CN101378248A - 低噪声放大器以及包括该低噪声放大器的调谐器 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种低噪声放大器以及包括该低噪声放大器的调谐器，该低噪声放大器包括：第一有源元件，具有第一端、第二端以及第三端，其中第一端与一输入端连接；第二有源元件，具有第一端、第二端以及第三端，其中第一端与另一输入端连接；第一可调衰减器，其第一端与第一有源元件的第一端连接，而其第二端与第二有源元件的第二端连接；以及第二可调衰减器，其第一端与第一有源元件的第二端连接，而其第二端与第二有源元件的第一端连接。本发明提供了一种新的电路结构，使得本发明的低噪声放大器在调整增益时，可以使阻抗固定在很小的范围中变化，因此可使本发明的低噪声放大器与调谐器能够维持在最佳的阻抗匹配状态。
Description
技术领域
本发明涉及一种低噪声放大器，特别是涉及一种配置于调谐器(tuner)中的低噪声放大器。
背景技术
随着通讯技术及压缩技术的进步，全球的电视广播系统已从模拟电视广播转换成数字电视广播。数字电视广播的变革将带动相关产业的迅速发展，例如数字电视(HDTV)以及机顶盒(Set-Top-Box；STB)。不仅如此，未来更会朝向移动接收数字电视发展，因而使得随时随地接收电视节目不再是梦想，而调谐器电路在数字电视机和机顶盒或未来移动接收系统中都占有举足轻重的地位。
参照图1A，其为一种传统的单转换(single conversion)调谐器的主要部分的示意图，该调谐器可以是一种超外差调谐器。如图1A所示，调谐器100包括滤波器101、低噪声放大器102(Low NoiseAmplifier；LNA)、混频器(mixer)106、本地振荡器110以及滤波器112，其中滤波器101和滤波器122均可以为一种SAW滤波器。调谐器100的天线(图中未示出)将所接收到的射频信号(例如频率范围50-860MHz)经过滤波器101后，送到低噪声放大器102放大，接着，经由一个混频器106以及本地振荡器110(LO)将放大的射频信号降频至中频(IF)范围，例如36MHz，最后，由另一滤波器112来滤除不想要的频道。
接着，参照图1B，其为一种传统的双转换(Dual conversion)调谐器的主要部分的示意图。如图1B所示，调谐器100包括低噪声放大器102、混频器106a、本地振荡器110a、带通滤波器104、混频器106b、本地振荡器110b、以及滤波器112。低噪声放大器102的一端与天线连接，然后将所接收到的射频信号放大。接着，由一个混频器106a以及本地振荡器110a(LO)将放大的射频信号升频至第一中频(IF)，例如1GHz，其中混频器106a的一端与低噪声放大器102的输出端连接，而本地振荡器110a则与混频器106a的另一端连接并提供本地振荡的频率，例如1GHz～2 GHz。然后，带通滤波器104的输入端与混频器106a的输出端连接，用以在滤除噪声后将中频信号由另一端输出。再接着，由另一个混频器106b以及本地振荡器110b将第一中频信号降频至第二中频信号，最后，再由滤波器112将不想要的频道滤除。此外，滤波器112也可以是一频道选择滤波器(Channel Select Filter)，用以去除其它不想要的频道，完成调谐器的功能。很明显地，使用双转换调谐器，即不需要使用多个滤波器来滤除镜面信号。
再接着，参照图1C，其为另一种传统的单转换调谐器的主要部分的示意图。如图1C所示，射频信号经由低噪声放大器102进行放大后，接着将信号分成两个路径，分别送进复频混频器114(Complex Mixer)(或称为双正交混频器(Dual Quadrature Mixer))，其中复频混频器114由多个混频器106组成；同时，一个振荡源111(LO)将振荡信号送入复频混频器114中并混合出I Path和Q Path的低中频正交信号(Quadrature Low IF)，其中正交信号由振荡源111和相位分离(phase separate)电路115(例如除2)来产生正交的相位。接着，再经过另一个IF多相位滤波器113将I Path和Q Path的低中频正交信号转为I Path和Q Path的低中频信号后，再经由频道选择滤波器(图中未示出)滤除不想要的频道，以完成调谐器的功能。
接着，继续参照图1D，其示出了另一种传统的双转换调谐器的主要部分的示意图。如图1D所示，射频信号经由低噪声放大器102进行低噪声放大后，经由第一正交混频器120(QuadratureMixerl)和第一正交本地振荡器117(Quadrature LO1)将频率升频或将频率降频后，再混合出同相信号(IRF)和正相信号(QRF)，然后经过复频混频器122和第二正交本地振荡器119(QuadratureLO2)混合出IIF和QIF的低中频正交信号，再接着，由IF多相位滤波器118将IIF和QIF的低中频正交信号转换为低中频信号后，经由频道选择滤波器(图中未示出)滤除不想要的频道，以完成调谐器的功能。
在上述这些调谐器100中，为了使输入阻抗匹配并且具有好的增益(gain)以及能够降低接收到的射频信号噪声等，低噪声放大器102是一个重要的组件。在现有技术中，例如美国专利US5384501以及美国专利US7081796等均使用一种衰减元件来改善低噪声放大器。如图2A所示，其为美国专利US7081796的低噪声放大器的实施例的示意图，其使用四个NMOS晶体管(324、326、334以及336)作为放大器320，并且使用电感(322、332)作为负载，其特征在于，在放大器320的输出端，即NMOS晶体管324和334的漏极端(Drain)，再连接一个NMOS晶体管340所形成的衰减元件，并使NMOS晶体管340的栅极端(gate)与控制电压(VCNTL)连接，通过对控制电压(VCNTL)进行适当地控制来获得线性增益。此外，如图2B所示，其为另一现有技术的示意图，很明显地，在形成低频放大器的部分，是将一个衰减元件(即NMOS晶体管230)与晶体管210和220的发射极端(emitter)连接，同样的，也是通过对控制电压(VCNTL)进行适当地控制来获得线性增益。
然而，当图2A和图2B的增益改变时，例如调整至最大增益，会造成输入阻抗值变化太大，使得低噪声放大器的输入阻抗无法匹配至最佳化，也因此使得调谐器的回馈损失(回波损耗，return loss)降低，同时也会使宽带信号的噪声抑制能力下降。
为此，本发明提供了一种新的电路结构，使得本发明的低噪声放大器在调整增益时，可以使阻抗固定在很小的范围中变化，因此可使本发明的低噪声放大器与调谐器能够维持在最佳的阻抗匹配状态。
发明内容
鉴于上述问题，为了符合产业上某些利益的需求，本发明的主要目的在于提供一种低噪声放大器，用以提供较佳的宽带输入阻抗匹配(broadband impedance match)。
本发明的另一主要目的在于提供一种低噪声放大器的结构，使宽带噪声最佳化(broadband noise optimum)，并且使得增益和增益平稳度(gain flatness)达到最佳化。
依据上述目的，根据本发明的一个方面，提供了一种低噪声放大器，包括:第一有源元件，具有第一端、第二端以及第三端，其中该第一端与一输入端连接；第二有源元件，具有第一端、第二端以及第三端，其中该第一端与另一输入端连接；第一衰减器，其第一端与该第一有源元件的第一端连接，而其第二端与该第二有源元件的第二端连接；以及第二衰减器，其第一端与该第一有源元件的第二端连接，而其第二端与该第二有源元件的第一端连接。
根据本发明的另一个方面，提供了一种调谐器，其由至少一个滤波器、低噪声放大器、混频器、本地振荡器以及频率选择器组成，其中该低噪声放大器包括:第一有源元件，具有第一端、第二端以及第三端，其中该第一端与一输入端连接；第二有源元件，具有第一端、第二端以及第三端，其中该第一端与另一输入端连接；第一衰减器，其第一端与该第一有源元件的第一端连接，而其第二端与该第二有源元件的第二端连接；以及第二衰减器，其第一端与该第一有源元件的第二端连接，而其第二端与该第二有源元件的第一端连接。
