CN101381230B - 低温烧结高介电常数微波介质陶瓷材料及其制备方法 - Google Patents

低温烧结高介电常数微波介质陶瓷材料及其制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN101381230B
CN101381230B CN2008101214765A CN200810121476A CN101381230B CN 101381230 B CN101381230 B CN 101381230B CN 2008101214765 A CN2008101214765 A CN 2008101214765A CN 200810121476 A CN200810121476 A CN 200810121476A CN 101381230 B CN101381230 B CN 101381230B
Authority
CN
China
Prior art keywords
tio
cuo
microwave
hours
preparation
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN2008101214765A
Other languages
English (en)
Other versions
CN101381230A (zh
Inventor
张启龙
杨辉
孙慧萍
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Zhejiang University ZJU
Original Assignee
Zhejiang University ZJU
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Zhejiang University ZJU filed Critical Zhejiang University ZJU
Priority to CN2008101214765A priority Critical patent/CN101381230B/zh
Publication of CN101381230A publication Critical patent/CN101381230A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN101381230B publication Critical patent/CN101381230B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Landscapes

  • Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)

Abstract

本发明公开了一种低温烧结高介电常数微波介质陶瓷材料，其原料组成为[(1-x)(Ca0.61Nd0.26)(Ti1-ySny)O3+x(Li1/2Nd1/2)TiO3]+a(H3BO3-CuO)+b Li2CO3，其中0≤x≤0.7，0≤y≤0.1，0<a≤15％，0≤b≤5％，a、b为占[(1-x)(Ca0.61Nd0.26)(Ti1-ySny)O3+x(Li1/2Nd1/2)TiO3]的重量分数。本发明还公开了该陶瓷材料的制备方法，通过掺加少量低熔点烧结助剂，使陶瓷材料的烧结温度降至850～1100℃，同时保持良好优异的微波介电性能，满足与低成本Ag电极共烧的要求，用于制备多层介质谐振器、微波天线、滤波器等微波器件，可极大地降低微波器件的制备成本。

Description

低温烧结高介电常数微波介质陶瓷材料及其制备方法
技术领域
本发明涉及应用于微波低频段移动通讯系统中的谐振器、滤波器等微波元器件的一种低温烧结高介电常数微波介质陶瓷材料及其制备方法，尤其涉及一种低温烧结(Ca0.61Nd0.26)(Ti，Sn)O3系高介电常数微波介质陶瓷材料及其制备方法，属于电子陶瓷及其制造领域。
背景技术
低温共烧陶瓷(Low Temperature Co-fired Ceramics，LTCC)技术是近年来兴起的一种组件整合技术，已成为目前实现电路中各类微波器件微型化、集成化、模块化和低成本化的首选方式，被广泛应用于军用及民用通讯领域。微波介质陶瓷是LTCC技术的关键材料，其中高介电常数微波介质陶瓷主要用于工作在微波低频段的民用移动通讯系统中的谐振器、滤波器等，具有广阔的市场前景。从器件微型化及降低生产成本等角度出发，LTCC技术要求微波介质陶瓷具有高的介电常数(εr)，并可与熔点较低的Ag或Cu电极在低温下共烧。
目前，国内外对低、中介电常数LTCC微波陶瓷材料已做了大量的研究工作。而对εr大于80的高介电常数低温共烧微波介质陶瓷的研究却相对薄弱。(Ca1-xLn2/3x)TiO3-(Li1/2Ln1/2)TiO3体系(Ln＝Sm，Nd，La)具有较高的介电常数和低谐振频率系数等特点，受到广泛关注。Yoshida M等人在《Japanese Journal ofApplied Physics》1997年36卷6818-6823页发表的“Structure and DielectricProperties of(Ca1-xNd2x/3)TiO3”一文中公开了(Ca1-xNd2x/3)TiO3陶瓷的结构和性能，组分x＝0.39的材料在1300℃烧结，具有最佳的微波性能：εr＝108，Q×f＝17200GHz，τf＝270ppm/℃。为改善(Ca1-xNd2x/3)TiO3陶瓷的谐振频率温度系数τf，Chen H L等人在《Japanese Journal of Applied Physics》2002年49卷5650-5653页发表的“Micro-wave Dielectric Properties and Microstructures ofCa1-xNd2x/3TiO3-Li1/2Nd1/2TiO3Ceramics”一文公开了采用负谐振频率温度系数Li1/2Nd1/2TiO3陶瓷改善Ca1-xNd2x/3TiO3陶瓷谐振频率温度系数的技术方案。组分0.55(Ca0.61Nd0.26)TiO3-0.45Li1/2Nd1/2TiO3在1400℃烧结，其微波介电性能：εr＝101，Q×f＝5300GHz，τf＝+13ppm/℃。Yoon K H等人在《Journal of theEuropean Ceramic Society》2003年23卷2423-2427页发表的“Effect ofB2O3-Li2OOnMicrowave Dielectric Properties of(Ca0.275Sm0.4Li0.25)TiO3Ceramics”一文中报道了一种采用B2O3-Li2O助剂降低烧结温度的方法，通过添加5wt％的B2O3-Li2O助剂将(Ca0.275Sm0.4Li0.25)TiO3陶瓷的烧结温度降至1200℃，其介电性能为：εr＝98.7，Q×f＝5930GHz，τf＝-3.7ppm/℃。Wei C H等人在《Joumal of the American Ceramic Society》2003年86卷93-98页发表的“Low-Fire Processing(Ca1-xNd2x/3)TiO3Microwave Ceramics”的一文中公开了一种通过掺加20～40vol％的3ZnO·2B2O3玻璃助剂，可在850～900℃烧结的技术方案，其介电性能εr＝30～60，Q＝200～550(1～10GHz)，τf＝20～60ppm/℃。由于大量玻璃助剂的引入，其Q×f值大幅度降低。
因此，如何有效降低微波介质陶瓷烧结温度而保持较高的品质因数Q×f值是微波介质陶瓷低温烧结技术领域的一大难题。
发明内容
本发明克服现有助剂降温效果及优良性能难以兼顾的技术难题，提供了一种具有高介电常数(εr>80)、高品质因数Q×f值、谐振频率温度系数τf可调、烧结温度低、能与银电极共烧的低温烧结微波介质陶瓷材料，并提供了相应的制备方法。该材料对生产工艺和设备无特殊要求，便于批量生产和应用推广。
本发明的低温烧结[(1-x)(Ca0.61Nd0.26)(Ti1-ySny)O3+x(Li1/2Nd1/2)TiO3]微波介质陶瓷采用H3BO3-CuO或H3BO3-CuO-Li2CO3作为烧结助剂，降低体系烧结温度，改善其微波介电性能。
一种低温烧结高介电常数微波介质陶瓷材料，其原料组成为：[(1-x)(Ca0.61Nd0.26)(Ti1-ySny)O3+x(Li1/2Nd1/2)TiO3]+a(H3BO3-CuO)+bLi2CO3，其中0≤x≤0.7，0≤y≤0.1，0<a≤15％，0≤b≤5％，a为(H3BO3-CuO)占[(1-x)(Ca0.61Nd0.26)(Ti1-ySny)O3+x(Li1/2Nd1/2)TiO3]的重量百分数，b为Li2CO3占[(1-x)(Ca0.61Nd0.26)(Ti1-ySny)O3+x(Li1/2Nd1/2)TiO3]的重量百分数。
一种低温烧结高介电常数微波介质陶瓷材料的制备方法，包括以下步骤：
(1)将原料碳酸钙、三氧化二钕、二氧化钛和二氧化锡按(Ca0.61Nd0.26)(Ti1-ySny)O3化学式配比来配料，将配制的原料用湿磨法混合至少4小时，采用的溶剂为去离子水，烘干后在1000～1200℃、大气气氛中预烧2～6小时，合成(Ca0.61Nd0.26)(Ti1-ySny)O3，其中0≤y≤0.1；
(2)将原料碳酸锂、三氧化二钕和二氧化钛按(Li1/2Nd1/2)TiO3化学式配比来配料，将配制的原料用湿磨法混合至少4小时，采用的溶剂为去离子水，烘干后在1000～1200℃、大气气氛中预烧2～6小时，合成(Li1/2Nd1/2)TiO3；
(3)将合成的(Ca0.61Nd0.26)(Ti1-ySny)O3、(Li1/2Nd1/2)TiO3、H3BO3、CuO和Li2CO3按[(1-x)(Ca0.61Nd0.26)(Ti1-ySny)O3+x(Li1/2Nd1/2)TiO3]+a(H3BO3-CuO)+bLi2CO3瓷料组成配料，湿磨法混合至少4小时，采用的溶剂为乙醇，烘干，即得到瓷料，其中：0≤x≤0.7，0≤y≤0.1，0<a≤15％，0≤b≤5％，a为(H3BO3-CuO)占[(1-x)(Ca0.61Nd0.26)(Ti1-ySny)O3+x(Li1/2Nd1/2)TiO3]的重量百分数，b为Li2CO3占[(1-x)(Ca0.61Nd0.26)(Ti1-ySny)O3+x(Li1/2Nd1/2)TiO3]的重量百分数；H3BO3与CuO的重量比为10:1；
(4)将步骤(3)制备的瓷料中加入质量浓度为5％的聚乙烯醇(PVA)水溶液(作为粘合剂)造粒，其中聚乙烯醇水溶液占瓷料的重量百分数为5～8％，在80～100MPa压力下压制成直径为18mm、厚度为8～10mm的小圆片，450～600℃排胶，冷却后在850～1100℃烧结2～4小时，即得到低温烧结高介电常数微波介质陶瓷材料。
采用上述配方及制备工艺的本发明，可以得到能在850～1100℃烧结、介电常数εr为80～105、高品质因数Q×f值、谐振频率温度系数可调、能与高电导率、低成本金属银电极共烧的低温烧结高介电常数微波介质陶瓷材料，可用于制备多层介质谐振器、微波天线、滤波器等微波器件。本发明提供的低温烧结(1-x)(Ca，Nd)(Ti，Sn)O3+x(Li1/2Nd1/2)TiO3系高介电常数微波介质陶瓷材料对生产工艺和设备无特殊要求，生产工艺简单、重现性好、成本低，极大地降低了微波器件的制备成本，适用于工业化生产。
具体实施方式
实施例1
将原料碳酸钙、三氧化二钕、二氧化钛和二氧化锡按(Ca0.61Nd0.26)(Ti1-ySny)O3(0≤y≤0.1)化学式配比来配料，将配制的原料用湿磨法(溶剂为去离子水)混合20小时，烘干后在1125℃、大气气氛中预烧3小时，合成(Ca0.61Nd0.26)(Ti1-ySny)O3。
将上述合成的(Ca0.61Nd0.26)(Ti1-ySny)O3、烧结助剂H3BO3、CuO(其中H3BO3与CuO的重量比为10:1)和Li2CO3按[(Ca0.61Nd0.26)(Ti1-ySny)O3+5％(H3BO3-CuO)+0.5％Li2CO3]的瓷料组成配料，湿磨法(溶剂为乙醇)混合12小时，取出烘干，即得到瓷料。
将上述制备的瓷料中加入占瓷料的重量百分数为6％、质量浓度为5％的聚乙烯醇水溶液造粒，在85MPa压力下压制成直径18mm、厚度为9mm的小圆片，在500℃条件下排胶，随炉冷却后在900～1000℃烧结3小时，即可得到低温烧结高介电常数微波介质陶瓷材料。
制备的样品表面用金刚砂抛光后，采用Ailment8719ET(0.05～13.5GHz)网络分析仪，根据Hakki-Coleman测定介电常数εr和品质因数Q×f，谐振频率温度系数采用空腔法测定，由下列公式计算：τf＝(f80-f25)/(f25×55)ppm/℃，其中f80和f25分别是80℃和25℃下的谐振中心频率，在不同温度和y值下制备的材料的微波介电性能如表1所示。
表1 实施例1在不同温度和y值下制备的材料的微波介电性能
y 烧结温度(℃) εr Q×f(GHz) τf(ppm/℃)
0.005 950 97.3 7130 230.4
0.010 950 95.6 7850 203.6
0.020 950 94.2 8215 181.4
0.050 950 93.1 7635 179.5
0.10 950 91.8 5385 177.2
0.020 900 92.3 7655 185.8
0.020 1000 94.5 8310 182.3
实施例2
将原料碳酸钙、三氧化二钕、二氧化钛和二氧化锡按(Ca0.61Nd0.26)(Ti0.98Sn0.02)O3化学式配比来配料，将配制的原料用湿磨法(溶剂为去离子水)混合12小时，烘干后在1050℃、大气气氛中预烧4小时，合成(Ca0.61Nd0.26)(Ti0.98Sn0.02)O3。
将上述合成的(Ca0.61Nd0.26)(Ti0.98Sn0.02)O3、烧结助剂H3BO3和CuO(其中H3BO3与CuO的重量比为10:1)按[(Ca0.61Nd0.26)(Ti0.98Sn0.02)O3+a(H3BO3-CuO)](2％≤a≤14％)的瓷料组成配料，湿磨法(溶剂为乙醇)混合18小时，取出烘干，即得到瓷料。
将上述制备的瓷料中加入占瓷料的重量百分数为6％、质量浓度为5％的聚乙烯醇水溶液造粒，在100MPa压力下压制成直径18mm、厚度为8.5mm的小圆片，在500℃条件下排胶，随炉冷却后在950～1100℃烧结4小时，即可得到低温烧结高介电常数微波介质陶瓷材料。制备的样品按实施例1记载的介电性能测试方法进行测试，在不同温度和a值下制备的材料的微波介电性能如表2所示。
表2  实施例2在不同温度和a值下制备的材料的微波性能
a(％) 烧结温度(℃) εr Q×f(GHz) τf(ppm/℃)
3 1000 81.4 5371 140.1
5 1000 92.2 9250 139.0
8 1000 91.3 9124 138.1
11 1000 86.4 8770 135.0
14 1000 83.3 8490 129.0
5 975 80.6 7900 135.7
5 1050 92.5 9209 138.4
5 1100 92.1 8475 139.6
实施例3
