CN101432872A - 功率led封装体 - Google Patents

Abstract

在芯片封装体(10、10′、110、210)中，第一和第二电源总线(14、14′、16、16′、114、116、214、216)中的每一个都由具有芯片接合部(20、22、120、122、220、222)和从该芯片接合部向外延伸的引线部(26、26′、28、28′、126、128、226、228)的电导体构成。第一和第二电源总线的芯片接合部具有彼此隔开以限定延伸的电隔离间隙(40、140、240)的边缘(32、34、132、134、232、234)。多个芯片(42、44、46、142、143、144、145、146、147、148、242)横跨延伸的电隔离间隙，并与第一和第二电源总线电连接，以从第一和第二电源总线接收电能。

Description

功率LED封装体

背景技术

本发明涉及照明技术。尤其涉及下面将要详细参考的一种高密度发光二极管芯片封装体及制造这种封装体的方法。然而，本发明还将结合诸如垂直腔面发射激光器封装体的其他固态发光芯片封装体和固态电子封装等的应用。

发光芯片封装的一个问题在于可调整性。诸如发光二极管芯片或激光二极管芯片的发光芯片通常是相对较小的光源。此外，尽管由于改进的芯片设计而使光输出效率持续提高，但是，单个发光芯片可能还不足以应用在某些高强度照明应用中。因此，往往会以阵列、条状、或其他结构来排列多个发光芯片，以提供较高的累积发光强度和/或提供空间延伸的光源。根据每个芯片的光输出、和应用所需要的发光强度和特性，使用不同数量和排列的发光芯片。

发光芯片封装中的另一个问题在于安装形式。如果封装体包括可软焊的引线，则应该使这些引线彼此良好分隔以有助于焊接(不会因跨越引线而引起短路)。在一个普通设计中，引线框具有第一引线、以及第二引线，其中，第一引线包括用于容纳发光芯片的座。通过引线接合法连接发光芯片和引线，并将密封剂置于芯片和两条引线的端部上以将它们固定在一起。引线的远端延伸到密封剂的外部以用于焊接连接。

在一些应用中，优选表面安装封装体，其中，可软焊的焊接区设置在与发光面相反的封装体的背面上。在一种方法中，副底座(sub-mount)在一面上支撑发光芯片，并在该副底座的背面上设置有焊接区。为了连接正面上的发光芯片和背面上的焊接区，形成穿过副底座的过孔。

发光芯片封装中的又一个问题在于散热(thermal heat sinking)。如果使用副底座，则副底座通常为导热材料，以促进从发光芯片去除热量。一些导热率最高的材料(诸如金属)还导电；然而，副底座通常应该是电绝缘的。因此，副底座通常是由诸如陶瓷、碳化硅、蓝宝石等的导热但电绝缘的材料制成。

这些问题中的许多问题还涉及诸如集成电路(IC)芯片封装体的非光学芯片封装体。具体地，这种封装体往往会产生大量的热，并且这种封装体往往较优选地为表面可安装的。此外，如果封装体包括大量的IC芯片，则优选地将这些芯片排列成矩形阵列或其他紧凑型结构，以容易安装到器件壳或其他封闭空间中。

本发明旨在提供一种能够克服上述以及其他限制的改进的装置和方法。

发明内容

根据一个方面，公开了一种芯片封装体。电绝缘衬底具有正面(front principal side)。平坦的第一和第二电源总线中的每一个都具有芯片接合部和从芯片接合部向外延伸的引线部。至少第一和第二电源总线的芯片接合部设置在衬底的正面上，并具有彼此隔开以限定延伸的电隔离间隙的边缘。多个芯片横跨延伸的电隔离间隙，并与第一和第二电源总线电连接，以通过第一和第二电源总线接收电能。

根据另一个方面，公开了一种芯片封装体。第一和第二电源总线中的每一个都由具有芯片接合部和从芯片接合部向外延伸的引线部的电导体构成。第一和第二电源总线的芯片接合部具有彼此隔开以限定延伸的电隔离间隙的边缘。多个芯片横跨延伸的电隔离间隙，并与第一和第二电源总线电连接，以从第一和第二电源总线接收电能。

根据再一个方面，提供了一种芯片操作方法。形成第一和第二电源总线，其中，每个电源总线都具有芯片接合部和从芯片接合部向外延伸的引线部。将至少所形成的第一和第二电源总线的芯片接合部设置在电绝缘衬底的正面上，且将芯片接合部的边缘彼此隔开地排列，以限定延伸的电隔离间隙。跨越延伸的电隔离间隙接合多个芯片，并使该多个芯片与第一和第二电源总线电连接，以从第一和第二电源总线接收操作电源(electrical operating power)。