根据本发明的又一方面，提供了一种调谐器，其由至少一个低噪声放大器、第一混频器、第一本地振荡器、滤波器、第二混频器、第二本地振荡器以及频率选择器组成，其中该低噪声放大器包括:第一有源元件，具有第一端、第二端以及第三端，其中该第一端与一输入端连接；第二有源元件，具有第一端、第二端以及第三端，其中该第一端与另一输入端连接；第一衰减器，其第一端与该第一有源元件的第一端连接，而其第二端与该第二有源元件的第二端连接；以及第二衰减器，其第一端与该第一有源元件的第二端连接，而其第二端与该第二有源元件的第一端连接。
根据本发明的又一方面，提供了一种调谐器，其由至少一个低噪声放大器、第一多相位滤波器、双正交混频器、正交振荡器、第二多相位滤波器以及频率选择器组成，其中该低噪声放大器包括:第一有源元件，具有第一端、第二端以及第三端，其中该第一端与一输入端连接；第二有源元件，具有第一端、第二端以及第三端，其中该第一端与另一输入端连接；第一衰减器，其第一端与该第一有源元件的第一端连接，而其第二端与该第二有源元件的第二端连接；以及第二衰减器，其第一端与该第一有源元件的第二端连接，而其第二端与该第二有源元件的第一端连接。
根据本发明的又一方面，提供了一种调谐器，其由至少一个低噪声放大器、正交混频器、第一正交振荡器、双正交混频器、第二正交振荡器、多相位滤波器以及频率选择器组成，其中该低噪声放大器包括:第一有源元件，具有第一端、第二端以及第三端，其中该第一端与一输入端连接；第二有源元件，具有第一端、第二端以及第三端，其中该第一端与另一输入端连接；第一衰减器，其第一端与该第一有源元件的第一端连接，而其第二端与该第二有源元件的第二端连接；以及第二衰减器，其第一端与该第一有源元件的第二端连接，而其第二端与该第二有源元件的第一端连接。
附图说明
图1A～图1D为现有技术中调谐器的示意图；
图2A～图2B为现有技术中低噪声放大器的示意图；
图3A～图3B为本发明的低噪声放大器的示意图；
图4A～图4B为本发明的低噪声放大器的另一实施例的示意图；以及
图5是本发明的低噪声放大器的又一实施例的示意图。
具体实施方式
本发明在此所讨论的主题为一种用于宽带调谐器的低噪声放大器。为了能彻底地了解本发明，将在下列的描述中提出详尽的步骤及其组成。显然地，本发明的实施并不限于宽带调谐器领域的普通技术人员的特殊细节。另一方面，众所周知的宽带调谐器以及低噪声放大器的详细结构并未描述于细节中，以避免造成对本发明不必要的限制。然而本发明的优选实施例将详细描述如下，而除了这些详细描述之外，本发明还可以广泛地用于其它的实施例中，并且本发明的范围不限于此，而是以所附的权利要求的范围为准。
首先，参照图3A，其为本发明的低噪声放大器的电路示意图。如图3A所示，低噪声放大器1至少由第一有源元件10、第二有源元件12以及多个可调衰减器(adjustable attenuation device)20、22组成。在低噪声放大器1中的每一个有源元件均包括第一端、第二端以及第三端。在本实施例中，这些有源元件为双极性晶体管(BJT)，其第一端为基极端(base)、第二端为发射极端(emitter)以及第三端为集电极端(collector)。另外，可调衰减器20、22可以是一个两端元件，例如:电阻、电感、电容、二极管或前述元件的任意组合；同时，该可调衰减器也可以是一个三端元件，例如:双极性晶体管(BJT)、场效应晶体管(FET)、金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)或互补金属氧化物半导体晶体管(CMOS)等元件。
继续参照图3A，第一有源元件10和第二有源元件12的基极端均与输入端连接，用以接收经由调谐器的天线所馈入(feedthrough)的宽带射频信号，而当第一可调衰减器20为一种二端元件时，其第一端与第一有源元件10的基极端连接，而其另一端则与第二有源元件12的发射极端连接；另外，当第二可调衰减器22也为一种二端元件时，其第一端与第二有源元件12的基极端连接，而其另一端则与第一有源元件10的发射极端连接。很明显地，当调整或改变第一有源元件10基极端的电压(VB1)以及第二有源元件12发射极端的电压(VE2)时，可以改变可调衰减器20的阻抗(impedence)；而当调整或改变第一有源元件10发射极端的电压(VE1)以及第二有源元件12基极端的电压(VB2)时，可以改变可调衰减器22的阻抗。因此，当本发明的低噪声放大器中的第一有源元件10和第二有源元件12的增益被调整时，例如使用功率管理装置来调整低噪声放大器的增益时，可以通过第一可调衰减器20和第二可调衰减器22的连接，使低噪声放大器1的输入阻抗能够在一个很小的范围中变化，例如，输入阻抗可以固定在50±2Ω的范围中变化。因此本发明的低噪声放大器与调谐器能够维持在最佳的阻抗匹配状态。当然，在输入信号经由调谐器的天线送到低噪声放大器1之前，也可以选择先经过一个放大电路(图中未示出)，例如一种自动增益控制电路(AGC Circuit)。
此外，为了可以进一步地调整输入阻抗的匹配，本实施例中的可调衰减器20、22均可以选择具有调整功能的元件，例如可变电阻、可变电容、可变电感等。另外，在第一有源元件10和第二有源元件12的第三端，例如集电极端，则可以进一步与两端元件(图中未示出)连接，作为低噪声放大器1中的负载，其中该两端元件可以是电阻、电感、电容、二极管或前述元件的任意组合。
接着，参照图3B，其为本发明的低噪声放大器另一实施例的电路示意图。低噪声放大器1的第一有源元件10和第二有源元件12的基极端均与输入端连接，用以接收经由调谐器的天线所馈入的宽带射频信号，而当第一可调衰减器20为一种三端元件时(例如一个BJT)，其第三端(例如集电极端)与第一有源元件10的基极端连接，而其第二端(例如发射极端)则与第二有源元件12的发射极端连接，其第一端(例如基极端)则与一个可以调整电压的电压控制端(Vctl1)连接。此外，当第二可调衰减器22也为一种三端元件时(例如一个BJT)，其第三端(例如集电极端)与第二有源元件12的基极端连接，而其第二端(例如集电极端)则与第一有源元件10的发射极端连接，其第一端(例如基极端)则与一个可以调整电压的电压控制端(Vctl2)连接。很明显地，当将第一有源元件10基极端的电压(VB1)以及第二有源元件12发射极端的电压(VE2)调整或改变至固定的值时，通过调整可调衰减器20的电压控制端(Vctl1)的电压值，即可以改变可调衰减器20的阻抗；同样地，当将第二有源元件12基极端的电压(VB2)以及第一有源元件10发射极端的电压(VE1)调整或改变至一固定的值时，通过调整可调衰减器22的电压控制端(Vctl2)的电压值，即可以改变可调衰减器22的阻抗。如此，通过可调衰减器20或可调衰减器22的连接，使得低噪声放大器1的输入阻抗能够在一个很小的范围中变化，例如，输入阻抗可以固定在75±5Ω的范围中变化，因此本发明的低噪声放大器与调谐器能够维持在最佳的阻抗匹配状态。当然，在输入信号经由调谐器的天线送到低噪声放大器1之前，也可以选择先经过一个放大电路(图中未示出)，例如一种自动增益控制电路。
此外，为了可以进一步地调整输入阻抗的匹配，本实施例中的可调衰减器20以及可调衰减器22均可以选择双极性晶体管、场效应晶体管、金属氧化物半导体场效应晶体管或互补金属氧化物半导体晶体管等元件。同时，在一优选实施例中，电压控制端(Vctl1、Vctl2)的电压值选择为零电压。而在第一有源元件10以及第二有源元件12的第三端，例如，集电极端，则可以进一步与两端元件(图中未示出)连接，作为低噪声放大器1中的负载，其中该两端元件可以是电阻、电感、电容、二极管或前述元件的任意组合。
另外，在本发明图3A和图3B中的第一可调衰减器20和第二可调衰减器22也可以选择使用多个相互并联的元件来形成，也就是说，第一可调衰减器20和第二可调衰减器22可以由多个相互并联的可调衰减器来形成。
接着，参照图4A，其为本发明的低噪声放大器的又一实施例的电路示意图。如图4A所示，低噪声放大器2至少由第一有源元件30、第二有源元件32以及多个可调衰减器40、42组成，其中有源元件(30；32)可以为场效应晶体管(FET)、金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)或互补金属氧化物半导体晶体管(CMOS)等元件，因此其第一端为栅极端(gate)、第二端为源极端(source)以及第三端为漏极端(drain)。另外，可调衰减器可以是一个两端元件，例如:电阻、电感、电容、二极管或前述元件的任意组合；同时，该可调衰减器可以是一个三端元件，例如:双极性晶体管、场效应晶体管、金属氧化物半导体场效应晶体管或互补金属氧化物半导体晶体管等元件。
很明显地，本实施例与图3A和图3B中的电路连接结构是相同的，仅是将图3A和图3B中的每一有源元件由BJT换成FET、MOSFET或CMOS，而在本实施例中，使用NMOS来说明该有源元件。
如图4A所示，第一有源元件30以及第二有源元件32的栅极端均与输入端连接，用以接收经由调谐器的天线所馈入的宽带射频信号，而当第一可调衰减器40为一种二端元件时，其第一端与第一有源元件30的栅极端(VG1)连接，而其另一端则与第二有源元件32的源极端(VS2)连接；另外，当第二可调衰减器42也为一种二端元件时，其第一端与第二有源元件32的栅极端(VG2)连接，而其另一端则与第一有源元件30的源极端(VS1)连接。很明显地，本发明的低噪声放大器2的增益被调整时，例如使用一功率管理装置来调整低噪声放大器的增益时，可以通过第一可调衰减器40和第二可调衰减器42的连接，使低噪声放大器2的输入阻抗能够在一个很小的范围中变化，例如:输入阻抗可以固定在50±2Ω的范围中变化。因此本发明的低噪声放大器与调谐器能够维持在最佳的阻抗匹配状态。当然，在输入信号经由调谐器的天线送到低噪声放大器2之前，也可以选择先经过一个放大电路(图中未示出)，例如一种自动增益控制电路。
此外，为了可以进一步地调整输入阻抗的匹配，本实施例中的可调衰减器40和可调衰减器42均可以选择具有调整功能的元件，例如:可变电阻、可变电容或可变电感等。而在第一有源元件30和第二有源元件32的第三端，例如漏极端，则可以进一步与两端元件(图中未示出)连接，作为低噪声放大器2中的负载，其中该两端元件可以是电阻、电感、电容、二极管或前述元件的任意组合。
接着，参照图4B，其为本发明的低噪声放大器另一实施例的电路示意图。低噪声放大器2的第一有源元件30和第二有源元件32的栅极端均与输入端连接，用以接收经由调谐器的天线所馈入的宽带射频信号，而当第一可调衰减器40为一种三端元件时(例如一个NMOS)，其第三端(例如漏极端)与第一有源元件30的栅极端(VG1)连接，而其第二端(例如源极端)则与第二有源元件32的源极端(VS2)连接，其第一端(例如栅极端)则与一个可以调整的电压控制端(Vctl1)连接。此外，当第二可调衰减器42也为一种三端元件时(例如一个NMOS)，其第三端(例如漏极端)与第二有源元件32的栅极端(VG2)连接，而其第二端(例如源极端)则与第一有源元件30的源极端(VS1)连接，其第一端(例如栅极端)则与一个可以调整的电压控制端(Vctl2)连接。很明显地，当将第一有源元件30栅极端的电压(VG1)以及第二有源元件42源极端的电压(VS2)调整或改变至一固定的电压值时，同时，再将第一可调衰减器40的电压控制端(Vctl1)调整至适当的电压值后，即可以改变可调衰减器40的阻抗；而当调整或改变第一有源元件30源极端的电压(VS1)以及第二有源元件32栅极端的电压(VG2)，同时，再将第二可调衰减器42的电压控制端(Vctl2)调整至适当的电压值后，即可以改变可调衰减器42的阻抗。因此，通过可调衰减器40或可调衰减器42的连接，使得低噪声放大器2的输入阻抗能够在一个很小的范围中变化，例如:输入阻抗可以固定在75±5Ω的范围中变化，因此本发明的低噪声放大器与调谐器能够维持在最佳的阻抗匹配状态。当然，在输入信号经由调谐器的天线送到低噪声放大器2之前，也可以选择先经过一个放大电路(图中未示出)，例如一种自动增益控制电路。
此外，为了可以进一步的调整输入阻抗的匹配，本实施例中的可调衰减器40、42均可以选择双极性晶体管、场效应晶体管、金属氧化物半导体场效应晶体管或互补金属氧化物半导体晶体管等元件。同时，在一优选实施例中，电压控制端(Vctl1、Vctl2)的电压值选择为零电压。而在第一有源元件30以及第二有源元件32的第三端，例如:漏极端，则可以与两端元件(图中未示出)连接，作为低噪声放大器2中的负载，其中该两端元件可以是电阻、电感、电容、二极管或前述元件的任意组合。
另外，在本发明图4A和图4B中的第一可调衰减器40和第二可调衰减器42也可以选择使用多个相互并联的元件来形成，也就是说，第一可调衰减器40和第二可调衰减器42可以由多个相互并联的可调衰减器来形成。
再接着，参照图5，其为本发明的低噪声放大器另一实施例的电路示意图。如图5所示，低噪声放大器3至少由一个第一有源元件30、一个第二有源元件32、一个第三有源元件34、一个第四有源元件36以及多个可调衰减器40、42组成，其中有源元件可以为场效应晶体管(FET)、金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)或互补金属氧化物半导体晶体管(CMOS)等元件，因此其第一端为栅极端、第二端为源极端以及第三端为漏极端。另外，可调衰减器可以是一个两端元件，例如:电阻、电感、电容、二极管或前述元件的任意组合；同时，该可调衰减器可以是一个三端元件，例如，双极性晶体管、场效应晶体管、金属氧化物半导体场效应晶体管或互补金属氧化物半导体晶体管等元件。
很明显地，本实施例与图4A以及图4B中的电路连接结构是相同的，仅是在图4A和图4B中的每一有源元件30、32上再各自连接一有源元件34、36，其中有源元件30的第三端(漏极端)与有源元件34的第二端(源极端)连接，此外，有源元件34的第三端(漏极端)则与一负载元件连接，而有源元件34的第一端(栅极端)则与接地点连接。同样地，有源元件32的第三端(漏极端)与有源元件36的第二端(源极端)连接，有源元件36的第三端(漏极端)则与一负载元件连接，而有源元件36的第一端(栅极端)则与接地点连接。通过增加有源元件34和有源元件36，可进一步增加低噪声放大器的输出阻抗。
同理，在本发明的图3A和图3B的实施例中，也可以在有源元件10、12上再各自连接一有源元件，当然，该新增加的有源元件可以是双极性晶体管、场效应晶体管、金属氧化物半导体场效应晶体管或互补金属氧化物半导体晶体管等元件。由于电路结构和操作过程均相同，在此不再赘述。
另外，要强调的是，由于半导体制程技术的进步，已可以将上述低噪声放大器的电路形成于晶圆(wafer)上，使得调谐器可以达到芯片化。同时，本发明中的低噪声放大器均可用来代替调谐器100(如图1A至图1D的现有技术)中的低噪声放大器102，通过适当的偏压设计，可以使得加入本发明的低噪声放大器的调谐器具有良好的阻抗匹配度，也可以提高电路的噪声抑制能力。
显然地，依照上述实施例中的描述，本发明可能有许多修改和变化。因此需要在其所附权利要求所限定的范围内加以理解，除了上述详细的描述外，本发明还可以广泛地在其它的实施例中实施。上述仅为本发明的优选实施例，并非用以限定本发明权利要求的范围；凡其它不脱离本发明所披露的精神下所进行的等同改变或修饰，均应包含在所附的权利要求的范围内。
主要组件符号说明
1、2、3 低噪声放大器 10、12 有源元件
20、22 可调衰减器 30、32、34、36 有源元件
40、42 有源元件 100 调谐器
101 滤波器 102 低噪声放大器
104 滤波器 105 多相位滤波器
106 混频器 110 本地振荡器
111 正交振荡源 112 滤波器
114 复频混频器(双正交混频器)
115 相位分离电路 116 频道选择滤波器
117 正交本地振荡器 118 多相位滤波器
119 正交本地振荡器 120 正交混频器
122 复频混频器(双正交混频器)
210、220 晶体管 230 衰减元件
320 放大器 322 电感
324、326 NMOS晶体管 330 放大器
332 电感 334、336 NMOS晶体管
340 衰减元件
Claims (10)
1.一种低噪声放大器(LNA)，包括:
第一有源元件，具有第一端、第二端以及第三端，其中所述第一端与一输入端连接；
第二有源元件，具有第一端、第二端以及第三端，其中述第一端与另一输入端连接；
第一可调衰减器，其第一端与所述第一有源元件的第一端连接，而其第二端与所述第二有源元件的第二端连接；
第二可调衰减器，其第一端与所述第一有源元件的第二端连接，而其第二端与所述第二有源元件的第一端连接。
2.根据权利要求1所述的低噪声放大器，其中，所述第一有源元件和所述第二有源元件可从下列组合中选择:双极性晶体管、场效晶体管、金属氧化物半导体晶体管或互补金属氧化物半导体晶体管。
3.根据权利要求1所述的低噪声放大器，其中，所述第一可调衰减器和所述第二可调衰减器可从下列组合中选择:电阻、电感、电容、二极管(或前述元件的任意组合。
4.根据权利要求1所述的低噪声放大器，其中，所述第一可调衰减器和所述第二可调衰减器均为三端有源元件。
5.根据权利要求1所述的低噪声放大器，其进一步包括至少一个相互并联的所述第一可调衰减器和至少一个相互并联的所述第二可调衰减器。
6.根据权利要求1所述的低噪声放大器，其进一步包括:
第三有源元件，所述第三有源元件的第二端与所述第一有源元件的所述第三端连接，而所述第三有源元件的第三端与负载元件连接；以及
第四有源元件，所述第四有源元件的第二端与所述第二有源元件的所述第三端连接，而所述第四有源元件的第三端与负载元件连接。
7.一种调谐器，由至少一个滤波器、低噪声放大器、混频器、本地振荡器以及频率选择器组成，其特征在于，所述低噪声放大器包括:
第一有源元件，具有第一端、第二端以及第三端，其中所述第一端与一输入端连接；
第二有源元件，具有第一端、第二端以及第三端，其中所述第一端与另一输入端连接；
第一可调衰减器，其第一端与所述第一有源元件的第一端连接，而其第二端与所述第二有源元件的第二端连接；
第二可调衰减器，其第一端与所述第一有源元件的第二端连接，而其第二端与所述第二有源元件的第一端连接。
8.一种调谐器，由至少一个低噪声放大器、第一混频器、第一本地振荡器、滤波器、第二混频器、第二本地振荡器以及频率选择器组成，其特征在于，所述低噪声放大器包括:
第一有源元件，具有第一端、第二端以及第三端，其中所述第一端与一输入端连接；
第二有源元件，具有第一端、第二端以及第三端，其中所述第一端与另一输入端连接；
第一可调衰减器，其第一端与所述第一有源元件的第一端连接，而其第二端与所述第二有源元件的第二端连接；
第二可调衰减器，其第一端与所述第一有源元件的第二端连接，而其第二端与所述第二有源元件的第一端连接。
9.一种调谐器，由至少一个低噪声放大器、第一多相位滤波器、双正交混频器、正交振荡器、第二多相位滤波器以及频率选择器组成，其特征在于，所述低噪声放大器包括:
第一有源元件，具有第一端、第二端以及第三端，其中所述第一端与一输入端连接；
第二有源元件，具有第一端、第二端以及第三端，其中所述第一端与另一输入端连接；
第一可调衰减器，其第一端与所述第一有源元件的第一端连接，而其第二端与所述第二有源元件的第二端连接；
第二可调衰减器，其第一端与所述第一有源元件的第二端连接，而其第二端与所述第二有源元件的第一端连接。
10.一种调谐器，由至少一个低噪声放大器、正交混频器、第一正交振荡器、双正交混频器、第二正交振荡器、多相位滤波器以及频率选择器组成，其特征在于，所述低噪声放大器包括:
第一有源元件，具有第一端、第二端以及第三端，其中所述第一端与一输入端连接；
第二有源元件，具有第一端、第二端以及第三端，其中所述第一端与另一输入端连接；
第一可调衰减器，其第一端与所述第一有源元件的第一端连接，而其第二端与所述第二有源元件的第二端连接；
第二可调衰减器，其第一端与所述第一有源元件的第二端连接，而其第二端与所述第二有源元件的第一端连接。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CNA2007101425649A CN101378248A (zh) | 2007-08-29 | 2007-08-29 | 低噪声放大器以及包括该低噪声放大器的调谐器 |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CNA2007101425649A CN101378248A (zh) | 2007-08-29 | 2007-08-29 | 低噪声放大器以及包括该低噪声放大器的调谐器 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN101378248A true CN101378248A (zh) | 2009-03-04 |
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ID=40421622
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CNA2007101425649A Pending CN101378248A (zh) | 2007-08-29 | 2007-08-29 | 低噪声放大器以及包括该低噪声放大器的调谐器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
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Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102611394A (zh) * | 2011-01-20 | 2012-07-25 | 联芯科技有限公司 | 低噪声放大器及具有该低噪声放大器的前端系统 |
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| WO2018049956A1 (zh) * | 2016-09-19 | 2018-03-22 | 深圳创维数字技术有限公司 | Rf信号处理电路及机顶盒 |
| CN108599800A (zh) * | 2018-03-30 | 2018-09-28 | 深圳市盛路物联通讯技术有限公司 | 基于pifa天线和集总参数匹配型的物联网射频电路及终端 |
| CN112511879A (zh) * | 2020-12-09 | 2021-03-16 | 江苏银河数字技术有限公司 | 一种家居多通道智能机顶盒系统 |
-
2007
- 2007-08-29 CN CNA2007101425649A patent/CN101378248A/zh active Pending
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| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C02 | Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001) | ||
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Open date: 20090304 |