CN101401451A - 二线微音器电路 - Google Patents

Abstract

第一电路级包括至少一个NMOS晶体管并耦合于微音器换能器。耦合电路耦合于第一电路级。第二电路级经由耦合电路从第一电路级接收信号并缓冲该信号。第一电路级、第二电路级和耦合电路完全位于微音器机壳内。第一触点部分从微音器机壳向外伸出并电耦合于第二电路级的输出端。第一触点部分有选择地从外部电源接收电力以向微音器电路供电。

Description

二线微音器电路

关联申请的旁引

本申请是2006年9月26日提交的No.11/527,430号美国专利申请的延续，该申请要求2006年3月17日提交的No.60/783,688号美国临时申请专利的优先权。两者均全部引用于此供参考。

技术领域

本专利涉及换能器，尤其涉及微音器和用于所有电子装置中的微音器电路。

背景技术

助听仪今日被广泛使用并通常包括微音器电路、放大电路和接收器电路。微音器电路接收音频能量并随后将音频能量转换成电信号。电信号再由放大电路放大(或作其它处理)并馈送至接收器。接收器电路随后将经放大的信号转换成助听仪用户能听到的音频信号。其它电子装置也可使用上述电路。

为了保护和其它目的，微音器电路一般设置于机壳或壳体内。引脚从机壳伸出以提供从壳体外的实体至微音器电路的连接。例如，在之前的助听仪中，使用三个引脚来提供这些需要的连接。具体地说，电源引脚为微音器电路供电。另外，输出引脚允许访问电路的输出。此外，接地引脚为微音器电路提供接地连接。在向微音器电路提供所需的访问时，这类三引脚(“三线”)配置具有若干相关缺点。例如，三线配置有时由于使用三个引脚而使用起来很复杂、制造成本高并难以维护。

商用微音器在一些其它应用场合中已使用二引脚(“二线”)配置。具体地说，在二线配置中，输出引脚既为装置提供输出又接收电力。遗憾的是，这些之前的二线方法，尽管不需要输出引脚，但遭遇到使它们不适于应用并且不适用于助听仪或其它电子通信装置的许多缺点和问题。

例如，助听仪微音器(和其它电子装置的微音器)在使用高通滤波器(HPF)时表现出良好的性能。遗憾的是，之前的二线方法(例如使用共源极N沟道JEFT放大器或增强型P沟道源极跟随缓冲器)无法适应完全处于微音器内部的HPF。其它之前的方法已尝试使用PMOS晶体管作为微音器前置放大器中的最初级。然而，由于难以获得PMOS晶体管所想要的最大信噪比(SNR)性能，而且PMOS晶体管限制了由HPF提供的低频衰减，因此这些也方法无法令人满意地用于带高通滤波器的助听仪中。

由于上述问题，令人满意地用于电子装置(例如助听仪)中的二线微音器电路一直不能实现，这导致必须依靠三线电路。结果，制造这些装置变得更难和更昂贵，并且装置的可靠性降低。另外，在二线微音器中使用高通滤波器的一些优点(例如显著提高的灵敏度稳定性，对风噪声、马路噪声和其它低频声音的降低的易感度，更好的制造性以及使微音器适于方向应用，还有显著提高的瞬时过载特性)也一直无从利用。

附图说明

为了完全地理解本公开，参照下面的详细说明和附图，在附图中：

图1是根据本发明的微音器电路的方框图；

图2是根据本发明的微音器缓冲电路的电路图；

图3是根据本发明的微音器前置放大电路的电路图；

本领域内技术人员可以理解，附图中的各元件为简单和清楚起见被示出并且不一定按比例绘制。例如，附图中某些元件的尺寸和/或相对位置相对于其它元件可以是夸大的，以帮助增进对本发明各实施例的理解。还要理解，某些动作和/或步骤是以具体的发生顺序描述或描绘的，尽管本领域内技术人员可以理解这些针对顺序的专一性实际上并非必要。还应当理解，本文中使用的术语和表达具有一般的含义，所述含义与这些术语和表达在其相应的调查和研究领域中的含义相对应，除非在本文中已另行阐述了特定的含义。

具体实施方式

尽管本公开可以有多种修改和替代形式，然而一些实施例以图示实例的形式示出并且在本文中对这些实施例进行详细说明。然而，应当理解本公开不旨在将本发明限定在所述具体形式，相反地，本发明旨在覆盖落在本发明精神和范围内的所有修改、替换和等同物。

提供一些方法，所述方法允许微音器的二线连接用于电子装置(例如助听仪或使用低功率的其它仪器)。另外，这些方法允许引入完全设置于微音器机壳内的高通滤波器(HPF)或其它类型的处理或耦合电路。结果，由于可利用二线方法，制造成本和复杂性得以降低。这类装置的可靠性也得以提高。此外，高通滤波器或其它类型的处理或耦合电路的引入允许这些装置具有提高的工作特性，例如显著提高的灵敏度稳定性，对风噪声、马路噪声和其它低频声音的降低的易感度，更好的制造性以及使微音器适于方向应用，还有提高的瞬时过载特性。

本文所给出的方法适用于许多种类的电子装置。例如，这些方法可用于助听器、电子通信装置(例如头戴式耳机、蜂窝电话机、MP3播放器)或便携式电子装置(例如个人或膝上计算机)。其它可适用装置的例子也是可行的。

在许多这样的实施例中，第一电路级包括至少一个NMOS晶体管并耦合于微音器换能器。耦合电路耦合于第一电路级。第二电路级适于经由耦合电路从第一电路级接收信号并缓冲该信号。第一电路级、第二电路级和耦合电路完全内置于微音器机壳内。第一触点部分从微音器机壳向外延伸并电耦合于第二电路级的输出端。第一触点部分有选择地从外部电源接收电力，以向微音器电路供电。

耦合电路可包括高通滤波器(HDF)电路或一些其它的处理或耦合电路。为此，HPF电路可包括至少一个电阻器和至少一个电容器。

第二电路级可以是缓冲器。为此，第二电路级可包括至少一个PMOS晶体管。第二电路级也可包括放大电路。为此，放大电路可包括至少一个NMOS晶体管。

在其它这些实施例中，第二触点部分从微音器机壳向外延伸并电耦合于外部电路接地点和至少下列其中之一：第一电路级、第二电路级、耦合电路和一个或多个偏置网络。第二触点部分提供二线连接中的第二导线。

上述不同电路级可位于各种电器件上。例如，第一电路级和第二电路级可位于同一集成电路上。或者，第一电路级至少部分地位于第一集成电路上，而第二电路级至少部分地位于第二集成电路上。

因此，提供允许在助听仪和其它电子装置中使用二线连接的方法。这类方法还将高通滤波器或其它类型的处理或连接电路引入到微音器机壳中，以提高微音器电路和整个装置的性能。另外，制造成本和复杂性得以减少，并且微音器电路和装置的可靠性得以提高。

现在参照附图，特别参照图1来描述微音器电路100的一个例子。微音器电路100包括驻极体换能器104、第一电路级106、耦合电路108和第二电路级110。微音器电路100的许多器件内置于微音器机壳102中。例如，第一电路级106、耦合电路108和第二电路级110包含在机壳102内。驻极体换能器104较佳地完全包含在机壳102内，但也可部分地位于机壳外以接收来自外部源的声能。第一引脚112耦合于并延伸自诸部件中的至少一个(典型配置具有与部件104、105、108和110的连接)，并且第二引脚114耦合于并延伸自至少第二电路级110(典型配置具有与部件106和110的连接)。本领域内技术人员应当理解，图1所示器件的位置、大小、值和尺寸可变，并且这取决于各种因素，例如所使用的具体材料和用户要求。

驻极体换能器104是驻极体电容微音器，它将声(声音)能转换成电信号。例如，该换能器可以是用于助听仪或其它电子装置的任何类型的换能器。

第一电路级106包括一个或多个NMOS晶体管，例如一个或多个耗尽型NMOS晶体管。较为有利地，耗尽型NMOS晶体管一般在跨导—电容比(Gm/C)方面具有明显(例如将近两倍)的优势，由此提高信噪比(SNR)。除一个或多个NMOS晶体管外，附加器件也可用于第一级，以帮助提高其功能性或提供其它功能。

第一电路级106(例如耗尽型NMOS晶体管)形成第一阻抗缓冲级并直接耦合于驻极体换能器104。偏置网络105将恒流提供给第一电路级106。例如，当使用耗尽型NMOS晶体管时，偏置网络105通过使用由另一耗尽型NMOS晶体管和电阻器构成的低噪声恒流源来设定NMOS晶体管(用于第一电路级106)的漏极-源极电流。又如，可使用其它低噪声基准电流产生方法。

由于第一电路级106在恒流下偏置，因此在第一电路级106的输出端(例如标示为VOUT1的耗尽型NMOS晶体管的源极端)和第二电路级110的输出端(作为微音器的外部输出并标示为VOUT2的输出引脚114)之间获得高效的音频信号隔离。只要向电路100提供偏压的外部电源提供明显大于偏置第一电路级106所用的电流，隔离就会发生。

除了所提供的信噪比(SNR)性能优势，本方法的音频信号隔离相比先前的方法在低于高通滤波器转角频率的低音频率实现显著提高的信号衰减。这种隔离也有助于提高微音器对来自风、马路和其它环境噪声源的干扰的免疫力。此外，第一电路级106和第二电路级110的电绝缘允许将附加器件(例如耦合电路108)插入两级之间。

耦合电路108包括一电路并与第一电路级106和第二电路级110串联耦合。耦合电路108也为电路100提供信号处理改善，这种信号处理改善提高了电路100的工作性能。为此，耦合电路可以是使用一个或多个电容器和一个或多个电阻器的高通滤波器。例如，高通滤波器可具有选择以提供—3dB HPF转角频率的器件。另外，附加的HPF可用来驱动集成电路的基板(其中形成有部件105、106、108和110)并用来屏蔽和/或防护微音器机壳102内的离散寄生电容，以进一步提高经组装的微音器的SNR性能。再如，低通滤波器、带通滤波器或任何形式的耦合和/或处理电路可用作耦合电路108。这些例子可采用任何器件的组合。在有些例子中，可省去耦合电路108。

第二电路级110在微音器电路100中提供多种功能。例如，第二电路级110可提供缓冲功能。在这种情形下，第二电路级110可包括PMOS晶体管。

再如，第二电路级110可以是前置放大电路并用来放大经由耦合电路108从第一电路级106接收到的信号。在这种情形下，第二电路级110提供信号放大并由一个或多个增强型NMOS晶体管和偏置网络构成。

微音器机壳102可由塑料、金属或其它适宜材料形成并用来保护电路100。第一引脚112是用来向电路100的器件提供电路接地的任何接头或接头配置。第二引脚114是为电路100提供外部输出的任何接头或接头配置。另外，将电力施加于引脚114以将电力提供给微音器电路100的各个器件。

在图1的系统操作的一个例子中，第一电路级106(例如至少一个NMOS晶体管)从微音器换能器104接收信号。这些信号是来自外部源的音频信号，例如人的讲话、音乐或任何其它形式的音频能量。耦合电路108——它可以是高通滤波器——处理从第一电路级106接收到的信号。耦合电路108例如通过提供大为改善的灵敏度稳定性、风噪声/马路噪声和其它低频声音的降低的易感度或提高的瞬时过载特性来提高信号质量。选择用于耦合电路108中的器件的类型和值，以提供期望的特性提高。

第二电路级110从耦合电路108接收信号并缓冲该信号。如果第二电路级110是放大器，则将信号放大。引脚114提供来自第二电路级110的输出并从外部电源接收电力以向微音器电路100供电。引脚112为电路100提供接地。结果，仅外部的两个引脚用于微音器电路100，从而提供二线配置。

在一个方法中，上述微音器电路(例如电阻器、电容器和晶体管)的各个器件在单块集成电路(IC)上制造并彼此隔离。或者，两缓冲级(例如第一电路级106和第二电路级110)和/或器件也可位于电耦合在一起的两块集成电路上。为此，集成电路可以是独立的IC芯片或网面印刷(screened)在微音器的混合电路板上的厚膜器件。

例如，第一电路级106位于第一器件(例如第一IC)上而第二电路级110位于第二器件(例如第二IC)上。其它的器件(例如高通滤波器)位于第一、第二或其它集成器件上。

集成电路可通过市面上可得的硅BiCMOS IC技术制造而成，这类技术具有工艺延伸，这种工艺延伸允许在单块硅IC上制造和电绝缘低门限电压耗尽型NMOS、增强型NMOS和增强型PMOS晶体管所需的注入和扩散。BiCMOS技术也容许用于将多个完整的、高性能的二线微音器电路集成在同一块硅集成电路芯片上的二极管、电阻器、电容和ESD保护装置。或者，也可使用其它制造工艺或制造工艺的组合。

现在参照图2，图中示出微音器缓冲电路200的一个例子。耗尽型NMOS晶体管206(MN1)(或晶体管)形成第一阻抗缓冲级并通过终端节点220(标示为“IN”)直接耦合于微音器驻极体换能器(未示出)。除NMOS晶体管206外，还可采用其它器件来帮助提高其功能性或提供其它功能。

节点220的直流(DC)偏置是通过将反并联的二极管202和204连接在节点220和基准电压之间而实现的，所述基准电压在本例中为接地电压。设定晶体管206的漏极—源极电流的偏置网络由低噪声恒流源构成，所述低噪声恒流源由耗尽型NMOS晶体管208(MN2)和电阻器210(R2)构成。然而，偏置网络可藉由其它低噪声IREF产生方法来实现。例如，电阻器210为7K欧姆。也可使用其它值。

电连接点221从电路向外伸出并提供两个功能。首先，接头221使外部电源222(例如电池)向电路200供电。另外，电路200的输出(VOUT)可经由接头221予以采样。应当理解，电源222实际在电路200的外部。电源222(例如电池)可提供电流IEXT和电压Vdd并可以是用于低电源电压便携电子应用(例如由一块电池组运作并一般提供1.3V—1.6V低电压的助听仪应用)的低噪声电流源。

第二阻抗缓冲级由增强型PMOS晶体管207(MP1)和外部电流源222形成。至第二缓冲级的输入(节点VB1)通过电阻器214(R1)偏置至VREF(在本例中正好为GND)。例如，电阻器214具有3.88M欧姆的值。也可以是其他值。又如，PMOS晶体管207可以是任何其它类型的P型晶体管，例如具有低噪声和合理的高β特征的横向PNP晶体管或垂直PNP晶体管。

由于晶体管206在恒流下偏置，因此在第一阻抗缓冲级的输出端(晶体管206的源极端)和电路第二级的输出端(标示为VOUT的节点216，它是微音器的外部输出)的输出之间，可以实现高效音频信号隔离。只要向电路200提供偏置的外部电源222提供明显大于用来偏置晶体管206的电流(即由晶体管208和电阻器210产生的电流)并且只要晶体管206工作在其饱和工作区，就能保持隔离。除了本电路的SNR功能优势，本方法的音频信号隔离在低于先前方法的高通滤波器转角频率的低音频率下具有明显更好的信号衰减。这有助于提高微音器对来自风、马路和其它环境噪声源的干扰的免疫力。

两电路级的电隔离允许提供电子高通滤波器(HPF)网络(电容器212(C1)和电阻器214(R1)以设定—3dB HPF的有效转角频率)，从而将第一缓冲级的输出耦合于第二级的输入，同时有效地保持前述的合需工作特性。另外，也可提供第二电子器件HPF网络以驱动集成电路的基板并作为将微音器壳体内的离散寄生电容屏蔽和/或排斥在外的装置，从而获得来自经组装微音器的更好的总SNR性能。例如，电容器212是329pF电容器。也可使用其它值。

在电路200的一个工作例中，偏置电流一般由晶体管208和电阻器210设定为2.5—5μA。一般将缓冲电路(IEXT)的外部偏置电流222设置为17-25μA。这样，电路的总功耗合理地低并可比拟先前的三线微型助听仪驻极体换能器微音器缓冲电路或在其它电子装置中找到的微音器电路。这种程度的外部偏置电流也维持异常的低噪声微音器性能并为电路200提供低输出电阻值(ROUT)而无需引入系统额外的功耗。

如前面提到的那样，只提供两个电路节点(例如引脚)以实现电路200的外部访问(即在VOUT(节点221)和GND(节点211)提供来自微音器的引脚)。应当理解，为清楚起见，用于这两个外部微音器引脚的静电放电(ESD)保护和电磁干扰(EMI)滤波网络未曾示出。图示出的所有其它电路节点保持在微音器壳体内，节点IN(节点220)连接于从微音器驻极体换能器出来的信号。

现在参照图3，图中示出微音器前置放大电路的一个例子。耗尽型NMOS晶体管306(MN1)(或晶体管)形成第一阻抗缓冲级并通过终端节点320(标示为“IN”)直接耦合于微音器驻极体换能器(未示出)。除NMOS晶体管306外，还可采用附加起见来帮助或改善其功能或提供其它功能。

节点320的直流电(DC)偏压是通过将反并联的二极管302和304连接在节点320和基准电压之间而获得的，在本例中基准电压为接地电压。设定晶体管306的漏极—源极电流的偏置网络由低噪声恒流源构成，所述低噪声恒流源由耗尽型NMOS晶体管308(MN2)和电阻器310(R2)构成。然而，偏置网络可藉由其它低噪声IREF产生方法来实现。例如，电阻器310为7K欧姆。也可采用其它值。

电接头321(例如引脚或类似配置)从电路向外延伸并提供两种功能。接头321允许外部电源322(例如来自具有电压Vdd和电流IEXT的电池)向电路300供电。另外，可藉由接头321对电路300的输出(VOUT)进行采样。应当理解，电源322位于电路300外部。电源322是用于超低电源电压便携电子应用(例如由一块电池组运作并一般提供1.3V—1.6V低电压的助听仪应用)的低噪声电流源。

第二电路级提供信号放大功能并由增强型NMOS晶体管326(MN4)及其自偏置网络构成。自偏置网络由连接在晶体管326的栅极端和VOUT之间的电阻器314(R1)构成。NMOS晶体管326也可由其它类型的N型晶体管代替，例如具有低噪声和合理的高β特征的横向或垂直NPN晶体管。例如，晶体管314为3.7M欧姆。也可取其它值。

耗尽型NMOS装置323(MN5)作为共发共基放大元件，它防止晶体管306的CGS电容的任何密勒倍增在VOUT产生放大的输出。这使总电路提供异常好的增益和SNR性能。

两个电路级的电隔离允许提供电子器件高通滤波器(HPF)网络(电容器312(C1)和电阻器314(R1)来设定—3dB HPF的有效转角频率)以将第一缓冲级的输出耦合于第二级的输入，同时有效地维持前面列出的所有要求的工作特性。另外，还能提供第二电子器件HPF网络来驱动集成电路的基板并用来将微音器壳体内的离散寄生电容屏蔽和/或排斥在外，从而获得更好的经组装微音器的总SNR性能。

如上所述，只有两个电路节点(例如引脚)用来实现对电路300的外部访问(即在VOUT(节点321)和GND(节点311)提供来自微音器的引脚)。应当理解，为清楚起见，与这两个外部微音器引脚配合使用的静电放电(ESD)保护和电磁干扰(EMI)滤波网络未曾示出。图示出的所有其它电路节点保持在微音器壳体内，节点IN(节点320)连接于从微音器驻极体换能器出来的信号。

因此，提供在助听和其它电子装置中使用二线配置的方法。这些方法也使用完全在微音器机壳内的高通滤波器或其它类型的处理和/或耦合电路，以提高微音器电路和整个装置的性能。另外，制造成本和复杂性降低，并且微音器电路和装置的可靠性提高。此外，当将HPF电路引入本文所述的微音器电路时，该微音器电路享有理想的增益和瞬时过载特性、低噪声、低输出电阻(ROUT)和低功耗。

本发明的较佳实施例在本文中进行了描述，包括发明人实现本发明的最佳模式。应当理解，所给出的实施例仅为示例性的，并且不作为对本发明范围的限制。

Claims (38)

1.一种微音器电路，包括：

第一电路级，所述第一电路级包括至少一个NMOS晶体管并耦合于微音器换能器；

耦合电路，其耦合于所述第一电路级；以及

第二电路级，所述第二电路级经由所述耦合电路从所述第一电路级接收信号并缓冲所述信号。

2.如权利要求1所述的微音器电路，其特征在于，所述第一电路级、第二电路级和耦合电路完全位于微音器机壳内。

3.如权利要求1所述的微音器电路，其特征在于，还包括偏置电路，所述偏置电路耦合于所述第一电路级。

4.如权利要求3所述的微音器电路，其特征在于，还包括从微音器机壳向外延伸并电耦合于所述耦合电路、偏置电路和第二电路级中的至少一个的第一连接部分。

5.如权利要求4所述的微音器电路，其特征在于，还包括从微音器机壳向外延伸并电耦合于所述第一电路级、第二电路级和外部电路接地点中的至少一个的第二连接部分。

6.如权利要求1所述的微音器电路，其特征在于，所述耦合电路包括第一高通滤波器(HPF)电路。

7.如权利要求6所述的微音器电路，其特征在于，所述第一HPF电路包括至少一个电阻器和至少一个电容器。

8.如权利要求6所述的微音器电路，其特征在于，还包括第二HPF电路，所述第二HPF电路驱动微音器电路的基板。

9.如权利要求1所述的微音器电路，其特征在于，所述第二电路级包括至少一个PMOS晶体管。

10.如权利要求1所述的微音器电路，其特征在于，所述第二电路级包括至少一个PNP晶体管。

11.如权利要求1所述的微音器电路，其特征在于，所述第二电路级包括放大电路。

12.如权利要求11所述的微音器电路，其特征在于，所述放大电路包括至少一个NMOS晶体管。

13.如权利要求11所述的微音器电路，其特征在于，所述放大电路包括至少一个NPN晶体管。

14.如权利要求1所述的微音器电路，其特征在于，所述第一电路级至少部分地位于第一集成电路上，而所述第二电路级至少部分地位于第二集成电路上。

15.如权利要求1所述的微音器电路，其特征在于，所述第一电路级和第二电路级位于单块集成电路上。

16.一种微音器缓冲器，包括：

NMOS电路级，所述NMOS电路级耦合于微音器换能器；

第一高通滤波器(HPF)电路级，其耦合于所述NMOS电路级；

PMOS电路级，所述PMOS电路级经由所述第一HPF电路级从所述NMOS电路级接收信号，所述PMOS电路级与所述NMOS电路级电隔离；以及

其中微音器机壳完全包围住所述NMOS电路级、第一HPF电路级和PMOS电路级。

17.如权利要求16所述的微音器缓冲器，其特征在于，还包括从所述微音器机壳向外伸出并电耦合于所述PMOS电路级的输出端的第一连接部分，所述第一连接部分有选择地从外部电源接收电力。

18.如权利要求17所述的微音器缓冲器，其特征在于，还包括从所述微音器机壳向外伸出并电耦合于所述NMOS电路级、PMOS电路级和外部电路接地点的第二连接部分。

19.如权利要求16所述的微音器缓冲器，其特征在于，所述NMOS电路级包括至少一个NMOS晶体管和至少一个偏置电路。

20.如权利要求19所述的微音器缓冲器，其特征在于，至少一个偏置电路用来向至少一个NMOS晶体管提供恒流。

21.如权利要求16所述的微音器缓冲器，其特征在于，所述PMOS电路级包括至少一个PMOS晶体管。

22.如权利要求16所述的微音器缓冲器，其特征在于，所述PMOS电路级包括至少一个PNP晶体管。

23.如权利要求16所述的微音器缓冲器，其特征在于，所述第一HPF电路级包括至少一个电容器和至少一个电阻器。

24.如权利要求16所述的微音器缓冲器，其特征在于，还包括直流(dc)偏置电路，所述dc偏置电路耦合于所述NMOS电路级。

25.如权利要求16所述的微音器缓冲器，其特征在于，所述NMOS电路级至少部分地位于第一集成电路上，而所述PMOS电路级至少部分地位于第二集成电路上。

26.如权利要求16所述的微音器缓冲器，其特征在于，所述NMOS电路级和PMOS电路级位于单块集成电路上。

27.如权利要求16所述的微音器缓冲器，其特征在于，还包括第二HPF电路级，所述第二HPF电路级驱动微音器缓冲器的基板。

28.一种微音器前置放大器，包括：

NMOS电路级，所述NMOS电路级耦合于微音器换能器；

第一高通滤波器(HPF)电路级，其耦合于所述NMOS电路级；

耦合于所述第一HPF电路级的放大电路级，所述放大电路级经由所述第一HPF电路级从NMOS电路级接收和放大信号；

其中所述NMOS电路级、第一HPF电路级和放大电路级完全由微音器机壳所包围。

29.如权利要求28所述的微音器前置放大器，其特征在于，还包括从所述微音器机壳向外伸出并电耦合于所述放大电路级的输出端的第一连接部分，所述第一连接部分有选择地从外部电源接收电力。

30.如权利要求29所述的微音器前置放大器，其特征在于，还包括从微音器机壳向外伸出并电耦合于NMOS电路级、放大电路级和外部电路接地点的第二连接部分。

31.如权利要求28所述的微音器前置放大器，其特征在于，所述NMOS电路级包括至少一个NMOS晶体管和至少一个偏置电路。

32.如权利要求31所述的微音器前置放大器，其特征在于，所述至少一个偏置电路向至少一个NMOS晶体管提供恒流。

33.如权利要求28所述的微音器前置放大器，其特征在于，所述放大电路级包括至少一个NMOS晶体管。

34.如权利要求28所述的微音器前置放大器，其特征在于，所述放大电路级包括至少一个NPN晶体管。

35.如权利要求28所述的微音器前置放大器，其特征在于，所述NMOS电路级至少部分地位于第一集成电路上，而所述放大电路级至少部分地位于第二集成电路上。

36.如权利要求28所述的微音器前置放大器，其特征在于，所述NMOS电路级和PMOS电路级位于单块集成电路上。

37.如权利要求28所述的微音器前置放大器，其特征在于，所述第一HPF电路级包括至少一个电阻器和至少一个电容器。

38.如权利要求7所述的微音器前置放大器，其特征在于，还包括第二HPF电路级，所述第二HPF电路级驱动所述微音器前置放大器的基板。

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