CN101465618A - 一种双输入路径的超宽带低噪声放大器 - Google Patents
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Abstract
本发明是一种双输入路径的超宽带低噪声放大器。在传统的共栅结构基础上，增加了从栅极输入的高频路径，实现了一种“高频共源、低频共栅”的宽带输入匹配结构，实现了低噪声放大器的超宽带输入近似匹配。该结构在低频时利用放大器的跨导实现恒定的输入阻抗匹配，而高频时则利用共栅结构中的源极电感来实现高频输入匹配，同时利用高频输入时的低品质因子并和低频输入匹配结合，形成覆盖超宽频带的输入匹配。
Description
技术领域
本发明涉及一种双输入路径的超宽带低噪声放大器，主要针对超宽带(UWB)标准及应用，以及多频带多模式无线接收机射频前端低噪声放大器设计技术。
背景技术
随着科学技术的快速发展，使得无线通信系统(WirelessCommunication System)的产业向多元化方向发展，而无线通信产业也被公认为目前最具有潜力的产业之一。近年来发展迅速的如个人无线通信系统(Wireless Personal Communication System)及无线局域网(WLAN，Wireless Local Area Network)等都是使人们在生活上更加便利的通信产品。
超宽带(Ultra-wideband，UWB)技术又被称为无线发射技术，事实上它并非一种新兴技术，而是起源于20世纪50年代末，并且已被广泛应用于雷达和遥感领域。2002年，美国联邦通信委员会(FCC)通过了将超宽带无线通信用于民用的最终规定，加速了UWB技术的民用化进程，特别是促进了UWB通信技术的发展。
由于UWB信号的宽频带、低功率谱密度的特性，决定了UWB无线传输技术的具有窄带系统无法比拟的优点：1)易于与现有的窄带系统，如全球定位系统(GPS)、蜂窝通信系统、地面电视等共用频段，大大提高了频谱利用率；2)易于实现多用户的短距离高速数据通信；3)通信不易被检测和监听，具有很高的安全性；4)对多径衰落具有鲁棒性。
UWB无线技术基于共用频段的思想，能够有效解决短距离无线通信频率资源供不应求及不兼容的问题。UWB技术能在短距离内支持高达400Mb/s的信息传输速率，为无线局域网和个域网的接入技术提供低功耗、高速且易于实现的底层技术支撑，实现WLANs，WMANs，WPANs和WBANs的互联，便携设备和固定设备、个人电脑和娱乐设备的互联的空中接口，建立可兼容的全IP网络。UWB系统还可以通过减小传输速率来增加传输距离，实现精确的定位跟踪。
国际上的许多权威机构和著名IT企业都在投以大量的人力、物力从事相关的理论研究和产品开发，如：Intel、Philips、IBM、Motorola、Sony、Texas instruments等公司都已率先涉足该领域，足以说明该技术的商用潜力和其市场的广阔。目前，UWB在商业多媒体设备，家庭和个人网络方面的应用前景已得到了专业界的普遍认可，UWB无线技术的发展将促进智能网络和设备的发展，形成真正普及和以用户为中心的无线世界。根据Alereon公司预测，2007年UWB产品出货量大约为2,000万个，2008年达到8,500万个，2009年为2亿个。
由于UWB技术具有广阔的市场前景，因此其标准之争也异常激烈，最终导致标准的流产。目前处于主流的技术方案有两种：直接序列CDMA-UWB方案和多载波OFDM-UWB方案。直接序列CDMA-UWB是基于脉冲的UWB方案，发射信号占用整个1.7GHz的频段；OFDM-UWB是基于多载波的UWB方案，采用OFDM技术传输子带信息。
全球漫游和高速数据传输需求的不断增长使得通信公司对支持多标准的手持设备越来越感兴趣。今天多模终端的概念已经广为人知，比如欧洲目前大多数的GSM手机已经同时支持900MHz和1800MHz的不同标准。许多手机制造商甚至已经开发了支持三个工作频带的手机，以使其在美国和欧洲都能使用。目前蜂窝电话的发展是使3G标准能跟GSM一起工作。事实上，因为二代蜂窝电话(GSM)的广泛使用，完全过渡到三代(3G)手机需要一段很长的两者共存的时间。另一方面，除了语音外的其它无线服务，比如高速的互联网接入和短距离无线连接需求的不断增长，正在刺激多标准无线终端的发展，使其能够满足语音及数据服务。
最简单的多标准无线终端的解决方案是用多个收发机(即每个标准各一个)在各自独立的通路上并行工作。但显然这不是有效的解决方案，而且随着标准数目的增多而最终变得难以实现。为降低无线终端的成本，有几个关键的地方：尽可能地共用硬件，提高集成度和限制功耗。这些目标只有经过仔细的系统规划和设计才能达到。为实现多标准的终端，接收机结构的选择是能否达到最大化硬件共享的最重要的方面。
由于不同的通信标准在中心频率，信号带宽和噪声指数及线性度方面的需求在很大的范围内都不同，因此会对所有模块的性能指标需求的确定有很大的影响。一个最直接的解决方案是每个模块都能满足所有标准中的最严格的需求，则级联后的系统不需调整就能同时满足多标准需求。但是采用这种方法会使得性能太过苛求而不可实现或成本、功耗等变得过大，因此不是一个有效的方案。为最大化地共用各个模块，所有的模块必须设计得既通用又灵活，能够重新配置并满足不同工作条件下的需求。当接收机通过频率调节和通带选择被设置为工作在一个特定标准(比如通过数字端进行控制)后，所有的模块必须进行配置以满足该标准的需求。
在低噪声放大器(Low Noise Amplifier，LNA)方面，目前的LNA的实现大多采用源衰减共发射极(源)结构来提供阻抗匹配而有一个调谐LC输出级来提供频率选择性。这种结构的多频带应用扩展已经提出。但是在UWB频段内设计足够的增益和输入匹配依旧是目前的难题之一。
在工艺选择方面，近年来随着CMOS工艺技术的进步，在元件的特性上已可达到高频电路的要求，比如，0.18um及以下的CMOS器件，其截止频率已经在50GHz以上，因此CMOS已经渐渐应用到无线通信收发机(Transceiver)的设计中。由于CMOS工艺技术成熟、成本较低，并且可以与数字基带电路集成成为系统单芯片(SoC，System On Chip)，采用CMOS工艺设计射频前端电路是今后发展的趋势。
传统的低噪声宽带放大器采用共栅结构来达到宽带的输入匹配，该技术原理是利用晶体管源极的等效阻抗为晶体管跨导的倒数，该阻抗在很宽的带宽范围之内可以近似的保持不变，因此共栅结构可以提供从直流到一定频段内的宽带匹配，但是随着频率的上升，晶体管内部的寄生参数影响了输入阻抗，使得该结构在高频下的输入匹配性能下降，S11参数很难达到系统要求。
发明内容
为了解决上述技术问题，本发明提供一种双输入路径的超宽带低噪声放大器结构。在传统的共栅基础上，增加了从栅极输入的高频路径，实现了一种“高频共源、低频共栅”的宽带输入匹配结构，实现了低噪声放大器的超宽带输入近似理想匹配。该结构在低频时利用放大器的跨导实现恒定的输入阻抗匹配，而高频时则利用共栅结构中的源极电感来实现高频输入匹配，同时利用高频输入时的低品质因子并和低频输入匹配结合，形成覆盖超宽频带的输入匹配。
本发明提出一种双输入路径的宽带低噪声放大器，其特征在于，包括：
宽带输入匹配电路(11)，用于提供低噪声放大器的宽带输入匹配，减小输入信号由于不匹配所带来的功率损失和相位延时等问题，提高放大器的功率增益和稳定性；
共栅结构(12)用于隔离输入端与输出端，提高低噪声放大器的稳定性，同时也可以减小密勒效应，增大放大器的带宽；
CMOS晶体管(13)，用于提供放大器增益和噪声匹配；
输入信号由所述宽带输入匹配电路(11)进入，分别经过所述宽带输入匹配电路(11)的两条不同路径到达输出端口；所述宽带输入匹配电路(11)的两个输出端口分别与所述CMOS晶体管(13)的栅极和源极相连；所述共栅结构(12)一端与所述CMOS晶体管(13)的源极相连，另一端与参考地相连。
进一步，所述的宽带输入匹配电路(11)包括高频信号下的通路(111)和低频信号下的通路(112)；所述高频信号下的通路(111)和所述低频信号下的通路(112)为并联方式，两条路径的一端同时与输入信号相连，另一端则分别与所述CMOS晶体管(13)的栅极和源极相连。
进一步，所述共栅结构(12)与所述宽带输入匹配电路(11)共同构成超宽带输入信号下的输入匹配结构；所述宽带输入匹配电路(11)弥补了所述共栅结构(12)在高频信号下的输入匹配下降。
进一步，所述的高频信号下的通路(111)为一电容，该电容在高频下呈现通路趋势，即导通阻抗随频率升高而降低，而在低频下呈现开路趋势，即导通阻抗随频率升高而升高。
