欧姆接触。
3.然后是耗尽型HEMT栅12的制作:通过光学曝光刻出栅槽区,用丁二酸、氨水、双氧水和水的混合溶液进行选择腐蚀,腐蚀到靠上面的AlAs层8,然后用稀盐酸去掉该层AlAs,露出下面的InAlAs层7。在此InAlAs层上通过光学曝光刻出栅条,再用电子束蒸发技术淀积Ti/Pt/Au金属,形成耗尽型HEMT的肖特基接触。由于所用溶液的选择性,腐蚀的位置可以精确控制,这是保证HEMT成品率和性能一致性的基础。
4.最后是增强型HEMT栅11的制作:通过光学曝光刻出栅槽区,用丁二酸、氨水、双氧水和水的混合溶液进行选择腐蚀,腐蚀停止在靠上面的AlAs层8,然后用稀盐酸去掉该层AlAs层,之后再用上述选择腐蚀溶液腐蚀到靠下面的AlAs层6。在此AlAs层上通过光学曝光刻出栅条,再用电子束蒸发技术淀积Pt/Ti/Pt/Au金属,形成增强型HEMT的肖特基接触。
以上制作方法是基于增强型HEMT的制作方法,通过在增强型HEMT的势垒层结构上多生长一层InAlAs层,以减小栅对沟道的控制,由此可以在制作增强型HEMT的同时也制作出耗尽型HEMT。从而实现增强型HEMT和耗尽型HEMT在同一InP衬底上的集成。
栅的制作也可采用电子束曝光的方法,这样可以制作出0.1μm量级的栅长,使得HEMT拥有更高的频率特性。一般通过光学曝光制作的InP基HEMT应用于不超过10GHz的电路,通过电子束曝光制作的HEMT可应用于几十GHz到超过百GHz的电路。
以上制作实例为本发明的一般实施方案,制作工艺上实际可采用的制作方案是很多的,凡依本发明的权利要求所做的均等变化与修饰,皆应属本发明的涵盖范围。
Claims (10)
1.一种在InP衬底上集成增强型和耗尽型HEMT的制作方法,其特征在于,包括以下步骤:
1)采用半绝缘材料作为衬底;
2)在衬底上生长缓冲层;
3)在缓冲层上生长电子沟道层;
4)在电子沟道层上生长空间层;
5)在空间层上生长掺杂层;
6)在掺杂层上生长第一层势垒层;
7)在第一层势垒层上生长第一层腐蚀阻挡层;
8)在第一层腐蚀阻挡层上生长第二层势垒层;
9)在第二层势垒层上生长第二层腐蚀阻挡层;
10)在第二层腐蚀阻挡层上生长帽层。
2.如权利要求1所述的制作方法,其特征在于,所述衬底为半绝缘InP材料,所述缓冲层采用InAlAs,所述电子沟道层采用InGaAs,所述空间层采用InAlAs。
3.如权利要求1所述的制作方法,其特征在于,所述掺杂层采用Si面,所述第一层势垒层采用InAlAs,所述第一层腐蚀阻挡层采用AlAs,所述第一层腐蚀阻挡层采用AlAs,所述第二层势垒层采用InAlAs,所述第二层腐蚀阻挡层采用AlAs,所述帽层采用InGaAs。
4.如权利要求1所述的制作方法,其特征在于,所述增强型和耗尽型HEMT的源漏电极是统一制作的,淀积在InGaAs帽层上,采用Ni/Ge/Au、GeAu/Ni/Au或Ti/Pt/Au。
5.如权利要求1所述的制作方法,其特征在于,所述腐蚀阻挡层为两层AlAs腐蚀阻挡层,用于阻挡选择湿法腐蚀。
6.如权利要求1所述的制作方法,其特征在于,所述增强型和耗尽型HEMT的器件隔离采用非选择湿法腐蚀,栅槽制作采用选择湿法腐蚀。
7.如权利要求5所述的制作方法,其特征在于,所述非选择湿法腐蚀采用硫酸、双氧水和水的混合溶液;所述选择湿法腐蚀采用丁二酸、氨水、双氧水和水的混合溶液。
8.如权利要求1所述的制作方法,其特征在于,所述增强型HEMT的栅槽和耗尽型HEMT的栅槽是分别制作的,增强型HEMT的栅槽腐蚀到第一层AlAs腐蚀阻挡层,耗尽型HEMT的栅槽腐蚀到第二层InAlAs势垒层,栅槽制作采用选择湿法腐蚀加上用稀盐酸去AlAs腐蚀阻挡层的方法制作。
9.如权利要求1所述的制作方法,其特征在于,所述增强型HEMT的栅金属淀积在第一层AlAs腐蚀阻挡层上,而耗尽型HEMT的栅金属淀积在第二层InAlAs势垒层上。
10.如权利要求1所述的制作方法,其特征在于,增强型HEMT的栅金属结构为Pt/Ti/Pt/Au四层金属结构,耗尽型HEMT的栅金属结构为Ti/Pt/Au三层金属结构。
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