CN101447485A - 单片集成GaAs基PHEMT和PIN二极管材料结构 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种单片集成GaAs基PHEMT和PIN二极管材料结构，该结构由GaAs基PHEMT和PIN二极管两部分组成，所述GaAs基PHEMT和所述PIN二极管被N型高掺杂腐蚀截止层AlAs隔开；所述GaAs基PHEMT由在GaAs衬底上依次分子束外延生长的缓冲层GaAs、十个周期的Al0.22Ga0.78As/GaAs超晶格层、沟道下势垒层Al0.22Ga0.78As、沟道层In0.2Ga0.8As、空间隔离层Al0.22Ga0.78As、平面掺杂层、势垒层Al0.22Ga0.78As、N型高掺杂盖帽层GaAs构成；所述N型高掺杂腐蚀截止层AlAs在所述N型高掺杂盖帽层GaAs上分子束外延生长而成；所述PIN二极管由在N型高掺杂腐蚀截止层AlAs上依次分子束外延生长的N型高掺杂层GaAs、不掺杂层GaAs、P型掺杂层GaAs构成。本发明将GaAs基PHEMT和PIN二极管集成在同一块衬底上，实现单片集成GaAs基PHEMT和PIN二极管。
Description
技术领域
本发明涉及化合物半导体材料及器件技术领域，尤其涉及一种单片集成砷化镓(GaAs)基赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)和PIN二极管材料结构。
背景技术
赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)具有高频、高速、高功率增益和低噪声系数的特点，因而在毫米波频段有着广泛的应用，大量应用于军事、太空和民用通讯领域，如毫米波雷达、电子战、智能装备、卫星通讯和辐射天文学等。
PIN二极管是一种特殊的电荷存储二极管。正向偏压下，导通阻抗很小，近似短路；反向偏压下，阻抗很高，近似开路，而且具有随偏压可连续改变阻抗的特性。
在PHEMT电路中，电位转换可以由二极管完成。但是，如果采用肖特基势垒二极管实现PHEMT电路的电位转换，则在高电流密度下，肖特基势垒二极管将产生较大的导通阻抗，不利于PHEMT电路电位转换的实现。如果采用PIN二极管实现PHEMT电路的电位转换，则在高电流密度下，由于PIN二极管的正向导通阻抗较小，就可以解决这个问题。
所以，如果能够将GaAs基PHEMT和PIN二极管集成在同一块衬底上，形成单片集成GaAs基PHEMT和PIN二极管材料结构，则将是一个非常值得研究的技术课题。
发明内容
(一)要解决的技术问题
有鉴于此，本发明的主要目的在于提供一种单片集成GaAs基PHEMT和PIN二极管材料结构，以将GaAs基PHEMT和PIN二极管集成在同一块衬底上，实现单片集成GaAs基PHEMT和PIN二极管。
(二)技术方案
为达到上述目的，本发明提供了一种单片集成GaAs基PHEMT和PIN二极管材料结构，该结构由GaAs基PHEMT和PIN二极管两部分组成，所述GaAs基PHEMT和所述PIN二极管被N型高掺杂腐蚀截止层AlAs隔开；所述GaAs基PHEMT由在GaAs衬底上依次分子束外延生长的缓冲层GaAs、十个周期的Al0.22Ga0.78As/GaAs超晶格层、沟道下势垒层Al0.22Ga0.78aAs、沟道层In0.2Ga0.8As、空间隔离层Al0.22Ga0.78As、平面掺杂层、势垒层Al0.22Ga0.78As、N型高掺杂盖帽层GaAs构成；所述N型高掺杂腐蚀截止层AlAs在所述N型高掺杂盖帽层GaAs上分子束外延生长而成；所述PIN二极管由在N型高掺杂腐蚀截止层AlAs上依次分子束外延生长的N型高掺杂层GaAs、不掺杂层GaAs、P型掺杂层GaAs构成。
上述方案中，所述缓冲层GaAs用于为后续外延层的生长提供平整的界面；该缓冲层GaAs的厚度为200纳米。
上述方案中，所述十个周期的Al0.22Ga0.78As/GaAs超晶格层用于减小缓冲层漏电流，其中，Al0.22Ga0.78As的厚度为10纳米，GaAs的厚度为1.5纳米。
上述方案中，所述沟道下势垒层Al0.22Ga0.78As用于为沟道生长提供一个平整的界面，同时也利用Al0.22Ga0.78As/In0.2Ga0.8As异质结把2DEG束缚在沟道内；所述沟道下势垒层Al0.22Ga0.78As的厚度为50纳米。
上述方案中，所述空间隔离层Al0.22Ga0.78As用于将施主杂质电离中心和2DEG空间隔离，减小电离散射作用，保证沟道内2DEG的高电子迁移率；所述空间隔离层Al0.22Ga0.78As的厚度为4纳米。
上述方案中，所述平面掺杂层中掺杂的是Si，掺杂剂量为3.0×1012cm-2。
上述方案中，所述N型高掺杂盖帽层GaAs中掺杂的是Si，掺杂Si浓度为5×1018cm-3，N+-GaAs与栅金属接触为器件制备提供良好的欧姆接触；该N型高掺杂盖帽层GaAs的厚度为50纳米。
上述方案中，所述N型高掺杂腐蚀截止层AlAs用于将PHEMT和PIN二极管的外延结构隔开，在湿法腐蚀过程中起到腐蚀截止作用；该N型高掺杂腐蚀截止层AlAs的厚度为2纳米。
上述方案中，所述沟道层In0.2Ga0.8As的厚度为12纳米，所述势垒层Al0.22Ga0.78As的厚度为15纳米，所述N型高掺杂层GaAs的厚度为30纳米，所述不掺杂层GaAs的厚度为100纳米，所述P型掺杂层GaAs的厚度为30纳米。
(三)有益效果
从上述技术方案可以看出，本发明提供的这种单片集成GaAs基PHEMT和PIN二极管材料结构，是在常规GaAs基PHEMT外延结构的基础上，生长了N型掺杂AlAs、N型掺杂GaAs、不掺杂GaAs、P型掺杂GaAs用来实现PIN二极管。AlAs将PHEMT和PIN隔开，并在湿法腐蚀过程中，起到腐蚀截止作用。PHEMT和PIN两部份晶格匹配，不增加外延生长的难度，经过相应的工艺，可以达到单片集成GaAs基PHEMT和PIN二极管的目的。
另外，本发明提供的这种单片集成GaAs基PHEMT和PIN二极管材料结构，还有利于减小器件尺寸，缩短传输线长度，减少RC延迟时间。
另外，本发明提供的这种单片集成GaAs基PHEMT和PIN二极管材料结构，可以实现更为复杂的电路，例如单片集成PHEMT放大器和PIN光电二极管。
附图说明
下面结合附图和实施例对本发明进一步说明：
图1是常规GaAs基PHEMT材料结构的示意图；
图2是常规PIN二极管材料结构的示意图；
图3是本发明提供的单片集成GaAs基PHEMT和PIN二极管材料结构的示意图；
图4是图3中各外延层的结构参数示意图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明白，以下结合具体实施例，并参照附图，对本发明进一步详细说明。
本发明提供的这种单片集成GaAs基PHEMT和PIN二极管材料结构，是在常规GaAs基PHEMT外延结构的基础上，生长了N型掺杂AlAs、N型掺杂GaAs、不掺杂GaAs、P型掺杂GaAs用来实现PIN二极管。AlAs将PHEMT和PIN隔开，并在湿法腐蚀过程中，起到腐蚀截止作用。PHEMT和PIN两部份晶格匹配，不增加外延生长的难度，经过相应的工艺，可以达到单片集成GaAs基PHEMT和PIN二极管的目的。
如图1所示，图1是常规GaAs基PHEMT材料结构的示意图。该结构由在GaAs衬底上依次生长的缓冲层GaAs、十个周期的Al0.22Ga0.78As/GaAs超晶格层、沟道下势垒层Al0.22Ga0.78As、沟道层In0.2Ga0.8As、空间隔离层Al0.22Ga0.78As、平面掺杂层Si、势垒层Al0.22Ga0.78As和N型高掺杂盖帽层GaAs构成。
如图2所示，图2是常规PIN二极管材料结构的示意图。该PIN二极管材料结构由在GaAs衬底上依次生长的缓冲层GaAs、N型掺杂层GaAs、不掺杂层GaAs和P型掺杂层GaAs构成。
如图3所示，图3是本发明提供的单片集成GaAs基PHEMT和PIN二极管材料结构的示意图，该结构由GaAs基MHEMT和PIN二极管两部分组成，所述GaAs基MHEMT和所述PIN二极管被N型高掺杂腐蚀截止层AlAs隔开。
所述GaAs基PHEMT由在GaAs衬底上依次分子束外延生长的缓冲层GaAs、十个周期的Al0.22Ga0.78As/GaAs超晶格层、沟道下势垒层Al0.22Ga0.78As、沟道层In0.2Ga0.8As、空间隔离层Al0.22Ga0.78As、平面掺杂层、势垒层Al0.22Ga0.78As、N型高掺杂盖帽层GaAs构成。
所述N型高掺杂腐蚀截止层AlAs在所述N型高掺杂盖帽层GaAs上分子束外延生长而成。
所述PIN二极管由在N型高掺杂腐蚀截止层AlAs上依次分子束外延生长的N型高掺杂层GaAs、不掺杂层GaAs、P型掺杂层GaAs构成。
所述缓冲层GaAs用于为后续外延层的生长提供平整的界面；该缓冲层GaAs的厚度为200纳米。
所述十个周期的Al0.22Ga0.78As/GaAs超晶格层用于减小缓冲层漏电流，其中，Al0.22Ga0.78As的厚度为10纳米，GaAs的厚度为1.5纳米。
所述沟道下势垒层Al0.22Ga0.78As用于为沟道生长提供一个平整的界面，同时也利用Al0.22Ga0.78As/In0.2Ga0.8As异质结把2DEG束缚在沟道内；所述沟道下势垒层Al0.22Ga0.78As的厚度为50纳米。
所述空间隔离层Al0.22Ga0.78As用于将施主杂质电离中心和2DEG空间隔离，减小电离散射作用，保证沟道内2DEG的高电子迁移率；所述空间隔离层Al0.22Ga0.78As的厚度为4纳米。
所述平面掺杂层中掺杂的是Si，掺杂剂量为3.0×1012cm-2。
所述N型高掺杂盖帽层GaAs中掺杂的是Si，掺杂Si浓度为5×1018cm-3，N+-GaAs与栅金属接触为器件制备提供良好的欧姆接触；该N型高掺杂盖帽层GaAs的厚度为50纳米。
所述N型高掺杂腐蚀截止层AlAs用于将PHEMT和PIN二极管的外延结构隔开，在湿法腐蚀过程中起到腐蚀截止作用；该N型高掺杂腐蚀截止层AlAs的厚度为2纳米。
所述沟道层In0.2Ga0.8As的厚度为12纳米，所述势垒层Al0.22Ga0.78As的厚度为15纳米，所述N型高掺杂层GaAs的厚度为30纳米，所述不掺杂层GaAs的厚度为100纳米，所述P型掺杂层GaAs的厚度为30纳米。
图4示出了图3中各外延层的结构参数。
下面进一步说明本发明提供的这种单片集成GaAs基PHEMT和PIN二极管材料结构的生长过程。
步骤1、在GaAs衬底上生长200nm的缓冲层GaAs；
步骤2、在缓冲层GaAs上生长十个周期的10nmAl0.22Ga0.78As/1.5nm GaAs超晶格；
步骤3、在十个周期的Al0.22Ga0.78As/GaAs超晶格层上生长50nm的沟道下势垒层Al0.22Ga0.78As；
步骤4、在沟道下势垒层Al0.22Ga0.78As上生长12nm的沟道层In0.2Ga0.8As；
步骤5、在沟道层In0.2Ga0.8As上生长4nm的空间隔离层Al0.22Ga0.78As；
步骤6、在空间隔离层Al0.22Ga0.78As上生长平面掺杂层，掺杂Si的剂量为3.0×1012cm-2；
步骤7、在平面掺杂层上生长15nm的势垒层Al0.22Ga0.78As；
步骤8、在势垒层Al0.22Ga0.78As上生长50nm N型高掺杂盖帽层GaAs；
步骤9、在N型高掺杂盖帽层GaAs上生长2nm N型高掺杂腐蚀截止层AlAs；
步骤10、在N型高掺杂腐蚀截止层AlAs上生长30nm N型高掺杂层GaAs；
步骤11、在N型高掺杂层GaAs上生长100nm的不掺杂层GaAs；
步骤12、在不掺杂层GaAs上生长30nm P型掺杂层GaAs。
本发明的单片集成GaAs基PHEMT和PIN二极管的材料结构，考虑到外延生长和器件性能两方面的实际要求，各层厚度、掺杂剂量可在一定范围内，根据具体材料和器件指标进行调整。在满足外延生长可实现的前提下，实现单片集成GaAs基PHEMT和PIN二极管。
以上所述的具体实施例，对本发明的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明，所应理解的是，以上所述仅为本发明的具体实施例而已，并不用于限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (9)
1、一种单片集成砷化镓GaAs基赝配高电子迁移率晶体管PHEMT和PIN二极管材料结构，其特征在于，该结构由GaAs基PHEMT和PIN二极管两部分组成，所述GaAs基PHEMT和所述PIN二极管被N型高掺杂腐蚀截止层AlAs隔开；
所述GaAs基PHEMT由在GaAs衬底上依次分子束外延生长的缓冲层GaAs、十个周期的Al0.22Ga0.78As/GaAs超晶格层、沟道下势垒层Al0.22Ga0.78As、沟道层In0.2Ga0.8As、空间隔离层Al0.22Ga0.78As、平面掺杂层、势垒层Al0.22Ga0.78As、N型高掺杂盖帽层GaAs构成；
所述N型高掺杂腐蚀截止层AlAs在所述N型高掺杂盖帽层GaAs上分子束外延生长而成；
所述PIN二极管由在N型高掺杂腐蚀截止层AlAs上依次分子束外延生长的N型高掺杂层GaAs、不掺杂层GaAs、P型掺杂层GaAs构成。
2、根据权利要求1所述的单片集成GaAs基PHEMT和PIN二极管材料结构，其特征在于，所述缓冲层GaAs用于为后续外延层的生长提供平整的界面；该缓冲层GaAs的厚度为200纳米。
3、根据权利要求1所述的单片集成GaAs基PHEMT和PIN二极管材料结构，其特征在于，所述十个周期的Al0.22Ga0.78As/GaAs超晶格层用于减小缓冲层漏电流，其中，Al0.22Ga0.78As的厚度为10纳米，GaAs的厚度为1.5纳米。
4、根据权利要求1所述的单片集成GaAs基PHEMT和PIN二极管材料结构，其特征在于，所述沟道下势垒层Al0.22Ga0.78As用于为沟道生长提供一个平整的界面，同时也利用Al0.22Ga0.78As/In0.2Ga0.8As异质结把2DEG束缚在沟道内；所述沟道下势垒层Al0.22Ga0.78As的厚度为50纳米。
5、根据权利要求1所述的单片集成GaAs基PHEMT和PIN二极管材料结构，其特征在于，所述空间隔离层Al0.22Ga0.78As用于将施主杂质电离中心和2DEG空间隔离，减小电离散射作用，保证沟道内2DEG的高电子迁移率；所述空间隔离层Al0.22Ga0.78As的厚度为4纳米。
6、根据权利要求1所述的单片集成GaAs基PHEMT和PIN二极管材料结构，其特征在于，所述平面掺杂层中掺杂的是Si，掺杂剂量为3.0×1012cm-2。
7、根据权利要求1所述的单片集成GaAs基PHEMT和PIN二极管材料结构，其特征在于，所述N型高掺杂盖帽层GaAs中掺杂的是Si，掺杂Si浓度为5×1018cm-3，N+-GaAs与栅金属接触为器件制备提供良好的欧姆接触；该N型高掺杂盖帽层GaAs的厚度为50纳米。
8、根据权利要求1所述的单片集成GaAs基PHEMT和PIN二极管材料结构，其特征在于，所述N型高掺杂腐蚀截止层AlAs用于将PHEMT和PIN二极管的外延结构隔开，在湿法腐蚀过程中起到腐蚀截止作用；该N型高掺杂腐蚀截止层AlAs的厚度为2纳米。
9、根据权利要求1所述的单片集成GaAs基PHEMT和PIN二极管材料结构，其特征在于，所述沟道层In0.2Ga0.8As的厚度为12纳米，所述势垒层Al0.22Ga0.78As的厚度为15纳米，所述N型高掺杂层GaAs的厚度为30纳米，所述不掺杂层GaAs的厚度为100纳米，所述P型掺杂层GaAs的厚度为30纳米。
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