进一步，所述的低频信号下的通路(112)为一电感，该电感在高频下呈现开路趋势，即导通阻抗随频率升高而升高，而在低频下呈现通路趋势，即导通阻抗随频率升高而降低。
本发明设计了双输入路径的超宽带低噪声放大器结构，在传统的共栅结构基础上，增加了输入信号在高频时到晶体管栅极的交流路径，使得电路在高频时由共栅结构向共源结构过渡，有效的克服了传统共源结构在高频段受寄生参数影响输入匹配度下降的特点，提高了电路输入匹配带宽，同时利用输入谐振品质因子的调谐特性，使得放大器的噪声系数和电压-电流转换增益近似保持不变，在采用CMOS工艺实现的UWB等超宽带应用中具有一定的实用价值。
附图说明
图1是本发明的双输入路径的超宽带低噪声放大器原理图；
图2是本发明的双输入路径的超宽带低噪声放大器输入匹配S11参数变化曲线；
图3是本发明的双输入路径的超宽带低噪声放大器功率增益S21参数变化曲线；
图4是本发明的双输入路径的超宽带低噪声放大器噪声系数NF变化曲线。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明白，以下结合具体实施例，并参照附图，对本发明进一步详细说明。
所述的双输入路径的宽带低噪声放大器输入端(1)包括宽带输入匹配电路(11)、传统的共栅结构(12)以及提供放大器增益和噪声匹配的CMOS晶体管(13)，传统的共栅结构(12)与宽带输入匹配电路(11)共同完成超宽带输入信号下的输入匹配；可以说，宽带输入匹配电路(11)弥补了传统的共栅结构(12)在高频信号下的输入匹配下降，提高了低噪声放大器的输入匹配。高频信号下的通路(111)为一电容，该电容在高频下呈现通路趋势，即导通阻抗随频率升高而降低，而在低频下呈现开路趋势，即导通阻抗随频率升高而升高，低频信号下的通路(112)为一电感，该电感在高频下呈现开路趋势，即导通阻抗随频率升高而升高，而在低频下呈现通路趋势，即导通阻抗随频率升高而降低，所发明的宽带匹配电路结构不仅提供不同频段下的信号路径，同时还提供一个相对较小的品质因子来提高放大器带宽，降低系统的噪声系数。
单元(12)为传统的共栅结构，该结构利用了共栅放大器的输入阻抗来达到输入阻抗匹配的要求，共栅晶体管的源极阻抗可近似等效为下式：
Zin＝1/gm (1)
CMOS晶体管(13)的源极阻抗提供输入阻抗的实部，为了匹配无线接收机所需的天线或者声表面波滤波器的50欧姆输出阻抗，通过调节晶体管的尺寸使得：
Rs＝1/gm＝50 (2)
上述表达式实现了输入阻抗实部匹配。当输入阻抗的虚部不是很大时，该放大器可以实现很好的输入阻抗宽带匹配。但是当输入信号频率上升，电路的寄生参数开始影响输入阻抗匹配以至于使得输入匹配参数S11在高频时迅速上升，恶化了电路的输入匹配特性，引起输入信号反射甚至振荡。
该电路还有一个严重的缺点，晶体管的跨导不仅跟输入相关，而且还直接决定了低噪声放大器的噪声系数和功率增益。目前接收机系统的天线一般都放置在芯片的外部，而厂商生产的天线元件一般都为固定的50欧姆输出阻抗，由(2)式，则晶体管的跨导也为固定值，即50欧姆的倒数，这样则电路的噪声系数等参数也很难进行设计的选择和优化。而在目前的主流工艺中，采用较小的晶体管漏极偏置电流就可以满足(2)式，这样严重限制了噪声系数、功率增益等参数的设计和优化。
而本发明所述的双输入路径的宽带低噪声放大器结构，则利用了无源器件在高频呈现不同特性的特点(电容呈现导通趋势而电感呈现阻断趋势)，在输入端口与传统共栅结构的晶体管源极增加了一个小电感，同时在输入端口与共栅结构的偏置栅极处增加了一个小电容，在不影响电路功率增益的基础之上，在输入信号超出了传统共栅结构能够匹配的频率范围之外时，将共栅结构变为共源结构，而传统的共源结构常用的源极电感则转化为共源结构中的源极衰减电感，在提供输入阻抗匹配的同时也可以达到一定程度的噪声匹配，使得电路的噪声系数在高频情况下保持较低的水准。
设计过程具体如下：
设计传统的共栅结构达到低频部分(5GHz以下)的宽带匹配，尾电流源采用电感结构提供直流偏值和交流下的高阻，同时尽可能低的引入相关噪声以减小噪声系数，除此之外，该电感还为高频信号路径提供输入阻抗的实部，以期达到标准的50欧姆匹配；
在传统共栅输入结构的基础上，在输入端与晶体管的源极，即源极衰减电感的一端之间接入一个电感，该电感的值选择源极衰减电感的五分之一到十分之一以提高放大器在整个频段内的增益；
在输入端到晶体管之间增加一个电容来提供高频下的信号通路，该电容选择合适的值使得与电感组成的谐振频率大致工作在整个带宽的上截止频率处，为低噪声放大器的输入端提供高频下的输入匹配同时尽可能的保持放大器增益以及噪声系数；
在传统的共栅结构达到宽带匹配的设计方法下，增加一个电感提供高频开路和一个电容提供高频通路，选择合适的电感和电容以在适当的高频频带内达到输入阻抗匹配，选择过大的电感降低放大器增益，选择较大的电容增大放大器的噪声系数。
由于所发明的电路输入阻抗表达式繁琐，很难直观的看出相对于传统共栅结构的优点，我们采用HJTC 0.18μm RF CMOS工艺来作仿真验证。
如图1所示为双输入路径的宽带低噪声放大器结构，晶体管的沟道长宽比为0.18μm/60μm，其中宽度采用指状结构(Finger Structure)，每个指状结构的宽为5μm，一共12个指状结构。源极衰减电感为3.6nH，输入到晶体管M0的源极所用的电感L1为0.5nH，输入端到晶体管的栅极处所采用的电容C0为0.2pF。晶体管M0的直流偏置电流为6mA。输出的负载端则采用经典的电感并联补偿技术来提高电路的工作带宽。仿真时所用的晶体管、电容和电感模型采用工艺厂商提供的ADS模型单元，该单元是基于高频(1GHz～10GHz)时测试的拟合结果，具有一定的可信度。仿真的同时也考虑的ESD、封装和PCB板上的寄生参数。仿真结果分别如图2～图4所示。
如图2所示为所发明电路结构的S11参数，一般情况下，S11参数表示了电路的输入匹配状况。图中C＝0表示除去电容C0和电感L1的经典共栅结构，可见当工作频率为3GHz到8GHz时，输入匹配S11参数可以满足小于-10dB的指标要求，但是当信号频率继续上升，由于受晶体管寄生参数的影响，S11参数开始迅速上升，从而超出系统要求，会引起信号反射、增益下降甚至振荡。而本发明所述的双路径结构中，当电容C0为0.1pF时，电路的输入匹配有所好转；而当电容C0为0.2pF时，在3GHz到12GHz的工作频率下，电路的S11参数满足小于-10dB的规格，输入匹配明显得到改善。相比传统的共栅结构，输入匹配S11参数降低了6.4dB。
如图3所示为输出匹配下的S21参数，当电路输入输出近似匹配的情况下，该参数也近似等于电路的功率增益。从图中可以看出，峰值处的功率增益改善4.2dB。值得注意的是，电路的带宽也略有下降，因此必须选择合适的电容C0来满足带宽和增益的要求。
如图4所示为电路的噪声系数NF。由于受限于厂商提供的CMOS工艺，电路所呈现出的噪声特性落后于目前国际的领先水平，但是相对于传统的共栅结构，本发明所述的双路径结构的低噪声放大器结构可以改善1.2dB。而且噪声系数NF在整个带宽内保持平坦。
至此，可以理解，现已提供一种双输入路径的超宽带低噪声放大器。在传统的共栅基础上，增加了从栅极输入的高频路径，实现了一种“高频共源、低频共栅”的宽带输入匹配结构，实现了低噪声放大器的超宽带输入近似理想匹配。该结构在低频时利用放大器的跨导实现恒定的输入阻抗匹配，而高频时则利用共栅结构中的源极电感来实现高频输入匹配，同时利用高频输入时的低品质因子并和低频输入匹配结合，形成覆盖超宽频带的输入匹配。
至此已经结合优选实施例对本发明进行了描述。应该理解，本领域技术人员在不脱离本发明的精神和范围的情况下，可以进行各种其它的改变、替换和添加。因此，本发明的范围不局限于上述特定实施例，而应由所附权利要求所限定。
Claims (8)
1.一种双输入路径的宽带低噪声放大器，其特征在于，包括：
宽带输入匹配电路(11)，用于提供低噪声放大器的宽带输入匹配；
共栅结构(12)，用于隔离输入端与输出端；
CMOS晶体管(13)，用于提供放大器增益和噪声匹配；
输入信号由所述宽带输入匹配电路(11)进入，分别经过所述宽带输入匹配电路(11)的两条不同路径到达输出端口；所述宽带输入匹配电路(11)的两个输出端口分别与所述CMOS晶体管(13)的栅极和源极相连；所述共栅结构(12)一端与所述CMOS晶体管(13)的源极相连，另一端与参考地相连。
2.根据权利要求1所述的宽带低噪声放大器，其特征在于，所述的宽带输入匹配电路(11)包括高频信号下的通路(111)和低频信号下的通路(112)。
3.根据权利要求2所述的宽带低噪声放大器，其特征在于，所述高频信号下的通路(111)和所述低频信号下的通路(112)为并联方式，两条路径的一端同时与输入信号相连，另一端则分别与所述CMOS晶体管(13)的栅极和源极相连。
4.根据权利要求1所述的宽带低噪声放大器，其特征在于，所述共栅结构(12)与所述宽带输入匹配电路(11)共同构成超宽带输入信号下的输入匹配结构；所述宽带输入匹配电路(11)弥补了所述共栅结构(12)在高频信号下的输入匹配下降。
5.根据权利要求2或3所述的宽带低噪声放大器，其特征在于，所述的高频信号下的通路(111)为一电容。
6.根据权利要求5所述的宽带低噪声放大器，其特征在于，所述电容在高频下呈现通路趋势，导通阻抗随频率升高而降低，而在低频下呈现开路趋势，导通阻抗随频率升高而升高。
7.根据权利要求2或3所述的宽带低噪声放大器，其特征在于，所述的低频信号下的通路(112)为一电感。
8.根据权利要求7所述的宽带低噪声放大器，其特征在于，所述电感在高频下呈现开路趋势，导通阻抗随频率升高而升高，而在低频下呈现通路趋势，导通阻抗随频率升高而降低。
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Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102820858A (zh) * | 2012-07-31 | 2012-12-12 | 赵烨梁 | 一种用于扫描隧道显微镜的高频信号放大电路 |
| CN103036588A (zh) * | 2012-12-05 | 2013-04-10 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 用于物联网短距离无线互联无线节点的超低功耗收发机 |
| CN103338008A (zh) * | 2013-07-24 | 2013-10-02 | 东南大学 | 一种宽中频的毫米波双平衡无源混频器 |
| CN103843248A (zh) * | 2011-05-19 | 2014-06-04 | 美国博通公司 | 射频集成电路 |
| CN104811156A (zh) * | 2015-05-14 | 2015-07-29 | 中国电子科技集团公司第五十四研究所 | 一种谐振增强型宽带阻抗匹配电路及匹配方法 |
| CN105099479A (zh) * | 2014-05-07 | 2015-11-25 | 宇龙计算机通信科技(深圳)有限公司 | 多模智能终端接收机的射频前端电路 |
| CN106849882A (zh) * | 2017-01-23 | 2017-06-13 | 电子科技大学 | 一种基于人工神经网络的超宽带低噪声放大器 |
| CN108199693A (zh) * | 2012-05-25 | 2018-06-22 | 高通股份有限公司 | 用于载波聚集的低噪声放大器 |
-
2007
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Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103843248A (zh) * | 2011-05-19 | 2014-06-04 | 美国博通公司 | 射频集成电路 |
| CN108199693A (zh) * | 2012-05-25 | 2018-06-22 | 高通股份有限公司 | 用于载波聚集的低噪声放大器 |
| CN102820858A (zh) * | 2012-07-31 | 2012-12-12 | 赵烨梁 | 一种用于扫描隧道显微镜的高频信号放大电路 |
| CN103036588A (zh) * | 2012-12-05 | 2013-04-10 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 用于物联网短距离无线互联无线节点的超低功耗收发机 |
| CN103036588B (zh) * | 2012-12-05 | 2014-11-05 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 用于物联网短距离无线互联无线节点的超低功耗收发机 |
| CN103338008A (zh) * | 2013-07-24 | 2013-10-02 | 东南大学 | 一种宽中频的毫米波双平衡无源混频器 |
| CN105099479A (zh) * | 2014-05-07 | 2015-11-25 | 宇龙计算机通信科技(深圳)有限公司 | 多模智能终端接收机的射频前端电路 |
| CN104811156A (zh) * | 2015-05-14 | 2015-07-29 | 中国电子科技集团公司第五十四研究所 | 一种谐振增强型宽带阻抗匹配电路及匹配方法 |
| CN104811156B (zh) * | 2015-05-14 | 2018-08-14 | 中国电子科技集团公司第五十四研究所 | 一种用于谐振增强型宽带阻抗匹配电路的匹配方法 |
| CN106849882A (zh) * | 2017-01-23 | 2017-06-13 | 电子科技大学 | 一种基于人工神经网络的超宽带低噪声放大器 |
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|---|---|
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| PB01 | Publication | ||
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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Owner name: INST OF MICROELECTRONICS, C. A. S Effective date: 20130419 Owner name: SEMICONDUCTOR MANUFACTURING INTERNATIONAL (SHANGHA Free format text: FORMER OWNER: INST OF MICROELECTRONICS, C. A. S Effective date: 20130419 |
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| C41 | Transfer of patent application or patent right or utility model | ||
| COR | Change of bibliographic data |
Free format text: CORRECT: ADDRESS; FROM: 100029 CHAOYANG, BEIJING TO: 201203 PUDONG NEW AREA, SHANGHAI |
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| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20130419 Address after: 201203 Shanghai City, Pudong New Area Zhangjiang Road No. 18 Patentee after: Semiconductor Manufacturing International (Shanghai) Corporation Patentee after: Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences Address before: 100029 Beijing city Chaoyang District Beitucheng West Road No. 3 Patentee before: Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences |