CN101471562B - 一种单粒子锁定防护电路 - Google Patents
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Abstract
本发明是一种单粒子锁定防护电路,涉及一种用于空间辐射环境下CMOS器件的抗单粒子锁定防护,属于辐射电子学领域。本发明由开关三极管、电流传感器、触发器、电压比较器、电阻、电容组成。采用开关三极管对器件供电,利用电流传感器和电压比较器实时监测供电回路中的电流,当电路中出现了不同于器件正常工作电流的异常大电流后,电压比较器立即通过反馈回路会关闭器件输入电源,当电路中的异常大电流消失后,断开反馈回路,恢复器件正常供电。本发明所述的防护对象共地使用,电路对器件供电应通过本防护电路。本发明能在器件发生单粒子锁定现象时有效抑制单粒子锁定现象,可作为CMOS器件在辐射环境下抗单粒子锁定的防护手段,减小CMOS器件在空间使用的风险。
Description
技术领域
本发明涉及一种单粒子锁定防护电路,特别是一种用于空间辐射环境下CMOS器件的抗单粒子锁定防护。
背景技术
由于CMOS器件具有功耗低、受噪音干扰小等优点,自从90年代以来,市场上一半以上的集成电路都采用了CMOS工艺。同样鉴于其以上优点,CMOS器件在航天器上也得到了广泛的应用。但是,空间辐射环境中的带电粒子容易在CMOS器件中引发单粒子锁定现象,引发航天器仪器失效。现有的防护技术多采用在CMOS器件电源输入端加入防护电阻的办法进行防护,但是防护电阻太大会影响器件的正常使用,而防护电阻太小就起不到防护作用,因此为了进一步防护单粒子锁定现象,使空间电子系统高可靠、长寿命工作,需要采用单粒子锁定防护电路。
发明内容
本发明的目的是克服现有技术的不足,提供一种用于CMOS器件单粒子锁定防护的防护电路。
本发明技术方案
本发明包括开关三极管、电流传感器、触发器、电压比较器、电阻、电容;其连接关系为开关三极管T1的集电极与电阻R1的一端并联与同电源连接,另一端与开关三极管T2集电极和开关三极管T1的基极相连,开关三极管T1的发射极与电流传感器相连;开关三极管T2的基极通过单稳态脉冲展宽电路、电压比较器和R2相连,并同CMOS器件的电源输入端相连,当电源输入电流通过三极管T1,流过电流传感器时,在与电流传感器匹配的电阻R2上会产生一个电压,这个电压与流过传感器供给实验样品的电流值成正比;当测试样品发生大电流现象后,电阻R2上的电压值就会超过电压比较器的设定值,这时,电压比较器输出一个高电平信号,使得三极管T2导通,T1关闭,实验样品上的输入电源被切断,并通过单稳态脉冲展宽电路对电压比较器的脉冲延时作用:防护电路可以根据RX和CX的值,进而对电压比较器的输出脉冲进行展宽,调节防护电路保持低电平的时间,可以更有效的抑制SEL大电流现象。
所述的防护电路通过开关三极管向CMOS器件供电。
所述的防护电路在使用时同CMOS器件共地使用,并且通过该防护电路对CMOS器件供电。
用电流传感器和电压比较器对电流回路进行监测。
在控制回路中采用了单稳态触发电路用于电路的断电延迟。
对CMOS器件的断电主要利用三极管T1、T2和电阻R1的组合电路,电路中的三极管T1、T2可以为2SC3279。
本发明与现有技术相比的优点在于:本发明结合CMOS器件空间应用实际情况,采用开关三极管对电子器件供电,利用电压比较器实时监测供电回路中的电流,当电路中出现了不同于器件正常工作电流的异常大电流后,电压比较器立即通过反馈回路会关闭器件输入电源,当电路中的异常大电流消失后,断开反馈回路,恢复器件正常供电。
附图说明
图1为本发明的电路原理图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明作进一步说明。
实施例
本发明包括开关三极管、电流传感器、触发器、电压比较器、电阻、电容;其连接关系为:开关三极管T1的集电极与电阻R1的一端并联与同电源连接,另一端与开关三极管T2集电极和开关三极管T1的基极相连,开关三极管T1的发射极与电流传感器相连;开关三极管T2的基极通过单稳态脉冲展宽电路、电压比较器和R2相连,并同CMOS器件的电源输入端相连。单粒子锁定防护电路同CMOS器件的电源输入端相连,并且与CMOS器件共地。如图1所示。
T1、T2为2SC3279,电阻R1的阻值为500Ω,R2的阻值为1KΩ,电容CX和RX的阻值根据被防护器件在触发单粒子锁定时断电时间的要求设定。
工作原理为:当电源输入电流通过三极管T1,流过电流传感器时,在与电流传感器匹配的电阻R2上会产生一个电压,这个电压与流过传感器供给CMOS器件的电流值成正比。当CMOS器件发生大电流现象后,电阻R2上的电压值就会超过电压比较器的设定值,电压比较器输出一个高电平信号,使得三极管T2导通,T1关闭,实验样品上的输入电源被切断,并通过单稳态脉冲展宽电路对电压比较器的脉冲延时作用,调节防护电路保持低电平的时间,进而可以更有效的抑制SEL大电流现象。
Claims (8)
1.单粒子锁定防护电路,其特征在于:它由第一和第二开关三极管、电流传感器、触发器、电压比较器、第一、第二和第三电阻、电容以及被测试的CMOS器件组成;其连接关系为第一开关三极管(T1)的集电极与第一电阻(R1)的一端一起同电源连接,第一电阻(R1)的另一端与开关三极管(T2)集电极和第一开关三极管(T1)的基极相连,第一开关三极管(T1)的发射极与电流传感器相连;开关三极管(T2)的基极与触发器的B和Q处、电压比较器和第二电阻(R2)的一端相连,并同CMOS器件的电源输入端相连,第三电阻(RX)的一端与触发器R处相连,第三电阻(RX)另一端通过电容(CX)与触发器的C处和触发器的A处相连;当电源输入电流通过第一开关三极管(T1),流过电流传感器时,在与电流传感器匹配的第二电阻(R2)上会产生一个电压,这个电压与流过传感器供给CMOS器件的电流值成正比;当CMOS器件发生单粒子锁定大电流现象后,电阻(R2)上的电压值就会超过电压比较器的设定值,这时,电压比较器输出一个高电平信号,使得第二开关三极管(T2)导通,第一开关三极管(T1)关闭,CMOS器件上的输入电源被切断,并通过触发器对电压比较器的脉冲延时作用:防护电路根据第三电阻(RX)和电容(CX)的值,进而对电压比较器的输出脉冲进行展宽,调节防护电路保持低电平的时间,可以更有效的抑制单粒子锁定大电流现象。
2.根据权利要求1所述的单粒子锁定防护电路,其特征在于:所述的防护电路通过第一和第二开关三极管向CMOS器件供电。
3.根据权利要求1所述的单粒子锁定防护电路,其特征在于:所述的防护电路在使用时必须同CMOS器件共地,并且对CMOS器件的供电须通过该防护电路。
4.根据权利要求1所述的单粒子锁定防护电路,其特征在于:用电流传感器和电压比较器对电流回路进行监测。
5.根据权利要求1所述的单粒子锁定防护电路,其特征在于:在控制回路中采用了触发器用于电路的断电延迟。
6.根据权利要求1所述的单粒子锁定防护电路,其特征在于:对CMOS器件的断电主要利用第一三极管T1、第二三极管(T2)和第一电阻(R1)的组合电路。
7.根据权利要求1所述的单粒子锁定防护电路,其特征在于:第一、第二开关三极管(T1)、(T2)为开关三极管2SC3279,电流传感器为MAX471,电压比较器为LM339,触发器为CD4098。
8.根据权利要求1所述的单粒子锁定防护电路,其特征在于:电阻R1的阻值为500,R2的阻值为1KΩ,电容(CX)和第三电阻(RX)的阻值根据被防护器件在触发单粒子锁定时断电时间的要求设定。
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