CN101443670A - 通过操作设置点的片上数字分布对微波电路性能的优化 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种方法和电路，使得RF电路的性能通过使用数字校准数据来建立，该数据校准数据存储在可编程存储器中，并且用于建立RF电路元件的控制信号输入。

Description

通过操作设置点的片上数字分布对微波电路性能的优化

技术领域

本发明涉及微波电路，更具体地说，涉及一种为期望的性能建立运行条件并接着以数字格式存储和使用建立所述条件的校准数据(calibration data)。

背景技术

近年来，无线和微波技术的使用在消费应用和商业应用中得到巨大的发展。这促进了便携式和手持设备的发展，在此这些设备可由各种个体使用，从站场上的士兵到与她们的孩子进行联系的母亲。无线和微波技术已经得到广泛使用，并且其使用还在不断增加，其包括但不限于，无线电接收设备、电话通信、因特网电邮、因特网网页浏览器、全球定位、无线计算机外围设备、无线网络、安全标记和库存导航(in-store navigation).

在使用微波信号的微波电路中，具有高度敏感的用于提供发送和接收功能的微波电子元件链。这些微波电路一般步进需要直接对微波信号进行处理，如放大、衰减、混频或检测，还需要一些辅助功能，如功率监测、信号识别和控制。另外这些功能可由后混频(post mixing)来实现，这样与原接收到的信号相比，信号的频率较低，一般被称为中频(IF)。例如，后者可包括：用于无线电、电话通信的调制信号的提取，无线或卫星网络中来自其载波的数据或视频信号，使用RFID进行的库存管理(inventory management)，和军事应用中(例如导弹威胁检测(missile threat detection))来自微波载波的模拟信号识别和分析。

在用于这些应用的设备制造中，需要不断地对微波电路降低成本，提高性能、容量(volume)并增强适应性。这些需求带来大量的微波电路，包括由离散元件或使用单片微波集成电路构建的微波电路。另外，半导体制造方法的杠杆作用将导致具有自己的制造方法-制造设备(Fab)的微波电路的供应商的和采用商业制造方法(委托加工(foundry))的微波电路的供应商的产生，后者被称为无生产线操作(Fabless operation)。因此，无生产线操作一般是设计成具有指定公差和限制的预定制造工艺流程，一般被称作设计规则。例如，IBM使用三组设计规则CMOS 

CMOS 

和CMOS 为RF CMOS产品提供委托加工准入权(foundry access)。这些基于三种不同的平版印刷(lithography)工艺，即250nm、180nm和130nm，以及设计、金属布线和布图规则。

在很多例子中，无生产线公司授权自身具有制造设备的公司委托加工，并在较小的市场上提供产品。一般，国外的无生产线公司允许委托加工方使用较旧的设计规则，然而委托加工的国内集团获取新的改进的规则、工艺，同时也被允许改变布图设计规则以改进性能、降低费用并提高竞争优势。

本领域技术人员知悉，对于国内设计者或是基于无生产线设计者而言，在半导体设备的制造工艺中，每一次运转之间的偏差(variation)将导致电路的许多基础参数的偏差和技术要素(如晶体管、电阻、电容和电感)的品质偏差。这些技术要素可看作半导体技术的基础器件。在无生产线设计的旧设计规则中，对于特定的工艺，对电阻设置±25％的公差并不罕见。这样，设置在电路中的电阻，如其期望值是100Ohms，在最后制成的一批或多批电路中，其阻值可低至75Ohms或高达125Ohms。电阻公差的结果是依照同一组设计规则的成品围绕着额定设计值分布。作为基础微波设备元件，如晶体管，当其偏离其标称设计点时，其关键性能特性(如增益、输出功率、线性、噪声指数和带宽)可能会变差。

根据这些设计规则工作的设计者需要设计出一种在整个公差范围内都依照规格工作的产品(这样虽然提高了产量但是却降低了规格)或是设计出一种规格较高但是产量较低的产品。这是电路设计领域中众所周知的权衡(trade-off)。对于微波电路，制造公差需要对微波电路进行功能测试以确定部件是否满足组件规格。实际上，为产品提供两个或多个规格的惯例是商业上的一种尝试，为较低规格的部件增加额外的收益。

对于单片微波集成电路(MMIC)，本领域技术人员已知，用于晶体管、多数MMIC的核心构造模块(core building block)(如放大器和衰减器)的近似最佳偏置电压，随着确切的半导体材料、在制造中采用的半导体工艺和制成器件的几何形状和参数而改变。在半导体制造中，这些参数仅是在包含上千微波电路片(circuit die)的单个晶片(wafer)上也会产生偏差。因此，即使单个晶片也可导致性能围绕中值分布。对于与委托加工工艺相比具有较小公差的设计工作，如果该中值离标称设计点较远，其结果是整个晶片的产量，或是几十或是几千部件的整批晶片都可能为0或是特别低，进而导致商业供应问题和用户不满。

因此，如果使得委托加工的有效设计范围的费用较低而性能较高，将较为有利。已知，例如单个晶片中的各个晶体管具有离散的最佳运行点(discreteoptimal operating point)，而这个最佳运行点随着晶片中的晶体管位置发生变化，这些变化是逐步产生的，并且对于单片微波集成电路，每个芯片(die)的偏差一般是明显较低的。

从现有技术中已知，利用微波电路性能对偏置点的依赖性，并分别调谐每个微波电路的偏置电压从而使得每个电路使用单个特定的电源运行，这样可降低设备用户调谐有缺陷的制成品的费用。这一方法一般通过在微波电路中的电阻分压器网络中使用激光微调(laser trimming)来完成。电阻分压器的最佳设计的来源是依照微波电路的微波特性描述制造。这一步骤不仅需要时间和劳动力，还需要在复杂的微波测试器件中支出大量费用。

从需要较少时间、劳动力并无需复杂的和昂贵的微波测试器件的信息中获取最佳设置将较为有利。此外，如果制造者可使用该信息来调节微波电路中的多个控制设置，从而符合期望的严格规格并不会降低产量，将较为有利。如果对必要控制设置的调节由电路自动完成，将较为有利。

发明内容

根据本发明的一个方面，提供了一种方法，包括：(a)提供一集成电路，用于执行第一电路功能并响应控制信号，所述集成电路具有第一操作特性；(b)提供至少一个基础器件；(c)向所述至少一个基础器件提供已知的电流或电压；(d)当将已知的电流或电压提供给所述至少一个基础器件时，测量所述至少一个基础器件中一个或多个基础器件参数；(e)确定数据，以在被存储在存储器(memory store)中并由控制信号生成电路使用时，生成用作近似控制信号的第一控制信号；(f)在存储器中存储所述数据。

根据本发明的另一个方面，提供了一种装置，包括集成电路，所述集成电路包括：用于存储校准数据的可编程存储器；控制电路，用于提供至少第一模拟控制信号以响应所述校准数据，针对存储在所述可编程存储器中的不同校准数据，所述至少第一模拟控制信号是不同的；以及第一电路，用于执行第一电路功能，所述第一电路功能具有响应所述第一模拟控制信号的性能，所述第一电路功能的性能在响应不同的至少第一模拟控制信号时是不同的，所述确定的校准数据响应以向至少一个基础器件提供已知的电压或电流并测量所述至少一个基础器件的性能，并提供来自控制信号的第一模拟控制信号和第一电路的预定性能。

根据本发明的再一方面，提供了一种存储介质，其上存储着在执行时导致集成电路的电路设计包括如下部分的数据：用于执行第一电路功能并响应控制信号的集成电路，所述集成电路具有第一操作特性；存储器；用于向至少一个基础器件提供已知电流或电压的电路；当将已知电流或电压提供给所述至少一个基础器件时，测量其一个或多个基础器件参数的电路；用于确定数据以在被存储在存储器中并由控制信号生成电路使用时生成用作近似控制信号的第一控制信号的电路；以及用于在存储器中存储所述数据的电路。

附图说明

下面将结合附图及实施例对本发明作进一步说明，附图中：

图1是用于微波电路100R性能测量和调节以计算制造偏差的现有技术测试配置的原理框图；

图2是在图1中略述的测试配置的测试算法的典型流程图；

图3是本发明的第一实施例的示意图，其中基础器件参数的DC主电压基准和DC参数特性描述被用于从软件电路模型中推导出微波电路的最佳器件控制设置，并将这些设置数字地存储在微波电路中；

图4是用于基于图3中示出的实施例的微波电路的测试和分析的典型流程图；

图5是根据现有技术和本发明的实施例的用于器件参数的典型分布曲线图；

图6是本发明的第二实施例的示意图，其中来自有源微波电路的功能元件的基础器件参数的DC主电压基准和DC参数特性被用于从软件电路模型中推导出微波电路的最佳器件控制设置，并将这些设置数字地存储在微波电路中；

图7是本发明的第三实施例的示意图，其中，在从软件电路模型获取微波电路的最佳器件控制设置并将这些设置存储以后，对所述电路进行RF检测以验证顺应性(compliance)；

图8是在从软件电路模型获取微波电路的最佳器件控制设置并将这些设置存储以后对所述电路进行RF检测以验证顺应性(compliance)的实施例的典型流程图；

图9A是在半导体制造设备中典型的布图单元的示意图，所述单元包括多个微波电路和基础器件测试图形(test pattern)；

图9B示出了半导体晶片的典型布图，其中跨越整个晶片上重复图9A的典型中间掩膜模块(reticle block)；

图9C示出了半导体晶片的典型布图，其中跨越整个晶片上重复图9A的典型中间掩膜模块(reticle block)；且所述晶片在受限的区域内具有委托加工基础测试图形；

图10A是本发明的采用图9B示出的实施例的实施例的应用的典型流程图；

图10B是本发明的另一实施例的典型流程图，其中在芯片分离以后并在基础器件测量和校准数据的存储之前封装芯片并密封；

图11是本发明的一个实施例的示意图，其中，所述可编程存储器将数字控制设置分发到多个偏压控制电路，每个偏压控制电路访问集成电路中的不同元件，其中采用的所述数字控制设置是通过外部控制器寻址所述存储器来从可编程存储器中进行选择的；

图12是微波电路的启动(initiation)的流程图，其中有源微波电路的控制设置数字地存储在构成微波电路的一部分的可编程存储器中，并且当启动进入微波系统后该控制设备被传送给微波电路的多个部份；

图13是本发明的典型实施例的示意图，其中集成电路的测试和校准都是通过使用集成电路中的切换元件配置所述集成电路的回环测试配置(loop-backtest configuration)来完成的；

图14是本发明的典型实施例的示意图，其中集成电路的校准基于结合有该集成电路的设备插入对接站(docking station)而周期性地重复进行；

图15是作为手持设备的一部分的微波电路的典型流程图，其中当包含该微波电路的设备回接到对接站时，该微波电路的数字存储的控制设置可周期性地更新。

具体实施方式

参照图1，示出了用于微波电路100R性能测量和调节以计算制造偏差的现有技术测试配置的原理框图。微波电路100包括RF输入端口101，在该示例中，其电耦合到衰减器103和放大器104。放大器104的输出端口电耦合到RF输出端口102。

衰减器103电耦合到衰减器偏压控制电路105，放大器104电耦合到放大器偏压控制电路106。衰减器偏压控制电路105和放大器偏压控制电路106通过电阻分压器110与电源端口114电耦合。

RF测试信号生成器107外接在RF输入端口101上与微波电路100电耦合，RF测试信号分析器108外接在RF输出端口102上与微波电路100电耦合，测试控制器109外接在电源端口114与微波电路100电耦合。测试控制器109为微波电路100建立测试协议，其中该测试协议可由期望的测试激活，从而可通过来自RF测试信号生成器107的一定范围内的输入RF频率、一定范围内的输入功率或它们的结合对其进行寻址。所述激活(excitation)是由测试控制器109设置的。在每一次激活中，RF测试信号分析器108对微波电路100的输出进行特征化(characterization)，包括谐波分析、功率测量、噪声基底(noisefloor)、失真等。产生的结果发送给测试控制器109。

如图所示，测试控制器109将初始DC电压施加给微波电路100的电源端口114。这一端口经由电阻分压器110电耦合到衰减器偏压控制电路105和放大器偏压控制电路106。在每一组微波测量之后，该测试控制器可在微波电路100的电源端口114重置DC电压。基于电阻分压器的上半部分110b和电阻分压器的下半部分110a的标称值，施加的DC电压(V_SUPPLY)分别被电阻分压到衰减器偏压控制电路105和放大器偏置压控制电路106(V_BIAS)。最初耦合电压为V_BIAS＝V_SUPPLY ^*R₁/(R₁+R₂)。

基于对来自测试控制器109的DC电压的连续调节和使用RF测试信号生成器107和RF测试信号分析器108进行的微波特性化，是可以获得最佳VBIAS的。基于当被集成到预期的应用时已知的用于特定微波电路100的电压值V_SUPPLY，可确定R₁的合适值。接着在第二激光微调站激光微调电阻元件110b以使其达到预期值R₁。

参照图2，示出了图1中略述的测试配置使用的测试算法的典型流程图。在该典型流程图中，示出了微波电路的测试回路包括三个嵌套回路(nestedloop)。第一回路用于全部的测试条件，因为微波电路经常将在两个或多个频率体制(frequency regimes)下运行，例如全球漫游的蜂窝电话需要在四个频带中的一个中运行(GSM850MHz/950MHz和GPRS1800MHz/1900MHz)

第二回路是VSUPPLY的连续调节以获取用于每个频带的最优偏置电压。第三回路是控制设置的调节，其包括，例如针对图1中的微波电路的特定例子的衰减器设置的变化。其它的回路可能也是需要的，例如改变施加到电路的微波信号的调制深度或调节RF功率。一旦执行了多个控制回路后，将电路从微波测试器移出，并且分析多个回路的性能概要以定义合适的V_BIAS值，为此微波电路执行以测试技术规格要求。然后，将电路放置到激光微调工作站，其熔化电阻器110b上的材料，这样当采用如特定的电压V_SUPPLY(例如，303V)为微波电路100的预期应用供电时，可施加正确的V_BIAS。

在所述典型流程图中，接着将该电路从激光微调工作站移出，并放置到第二测试器中。在这一实施例中，该第二测试器执行单个测试以提供微波电路100的后微调性能测量(post trimming performance)。基于该测试结果，可废弃该电路或是装载该电路。

图3是本发明的第一实施例的示意图，其中来自基础测试模块309的基础测试器件的基础器件参数的DC主电压基准304和DC参数特性描述用于根据软件电路模型获得微波电路301的最佳器件控制设置，并将这些设置数字地存储在微波电路301中。

示出的微波电路301具有从RF输入端口301a到RF输出端口301b的RF信号路径。电气设置在RF输入端口301a和RF输出端口301b之间的是四个微波电路元件305-308。微波电路元件305和306电耦合到第一控制模块310，同时微波电路元件307和308电耦合到第二控制模块311。所述第一和第二控制模块310和311之中的每一个进一步电耦合到可编程存储器316。所述微波电路元件305到308与供电端口301d耦合。

微波电路301中还设有基础测试模块309，其也电耦合到供电端口301d。如图所示，基础测试模块309并不与微波电路元件305到308相连，因此并不构成RF输入端口301a和RF输出端口301b间的RF信号路径的一部分。

示出的供电端口301d电耦合到主电压基准304。基础测试模块309的基础测试端口301c电耦合到参数测试分析器302。该参数测试分析器302、主电压基准304和可编程存储器316的接口301e都电耦合到测试控制器303。

在测试协议开始时，测试控制器将主电压基准304设置为预定值。接着对基础测试模块309中的基础测试器件通电，使参数测试分析器302测量到它们的DC参数特性。得到的结果被发送到测试控制器303。在本发明的一个实施例中，该DC参数特性被用于查找表中以确定第一和第二控制模块310和311的合适的控制设置。接着，通过接口301e将定义该合适的控制设置所必需的校准数据发送并编程到可编程存储器316内。

在测试协议中应用的由主电压基准304施加的电压无需位于微波电路301的目标运行电压范围内，但是该电压可定义为一特定值，以使得基础器件特性是最敏感的。

更进一步地，基础测试模块309中的实有元件可根据微波电路309变化，并且可包括但不限于一种或多种设计的电阻器件、电感器、电容器和晶体管，以及电流源和振荡器。集成电路芯片上的电焊点(electrical pad)可与集成电路芯片上的实有器件电焊点复用。

另外，虽然公开的实施例依赖于查找表来定义合适的控制设置和校准数据，然而该查找表可简单地直接提供校准数据。可选地，合适的控制设置和/或校准数据可从微波电路或基础器件的软件模块的执行中获得，其可以包括专有的软件模型和商业上可用的建模工具。

基础器件测量一般可在裸片(bare die)进行，但是如果焊点与其它有效焊点复用，那么校准在封装好的部件上进行，代替在裸片上进行测试，或作为在裸片上测试的补充。

图4是用于基于图3公开的实施例的微波电路的测试和分析的流程图。该实施例使用DC主电压基准、DC参数特性描述和软件电路模型以获取用于微波电路的合适的控制设置并将该合适的控制设置存储在电路中。如典型流程图中所示，与图2中示出的现有技术相比，该实施例提供的步骤数量显著减少，如第一实施例中所描述的，只有单次DC测量，而不是测试和器件设置的多组嵌套回路。与设计组随时间建立的模型和相关性一样，这潜在地被简化为单个基础测试器件的单个参数。

图5是根据现有技术和本发明的实施例的器件参数的典型分布曲线图。图示是典型微波电流的控制信号的概率分布，在这种情况下，晶体管的最佳偏置电压是电压的线性函数。首先示出的是设计者依据的委托加工工艺的制造分布极限(manufacturing distribution limit)。图中示出了标称中心电压V_F-NOM，以及工艺的上限和下限规定为V_F-LOW和V_F-UP。基于该设计规则的晶体管的偏置电压的最后分布如曲线(plot)501所示。

使用该实施例，在测量了基础器件参数并建立校准数据之后，获得的偏置电压分布曲线如曲线502所示。此处，可维持同样的标称中心V_CAL-NOM，然而制成的器件的上限和下限变得非常的窄，如界限V_CAL-LO和V_CAL-UP所示。如果设定微波电路的性能以实际上地改进设计偏压，而不是委托加工标称值V_OFF-NOM，那么可设定校准数据以将性能集中在这一点上。例如，这是技术规格后制造改变的结果，或是调节某些控制信号以获得预期的技术规格的结果。最终的分布曲线503与执行了校准工艺的最终的电压界限V_F-LOW和V_F-UP一起示出。

图6是本发明的第二实施例的示意图，其中来自有效微波电路601的功能元件的基础器件参数的DC主电压基准603和DC参数特性描述用于依据软件电路模型获得微波电路601的最佳器件控制设置，并将这些设置数字地存储在微波电路601中。

示出的微波电路601具有从RF输入端口601a到RF输出端口601b的RF信号路径。电气设置在RF输入端口601a和RF输出端口601b之间的是四个微波电路元件605-608。微波电路元件605和606电耦合到第一控制模块609，同时微波电路元件607和608电耦合到第二控制模块610。所述第一和第二控制模块610和609之中的每一个进一步电耦合到可编程存储器611。所述微波电路元件605到608还与供电端口601d耦合。

微波电路601中还设有基础测试接口601c，其电耦合到由微波电路元件605到608定义的微波电路路径中的多个点。在该实施例中，基础测试接口在接入点605b和605c处耦合到第一微波电路元件605中的三个元件。该微波测试接口进一步在接入点606b处耦合到第二微波电路元件606中的一个元件。

示出的供电端口601d电耦合到主电压基准603。基础测试接口601c电耦合到参数测试分析器602。参数测试分析器602、主电压基准603和可编程存储器611的接口601e都电耦合到测试控制器604。

在测试协议开始时，测试控制器将主电压基准603设置为预定值。接着对该基础测试器件供电，使得参数测试分析器302测量到它们的DC参数特性。获得的结果被发送到测试控制器604。在本发明的一个实施例中，该DC参数特性被用于查找表中以定义出第一和第二控制模块609和610的合适的控制设置。接着，通过接口601e将定义该合适的控制设置所必需的校准数据发送并编程到可编程存储器611内。

在测试协议中应用的由主电压基准603施加的电压无需位于微波电路601的目标运行电压范围内，但是该电压可选择为一特定值以使得基础器件特性是最敏感的，该特定值下的测试结果提供了接近最大量的信息。

图7是本发明的第三实施例的示意图，其中，在从软件电路模型获得微波电路的最佳器件控制设置并将这些设置存储以后，对所述电路进行RF检测以验证顺应性。

示出的微波电路701具有从RF输入端口701a到RF输出端口701b的RF信号路径。电气设置在RF输入端口701a和RF输出端口701b之间的是四个微波电路元件705-708。微波电路元件705和707电耦合到第一控制模块709，同时微波电路元件707和708电耦合到第二控制模块710。所述第一和第二控制模块710和709之中的每一个进一步电耦合到可编程存储器711。所述微波电路元件705到708还与供电端口701d耦合。

微波电路701中还设有础测试接口701c，其电耦合到由微波电路元件705到708定义的微波电路路径中的多个点。在示例性实施例中，基础测试接口在接入点705b和705c处耦合到第一微波电路元件中的三个元件。该微波测试接口进一步在接入点706b处耦合到所述第二微波电路元件706中的一个元件。

示出的供电端口701d电耦合到主电压基准703。基础测试接口701c电耦合到参数测试分析器702。该参数测试分析器702、主电压基准703和可编程存储器711的接口701e都电耦合到测试控制器704。如图所示，RF测试信号生成器712和RF测试信号检测器713也电耦合到测试控制器704。

在测试协议开始时，测试控制器将主电压基准703设置为预定值。接着对该基础测试器件供电，使得参数测试分析器302测量到它们的DC参数特性。测量的结果被发送到测试控制器704。在本发明的一个实施例中，该DC参数特性被用于查找表以定义出第一和第二控制模块709和710的合适的控制设置。接着，通过接口701e将定义该合适的控制设置所必需的校准数据发送并编程到可编程存储器711内。

在这一点上，测试控制器704设置主电压控制器703，以将供压端口701d上的电压设定为微波电路701的使用所定义的电源电压。测试控制器还通过为RF测试信号生成器设置合适的信号条件来在RF输入端口701a上立一组RF输入条件。该微波电路701响应施加使能/禁能端口701f上的电路使用触发器，从控制模块709和710建立合适的的控制设置。

接着，测试控制器704采用耦合到RF输出端口701b的RF测试信号检测器713提取微波电路的输出信号的测量值。产生的端口701b上测得的输出信号与输入信号701a的比较结果被用于建立校准工艺的验证，积累校正后器件性能的分布统计，或作为软件模型分析的第二次迭代的输入值以提供校准数据的改进。例如，第一模型校准为数字字的第四最低有效位(LSB)建立数字控制字，并且RF步骤为最后的LSB提供校准。这样的决策对于器件制造商来说是成本-性能的结合。这样的测试可作为质量控制验证基于批采样(lotsampling)、晶片采样或其它采样来执行。

图8是在从软件电路模型获取微波电路的最佳器件控制设置并将这些设置存储以后，对所述电路进行RF检测以验证顺应性(compliance)的实施例的典型流程图。如第二步骤示出的，RF测试和校准数据调节为单次执行步骤。重复执行该回路直到达到某个性能级别。该回路可以是嵌合回路，其中用于某些控制模块的校准数据是可反复调节的。

图9A是在半导体制造设备中典型的布图单元的示意图，所述单元包括多个微波电路和基础器件测试图样(test pattern)。今天的半导体制造技术和器件几何结构要求采用投影平版印刷技术和简化投影平版印刷技术(reductionprojection lithography)，因为线宽和分辨率已经低于了接触平版印刷和电子束掩膜板(electron-beam mask plate)所能达到的。考虑到先前描述的IBM CMOS8RF提供130nm线宽性能，其可与电子束平版印刷工具提供的100nm的线宽相匹敌。因此生成“中间掩膜(reticle)”而不是掩膜板(用于1：1接触平版印刷)已经变得很普通了，该中间掩膜一般是5倍的乘法。这样先前的130nm线现在以650nm写在中间掩膜上，并通过光学投影平版印刷(UV光线)以130nm写到晶片上。

图像缩影工艺的光学像差一般限制了过去是15-20mm乘15-20mm区域的中间掩膜场。这样一个中间掩膜场在图中示出为中间掩膜模块900。其中，设计者可将器件单元放置到这些封装中，并再将这些封装件作为多个单元尽可能地放置到中间掩膜模块900中。最后的器件成本与每个晶片制成的芯片成反比，因为每个晶片的成本是固定的。因此，中间掩膜模块900一般包括M行N列的矩阵，其中M和N是正整数。另外，设计者可将附加测试结构910引入中间掩膜模块900。图9A中示出的每个器件单元905包括基础测试模块915，这样，该方法可在每个芯片级别在器件上执行，如在最后的封装部件上执行如上所述的测试。

该附加测试结构910也可包括基础测试结构，如基础测试元件920所示。

参照图9B，示出了半导体晶片的典型布图，其中在整个晶片950上重复图9A的典型中间掩膜模块(reticle block)900。因而该中间掩膜模块被复制成R列和S行的矩阵。在每个完全复制的中间掩膜模块900内，是N×M矩阵的器件单元905和附加测试结构910。每个器件单元905中是基础测试模块915(为了简明起见，未示出)。

基础器件参数测量和校准数据存储在晶片级上执行，可由设计者执行或是由与设计者关系足够密切的委托加工制造者进行。采用图3中第一实施例介绍的方法，为平版印刷复制的R×S中间掩膜模块900的晶片图中的各个测试单元905中的每一个测量基础器件参数，每个中间掩膜块是平版印刷的N×M器件单元905的最大值。

使用该方法，每个完整平版印刷的器件单元905均经过了校准，且结果被存储起来。然而，对于本领域技术人员来说，明显地，N×M的值对于某些设计来说是非常大的，例如芯片级的10GB/s跨阻放大器(TIA)具有～0.6×1.2mm的占用尺寸(footprint)，而每个15×15mm的中间掩膜模块具有超过300芯片，每100mm晶片的芯片数超过8000。在这些情况下，用于紧密间隔的10Gb/s TIA的本地校准数据是非常相似的，或者若委托加工工艺被很好地控制，则几乎一样。因此，基于每个芯片的测试并不总是经济上获益的，并且考虑基于每个模块的测试也是合适的。这样，附加测试结构910可用于提供本地化控制设置数据，由此提供校准数据。如果采用图9中示出的结构，那么4个测试结构910的测试为中间掩膜模块900提供合适的控制设置的二维映射。

在不偏离本发明的精神的前提下，可支持用于替代这些测试结构、中间掩膜模块和基础测试元件的许多替换实施例。

在依照委托加工运行的半导体制造设备中，对于技术规格内的每个晶片，都要向经加工晶片的供应商付费，而不是基于顾客设计的性能。其结果是，委托加工企业一般识别晶片950中设计者不可用的部份。图9C中示出了这样的布图，其中该委托加工企业指定三个委托加工区域970，只有区域970对设计者来说是没有限制的。设计者现在可将他们的中间掩膜模块900映射到最终的图中，其中每个中间掩膜模块都包括N×M器件单元905。

在每个委托加工区域970中设置了一系列委托加工测试图样975。这些是采用与实际器件相同的工艺顺序制造的，但是对于这些委托加工企业，具有自身设计，并且完全与访问这些委托加工企业的设计者的设计分开。这样，委托加工企业具有部件来定义晶片是否通过在委托加工企业和设计者之间建立的容差标准。

测量委托加工测试图样705以检验晶片的顺应性的委托加工企业通常还测量基础器件以获得制造顺应性参数，如电阻、电容、电感、门电压、暗电流等。因此，若用于获取器件905的控制信号要求的软件分析、查找表等接受该基础器件数据，并反对从插入中间掩膜的基础测试模块获取的基础器件数据，该方法使用晶片制造过程中测得的数据也是适用的。

图10A是本发明的采用图9B示出的实施例的实施例的应用的典型流程图。在这一流程图中，包括三个步骤，元件、器件和分离。在第一元件步骤中，自动移动位于探针台的晶片，使得探针可访问中间掩膜测试模块，测量该模块的基础器件参数，接着继续移动，在回路中进行测试，直到阵列的中间掩膜模块的所有中间掩膜测试模块全部完成。在第二器件步骤中，使用产生的基础器件结果来针对中间掩膜模块中的N×M器件生成控制信号要求的映射。接着，该探针移动访问中间掩膜模块中的各个单元的晶片，并将合适的校准数据存储到可编程存储器中。

如该流程图中所示，当完成上述操作以后，探针移动到下一中间掩膜模块并重复该顺序。在完成所有的中间掩膜模块并将所有的校准数据存储后，晶片从探针处移出，并且在分离步骤中，晶片被转换成各个芯片，一般通过激光切割、划线和断裂(scribe-and-break)以及划线切割来完成该转换。

当位于器件阶段时，执行元件步骤所需的DC参数测试设备是空闲的。这样的话，依照费用、时间和其它资源限制，该流程图的其它实施例也是可以的，如在将晶片从该工作站移出并将其转移到另一工作站(执行所有器件编程的工作站)之前，可在晶片上执行所有的中间掩膜模块基本器件测量。

图10B是生产半导体部件的另一方法的典型流程图，其中在进行基础器件测量和校准数据的存储之前封装分离的芯片并密封。

这样，该流程图包括五个步骤，即故障(FAULT)、分离(SEPARATE)、封装(PACKAGING)、基础(ELEMENTAL)和校准(CALIBRATION)。在这一典型简化流程图中，故障步骤包括首先将芯片的半导体晶片装载到墨印系统(inking system)上。装载来自制造该晶片的委托加工企业的软件晶片图并将其添加到晶片的客户机故障映射(client fault mapping)。该客户机晶片图可从各种不同处理程序中生成，包括视觉检测、测试结构的DC探测、电路元件的探测和委托加工企业测试结构的线宽测量。使用结合的晶片图，稍后的步骤中将采用清楚可见的区别来标记晶片上“有缺陷的芯片”。

接着晶片将进入分离步骤，其中使用激光切割、划线和断裂(scribe-and-break)以及划线切割(dicing)技术来将各个芯片从晶片上分离。接着使人工的、自动的或是半自动技术，将“好的”芯片从系统分离并放置到芯片存货库进行存储，接着组装或是出售。在示出的实施例中，下一步骤是封装，其中从存货库中重获“好的”芯片，并封装，再使用合适的技术装配、粘合、包裹并密封所述封装的部件。

在封装好后，该部件进入基础处理步骤。在此将该部件装载到高速自动测试站，该高速自动测试站加载部件配置、设置主电压，接着使用参数分析器执行基础器件值的测量。在这一点上，可基于基础器件测试结果(如预定值或其它客户机指定标准以外的值)筛选器件。

最后的处理步骤是校准，在此针对该部件提取出的基础器件参数被用于客户机的软件模型中，以为该部件定义校准数据。接着，将校准数据编程到该部件的可编程存储器中。然后移出该部件并将其放置到部件存货库中。对于本领域技术人员来说，显而易见的是，其它的可选工艺、工艺和流程的结合通过该方法可引导同样的或类似的存储校准结果烧制到可编程存储器中或与该可编程存储器相关。

图11是本发明的一个实施例的示意图，其中，可编程存储器将数字控制设置分发到多个偏压控制电路，每个偏压控制电路访问集成电路中的不同元件，其中所采用的数字控制设置是通过外部控制器寻址所述可编程存储器来从可编程存储器中选择出的。

在图11中，微波电路1101是RF集成电路的形式，包括四个微波电路模块，表示为电路1107-1110。微波电路1101电耦合到前面的微波器件(未示出)，其提供RF输入信号给RF输入端口1102。微波电路元件1107-1110顺序电耦合以操作和处理RF输入信号，在RF端口1103提供RF输出信号以反馈到后续的微波电路(未示出)。

每个微波电路元件1107-1110耦合到控制信号生成器电路1111-1114。因此，电路元件1107电耦合到控制信号生成器电路1111。同样地，电路元件1108、1109和1110分别电耦合到信号生成电路1112、1113和1114。如图所示，电路元件1107和1108分别具有单个控制信号1127和1128，该控制信号1127和1128分别来自控制信号生成器电路1111和1112。

相反地，电路元件1109从控制信号生成器电路1113接收三个控制信号1129。最后电路元件1110从控制信号生成器电路1114接收两个控制信号。

从控制信号生成器电路1111-1114提供给微波电路1101的多个电路元件1107-1110的实际控制信号由从可编程存储器1105提供给这些电路的数字设置点控制数据来确定。每个控制信号生成器电路1111-1114通过数据线1123-1126电耦合到可编程存储器1105。

如图所示，外部器件控制器1104从外部电耦合到微波电路1101。该外部器件控制器1104通过接口1106与可编程存储器1105连接。在示出的实施例中，该可编程存储器1105包括多个数字设置点(setpoint)控制数据值，其表示微波电路1101的不同的总体操作特性。外部器件控制器1104通过外部数据总线1121向接口1106传送数字控制字，导致该数字字通过内部数据总线1122寻址到可编程存储器1105。

接收到新数字控制字后，可编程存储器1105提取合适的数字设置点控制数据，并将其放置在与控制电路生成器电路1111-1114相连的内部数据线1123-1126上。

该新数字设置点控制数据使得控制电路生成器电路1111-1114提供不同的偏压控制信号1127-1130给微波电路元件1107-1110。结果，微波电路1101的操作在制造过程的测试和特性描述阶段根据预定的性能响应而改变。

图12是微波电路的启动(initiation)的流程图，其中有效微波电路的控制设置数字地存储在成微波电路的一部分的可编程存储器中，并且在进入微波系统后将其传送给微波电路的多个部份。

在该典型流程图中，当向整个微波系统供电时，首先建立电压功率导轨(voltage power rail)以向每个内部电路元件供电。接着，从可编程存储器加载数字校准数据。这一可编程存储器可以是一次性可编程存储器件或是可重编程存储器，这取决于电路运行的微波系统和器件。

在提取出数字校准数据后，启动微波电路的第一电路部分A，且建立第一电路部分A的控制设置。在该典型流程图的下一步，将数字校准数据传送给第二电路部分B，用于定义输入衰减器的控制设置，该输入衰减器构成第二电路部分B的一部分。

接着，将数字校准数据传送给第三电路部分C，并用于定义微波混频器的控制设置，该微波混频器构成第三电路部分C的一部分。最后将该数字校准数据传送给第四电路部分D，并用于定义对输出放大器的增益的控制设置，该输出放大器构成第四电路部分D的一部分。

在这一点上，上电顺序完成，并且微波电路使用对设计要求来说接近最优的设置进行操作，而无需额外的生产阶段来在整个微波电路中建立该性能。

图13是本发明的典型实施例的示意图，其中集成电路的测试和校准都是通过使用集成电路中的切换元件配置所述集成电路的回环测试配置(loop-backtest configuration)来完成的。这样的实施例适用于微波电路的子集，当向这些微波电路的子集供电时，他们会生成微波信号，因此这一器件子集无需任何增加任何的测试电路来进行表征。

参照图13，示出了微波电路1301，其具有电耦合到随后的RF电路(未示出)的RF输出端口1302，和接收来自前面的RF电路(未示出)的RF输入端口1303。另外，外部器件控制器1304耦合到该微波电路。

微波电路1301中是微波发射器电路1307和微波接收器电路1308。微波发射器电路1307通过微波切换器1309电耦合到RF输出端口1302。同样地，微波接收器电路1308通过微波切换器1309电耦合到RF输入端口1303。该微波切换器1309在两个状态下运行。第一状态下，即接通(THRU)状态，输入端口1309a和1309b分别电耦合到切换器1309c和1309d的输出端口。所述微波切换器还具有第二状态，即回路状态，其中输入端口1309a和1309b电耦合以提供从微波电路发射器1307到微波电路接收器的回路。该微波切换器1309也可具有额外的微波元件，如衰减器以防止接收器电路1308过载。

微波发射器1307电耦合到控制信号生成器电路1310和微波信号输入端口1330。该控制信号生成器电路具有来自可编程存储器1305的控制数据信号1322。同样地，微波接收器1308电耦合到具有数据线1324的控制信号生成器电路1311并电耦合到微波信号输出端口1340。控制信号生成器电路1311具有来自可编程存储器1305的控制数据信号1322。在这种方式中，微波电路1301的总性能由存储在可编程存储器1305中的作为校准数据的控制数据信号来定义。

外部器件控制器1304也电耦合到微波电路1301和微波切换器1309。外部器件控制器1304通过接口1306和数字通信1320和1321与微波电路1301通信。到微波切换器的通信是通过通信线1325进行的。在这种方式中，外部器件控制器通过通信线1325发布命令，将微波切换器1309从接通状态转换到回路状态，这样接收器1308可从发射器1307接收发送的数据。这样，在该实施例中，外部控制器获取微波电路的性能并确定微波电路1301目前的运行模式是否合适。若外部器件控制器1304确定运行模式不是最佳的，则将微波电路置于另一预定运行状态。或者，仅仅基于已知标准改变运行状态。为了启动这一改变，外部器件控制器1304通过接口1306与可编程存储器1305通信。这使得可编程存储器1305从存储器中提取新的数字控制数据字，并将其放置在内部数据线1322和523上。结果是，控制信号生成器电路1310和1311将不同的偏压控制信号提供给发射器1307和接收器1308，以改变微波电路的总体性能。

可选地，该回路状态可用于微波电路1301的生产线的实际测试和校准阶段。

图14是本发明的典型实施例的示意图，其中集成电路的校准基于结合了该集成电路的器件插入到对接站(docking station)而周期性地重复。

示出的便携式设备1401，包括有微波电路1402和对接站1410。示出的便携式设备1401包括通过第一微波切换器1403、微波电路1402和第二微波切换器1404彼此电耦合的RF输入端口1401a和RF输入端口1401b。通过从可编程存储器1406提取的数据建立微波电路1402的性能。最后，便携式设备1401包括有内置测试电路1405，其电耦合到微波切换器1403和第二微波切换器1404。

基于将便携式设备1401连接到其对接站1410，形成电子连接1401c、1401d和1401d并由对接站控制器1412检测到。连接1401c将内置测试电路1405和对接站控制器连接，连接1401d将主电源1411连接到便携式设备1401，连接1401e将对接站控制器1412和可编程存储器1406连接。

当对接时，主电源1411电耦合到微波电路1402，且施加给微波电路1402的内部便携式设备电源(未示出)被断开。在这种方式中，当微波电路还在产品测试站的制造过程中时，就已经建立了明确规定的电压。

现在，对接站控制器1412向内置测试电路发布命令，在该实施例中，这使得第一微波切换器和第二微波切换器进行切换，这样微波电路便电耦合到内置测试电路，而与RF输入端口1401a和RF输入端口1401b断开。在这种方式中，微波电路现在从主电源1411供电，并通过内置测试电路1405进行测试。因此，在该实施例中，在将便携式设备1401再次对接到对接站1410时，微波电路被再次表征，将新的数字校准数据存储在可编程存储器内。

图15是作为手持设备的一部分的微波电路的典型流程图，其中该微波电路的数字存储的控制设置可在包含该微波电路的设备接入对接站(dockingstation)时进行周期性的更新。

在该实施例中，结合有微波电路的设备是手持设备，其还具有对接站，所述手持设备可通过该对接站接入。这样的设备的非限制性实施例包括蜂窝电话、个人数字助理和全球定位系统(GPS)。

上电时微波电路启动，建立电压功率导轨，并且加载数字校准数据。接着执行微波电路的上电序列，并使用数字校准数据建立微波电路的近似最佳设置。接着用户将该设备作为手持设备使用，执行其设定的功能以达到微波电路的性能的接近最佳水平。

接着，用户将该设备返回到对接站。在这一过程中，来自对接站的主电源耦合到该设备。与手持设备的电池提供的电源相比，来自对接站的主电源被设计成具有更好的稳定性。所述主电源在量级和稳定性方面通常可与初始制造测试站的电源相比拟。可选地，所述主电源位于制造测试站的初始主电源的已知范围内。

对接触发程序(applet)的加载以进行测试和访问微波电路。一旦加载，程序执行并完成微波电路的自我表征。例如，当该电路构成蜂窝电话的一部分时，那么基准微波源和微波接收器已经存在于该设备内，因此，如果在微波电路的发射和接收部分之间提供了可切换的连接，那么本质上提供了自含的(self-contained)测试工具，其中的可切换元件由设备对接入对接站时加载的程序来控制。

完成了自我表征后，程序接着定义新的一组近似最佳控制设置，接着将其存储在可编程存储器中，该可编程存储器构成微波电路的一部分。

虽然在上述实施例中，执行表征是为了确定近似理想或最佳控制设置，，该组控制设置也可不是近似最佳的。

在不偏离本发明精神或范围的基础上，本发明还可推导出多种其他实施例。

Claims (55)

1、一种方法，其特征在于，包括：

(a)提供一集成电路，用于执行第一电路功能并响应控制信号，所述集成电路具有第一操作特性；

(b)提供至少一个基础器件；

(c)向所述至少一个基础器件提供已知电流或电压；

(d)在提供所述的已知电流或电压给所述至少一个基础器件时，测量所述至少一个基础器件的一个或多个基础器件参数；

(e)确定数据，以在存储于存储器中并由控制信号生成电路使用时产生用作近似所述控制信号的第一控制信号；

(f)将所述数据存储于存储器中。

2、根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述已知电流或电压至少是位于或等于所述集成电路的特定操作界限内和位于所述集成电路的特定操作界限外的。

3、根据权利要求1-2中任一权利要求所述的方法，其特征在于，所述至少一个基础器件与所述集成电路以及除构成集成电路一部分外的其它器件和构成集成电路一部分的器件两者至少其一一样，集成在同一基层上。

4、根据权利要求1-3中任一权利要求所述的方法，其特征在于，所述至少一个基础器件包括至少电阻器、电容器、电感器和晶体管。

5、根据权利要求1-4中任一权利要求所述的方法，其特征在于，所述方法包括提供集成在所述集成电路中的所述存储器。

6、根据权利要求1-5中任一权利要求所述的方法，其特征在于，所述方法包括：通过与仅与所述至少一个基础器件耦合的端口的耦合和通过经所述集成电路的多个输入端口对所述至少一个基础器件的多路访问两者其一来执行步骤(d)。

7、根据权利要求1-6中任一权利要求所述的方法，其特征在于，所述至少一个基础器件包括由制造者用来测试集成电路制造工艺的集成电路制造者的基础器件。

8、根据权利要求1-7中任一权利要求所述的方法，其特征在于，所述方法包括在步骤(c)前封装所述集成电路。

9、根据权利要求1-8中任一权利要求所述的方法，其特征在于，所述方法包括在所述集成电路集成在晶片中时，执行至少步骤(c)和(d)。

10、根据权利要求1-9中任一权利要求所述的方法，其特征在于，所述方法包括依据预定的映射来映射存储的数据以获得第一控制信号。

11、根据权利要求1-10中任一权利要求所述的方法，其特征在于，所述控制信号是用于改变集成电路的操作特性的操作点信号。

12、根据权利要求1-11中任一权利要求所述的方法，其特征在于，依据以下至少其一来执行数据的确定：映射测得的一个或多个基础器件参数以获得所述数据，和将测得的一个或多个基础器件参数与生产工艺规定的标称值进行比较以确定要存储的数据。

13、根据权利要求1-12中任一权利要求所述的方法，其特征在于，所述方法包括将测量值和标称值之间的差值存储在存储器内。

14、根据权利要求1-13中任一权利要求所述的方法，其特征在于，所述方法包括：

将所述存储的差值提供给控制信号生成电路；

测试第一电路功能产生的特性；

将所述产生的特性与目标预定特性范围进行比较以确定所述产生的特性是否位于预定范围内；

依照所述产生的特性是否位于预定范围内或外的确定结果来分别以第一和第二方式调节第一控制信号。

15、根据权利要求1-14中任一权利要求所述的方法，其特征在于，测试通过以下至少其一来执行：使用集成在集成电路中的测试电路，以及在第一操作模式和第二操作模式间切换所述集成电路，其中所述集成电路具有回环配置，使得所述集成电路在第二操作模式下提供测试配置。

16、根据权利要求1-15中任一权利要求所述的方法，其特征在于，在所述集成电路被封装和未被封装的至少一种情况下，所述已知电流或电压从所述集成电路外接的测试电路提供给所述集成电路的输入端口。

17、根据权利要求1-16中任一权利要求所述的方法，其特征在于，所述集成电路包括多个电路级，所述每个电路级具有电耦合的至少一个端口，用于接收控制信号，所述方法包括：

向两个电路级提供控制信号，其中每个电路级接收由不同的控制信号生成电路生成的不同的控制信号。

18、根据权利要求1-17中任一权利要求所述的方法，其特征在于，所述控制信号是偏置电压。

19、根据权利要求1-18中任一权利要求所述的方法，其特征在于，所述控制信号是用于改变其电耦合的电路级的操作特性的操作点信号。

20、根据权利要求1-19中任一权利要求所述的方法，其特征在于，将多个控制信号中的至少一个提供给至少一个电路级，且将所述多个控制信号中的至少两个电耦合到多个电路级中的一个电路级内的同一元件。

21、根据权利要求1-20中任一权利要求所述的方法，其特征在于，用于一些电路级的控制信号至少是依据存储器中的不同数据和存储器中的相同数据两者其一来提供的。

22、根据权利要求1-21中任一权利要求所述的方法，其特征在于，存储的数据表示多个预定第一控制信号中的一个，不同的存储数据产生多个预定第一控制信号中的不同第一控制信号，其中每个第一控制信号支持集成电路的不同第一操作特性。

23、根据权利要求1-22中任一权利要求所述的方法，其特征在于，所述方法包括：

提供第二数字数据；

基于所述第二数字数据选择多个第一控制信号中的一个以及所述集成电路的操作特性。

24、根据权利要求1-23中任一权利要求所述的方法，其特征在于，所述第一控制信号随时间保持固定以响应固定的数据。

25、根据权利要求1-24中任一权利要求所述的方法，其特征在于，所述数据至少是数字数据并与建立所述控制信号相关。

26、根据权利要求1-25中任一权利要求所述的方法，其特征在于，至少一个操作特性是模拟的，且所述基础器件参数是电压阈值。

27、根据权利要求1-26中任一权利要求所述的方法，其特征在于，所述集成电路至少包括射频电路和高速数字电路。

28、根据权利要求1-27中任一权利要求所述的方法，其特征在于，所述控制信号使得切换电路锁紧多个切换配置中的至少一个。

29、根据权利要求1-28中任一权利要求所述的方法，其特征在于，所述步骤(c)、(d)、(e)和(f)间隔执行。

30、根据权利要求1-29中任一权利要求所述的方法，其特征在于，所述方法包括：

提供对接站；

将包含所述集成电路和至少一个基础器件的设备与对接站耦合；

提供用于启动步骤(c)、(d)、(e)和(f)的信号。

31、根据权利要求1-30中任一权利要求所述的方法，其特征在于，所述已知电流或电压由对接站中的电路提供。

32、根据权利要求1-31中任一权利要求所述的方法，其特征在于，所述存储器包括可重写数据存储器、非易失性存储器和包含熔丝的非易失性存储器至少其一。

33、一种装置，其特征在于，包括：集成电路，所述集成电路包括：

用于存储校准数据的可编程存储器；

控制电路，用于提供至少第一模拟控制信号以响应所述校准数据，针对存储在所述可编程存储器中的不同校准数据，所述至少第一模拟控制信号是不同的；

第一电路，用于执行第一电路功能，所述第一电路功能具有响应所述至少第一模拟控制信号的性能，所述第一电路功能的性能响应不同的至少第一模拟控制信号而不同，所述确定的校准数据响应以向至少一个基础器件提供已知的电压或电流并测量所述至少一个基础器件的性能，并提供来自控制信号的第一模拟控制信号和第一电路的预定性能。

34、根据权利要求33所述的装置，其特征在于，使用时所述校准数据用于由所述控制电路提供至少第一模拟控制信号。

35、根据权利要求33-34中任一权利要求所述装置，其特征在于，所述至少第一模拟控制信号包括偏压控制信号。

36、根据权利要求33-35中任一权利要求所述装置，其特征在于，所述第一电路包括：

多个电路级，其中每个电路级具有电耦合的至少一个输入端口以接收控制信号；

其中，所述控制电路包括多个不同的控制信号生成电路；

其中，在使用中，将控制信号提供给多个电路级中的一些电路级，其中每个每一个电路级接收不同的控制信号，该不同的控制信号由多个不同的控制信号生成器生成。

37、根据权利要求33-36中任一权利要求所述装置，其特征在于，多个控制信号中的至少两个控制信号电耦合到所述多个电路级中的一些电路级的一个中的同一元件。

38、根据权利要求33-37中任一权利要求所述装置，其特征在于，多个输入端口中的每一个电耦合到多个电路级中的一个电路级，以接收用于调节该电路级中不同元件的信号。

39、根据权利要求33-38中任一权利要求所述装置，其特征在于，存储的数据表示多个预定第一控制信号中的一个，不同的存储数据产生多个预定第一控制信号中的不同第一控制信号，其中每个第一控制信号支持第一电路的不同的第一操作特性。

40、根据权利要求33-39中任一权利要求所述装置，其特征在于，所述多个控制信号中至少两个控制信号之间的差值是基于存储在存储器中的第二数字字的。

41、根据权利要求33-40中任一权利要求所述装置，其特征在于，所述第二电路包括离散组件。

42、根据权利要求33-41中任一权利要求所述装置，其特征在于，所述可编程存储器是一次性可编程只读数据存储器。

43、根据权利要求33-42中任一权利要求所述装置，其特征在于，所述装置还包括数模转换器，在使用中，所述第一模拟控制信号通过使用所述数模转换器直接从校准数据中获得。

44、根据权利要求33-43中任一权利要求所述装置，其特征在于，所述第一电路功能的操作特性是模拟的。

45、根据权利要求33-44中任一权利要求所述装置，其特征在于，所述第一电路包括至少高速数字电路和RF电路。

46、根据权利要求33-45中任一权利要求所述装置，其特征在于，所述至少一个基础器件是设置在该装置中的和是所述第一电路的一部分两者至少其一。

47、根据权利要求33-46中任一权利要求所述装置，其特征在于，所述装置包括测试输入端口，用于将已知电流或电压供给所述至少一个基础器件，当所述第一电路封装后，所述测试输入端口不能访问。

48、根据权利要求33-47中任一权利要求所述装置，其特征在于，所述装置包括集成在集成电路中的测试电路，所述测试电路用于测量所述至少一个基础器件的特性，并确定校准数据以获得第一模拟控制信号以得到近似预定操作特性并将其存储在可编程存储器中，所述确定的校准数据用于获得近似确定的第一模拟控制信号。

49、根据权利要求33-48中任一权利要求所述装置，其特征在于，所述测试电路的预定部分和所述至少一个基础器件两者至少其一集成在第一电路中。

50、根据权利要求33-49中任一权利要求所述装置，其特征在于，所述装置包括集成在集成电路中的测试电路，所述测试电路用于测量第一电路的特性，并确定校准数据以获得第一模拟控制信号以得到近似预定操作特性并将其存储在可编程存储器中，所述确定的校准数据用于获得近似确定的第一模拟控制信号。

51、根据权利要求33-50中任一权利要求所述装置，其特征在于，所述测试电路进一步包括以下至少其一：用于向所述至少一个基础器件提供基准电压或电流的基准电路、用于在测试中将第一电路与其电耦合的电路隔离的隔离电路、以及用于周期性地启动测试电路功能的定时器。

52、根据权利要求33-51中任一权利要求所述装置，其特征在于，所述装置包括触发输入端口，用于接收启动所述测试电路功能的触发信号。

53、根据权利要求33-52中任一权利要求所述装置，其特征在于，所述测试电路的至少一部分集成在第一电路中。

54、根据权利要求33-53中任一权利要求所述装置，其特征在于，包括映射电路，用于从测得的第一电路的器件特性中确定出校准数据。

55、一种存储介质，其上存储的数据在执行时导致集成电路的电路设计包括：

用于执行第一电路功能并响应控制信号的集成电路，所述集成电路具有第一运行特性；

存储器；

用于向至少一个基础器件提供已知电流或电压的电路；

用于在提供所述已知电流或电压给所述至少一个基础器件时测量所述至少一个基础器件的一个或多个基础器件参数的电路；

用于确定数据以在存储于存储器中并由控制信号生成电路使用时产生用作近似所述控制信号的第一控制信号的电路；

用于将所述数据存储于存储器中的电路。

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