将原料碳酸钙、三氧化二钕、二氧化钛和二氧化锡按(Ca0.61Nd0.26)(Ti0.98Sn0.02)O3化学式配比来配料，将配制的原料用湿磨法(溶剂为去离子水)混合16小时，烘干后在1100℃、大气气氛中预烧4小时，合成(Ca0.61Nd0.26)(Ti0.98Sn0.02)O3。
将上述合成的(Ca0.61Nd0.26)(Ti0.98Sn0.02)O3、烧结助剂H3BO3、CuO(其中H3BO3与CuO的重量比为10:1)和Li2CO3按[(Ca0.61Nd0.26)(Ti0.98Sn0.02)O3+5％(H3BO3-CuO)+bLi2CO3](0.5％≤b≤2％)的瓷料组成配料，湿磨法(溶剂为乙醇)混合16小时，取出烘干，即得到瓷料。
将上述制备的瓷料中加入占瓷料的重量百分数为5％、质量浓度为5％的聚乙烯醇水溶液造粒，在80MPa压力下压制成直径18mm、厚度为10mm的小圆片，在550℃条件下排胶，随炉冷却后在900～975℃烧结4小时，即可得到低温烧结高介电常数微波介质陶瓷材料。制备的样品按实施例1记载的介电性能测试方法进行测试，在不同温度和b值下制备的材料的微波介电性能如表3所示。
表3  实施例3在不同温度和b值下制备的材料的微波性能
b(％) 烧结温度(℃) εr Q×f(GHz) τf(ppm/℃)
0.5 950 94.5 8300 182.6
0.75 950 95.8 8035 180.2
1.00 950 97.8 7548 172.2
1.50 950 99.0 6572 143.8
2.00 950 102 5270 123.9
0.5 925 90.2 8020 181.4
0.5 975 95.3 8271 183.3
实施例4
将原料碳酸钙、三氧化二钕、二氧化钛和二氧化锡按(Ca0.61Nd0.26)(Ti0.98Sn0.02)O3化学式配比来配料，将配制的原料用湿磨法(溶剂为去离子水)混合16小时，烘干后在1100℃、大气气氛中预烧4小时，合成(Ca0.61Nd0.26)(Ti0.98Sn0.02)O3。
将原料碳酸锂、三氧化二钕和二氧化钛按(Li1/2Nd1/2)TiO3化学式配比来配料，将配制的原料用湿磨法(溶剂为去离子水)混合16小时，烘干后在1100℃、大气气氛中预烧4小时，合成(Li1/2Nd1/2)TiO3。
将上述合成的(Ca0.61Nd0.26)(Ti0.98Sn0.02)O3、(Li1/2Nd1/2)TiO3、烧结助剂H3BO3、CuO(其中H3BO3与CuO的重量比为10:1)和Li2CO3按[(1-x)(Ca0.61Nd0.26)(Ti0.98Sn0.02)O3+x(Li1/2Nd1/2)TiO3]+5％(H3BO3-CuO)+0.5％Li2CO3的瓷料组成配料，湿磨法(溶剂为乙醇)混合24小时，取出烘干，即得到瓷料。
将上述制备的瓷料中加入占瓷料的重量百分数为5％、质量浓度为5％的聚乙烯醇水溶液造粒，在95MPa压力下压制成直径18mm、厚度为8mm的小圆片，在500℃条件下排胶，随炉冷却后在850～1000℃烧结4小时，即可得到低温烧结高介电常数微波介质陶瓷材料。制备的样品按实施例1记载的介电性能测试方法进行测试，在不同温度和x值下制备的材料的微波介电性能如表4所示。
表4  实施例4在不同温度和x值下制备的材料的微波性能
x 烧结温度(℃) εr Q×f(GHz) τf(ppm/℃)
0.1 900 94.8 7210 160.5
0.2 900 94.1 5850 132.8
0.4 900 93.0 3917 74.4
0.5 900 90.8 3657 34.0
0.6 900 90.6 3426 9.2
0.7 900 84.1 3254 -40.5
0.6 925 89.7 3579 8.3
0.6 950 90.7 3540 8.6
0.6 975 90.2 3630 7.9
需要指出的是，上述实施例还可以穷尽列举，限于篇幅，这里不再一一列举，根据申请人大量的实验结果证明，在本发明技术方案中所给出的范围内，均可达到本发明的目的。

Claims (3)

1.一种低温烧结高介电常数微波介质陶瓷材料，其原料组成为：[(1-x)(Ca0.61Nd0.26)(Ti1-ySny)O3+x(Li1/2Nd1/2)TiO3]+a(H3BO3-CuO)+bLi2CO3，其中0≤x≤0.7，0≤y≤0.1，0＜a≤15％，0≤b≤5％，a为(H3BO3-CuO)占[(1-x)(Ca0.61Nd0.26)(Ti1-ySny)O3+x(Li1/2Nd1/2)TiO3]的重量百分数，b为Li2CO3占[(1-x)(Ca0.61Nd0.26)(Ti1-ySny)O3+x(Li1/2Nd1/2)TiO3]的重量百分数；
其中H3BO3与CuO的重量比为10∶1。
2.如权利要求1所述的一种低温烧结高介电常数微波介质陶瓷材料，其特征在于：其原料组成为：[0.4(Ca0.61Nd0.26)(Ti0.98Sn0.02)O3+0.6(Li1/2Nd1/2)TiO3]+5％(H3BO3-CuO)+0.5％Li2CO3。
3.如权利要求1所述的一种低温烧结高介电常数微波介质陶瓷材料的制备方法，包括以下步骤：
(1)将原料碳酸钙、三氧化二钕、二氧化钛和二氧化锡按(Ca0.61Nd0.26)(Ti1-ySny)O3化学式配比配料，将配制的原料用湿磨法混合至少4小时，采用的溶剂为去离子水，烘干后在1000～1200℃、大气气氛中预烧2～6小时，合成(Ca0.61Nd0.26)(Ti1-ySny)O3，其中0≤y≤0.1；
(2)将原料碳酸锂、三氧化二钕和二氧化钛按(Li1/2Nd1/2)TiO3化学式配比配料，将配制的原料用湿磨法混合至少4小时，采用的溶剂为去离子水，烘干后在1000～1200℃、大气气氛中预烧2～6小时，合成(Li1/2Nd1/2)TiO3；
(3)将合成的(Ca0.61Nd0.26)(Ti1-ySny)O3、(Li1/2Nd1/2)TiO3、H3BO3、CuO和Li2CO3按[(1-x)(Ca0.61Nd0.26)(Ti1-ySny)O3+x(Li1/2Nd1/2)TiO3]+a(H3BO3-CuO)+bLi2CO3瓷料组成配料，湿磨法混合至少4小时，采用的溶剂为乙醇，烘干，即得到瓷料，其中0≤x≤0.7，0≤y≤0.1，0＜a≤15％，0≤b≤5％，a为(H3BO3-CuO)占[(1-x)(Ca0.61Nd0.26)(Ti1-ySny)O3+x(Li1/2Nd1/2)TiO3]的重量百分数，b为Li2CO3占[(1-x)(Ca0.61Nd0.26)(Ti1-ySny)O3+x(Li1/2Nd1/2)TiO3]的重量百分数；H3BO3与CuO的重量比为10∶1；
(4)将步骤(3)制备的瓷料中加入质量浓度为5％的聚乙烯醇水溶液造粒，其中聚乙烯醇水溶液占瓷料的重量百分数为5～8％，在80～100MPa压力下压制成直径18mm、厚度8～10mm的小圆片，450～600℃排胶，冷却后在850～1100℃烧结2～4小时，即得到低温烧结高介电常数微波介质陶瓷材料。
CN2008101214765A 2008-10-14 2008-10-14 低温烧结高介电常数微波介质陶瓷材料及其制备方法 Active CN101381230B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2008101214765A CN101381230B (zh) 2008-10-14 2008-10-14 低温烧结高介电常数微波介质陶瓷材料及其制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2008101214765A CN101381230B (zh) 2008-10-14 2008-10-14 低温烧结高介电常数微波介质陶瓷材料及其制备方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101381230A CN101381230A (zh) 2009-03-11
CN101381230B true CN101381230B (zh) 2011-10-05

Family

ID=40461315

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2008101214765A Active CN101381230B (zh) 2008-10-14 2008-10-14 低温烧结高介电常数微波介质陶瓷材料及其制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN101381230B (zh)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101613205B (zh) * 2009-07-20 2012-03-28 浙江大学 溶胶-凝胶法低温制备(Ca，Nd)TiO3微波介质陶瓷的方法
CN102584234B (zh) * 2012-03-13 2014-04-16 嘉兴佳利电子股份有限公司 一种环保型低温烧结高介微波介质陶瓷及其制备方法
CN102898135A (zh) * 2012-10-12 2013-01-30 桂林电子科技大学 一种高介电常数微波介质陶瓷材料及其制备方法
CN103467083A (zh) * 2013-08-29 2013-12-25 中国人民解放军国防科学技术大学 低温烧结的高介电常数微波介质陶瓷及其制备方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1609049A (zh) * 2003-10-23 2005-04-27 浙江大学 一种高介电常数低温烧结微波介质陶瓷及其制备方法
CN101172848A (zh) * 2007-10-19 2008-05-07 浙江大学 一种低介电常数低温烧结微波介质陶瓷及其制备方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1609049A (zh) * 2003-10-23 2005-04-27 浙江大学 一种高介电常数低温烧结微波介质陶瓷及其制备方法
CN101172848A (zh) * 2007-10-19 2008-05-07 浙江大学 一种低介电常数低温烧结微波介质陶瓷及其制备方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Hui-Liang Chen等.Microwave dielectric properties and microstructures of Ca1-xNd2x/3TiO3-Li1/2Nd1/2TiO3 ceramics.《Japanese journal of applied physics》.2002,第41卷(第9期),全文. *

Also Published As

Publication number Publication date
CN101381230A (zh) 2009-03-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN100393666C (zh) 环保低温烧结微波介质陶瓷材料及其制备方法
CN100429173C (zh) 低温烧结(Ca,Mg)TiO3系微波介质陶瓷及制备工艺
CN103508730B (zh) 一种低温烧结的巨介陶瓷电容器介质及其制备方法
WO2001083395A1 (en) Low temperature sinterable and low loss dielectric ceramic compositions and method thereof
CN101583579A (zh) 无玻璃微波介电陶瓷及其制法
CN101381230B (zh) 低温烧结高介电常数微波介质陶瓷材料及其制备方法
CN111499187B (zh) 一种在20-60GHz高频频段内具有低损耗和低压电系数d33的玻璃材料
CN103951425B (zh) 一种温度稳定型白钨矿结构微波介质陶瓷及其制备方法
CN103539446B (zh) 一种巨介陶瓷电容器介质及其制备方法
CN104844210B (zh) 温度稳定型低介电常数微波介电陶瓷CaLaV3O10
CN103833351A (zh) 微波介质陶瓷及其制备方法
CN103524127B (zh) 一种高频晶界层陶瓷电容器介质及其制备方法
CN102887708B (zh) 可低温烧结的微波介电陶瓷NaCa2(Mg1-xZnx)2V3O12及制备方法
CN107056277B (zh) 一种低温烧结中介电常数微波介质材料及其制备方法
CN104446376B (zh) 超低介电常数微波介电陶瓷Li2TiB4O9及其制备方法
CN112079631B (zh) 一种近零温度系数低介ltcc材料及其制备方法
KR100842854B1 (ko) 저온 소결용 마이크로파 유전체 세라믹스 및 그 제조방법
CN100522877C (zh) 一种低温烧结Ba3Ti4Nb4O21微波介质陶瓷材料及其制备方法
CN102531568A (zh) 可低温烧结微波介电陶瓷LiBa4Bi3O11及其制备方法
CN105693232A (zh) 温度稳定型超低介电常数微波介电陶瓷CuBi2V2O9
CN102030527B (zh) 一种BaO-TiO 2系微波电容器介质材料及其制备方法
CN104671782A (zh) 一种低损耗超低介电常数微波介电陶瓷Bi2WO6
CN109650886A (zh) 一种Ba-Mg-Ta系LTCC材料及其制备方法
CN113292338B (zh) 一种Ba-Co-V基低介低烧微波陶瓷材料及其制备方法
CN114634353B (zh) 一种低介低损耗近零温漂低温共烧陶瓷材料及其制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant