CN101425442A - 等离子体显示板 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种等离子体显示板(PDP)。PDP包括第一基板、第二基板、阻挡肋、磷光体层、寻址电极、第一电极和第二电极、电介质层以及保护层。第一电极和第二电极在第二方向延伸，并在其间形成第一放电间隙。电介质层在第二基板上形成，并同时覆盖第一电极和第二电极。保护层覆盖电介质层。保护层包括第一二次电子发射部分和第二二次电子发射部分。第一二次电子发射部分形成为对应于第一电极和第二电极的外远端部分并具有第一二次电子发射系数。第二二次电子发射部分被形成为对应于第一电极和第二电极的外近端部分，并具有小于第一二次电子发射系数的第二二次电子发射系数。

Description

等离子体显示板

技术领域

本发明涉及一种等离子体显示板(PDP)。更具体地，本发明涉及一种用于诱导起始放电(initial discharge)为短隙放电(short-gap discharge)以防止放电开启电压(discharge firing voltage)的增大、在起始放电后抑制短隙放电以及诱导全放电(full discharge)为长隙放电(long-gap discharge)以提高发光效率的等离子体显示板(PDP)。

背景技术

通常，等离子体显示板(PDP)通过气体放电产生等离子体，由从等离子体发射的真空紫外(VUV)线激发磷光体，并且当所激发的磷光体稳定时产生的红色(R)、绿色(G)和蓝色(B)的可见光实现图像。

在AC型的等离子体显示板(PDP)中，示范性地，寻址电极形成在后基板上，电介质层形成在寻址电极上方。阻挡肋以条带的形式设置在电介质层的顶部上的寻址电极之间，红色(R)、绿色(G)和蓝色(B)的磷光体层形成在阻挡肋上。

在与寻址电极交叉的方向上，由一对维持电极和扫描电极构成的显示电极形成在面对后基板的前基板上，显示电极被电介质层和MgO保护层覆盖。在后基板上的寻址电极和前基板上的显示电极彼此交叉的区域形成放电单元。超过几百万的单位放电单元以矩阵(二维阵列)形式布置在呈PDP里面。

在PDP中，当放电单元中通过放电形成的离子、电子和中子与MgO保护层碰撞时，形成在覆盖维持电极和扫描电极的电介质层上的MgO保护层会发射二次电子。在前基板的整个区域，MgO保护层具有预定的二次电子发射系数。

随着二次电子发射系数的增大，放电开启电压减小。但是，当MgO保护层在维持电极和扫描电极上都具有高的二次电子发射系数时，维持放电包括短隙放电和长隙放电。因此，与由长隙放电实现的维持放电相比，发光效率被短隙放电降低。

在本背景部分公开的上述信息只为增进对本发明的背景的理解，因此它可以包括并不形成本国中本领域的普通技术人员已经知晓的现有技术的信息。

发明内容

本发明努力提供一种诱导起始放电为短隙放电以防止放电开启电压的增大、在起始放电后抑制短隙放电并诱导全放电为长隙放电以提高发光效率的等离子体显示板(PDP)。

根据本发明的示范性实施例，等离子体显示板(PDP)包括第一基板和第二基板、阻挡肋、磷光体层、寻址电极、第一电极和第二电极、电介质层以及保护层。第一电极和第二电极被分离地设置为彼此面对。阻挡肋设置在第一基板和第二基板之间以定义放电单元。磷光体层在放电单元中形成。寻址电极形成在第一基板的内表面上并在第一方向延伸。第一电极和第二电极在第二基板的内表面上形成并沿第二方向延伸。第一放电间隙在第一电极和第二电极之间形成。电介质层在第二基板上形成而且覆盖第一电极和第二电极。保护层覆盖电介质层。保护层包括第一二次电子发射部分和第二二次电子发射部分。第一二次电子发射部分被形成为对应于第一电极和第二电极的外远端部分(outer remote part)，并具有第一二次电子发射系数。第二二次电子发射部分形成为对应于第一电极和第二电极二者的外近端部分(outerclose part)，并具有小于第一二次电子发射系数的第二二次电子发射系数。

第二二次电子发射部分可以被形成为对应于第一电极和第二电极的外远端部分。

第一二次电子发射部分可以形成在电介质层上，第二二次电子发射部分可以形成在第一二次电子发射部分上。

第一二次电子发射部分可以包括MgO保护层，第二二次电子发射部分可以包括放电去活性膜(DDF，discharge deactivation film)。该DDF包括Al₂O₃或TiO₂。

第二二次电子发射部分可以形成大于第一放电间隙的第二放电间隙。

第二二次电子发射部分可以覆盖第一放电间隙。

第二二次电子发射部分可以具有基本上与第二放电间隙相同的第一宽度并在第二方向延伸。

第一电极和第二电极可以通过对应于第二二次电子发射部分的外近端部分形成短隙放电部分，并可以通过对应于第一二次电子发射部分的外远端部分且在第二二次电子发射部分外形成长隙放电部分。

第二二次电子发射部分可以包括多个子电子发射部分，该多个子电子发射部分对应于第一电极的一部分和第二电极的一部分。子电子发射部分可以沿第一方向在其间具有预定的间隔，子电子发射部分的每个具有沿第一方向测量的在第一宽度范围内的第三宽度。

第二二次电子发射部分可以包括第一电极侧第二二次电子发射部分和第二电极侧第二二次电子发射部分。第一电极侧第二二次电子发射部分对应于第一电极的近端部分(close part)。在第一放电间隙侧上，第二电极侧第二二次电子发射部分离开第一电极侧第二二次电子发射部分，并对应于第二电极的近端部分。

第一电极侧第二二次电子发射部分和第二电极侧第二二次电子发射部分之间的间隙可以大于第一放电间隙。该间隙可以与从放电单元的中心到第一电极侧第二二次电子发射部分的第一距离和从放电单元的中心到第二电极侧第二二次电子发射部分的第二距离的总和相同，第二距离与第一距离相同。

第一电极侧第二二次电子发射部分可以具有第二宽度且在第二方向延伸的，第二电极侧第二二次电子发射部分可以具有第二宽度且在第二方向延伸的。

第一电极和第二电极可以通过对应于第二二次电子发射部分并在第二二次电子发射部分内部的近端部分形成短隙放电部分，并可以通过对应于第一二次电子发射部分的第一电极和第二电极的远端部分(remote part)且在第二二次电子发射部分外形成长隙放电部分。

第一二次电子发射部分形成在对应于第一电极和第二电极的电介质层上，第二二次电子发射部分形成在电介质层上以对应于第一电极的一部分和第二电极的一部分。第二二次电子发射部分形成电介质层的其上没有形成第一二次电子发射部分的那部分上。

第二二次电子发射部分可以形成第二放电间隙，该第二放电间隙大于第一方向上的第一电极和第二电极之间的第一放电间隙。

第二二次电子发射部分可以覆盖第一放电间隙。

附图说明

通过结合附图并参照下面详细的描述，本发明将变得更易于理解并且对本发明会理解的更全面以及诸多其所具有的优点将变得更明显，附图中相同的附图标记表示相同或相似的部件，其中：

图1是根据本发明的第一示范性实施例的等离子体显示板(PDP)的透视图。

图2是沿图1中示出的线II-II剖取的截面图。

图3是表征图1中示出的放电单元和电极之间关系的顶平面图。

图4是表征放电单元图案和保护层图案的分解透视图。

图5是根据本发明的第二示范性实施例的截面图。

图6是根据本发明的第三示范性实施例的截面图。

图7是根据本发明的第四示范性实施例的截面图。

图8是根据本发明的第五示范性实施例的截面图。

图9是根据本发明的第六示范性实施例的截面图。

具体实施方式

下文参照附图对本发明进行更为充分的描述，附图中示出了本发明的示例性实施例。本领域的技术人员应该理解的是，所描述的实施例可以在不背离本发明的精神或范围的前提下以多种不同的形式修改。附图和描述实质上是说明性的而不是限制性的。在整个说明书中，相同的附图标记指代相同的元件。

图1是根据本发明的第一示范性实施例的等离子体显示板(PDP)的透视图，图2是沿图1中示出的线II-II的剖取的截面图。

如图1和图2所示，示范性实施例的PDP包括彼此面对并密封在一起的后基板10和前基板20。阻挡肋16形成在后基板10和前基板20之间。阻挡肋16被形成为具有预定的高度以限定多个放电单元17。放电单元17填充有包括例如氖(Ne)和氙(Xe)的放电气体，例如，以产生真空紫外线。磷光体层19形成在各个放电单元17中。

为了利用气体放电实现图像，PDP还包括寻址电极11、第一电极(在下文中称为“维持电极”)31和第二电极(在下文中称为“扫描电极”)32，所有这些电极都布置在后基板10和前基板20之间的放电单元17周围。

例如，寻址电极11形成在后基板10的内表面上。寻址电极11在第一方向(图1中y方向)延伸使得每个寻址电极11连续地对应于在y方向上连续布置的放电单元17。而且，在第二方向(图1中x方向)上，寻址电极11被彼此平行地分隔开并且放电单元相邻地布置在第二方向。

寻址电极11被覆盖后基板10的内表面的电介质层13覆盖。电介质层13防止正离子或电子直接碰撞到寻址电极11从而防止寻址电极被损伤，并形成和积累壁电荷(wall charge)。寻址电极11设置在后基板10上从而防止可见光传输到前面，因此寻址电极可以形成为不透明的电极。也就是，寻址电极11可以形成为具有优良电导率的金属电极。

阻挡肋16被设置在电介质层13上以将后基板10和前基板20之间的空间分隔成放电单元17。换句话说，阻挡肋定义放电单元。阻挡肋16包括在y轴方向延伸的第一阻挡肋件16a和在第一阻挡肋件16a之间沿x轴方向延伸的第二阻挡肋件16b，从而将放电单元17布置成二维阵列(矩阵形式)。

而且，阻挡肋可以形成为在y轴方向延伸的第一阻挡肋件从而形成条形图案的放电单元(未示出)。也就是，放电单元可以沿y轴方向敞开。

在本发明的示范性实施例中，示出了形成呈矩阵形式的放电单元17的阻挡肋16。在此情况下，当去除第二阻挡肋件16b时，放电单元通过第二阻挡肋件16a形成为条形图案。呈条形图案的放电单元的示出被省略。

在各个放电单元17中，在位于阻挡肋16之间的第一电介质层13的表面上和阻挡肋16的侧表面上，磷光体浆料被涂敷、干燥以及烘干从而形成磷光体层19。

放电单元17的沿y轴方向形成的磷光体层19具有相同颜色的磷光体。此外，红色(R)、绿色(G)和蓝色(B)的磷光体顺序地形成在沿x轴方向顺序地设置的放电单元17的磷光体层19中。

维持电极31和扫描电极32具有表面放电结构使得它们形成在前基板20的内表面上并对应于各个放电单元17以引起来自放电单元的气体放电。维持电极31和扫描电极32沿x轴方向形成并与寻址电极11交叉。

维持电极31和扫描电极32分别包括用于产生放电的透明电极31a和32a以及用于施加电压信号到透明电极31a和32a的汇流电极31b和32b。透明电极31a和32a在放电单元17中产生表面放电，并由透明材料(例如，铟锡氧化物(ITO))形成从而获得放电单元17的足够的孔径比(aperture ratio)。汇流电极31b和32b由具有优良电导率的金属材料形成以补偿透明电极31a和32a的高电阻。

透明电极31a和32a分别形成表面放电构造而且具有沿y轴方向的从放电单元17的边界到中心的宽度W31和W32，放电间隙DG形成在每个放电单元17的中心部分。汇流电极31b和32b分别布置在透明电极31a和32a上，并在放电单元17的边界处沿x轴方向延伸。因此，当电压信号施加到汇流电极31b和32b时，电压信号被施加到分别连接到汇流电极31b和32b的透明电极31a和32a。

此外，透明电极可以沿x轴方向整体地形成以在各个放电单元中产生放电(未示出)。

再次参照图1和图2，维持电极31和扫描电极32对应于放电单元17并与寻址电极11交叉，维持电极31和扫描电极32被电介质层覆盖并且彼此平行。第二电介质层21保护维持电极31和扫描电极32免受气体放电的影响并在产生放电时形成和积累壁电荷。

保护层123形成在第二电介质层21上以覆盖第二电介质层21。例如，保护层123由MgO形成，保护第二电介质层21，并在产生放电时发射二次电子。

当PDP被驱动时，在复位周期期间，通过施加到扫描电极32的复位脉冲，产生复位放电。在接着复位周期的寻址周期期间，通过施加到扫描电极32的扫描脉冲和施加到寻址电极11的寻址脉冲，产生寻址放电。此后，在维持周期期间，通过施加到维持电极31和扫描电极32的维持脉冲，产生维持放电。

维持电极31和扫描电极32用于施加维持放电所需的维持脉冲。扫描电极32用于施加复位脉冲和扫描脉冲。寻址电极11用于施加寻址脉冲。维持电极31、扫描电极32和寻址电极11可以根据施加到其上的电压波形分别地具有不同的作用，所以它们不必限定于上述的作用。

在PDP中，通过根据寻址电极11和扫描电极32的相互作用的寻址放电选择将要被开启的放电单元17，通过根据维持电极31和扫描电极32的相互作用的维持放电驱动所选择的放电单元17从而显示图像。

此外，根据本发明的示范性实施例的PDP还包括用于诱导起始放电为短隙放电以防止放电开启电压的增大、在起始放电后抑制短隙放电并诱导全放电为长隙放电以提高发光效率的构造。

例如，保护层123具有两个二次电子发射系数。也就是，保护层123在对应于外远端部分131和132的区域处具有较高的二次电子发射系数，该区域位于较远离在维持电极31和扫描电极32之间形成的第一放电间隙G1的位置。此外，保护层123在对应于外近端部分231和232的区域处具有较低的二次电子发射系数，该区域位于较靠近第一放电间隙G1的位置。换句话说，外远端部分是维持电极或扫描电极周围的部分，其处于较远离第一放电间隙的位置；外近端部分是维持电极或扫描电极周围的部分，其处于较靠近第一放电间隙的位置。

更详细地，保护层123包括第一二次电子发射部分123a和第二二次电子发射部分123b，二者根据对应于维持电极31和扫描电极32的区域被分隔。

第一二次电子发射部分123a对应于维持电极31和扫描电极32形成，并具有第一二次电子发射系数同时至少与外远端部分131和132相对应。第一二次电子发射部分123a可以被形成为对应于维持电极31和扫描电极32的整个区域(参照图1到图6)，或者它可以被形成为对应于外远端部分131和132(参照图7到图9)。

第二二次电子发射部分123b具有第二二次电子发射系数且对应于外近端部分231和232，并在第一放电间隙G1的一侧或两侧形成。第二二次电子发射部分123b可以形成为分离于第一二次电子发射部分123a的单独的层(参照图1到图6)，或者它可以形成为与第一二次电子发射部分123a在同一层(参照图7到图9)。

在一个放电单元17中，外近端部分231和232沿x轴方向靠近第一放电间隙G1的外侧，外远端部分131和132离开第一放电间隙G1并靠近阻挡肋16。当从x轴方向看时，外近端部分231和232以及外远端部分131和132是相对位置。外近端部分231与外远端部分131之间以及外近端部分232与外远端部分132之间的沿y轴的边界由第二二次电子发射部分123b确定(参照图3)。第二二次电子发射系数小于第一二次电子发射系数。

第一二次电子发射部分123a覆盖大部分的维持电极31和扫描电极32，发射的二次电子的数量因较高的第一二次电子发射系数而增加。

参照图1、图2和图4，第一二次电子发射部分123a完全覆盖维持电极31和扫描电极32。

对于维持电极31和扫描电极32之一或者各个维持电极31和扫描电极32，外近端部分231和232被第二二次电子发射部分123b覆盖，其发射的二次电子的数量因较低的二次电子发射系数而减少。

参照图1、图2和图4，第二二次电子发射部分123b整体覆盖第一放电间隙G1以及外近端部分231和232。

第二放电间隙G2形成在维持电极31和扫描电极32的分别对应于第二二次电子发射部分123b的最远部分的部分之间。第二放电间隙G2大于第一放电间隙G1。也就是，第二二次电子发射部分123b抑制在维持电极31和扫描电极32的外近端部分231和232之间的短隙放电。

例如，维持电极31和扫描电极32通过外近端部分231和232中的较短的间隙产生低压放电而不管起始放电的较低的第二二次电子发射系数。随后，在起始放电之后，由于第二二次电子发射部分123b起到阻碍短隙放电的作用，维持电极31和扫描电极32通过外远端部分131和132中的较长的间隙产生全放电。也就是，第二二次电子发射部分123b抑制短隙放电并诱导全放电为长隙放电。因此，维持电极31和扫描电极32实现了较高的发光效率。

再次参照图1、图2和图4，当第二二次电子发射部分123b对应于维持电极31和扫描电极32的部分时，第二二次电子发射部分123b至少对应于外近端部分231和232。因此，第二二次电子发射部分123b并不偏向于维持电极31或扫描电极32，而且具有维持电极31和扫描电极32之间的第一放电间隙G1，并可以抑制在y轴方向上放电单元17的中心处的短隙放电。

第二二次电子发射部分123b整体地形成以对应于维持电极31和扫描电极32的外近端部分231和232。因此，在y轴方向上的第二放电间隙G2形成在维持电极31和扫描电极32的对应于第二二次电子发射部分123b的两端之间的部分的部分上。

第二放电间隙G2大于第一放电间隙G1。由于第二放电间隙G2由二次电子发射部分决定，所以与由维持电极31和扫描电极32的端部确定的第一放电间隙G1相比，第二放电间隙G2具有模糊的边界。

短隙部分通过对应于第二二次电子发射部分123b的外近端部分231和232形成在维持电极31和扫描电极32的一部分上，长隙放电部分通过对应于第一二次电子发射部分123a的外远端部分131和132且在第二二次电子发射部分123b外形成。

参照图3和图4，第二二次电子发射部分123b沿x轴方向形成且具有第一宽度W1，该第一宽度W1基本上与第二放电间隙G2相同。此外，在PDP中，如图3所示，第二二次电子发射部分123b设置为在放电单元17的y轴方向上彼此分离。

第二二次电子发射部分123b抑制第一放电间隙G1中的短隙放电，但它具有用于产生起始放电的二次电子发射系数。在第二二次电子发射部分123b中，对应于外近端部分231和232的部分抑制起始放电之后的放电，并在产生全放电时允许外远端部分131和132产生长隙放电。

也就是，当产生全放电时，对应于外近端部分231和232的第二二次电子发射部分123b抑制来自外近端部分231和232的短隙放电。如果不具有第二二次电子发射部分123b，对应于外远端部分131和132的第一二次电子发射部分123a导致全放电为长隙放电。也就是，由于短隙放电被抑制并且长隙放电被诱导，所以可以提高发光效率。

第一二次电子发射部分123a形成在第二电介质层21上，第二二次电子发射部分123b形成在第一二次电子发射部分123a上。在保护层123的形成工艺中，第二二次电子发射部分123b可以在另外的不处理第一二次电子发射部分123a的工艺中形成。

第一二次电子发射部分123a具有大于第二二次电子发射部分123b的二次电子发射系数。例如，第一二次电子发射部分123a形成为MgO保护层，第二二次电子发射部分123b可以形成为放电去活性膜(DDF)。DDF可以包括Al₂O₃或TiO₂。通过第一二次电子发射部分123a和第二二次电子发射部分123b之间的二次电子发射系数差异，第一二次电子发射部分123a和第二二次电子发射部分123b包括用于形成第二放电间隙G2的材料。

图5到图9示出本发明的第二到第六示范性实施例。本发明的第二到第六示范性实施例的构造和功能与本发明的第一示范性实施例类似或相同，因此，与本发明的第一示范性实施例类似或相同的部分将被省略。

在图5中示出的第二示范性实施例和图6中示出的第三示范性实施例中，第二二次电子发射部分223b和323b单独地形成以对应于维持电极31的一部分和扫描电极32的一部分。

参照图5，第二二次电子发射部分223b包括维持电极侧第二二次电子发射部分1223b和扫描电极侧第二二次电子发射部分2223b。维持电极侧第二二次电子发射部分1223b被形成为靠近维持电极31上的外近端部分231。扫描电极侧第二二次电子发射部分2223b被设置为离开维持电极侧第二二次电子发射部分1223b而且对应于扫描电极32上的外近端部分232。

维持电极侧第二二次电子发射部分1223b与扫描电极侧第二二次电子发射部分2223b之间的第三间隙G3大于第一放电间隙G1。

第三间隙G3的大小与放电单元17的中心与维持电极侧第二二次电子发射部分1223b之间的第一间隙G13和放电单元17的中心与扫描电极侧第二二次电子发射部分2223b之间的第二间隙G23的总和相同(G3＝G13+G23)。第二间隙G23具有与第一间隙G13相同的大小。

维持电极侧第二二次电子发射部分1223b具有第二宽度W2并被形成为在x轴方向延伸，扫描电极侧第二二次电子发射部分2223b具有第二宽度W2并被形成为在x轴方向延伸。

维持电极31和扫描电极32通过对应于第二二次电子发射部分223b之间的第一二次电子发射部分223a的外近端部分231和232形成短隙放电部分，并通过对应于第一二次电子发射部分223a的外远端部分131和132且在第二二次电子发射部分223b外形成长隙放电部分。短隙放电部分可以被包括在与外近端部分231和232相对应的短隙部分中。

更具体地，通过从第三间隙G3减去第一放电间隙G1而获得的部分，由外近端部分231和232形成的短隙放电部分没有被第二二次电子发射部分223b所覆盖，并且通过与第一二次电子发射部分223a的被覆盖的距离E1相对应的端部231E和232E形成。

与本发明的第一示范性实施例相比，在本发明的第二示范性实施例中，维持电极31和扫描电极32的端部231E和232E允许在起始放电中具有较低电压的短隙放电，并抑制全放电中的短隙放电。

参照图6，第二二次电子发射部分323b包括多个子电子发射部分，该多个子电子发射部分以预定的间隔C1沿y轴方向布置在与第二放电间隙G2相同的第一宽度W1的范围内，并且形成为组且具有沿y轴方向的第三宽度W3。

维持电极31和扫描电极32通过对应于第二二次电子发射部分323b的外近端部分231和232形成短隙放电部分，并通过对应于第一二次电子发射部分323a的外远端部分131和132并且在第二二次电子发射部分323b外形成长隙放电部分。

更具体地，通过从外近端部分231和232减去间隔C1而获得的部分，由外近端部分231和232形成的短隙放电部分没有被第二二次电子发射部分323b所覆盖，并且通过与第一二次电子发射部分323a的间隔C1相对应的维持电极31的部分231C和扫描电极32的部分232C形成。

与第一示范性实施例相比，在第三示范性实施例中，维持电极31的部分231C和扫描电极32的部分232C允许在起始放电中具有较低电压的短隙放电，并抑制全放电中的短隙放电。

在图7中示出的第四示范性实施例到图9中示出的第六示范性实施例中，第二二次电子发射部分423b、523b和623b形成在电介质层21上并对应于维持电极31和扫描电极32。第二二次电子发射部分423b、523b和623b形成在电介质层21上，且在第一放电间隙侧上对应于第一二次电子发射部分423a、523a和623a之间的维持电极31的一侧和扫描电极32的一侧。

参照图7，第二二次电子发射部分423b形成大于维持电极31和扫描电极32之间的第一放电间隙G1的第二放电间隙G2。

第二二次电子发射部分423b整体地形成以对应于维持电极31的外近端部分231和扫描电极32的外近端部分232。因此，维持电极31和扫描电极32在y轴方向形成在第二二次电子发射部分423b的两端之间的第二放电间隙G2。

维持电极31和扫描电极32通过对应于第二二次电子发射部分423b的外近端部分231和232形成短隙部分，并通过对应于第一二次电子发射部分423a的外远端部分131和132并在第二二次电子发射部分423b外形成长隙放电部分。

第二二次电子发射部分423b具有基本上与第二放电间隙G2相同的第一宽度W1并被形成为在x轴方向延伸。此外，通过PDP的区域形成的第二二次电子发射部分423b被形成为沿y轴方向彼此分隔放电单元17的y轴方向的长度。而且，第二二次电子发射部分423b和第一二次电子发射部分423a沿y轴方向交替布置。

在图8中示出的第五示范性实施例到图9中示出的第六示范性实施例中，第二二次电子发射部分523b和623b形成为多个以对应于维持电极31的一部分和扫描电极32的一部分。

参照图8，第二二次电子发射部分523b包括维持电极侧第二二次电子发射部分1523b和扫描电极侧第二二次电子发射部分2523b。维持电极侧第二二次电子发射部分1523b被形成为与维持电极31的外近端部分231相对应。扫描电极侧第二二次电子发射部分2523b在第一放电间隙侧上离开维持电极侧第二二次电子发射部分1523b，并且形成为对应于扫描电极32的外近端部分232。

维持电极侧第二二次电子发射部分1523b与扫描电极侧第二二次电子发射部分2523b之间的第三间隙G3大于第一放电间隙G1。

第三间隙G3的大小与放电单元17的中心与维持电极侧第二二次电子发射部分1523b之间的第一间隙G13和放电单元17的中心与扫描电极侧第二二次电子发射部分2523b之间的第二间隙G23的总和相同(G3＝G13+G23)。第二间隙G23具有与第一间隙G13相同的大小。

维持电极侧第二二次电子发射部分1523b具有第二宽度W2并形成为在x轴方向延伸，扫描电极侧第二二次电子发射部分2523b具有第二宽度W2并被形成为在x轴方向延伸。

维持电极31和扫描电极32通过对应于在第二二次电子发射部分523b之间的第一二次电子发射部分523a的外近端部分231和232形成短隙放电部分，并且通过对应于第一二次电子发射部分523a的外远端部分131和132且在第二二次电子发射部分523b外形成长隙放电部分。

更具体地，通过从间隙G3减去第一放电间隙G1而获得的部分，由外近端部分231和232形成的短隙放电部分没有被第二二次电子发射部分523b所覆盖，并且通过对应于第一二次电子发射部分523a的被覆盖的距离E1的端部231E和232E形成。

参照图9，第二二次电子发射部分623b包括多个子电子发射部分，该多个子电子发射部分以预定的间隔C1沿y轴方向布置在与第二放电间隙G2相同的第一宽度W1的范围内，并被形成为组同时具有沿y轴方向的第三宽度W3。

维持电极31和扫描电极32通过对应于第二二次电子发射部分623b的外近端部分231和232形成短隙放电部分，并通过对应于第一二次电子发射部分623a的外远端部分131和132且在第二二次电子发射部分623b外形成长隙放电部分。

更具体地，通过从外近端部分231和232减去间隔C1而获得的部分，由外近端部分231和232形成的短隙放电部分没有被第二二次电子发射部分623b所覆盖，并且通过对应于第一二次电子发射部分623a的间隔C1的部件231C和部件232C形成。

如上所述，在根据本发明的示范性实施例的PDP中，在覆盖第一电极和第二电极的电介质层上的保护层由具有不同的二次电子发射系数的第一二次电子发射部分和第二二次电子发射部分形成。

第一二次电子发射部分具有较高的二次电子发射系数，第二二次电子发射部分具有较低的二次电子发射系数。

第一二次电子发射部分形成在对应于第一电极和第二电极的部分上，在第一电极和第二电极之间的第一放电间隙的一侧上，第二二次电子发射部分形成在与第一放电间隙的外近端部分的第一电极和第二电极的部分相对应的部分上。

因此，起始放电被诱导为短隙放电以防止放电开启电压的增大，并在起始放电后诱导全放电为长隙放电。因此，在全放电中，由于短隙放电被抑制且长隙放电被诱导，所以可以提高发光效率。

尽管已经结合目前认为是实际的示范性实施例对本发明进行了描述，但是应该理解的是，本发明不限于所公开的实施例，相反地，本发明旨在涵盖包括在附加的权利要求的精神和范围内的各种修改和等价的布置。

Claims (30)

1.一种等离子体显示板，其包括：

第一基板；

面对所述第一基板的第二基板；

阻挡肋，其设置在所述第一基板和所述第二基板之间并定义放电单元；

磷光体层，其形成在所述放电单元中；

寻址电极，其形成在所述第一基板的内表面上并在第一方向延伸；

第一电极，其形成在所述第二基板的内表面上并在第二方向延伸，所述第二方向基本上垂直于所述第一方向；

第二电极，其形成在所述第二基板的所述内表面上并在所述第二方向延伸，第一放电间隙在所述第一电极和所述第二电极之间形成；

电介质层，其形成在所述第二基板上并覆盖所述第一电极和所述第二电极；以及

覆盖所述电介质层的保护层，所述保护层包括：

第一二次电子发射部分，其被形成为与所述第一电极和所述第二电极的外远端部分相对应并具有第一二次电子发射系数；以及

第二二次电子发射部分，其被形成为与所述第一电极和所述第二电极之一的外近端部分相对应并具有小于所述第一二次电子发射系数的第二二次电子发射系数。

2.如权利要求1所述的等离子体显示板，其中所述第二二次电子发射部分形成为与所述第一电极和所述第二电极二者的外近端部分相对应。

3.如权利要求1所述的等离子体显示板，其中所述第一二次电子发射部分形成在所述电介质层上，所述第二二次电子发射部分形成在所述第一二次电子发射部分上。

4.如权利要求3所述的等离子体显示板，其中所述第一二次电子发射部分包括MgO保护层，所述第二二次电子发射部分包括放电去活性膜。

5.如权利要求3所述的等离子体显示板，其中所述放电去活性膜包括Al₂O₃或TiO₂。

6.如权利要求3所述的等离子体显示板，其中所述第二二次电子发射部分形成大于所述第一放电间隙的第二放电间隙。

7.如权利要求3所述的等离子体显示板，其中所述第二二次电子发射部分覆盖所述第一放电间隙。

8.如权利要求7所述的等离子体显示板，其中所述第二二次电子发射部分形成大于所述第一放电间隙的第二放电间隙，所述第二二次电子发射部分具有基本上与所述第二放电间隙相同的第一宽度并在所述第二方向延伸。

9.如权利要求7所述的等离子体显示板，其中所述第一电极和所述第二电极通过对应于所述第二二次电子发射部分的所述外近端部分形成短隙部分，通过对应于所述第一二次电子发射部分的所述外远端部分且在所述第二二次电子发射部分外形成长隙放电部分。

10.如权利要求3所述的等离子体显示板，其中所述第二二次电子发射部分包括多个子电子发射部分，所述多个子电子发射部分对应于所述第一电极的一部分和所述第二电极的一部分。

11.如权利要求10所述的等离子体显示板，其中所述子电子发射部分沿所述第一方向在其间具有预定的间隔，所述子电子发射部分的每个具有沿所述第一方向测出的在所述第一宽度范围内的第三宽度。

12.如权利要求11所述的等离子体显示板，其中所述第一电极和所述第二电极通过对应于所述第二二次电子发射部分的近端部分形成短隙放电部分，通过对应于所述第一二次电子发射部分的远端部分且在所述第二二次电子发射部分外形成长隙放电部分。

13.如权利要求3所述的等离子体显示板，其中所述第二二次电子发射部分包括：

第一电极侧第二二次电子发射部分，其对应于所述第一电极的近端部分；以及

第二电极侧第二二次电子发射部分，其在所述第一放电间隙一侧上离开所述第一电极侧第二二次电子发射部分，并对应于所述第二电极的近端部分。

14.如权利要求13所述的等离子体显示板，其中所述第一电极侧第二二次电子发射部分和所述第二电极侧第二二次电子发射部分之间的间隙大于所述第一放电间隙。

15.如权利要求14所述的等离子体显示板，其中所述间隙与从所述放电单元的中心到所述第一电极侧第二二次电子发射部分的第一距离和从所述放电单元的所述中心到所述第二电极侧第二二次电子发射部分的第二距离的总和相同，所述第二距离与所述第一距离相同。

16.如权利要求15所述的等离子体显示板，其中所述第一电极侧第二二次电子发射部分具有第二宽度并在所述第二方向延伸，所述第二电极侧第二二次电子发射部分具有所述第二宽度并在所述第二方向延伸。

17.如权利要求14所述的等离子体显示板，其中所述第一电极和所述第二电极通过对应于所述第二二次电子发射部分的所述近端部分并在所述第二二次电子发射部分内形成短隙放电部分，并通过对应于所述第一二次电子发射部分的所述第一电极和所述第二电极的远端部分且在所述第二二次电子发射部分外形成长隙放电部分。

18.如权利要求1所述的等离子体显示板，其中所述第一二次电子发射部分形成在对应于所述第一电极和所述第二电极的所述电介质层上，所述第二二次电子发射部分在所述电介质层上形成为对应于所述第一电极的一部分和所述第二电极的一部分，所述第二二次电子发射部分形成在所述电介质层的其上没有形成所述第一二次电子发射部分的部分上。

19.如权利要求18所述的等离子体显示板，其中所述第二二次电子发射部分形成大于所述第一放电间隙的第二放电间隙。

20.如权利要求18所述的等离子体显示板，其中所述第二二次电子发射部分覆盖所述第一放电间隙。

21.如权利要求20所述的等离子体显示板，其中所述第二二次电子发射部分形成大于所述第一放电间隙的第二放电间隙，所述第二二次电子发射部分具有与所述第二放电间隙基本相同的第一宽度并在所述第二方向延伸。

22.如权利要求20所述的等离子体显示板，其中所述第一电极和所述第二电极通过对应于所述第二二次电子发射部分的近端部分形成短隙部分，通过对应于所述第一二次电子发射部分的远端部分且在所述第二二次电子发射部分外形成长隙放电部分。

23.如权利要求18所述的等离子体显示板，其中所述第二二次电子发射部分包括多个子电子发射部分，所述多个子电子发射部分对应于所述第一电极的近端部分和所述第二电极的近端部分。

24.如权利要求23所述的等离子体显示板，其中所述子电子发射部分沿所述第一方向在其间具有预定的间隔，所述子电子发射部分的每个具有沿所述第一方向测出的在所述第一宽度范围内的第三宽度。

25.如权利要求24所述的等离子体显示板，其中所述第一电极和所述第二电极通过对应于所述第二二次电子发射部分的近端部分形成短隙放电部分，通过对应于所述第一二次电子发射部分的远端部分且在所述第二二次电子发射部分外形成长隙放电部分。

26.如权利要求18所述的等离子体显示板，其中所述第二二次电子发射部分包括：

第一电极侧第二二次电子发射部分，其对应于所述第一电极的近端部分；以及

第二电极侧第二二次电子发射部分，其在所述第一放电间隙一侧上离开所述第一电极侧第二二次电子发射部分，并对应于所述第二电极的近端部分。

27.如权利要求26所述的等离子体显示板，其中所述第一电极侧第二二次电子发射部分和所述第二电极侧第二二次电子发射部分之间的间隙大于所述第一放电间隙。

28.如权利要求27所述的等离子体显示板，其中所述间隙与从所述放电单元的中心到所述第一电极侧第二二次电子发射部分的第一距离和从所述放电单元的中心到所述第二电极侧第二二次电子发射部分的第二距离的总和相同，所述第二距离与所述第一距离相同。

29.如权利要求28所述的等离子体显示板，其中所述第一电极侧第二二次电子发射部分具有第二宽度并在所述第二方向延伸，所述第二电极侧第二二次电子发射部分具有所述第二宽度并在所述第二方向延伸。

30.如权利要求27所述的等离子体显示板，其中所述第一电极和所述第二电极通过对应于所述第一二次电子发射部分的近端部分并在所述第二二次电子发射部分内形成短隙放电部分，通过对应于所述第一二次电子发射部分的所述第一电极和所述第二电极的远端部分且在所述第二二次电子发射部分外形成长隙放电部分。

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