CN101383298A - 发光半导体组件的制造方法 - Google Patents

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CN101383298A CNA2007101480491A CN200710148049A CN101383298A CN 101383298 A CN101383298 A CN 101383298A CN A2007101480491 A CNA2007101480491 A CN A2007101480491A CN 200710148049 A CN200710148049 A CN 200710148049A CN 101383298 A CN101383298 A CN 101383298A
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Inventor
赵自皓
许伯聪
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Everlight Electronics Co Ltd
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Everlight Electronics Co Ltd
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Abstract

本发明公开了一种发光半导体组件的制造方法,包括下述步骤:首先提供一个芯片承载器。再在芯片承载器上涂布粘着剂,并借助粘着剂将发光半导体芯片粘附于芯片承载器上。接着进行真空烘烤工艺流程。

Description

发光半导体组件的制造方法
技术领域
本发明涉及一种发光半导体组件的制造方法,特别是涉及一种发光半导体组件的固晶方法。
背景技术
发光半导体组件具有低耗电量、低发热量、操作寿命长、耐撞击、体积小、反应速度快、无汞以及可发出稳定波长的色光等良好光电特性,随着光电科技的进步,发光半导体组件在提升发光效率、使用寿命以及亮度等方面已有长足的进步,已被视为新世代光源的较佳选择之一。
一般来说发光半导体芯片是利用银胶粘着固定于导线架(Lead Frame)或印刷电路板(Printed circuit Board;PCB)之上。制造发光半导体组件的步骤包括:首先要在导线架预定粘着发光半导芯片的晶粒座上点银胶(此操作称为点胶),然后将发光半导体芯片置放于晶粒座上,借助银胶将发光半导体芯片粘着于导线架上。为了使发光半导体芯片达到较佳的发光功率,通常会在银胶中添加银粉使其具有较佳的散热效果。但是银粉的添加常会使的银胶的粘着力与推力值下降,造成发光二极管的可靠度衰退。为了解决此一问题,一般技术人员多半采用更换银胶材料的方式。但是银胶的价格高,且配方通常掌握于供货商之手,过分依赖特定银胶配方将会使制造成本居高不下,以致产品价格失去竞争力。
因此,寻求制作过程改善方案来取代传统材料置换方法,在兼顾发光半导体组件的可靠度的前提下,达到提高封装体的散热效率与发光功率的目的,已成为相关领域的技术人员长久以来所重视的课题。
发明内容
本发明的目的在于提供一种发光半导体组件的制造方法,改善制作过程来取代传统材料置换方法,在兼顾发光半导体组件的可靠度的前提下,达到提高封装体的散热效率与发光功率的目的,克服公知技术的缺陷。
为了实现上述目的,本发明提供了一种发光半导体组件的制造方法,包括下述步骤:首先提供一个芯片承载器。再在芯片承载器上涂布粘着剂,并借助粘着剂将发光半导体芯片粘附于芯片承载器上。接着进行真空烘烤工艺流程。
根据以上所述的实施例,本发明的技术特征对粘附于芯片承载器上的发光半导体芯片进行真空烘烤工艺流程,在烘烤的同时将烘烤环境进行真空处理,借以在粘着剂尚未干燥成形之前,移除存在于胶体粘着剂中的气泡,以减少干燥成形后的粘着层中的气泡孔洞。同时再利用移出真空环境时的大气压差,来缩小发光半导体芯片与芯片承载器之间的接合空隙。
因此借助上述技术优势,可大幅提升传统银胶粘着剂的粘着力,与导热能力。在不需要更换现有的银胶粘着剂的配方的前提下,以改善制作过程的方式达到上述的发明目的。
下面结合附图和具体实施例对本发明进行详细描述,但不作为对本发明的限定。
附图说明
图1为根据本发明的较佳实施例所绘示的一种发光二极管组件的结构示意图;
图2为根据本发明的较佳实施例所绘示的发光二极管组件的制造流程图;
图3为进行真空烘烤工艺流程所使用的真空烤箱的结构示意图。
其中,附图标记:
100:发光二极管组件        101:芯片承载器
102:晶粒承载座            103:焊垫
104:发光二极管芯片        104a:底面
105:导电支架              106:粘着剂
107:锡膏                  300:烤箱
301:密闭空间              302:真空泵
S21:提供一个芯片承载器
S22:在芯片承载器上涂布粘着剂
S23:借助粘着剂将发光半导体芯片粘附于芯片承载器上
S24:进行真空烘烤工艺流程
具体实施方式
为让本发明的上述和其它目的、特征、优点与实施例能更明显易懂,特提供一种发光二极管组件100的制造方法作为较佳实施例来进行说明。但值得注意的是,以下所公开的技术特征也适用于其它发光半导体组件,例如高功率发光二极管组件或激光二极管组件。
请参考图1,图1为根据本发明的较佳实施例所绘示的一种发光二极管组件100的结构示意图。其中发光二极管组件100包括有一芯片承载器101,以及粘着于芯片承载器101上的发光二极管芯片104。而将发光二极管芯片粘着于芯片承载器101上的粘晶工艺流程可包括下述步骤。
请参考图2,图2为根据本发明的较佳实施例所绘示的发光二极管组件的制造流程图。首先请参考步骤S21:提供一个芯片承载器101。在本发明的一些实施例之中,芯片承载器101是一种导线架(Lead Frame)或印刷电路板(Printed Circuit Board;PCB)。其中芯片承载器101包括有至少一个晶粒承载座102以及数个焊垫103。其中晶粒承载座102用以承载发光二极管芯片104,而数个焊垫103用来与发光二极管芯片104的导电支架105电性连接。
接着请参考图2的步骤S22:在芯片承载器101上涂布粘着剂106,并借助粘着剂106将发光半导体芯片104粘附于芯片承载器101上(请参考步骤S23)。其中将发光半导体芯片104粘附于芯片承载器101的步骤包括:将发光半导体芯片104的底面104a,以粘着剂106粘附于芯片承载器101的晶粒承载座102上;并且将发光半导体芯片104的导电支架105以锡膏107粘附于焊垫103上。在本实施例之中,粘着剂106的材质可为银胶。由于银胶为一般所公知的芯片粘着材料,不在此赘述。
请再参考图2的步骤S24:进行真空烘烤工艺流程,将粘附于芯片承载器101上的发光半导体芯片104放入烤箱中进行烘烤,使粘着剂106和锡膏107干燥成形,借以将发光半导体芯片104固定于芯片承载器101之上。
在本发明的实施例中,真空烘烤工艺流程在可调节温度与真空度的烤箱300中进行。请参考图3,图3为进行真空烘烤工艺流程所使用的真空烤箱300的结构示意图。其中真空烤箱300具有一密闭空间301,且连接有一个真空泵302,借助真空泵302来调节密闭空间301的真空度。
根据以上所述的实施例,本发明的技术特征使用粘着剂将发光半导体晶粘附于芯片承载器上,再将粘附于芯片承载器上的发光半导体芯片放入具有密闭空间并连结有真空泵的真空烤箱中,进行真空烘烤工艺流程。在烘烤的同时,对烤箱的密闭空间进行真空抽器,借以移除存在于尚未干燥的胶体粘着剂中的气泡,以减少干燥形成粘着层后的气泡孔洞。由于移除粘着剂中的气泡孔洞,相对使得干燥后的粘着层密度增加,不仅大幅提升粘着层的推力值与粘着力,同时也降低粘着层的热阻,增进其导热效率。再利用发光半导体组件移出真空环境时的大气压差,来缩小发光半导体芯片与芯片承载器之间的接合空隙。
因此借助上述技术优势,可大幅提升传统银胶的粘着力与导热能力。在不需要更换现有的银胶粘着剂的配方的前提下,以改善工艺流程的方式达到上述的发明目的。
当然,本发明还可有其他多种实施例,在不背离本发明精神及其实质的情况下,熟悉本领域的技术人员可根据本发明作出各种相应的改变和变形,但这些相应的改变和变形都应属于本发明所附的权利要求的保护范围。

Claims (7)

1、一种发光半导体组件的制造方法,其特征在于,包括:
提供一芯片承载器;
在该芯片承载器上涂布一粘着剂;
借助该粘着剂将一发光半导体芯片粘附于该芯片承载器之上;以及
进行一真空烘烤工艺流程。
2、根据权利要求1所述的发光半导体组件的制造方法,其特征在于,该发光半导体组件选自于一发光二极管组件、高功率发光二极管组件、激光二极管组件以及上述组件的组合所组成的一群组。
3、根据权利要求1所述的发光半导体组件的制造方法,其特征在于,该芯片承载器为一导线架或一印刷电路板。
4、根据权利要求1所述的发光半导体组件的制造方法,其特征在于,该粘着剂为一银胶。
5、根据权利要求1所述的发光半导体组件的制造方法,其特征在于,该真空烘烤工艺流程在可调节一温度与一真空度的一烤箱中进行。
6、根据权利要求5所述的发光半导体组件的制造方法,其特征在于,该烤箱具有一密闭空间,且连接有一真空泵,借助该真空泵来调节该密闭空间的该真空度。
7、根据权利要求1所述的发光半导体组件的制造方法,其特征在于,将该发光半导体芯片粘附于该芯片承载器上的步骤,包括:
将该发光半导体芯片的一底面以该粘着剂粘附于该芯片承载器的一晶粒承载座上;以及
将该发光半导体芯片的至少一导电支架以一锡膏粘附于该芯片承载器的一焊垫上。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102760588A (zh) * 2011-04-25 2012-10-31 机智创新股份有限公司 开关及其形成方法

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PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C02 Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001)
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Open date: 20090311