本发明的多个优点和好处将在本领域普通技术人员阅读和理解了本发明的说明之后变得显而易见。

附图说明

本发明可以具体化为各种部件和部件的排列、以及各种处理操作和处理操作的排列。附图仅用于示出优选实施例而不用于限制本发明。除了指出的以外，没有按照比例绘制层厚度以及其他尺寸。

图1示出了包括三个芯片的芯片封装体的顶视图；

图1A示出了从图1中示出的方向“A”看到的图1的芯片封装体的侧视图；

图1B示出了从图1中示出的方向“B”看到的图1的芯片封装体的侧视图；

图2示出了包括三个芯片的芯片封装体的顶视图，其中，该三个芯片都包括背面表面安装焊接区；

图2A示出了从图2中示出的方向“A”看的图2的芯片封装体的侧视图；

图2B示出了图2的芯片封装体的后视图；

图3示出了包括七个芯片的芯片封装体的顶视图；

图4示出了包括十五个芯片的芯片封装体的顶视图；以及

图4A示出了去除了十五个芯片以更清楚地示出互相交叉的间隙的图4的封装体的顶视图。

具体实施方式

参考图1、1A、和1B，芯片封装体10包括其上设置有平坦的电源总线14、16的电绝缘衬底12。电源总线14、16是矩形金属条或其他电导体，它们相互平行设置并相互错开以限定每个条的相邻和不相邻部。相邻部分别限定总线14、16的芯片接合部20、22，而不相邻部分别限定总线14、16的引线部26、28。总线14、16的芯片接合部20、22设置有边缘32、34(仅在图1中标示出)，其中，边缘32、34彼此隔开排列以限定延伸的电隔离间隙40。延伸的电隔离间隙40沿平行于平坦的电源总线14、16的矩形条的方向(即，沿图1中标示的方向“B”)延伸。在横截平坦的电源总线14、16的方向(即，沿图1中标示的方向“A”)中，间隙40很窄。

多个芯片42、44、46横跨间隙40并且包括分别与第一和第二电源总线14、16电连接的受电(power-receiving)电极。每个受电电极可以是单个电极或是电公共电极的阵列或其他分布。例如，在一些实施例中，芯片42、44、46是具有倒装结构的发光二极管芯片，其中，跨越芯片区域分布电极以提高电流扩布和横向电流均匀性。在其他实施例中，芯片42、44、46是激光二极管芯片、电子集成电路芯片等。总线14、16的引线部26、28从衬底12向外延伸并适当地与电源(未示出)连接。总线14、16传导电能，以向芯片42、44、46提供操作电源。

适当的密封剂50(图1、1A、和1B中由虚线表示的边界)包裹芯片42、44、46以及总线14、16的芯片接合部20、22。如果芯片42、44、46是发光二极管芯片、激光二极管芯片、垂直腔面发射激光器二极管芯片、或其他发光芯片，则密封剂50应该是透光的(至少对于由这些芯片发射的光来说)。可选地，将波长变换荧光粉散布或混合在密封剂50中。例如，在一些实施例中，芯片42、44、46是发射蓝光或紫外光的基于第III族氮化物的发光二极管芯片，并将白色荧光粉混合在密封剂50中，以将蓝光或紫外光变换为白光。对于发光或非发光芯片，密封剂50可以提供防止湿气的密封、提高抗冲击、抗震鲁棒性的灌封(potting)，或可以执行本领域已知的其他密封功能。在芯片封装体10中，单一的密封剂50密封所有的三个芯片42、44、46；然而，在其他预期的实施例中，每个芯片都被单独密封。在又一些其他预期的实施例中，完全省略了密封剂。

如下适当地制造芯片封装体10。从具有期望厚度的金属片裁剪出平坦的第一和第二电源总线14、16。所选择的金属应该是高度导电的并应该是可以以金属片的形式使用的。适当的金属包括但不限于不锈钢和铜。可选地，在裁剪出电源总线14、16之前或之后，对金属片进行镀锡或其他的表面处理，以提供改善的可软焊接性。使用基本上任何接合方法(诸如，使用粘合剂、或夹具、螺钉、或其他紧固件)将如此形成的平坦的电源总线14、16接合或固定至电绝缘衬底12。(术语“电绝缘衬底”包括由导电材料制成的衬底，其中，该导电材料涂布有介电材料或其他电绝缘膜以使衬底电绝缘)。电源总线14、16固定至衬底12，同时将边缘32、34彼此隔开地排列以限定延伸的电隔离间隙40。可选地，在间隙40中设置导热但电绝缘的材料(未示出)。跨越间隙40放置芯片42、44、46，并且通过焊接、热超声焊接(thermosonically bonded)、丝焊、或其他方式将芯片受电电极与电源总线14、16电连接。

在一些实施例中，电绝缘衬底12是印刷电路板，其中，印刷电路只分别接触总线14、16的引线部26、28，以向其传送电能。

芯片封装体10具有低机械应力。平坦的电源总线14、16优选具有足以为操作芯片42、44、46提供充分散热的厚度。通过下式给出了沿电源总线14、16的热量流率：

$H=-2\mathrm{kA}\frac{\mathrm{dT}}{\mathrm{dx}}---\left(1\right)$

其中，H表示由芯片42、44、46产生的热量(例如，以瓦特或焦耳／秒为单位)，k是总线材料的热导率(例如，以joules/m·℃·s为单位)，A是平坦电源总线的横截面积，以及dT/dx是沿每条电源总线14、16的每单位长度温度降。因为存在两条电源总线，所以出现了系数2，以及负号表示散热。芯片的热生成H很容易被本领域的技术人员测量或估计，并通常被包括在商业的发光二极管芯片、激光器芯片、IC芯片等的数据表上。因此，结合由芯片42、44、46产生热的知识，利用等式(1)就可以确定单独对总线14、16有影响的电源总线14、16的适当的面积或厚度，以提供如由沿总线的温度降的比率(dT/dx)所表示的充分的散热。在一些实施例中，具有约10mil(0.25mm)厚度的平坦的电源总线14、16为芯片42、44、46提供充分的散热。相反，传统的印刷电路焊盘(pad)通常具有约2-4mil(0.05-0.1mm)的较小的厚度。可选地，衬底12还可以是导热的，以提供其他的散热通路。

应该理解，芯片封装体10是可以高度延伸的，所以可以通过适当地延长总线14、16的芯片接合部20、22来延长延伸的电隔离间隙40以容纳其他芯片，从而可以安装基本上任何数量范围内的芯片。在一些实施例中，静电放电(ESD)保护器件52以与跨越间隙40接合芯片42、44、46的方式相同或不同的方式，跨越总线14、16进行电连接。ESD保护器件52为所有的三个芯片42、44、46、以及可能跨越间隙40焊接的其他芯片提供静电放电保护。

参考图2、2A、和2B，修改的芯片封装体10′包括多个与芯片封装体10相同的部件。这些重复的部件被标以相同的参考标号。这些修改涉及进行了如下修改的修改后的第一和第二平坦的电源总线14′、16′。从衬底12的正面向外延伸的芯片封装体10的总线14、16的引线部26、28环绕到与正面相反的衬底12的背面，以形成修改后的引线部26′、28′。一般的不锈钢、铜、或其他金属片的展性都有利于引线部26′、28′的这种环绕。如图2B所示，通过将引线部26′、28′环绕到衬底12的背面，可以在芯片封装体10′的背面上形成背面表面安装焊接区。所以，修改后的芯片封装体10′适用于表面安装到印刷电路板等上。

芯片封装体10、10′采用错开的矩形平坦的电源总线。为了容纳其他的芯片，延长了用于限定芯片接合部的两条错开的总线的重叠部分。这样做的效果在于，当芯片数量增加时，增加了芯片所覆盖的区域的长宽比。形成了芯片的线性阵列或条。对于一些应用，可能并不希望这样。例如，在电子封装体中，高长宽比的芯片封装体可能不能很好地与紧凑的壳体或其他较低的长宽比空间相称。对于发光芯片封装体，将封装体10、10′延伸至更大数量的芯片的结果是产生线性光带。如果需要更紧凑、更低长宽比的芯片封装体，则优选地将芯片接合部修改为弯曲形的，或减小芯片跨越的电隔离间隙的长宽比。

参考图3，七个芯片的、低长宽比的芯片封装体110包括圆形衬底112。平坦的电源总线114、116设置在衬底112上。电源总线114、116是裁剪成所选形状的平坦金属片或其他电导体。电源总线114包括具有加宽成大体为圆形的端部的芯片接合部120。电源总线116包括具有加宽的端部的芯片接合部122，其中，该加宽的端部环绕总线114的芯片接合部120的加宽的圆周。总线114的引线部126通过总线116的芯片接合部122中的开口，从芯片接合区域向外延伸。总线116的引线部128也从芯片接合区域向外延伸。总线114、116的引线接合部120、122设置有彼此隔开排列以限定延伸的电隔离间隙140的边缘132、134。延伸的电隔离间隙140不是直的，而是沿着芯片接合部120的圆周。这使得间隙140能够被设置得更加紧凑(与线性间隙比较)。

多个芯片(即，图3的实施例中的七个芯片142、143、144、145、146、147、和148)横跨间隙140并分别与第一和第二电源总线114、116电连接。在一些实施例中，芯片142、143、144、145、146、147、和148是具有倒装结构的发光二极管芯片，其中，电极跨越芯片的区域分布，以改善电流扩布和横向电流的均匀性。在其他实施例中，芯片142、143、144、145、146、147、和148是激光二极管芯片、电子集成电路芯片等。总线114、116的引线部126、128从衬底112向外延伸，并适当地与电源(未示出)连接。总线114、116传导电能，以向芯片142、143、144、145、146、147、和148提供操作电源(operating power)。

尽管图3中未示出，但芯片封装体110可以可选地包括与密封芯片142、143、144、145、146、147、和148、以及电源总线14、16的芯片接合部120、122的密封剂50相类似的密封剂。类似地，尽管图3中未示出，但从圆形衬底112的正面向外延伸的引线部126、128的部分可以可选地弯曲或环绕到衬底112的背面(类似于图2和2A所示的环绕)，以提供用于表面安装的背面电焊接区。

在图3所示的实施例中，跨越间隙140并联(parallel，平行)放置静电放电(ESD)保护器件152，来为所有的七个芯片142、143、144、145、146、147、和148提供ESD保护。此外，在图3示出的实施例中，还跨越间隙140并联放置了滤波电容器160。滤波电容器160用作为由总线114、116传送的电源提供低通滤波的滤波电路。类似地，可以包括一个以上电气部件的其他滤波电路，也可以为由电源总线传送的电源提供低通、高通、或带通滤波。

ESD器件52、152、以及滤波电容器160是示例性的实例；更主要的，可以类似地包括在跨越第一和第二电源总线电并联地放置时可以执行有用功能的基本上的任何电路元件或支路。

参考图4和图4A，另一个芯片封装体210包括其上设置有一组平坦的电源总线214、216的衬底212。总线214、216分别包括相互交叉的芯片接合区域220、222，以及分别从芯片接合区域向外延伸的引线部226、228。芯片接合区域220、222分别具有限定紧凑的曲折间隙240的边缘232、234。平坦的电源总线214、216是具有所选形状的经过裁剪的金属片或其他导电薄片。多个芯片(具体地，图4中的十五个芯片242)横跨间隙240。

间隙240是由直线组成的，包括相互平行或垂直的线段。这种由直线组成的排列有助于以矩形阵列布置芯片242。这种矩形排列与步进-接合(step-and-bond)半导体管芯接合机相适合。此外，在欲将芯片封装体作为光学照明或光通信模块(其中，芯片242是诸如发光二极管芯片、激光芯片等的光学芯片)时，优选矩形芯片阵列。对于照明应用，芯片242的矩形阵列通过发光的紧凑的芯片接合区域来提供良好的照明一致性。对于光通信应用，规则的矩形芯片阵列提供与接收光纤端的相应矩形阵列的直接连接。为了说明的方便，将图4和图4A中的间隙240绘制得很宽，而不是很窄；在实际的实施例中，间隙240应该在提供充分的电隔离的同时做得尽可能得窄，以最小化由于间隙240造成的芯片散热中的热的非均匀性。另外或可选地，以导热但非导电材料填充间隙240以提高从芯片242的散热。

曲折间隙240可以具有基本任意数量的往复通路，并因此可以在横截芯片接合区域220、222的指状元件的方向中支撑基本任意数量的芯片。类似地，每个指状元件都可以具有基本任意长度，从而可以沿指状元件的长度方向支撑基本任意数量的芯片。由于芯片数量的增加，因此由引线部226、228传导的电流增加。如果总线214、216是从固定厚度的金属片裁剪得到的，则适当地增加引线部226、228的宽度，以处理更高等级的电流。

尽管图4和图4A未示出，但芯片封装体210可以可选地包括与密封芯片242和电源总线214、216的芯片接合部220、222的密封剂相50类似的密封剂。如图4和图4A所示，引线部226、228完全位于衬底212上，而不是从衬底的正面向外延伸。引线部226、228的这种排列适于丝焊至引线部。可选地，引线部的多个部分可以从衬底向外延伸(如图1、1A、和1B所示)，并可以进一步环绕到衬底的背面(如图2和2A所示)，以提供用于表面安装的背面电焊接区。

图3和图4的实施例是示出电源总线的芯片接合区域如何具有所选择的形状以将相对较长的电隔离间隙压缩为相对较小的长宽比的示例性实例。本领域技术人员可以容易地设计出在所选择的长宽比的芯片接合区域中提供期望的芯片排列的其他形状。

应该理解，所示出的图1、1A和1B的平坦的电源总线14、16具有相同的形状，图2和图2A的总线14′、16′具有相同的形状，以及图4和图4A的相互交叉的电源总线214、216具有相同的形状。在后一种情况中，总线216旋转180°来面向总线214，以提供产生间隙240所需的相互交叉的排列。同样，平坦的电源总线14、16是可互换的、平坦的电源总线14′、16′是可互换的、以及平坦的电源总线214、216是可互换的。这种可互换性有利于大规模生产制造。

所示实施例的另一个优点在于第一电源总线14、14′、114、214的引线部26、26′、126、226和第二电源总线16、16′、116、216的引线部28、28′、128、228大体以相反的方向从由芯片接合部20、22、120、122、220、222限定的芯片接合区域向外延伸。引线部的端部的这种空间分隔有助于通过焊接或其他方式将其电连接，而不会有由零散的焊接材料所引起的跨越引线端部的不经意的电短路。

已经参照优选实施例描述了本发明。显然，在阅读和理解了所述的详细说明后，本领域技术人员可以想出各种修改和改变。本发明旨在将所有这些修改和改变都包括在所附权利要求书或其等同物限定的范围中。

Claims (24)

1.一种芯片封装体，包括：

电绝缘衬底，具有正面；

平坦的第一电源总线和平坦的第二电源总线，其中每一个都具有芯片接合部和从所述芯片接合部向外延伸的引线部，至少所述第一电源总线和所述第二电源总线的所述芯片接合部设置在所述衬底的所述正面上，且所述芯片接合部具有彼此隔开以限定延伸的电隔离间隙的边缘；以及

多个芯片，横跨所述延伸的电隔离间隙并与所述第一电源总线和所述第二电源总线电连接，以接收来自所述第一电源总线和所述第二电源总线的电能。

2.根据权利要求1所述的芯片封装体，其中，所述平坦的第一电源总线和所述平坦的第二电源总线的所述引线部从所述衬底的所述正面向外延伸。

3.根据权利要求2所述的芯片封装体，其中，所述平坦的第一电源总线和所述平坦的第二电源总线的所述引线部环绕到与所述正面相反的所述衬底的背面。

4.根据权利要求1所述的芯片封装体，其中，所述芯片包括发光芯片，所述芯片封装体进一步包括：

透光密封剂，设置在所述衬底上，并密封所述多个芯片和所述平坦的第一电源总线和所述平坦的第二电源总线的所述芯片接合部。

5.根据权利要求1所述的芯片封装体，其中，所述平坦的第一电源总线是矩形条，所述平坦的第二电源总线是矩形条，且所述平坦的第一电源总线和所述平坦的第二电源总线的端部相互平行地错开排列，以限定所述延伸的电隔离间隙。

6.根据权利要求1所述的芯片封装体，其中，所述平坦的第一电源总线和所述平坦的第二电源总线是可互换的。

7.根据权利要求1所述的芯片封装体，其中，(i)所述第一电源总线的所述芯片接合部包括加宽的端部；以及(ii)所述第二电源总线的所述芯片接合部包括加宽的端部，所述加宽的端部环绕所述第一电源总线的所述芯片接合部的所述加宽的端部，以限定所述延伸的电隔离间隙。

8.根据权利要求1所述的芯片封装体，其中，所述第一电源总线和所述第二电源总线的所述芯片接合部包括限定所述延伸的电隔离间隙的相互交叉的指状元件。

9.根据权利要求1所述的芯片封装体，其中，所述平坦的第一电源总线和所述平坦的第二电源总线的所述引线部大体上沿相反的方向从由所述第一电源总线和所述第二电源总线的所述芯片接合部限定的芯片接合区域向外延伸。

10.一种芯片封装体，包括：

第一电源总线和第二电源总线，其中每一个都由具有芯片接合部和从所述芯片接合部向外延伸的引线部的电导体构成，所述第一电源总线和所述第二电源总线的所述芯片接合部具有彼此隔开以限定延伸的电隔离间隙的边缘；以及

多个芯片，横跨所述延伸的电隔离间隙，与所述第一电源总线和所述第二电源总线电连接，以接收来自所述第一电源总线和所述第二电源总线的电能。

11.根据权利要求10所述的芯片封装体，进一步包括：

电绝缘衬底，至少所述第一电源总线和所述第二电源总线的所述芯片接合部固定至所述衬底的正面。

12.根据权利要求11所述的芯片封装体，其中，所述电绝缘衬底还绝热，由所述多个芯片产生的热被从所述第一电源总线和所述第二电源总线的所述芯片接合部传导至所述第一电源总线和所述第二电源总线的所述引线部的远端。

13.根据权利要求11所述的芯片封装体，其中，所述第一电源总线和所述第二电源总线的所述引线部从所述电绝缘衬底向外延伸。

14.根据权利要求13所述的芯片封装体，其中，所述第一电源总线和所述第二电源总线的所述引线部环绕至与所述正面相反的所述电绝缘衬底的背面，以限定背面表面安装焊接区。

15.根据权利要求10所述的芯片封装体，其中，形成所述第一电源总线的所述电导体是金属片，形成所述第二电源总线的所述电导体是金属片。

16.根据权利要求15所述的芯片封装体，其中，所述第一电源总线和所述第二电源总线为长导电条，所述长导电条相互平行且彼此相对错开地排列，以限定每个条的相邻部和非相邻部，所述相邻部为所述芯片接合部而所述非相邻部为所述引线部。

17.根据权利要求10所述的芯片封装体，进一步包括：

静电放电保护器件，横跨所述延伸的电隔离间隙，且跨越所述第一电源总线和所述第二电源总线电连接，所述静电放电保护器件为所述多个芯片提供静电放电保护。

18.根据权利要求10所述的芯片封装体，进一步包括：

滤波电路，横跨所述延伸的电隔离间隙，并跨越所述第一电源总线和所述第二电源总线电连接，所述滤波电路为由所述第一电源总线和所述第二电源总线传送的电能提供低通、高通、和带通滤波。

19.根据权利要求10所述的芯片封装体，进一步包括：

滤波电容器，横跨所述延伸的电隔离间隙，并跨越所述第一电源总线和所述第二电源总线电连接，所述滤波电容器抑制由所述第一电源总线和所述第二电源总线传送的电能的高频分量。

20.根据权利要求10所述的芯片封装体，其中，所述芯片包括发光二极管芯片，所述芯片封装体进一步包括：

透光密封剂，包裹所述发光二极管芯片以及所述第一电源总线和所述第二电源总线的所述芯片接合部。

21.一种芯片操作方法，包括：

形成第一电源总线和第二电源总线，其中，所述第一电源总线和所述第二电源总线中的每个都具有芯片接合部和从所述芯片接合部向外延伸的引线部；

将至少所形成的第一电源总线和第二电源总线的所述芯片接合部设置在电绝缘衬底的正面上，且所述芯片接合部的边缘彼此隔开排列以限定延伸的电隔离间隙；以及

跨越所述延伸的电隔离间隙接合多个芯片，并将所述多个芯片与所述第一电源总线和所述第二电源总线电连接，以通过所述第一电源总线和所述第二电源总线接收操作电源。

22.根据权利要求21所述的芯片操作方法，其中，所述形成第一电源总线和第二电源总线的步骤包括：

裁剪金属板来形成所述第一电源总线和所述第二电源总线。

23.根据权利要求21所述的芯片操作方法，其中，所述将至少所形成的第一电源总线和第二电源总线的所述芯片接合部设置在所述衬底的所述正面上的步骤留出了从所述正面向外延伸的每个引线部的至少一部分，所述方法进一步包括：

使从所述正面向外延伸的每个引线部的所述部分环绕所述衬底，以限定背面表面安装焊接区。

24.根据权利要求21所述的芯片操作方法，其中，所述芯片包括：发光二极管芯片，且所述跨越所述延伸的电隔离间隙接合多个芯片的步骤包括：

将所述发光二极管芯片倒装地接合至所述第一电源总线和所述第二电源总线。

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