CN101377593A - 液晶显示装置 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种液晶显示装置。防止在3点视角进行点反转驱动的TN方式液晶显示装置的夹着图像信号线的像素电极之间的漏光。在第一基板(SUB1)的图像信号线(DL)的两侧形成像素电极(PX)，像素电极(PX)的端部与图像信号线(DL)重叠。在第二基板(SUB2)中，在与图像信号线(DL)对应的部分形成黑色矩阵(BM)。通过使黑色矩阵(BM)和图像信号线(DL)相对于像素电极(PX)与像素电极(PX)之间的间隙(G)向左侧错开，从而可防止由像素电极(PX)之间的横向电场产生的向错线(DS)所引起的漏光。

Description

液晶显示装置

技术领域

本发明涉及液晶显示装置，尤其涉及针对点反转驱动法或每列反转驱动法中的漏光而采取了对策的液晶显示装置。

背景技术

在液晶显示装置中，第二基板与第一基板相对且第一基板和第二基板之间夹持有液晶，其中，第一基板上呈矩阵状形成有像素电极和薄膜晶体管(TFT)等，第二基板的与像素电极对应的部位上形成有滤色片等。通过对每一像素控制基于液晶分子的光透射率来形成图像。

在第一基板上存在纵向延伸且横向排列的图像信号线、和横向延伸且纵向排列的扫描线，在由图像信号线和扫描线围成的区域上形成像素。像素主要由像素电极和作为开关元件的薄膜晶体管(TFT)构成。如此由形成为矩阵状的许多像素来形成显示区域。

液晶显示装置的驱动方法包括帧反转驱动、行反转驱动、点反转驱动、每列反转驱动等。其中，点反转驱动的图像质量优异，因此用于中型以上的监示器和电视机等。液晶显示模式中最普及的是TN方式。TN方式的液晶显示元件，使与基板平行取向的正性液晶分子在相对的两张基板之间旋转90度，通过电场的ON、OFF来切换液晶分子使其相对于基板平行、垂直取向，从而能够使光的旋光状态发生变化，显示出明暗。TN方式的液晶显示元件制作容易，但相反，存在视场角较窄等问题。

另一方面，在TN方式中，有时在像素电极的周边发生液晶取向紊乱的现象、或产生反向倾斜区域。这样的取向紊乱或反向倾斜区域会产生从背光源漏光而使对比度降低。作为针对这种现象而采取的对策，有日本特开平2004-246280号公报或日本特开平10-104664号公报。在日本特开平2004-348130号公报中记载了如下内容，即，在欲使液晶取向为基板垂直方向的所谓VA方式液晶显示装置中，由于在夹着图像信号线的像素之间产生的横向电场，像素周边的液晶发生取向紊乱而产生纹理(texture)、漏光。

发明内容

在TN方式中，从某一特定方向看时，由于液晶分子的折射率发生急剧变化而出现灰阶反转，即产生图像浓淡反转的现象。因此，通常使使用频度较少的方向成为灰阶反转的方向。例如，对笔记本PC那样的监示器，将其上方向(12点(钟)方向)设为灰阶易于反转方向，将其下方向(6点(钟)方向)设为灰阶难以反转方向，或者反过来，将其下方向(6点方向)设为灰阶易于反转方向，将其上方向(12点方向)设为灰阶难以反转方向。

在液晶显示装置的大多数用途中，与PC相同，灰阶易于反转方向为12点方向或6点方向。此时，在左右方向、即3点(钟)、9点(钟)方向上，视场角对称。通过在偏振片上贴附视场角扩大膜，能够扩大视场角。但是，根据用途不同，有时灰阶易于反转方向为3点方向或9点方向。此时，液晶分子的初始取向状态例如相对于图像信号线的延伸方向变化了90度。

对于上述的驱动方法，若从关注于相邻像素的电位的方面考虑，则帧反转驱动与行反转驱动在扫描线延伸方向上相邻的像素电位始终为相同极性，而与此不同，点反转驱动和每列反转驱动在扫描线延伸方向上相邻的像素电位总是相反极性。即，若一方像素为正极性，则相邻的另一方为负极性。因此，相邻像素之间总是被施加横向电场。由于该横向电场打乱液晶分子的所希望的取向、即打乱纵向电场确定的取向，因此，在黑显示时会发生漏光。

在灰阶易于反转方向为3点方向或9点方向时，上述现象显著发生。本发明的目的在于得到如下结构：特别使灰阶易于反转方向为3点方向或9点方向的液晶显示装置在点反转驱动或每列反转驱动的情况下，不会在黑显示时发生漏光。

本发明是为解决上述问题而作出的，具体技术方案如下所示。

(1)一种液晶显示装置，在第一基板和第二基板之间夹持有液晶，对上述第一基板和上述第二基板实施摩擦处理以使灰阶反转在3点或9点的方向上难以产生，该液晶显示装置是进行点反转驱动或每列反转驱动的TN方式液晶显示装置，其特征在于：

在上述第一基板上第一像素电极和第二像素电极夹着图像信号线而在3点或9点方向上隔着间隔而配置，上述图像信号线与上述第一像素电极和上述第二像素电极重叠，上述图像信号线与上述第一像素电极的重叠量大于上述图像信号线与上述第二像素电极的重叠量，

在上述第二基板上形成遮光膜，上述遮光膜与上述第一像素电极和上述第二像素电极重叠，上述遮光膜与上述第一像素电极的重叠量大于上述遮光膜与上述第二像素电极的重叠量，

在上述第一像素电极一侧，上述遮光膜伸出到上述图像信号线的外侧，在上述第二像素电极一侧，上述图像信号线伸出到上述遮光膜的外侧。

(2)在上述(1)的液晶显示装置中，其特征在于：

在上述第一像素电极一侧产生反向倾斜区域，上述反向倾斜区域被上述图像信号线和上述遮光膜覆盖。

(3)一种液晶显示装置，在第一基板和第二基板之间夹持有液晶，对上述第一基板和上述第二基板实施摩擦处理以使灰阶反转在3点或9点的方向上难以产生，该液晶显示装置是进行点反转驱动或每列反转驱动的TN方式液晶显示装置，其特征在于：

在上述第一基板上图像信号线整体上沿与12点方向平行的第一方向延伸、并沿与3点方向平行的第二方向排列，扫描线沿上述第二方向延伸、并沿上述第一方向排列，在由上述图像信号线和上述扫描线围成的区域形成包括像素电极的像素，

上述图像信号线和上述像素电极在上述像素内弯曲，关于上述弯曲的像素电极的边与上述第一方向所形成的角度，在上述液晶从上述第二基板向上述第一基板逆时针扭转时，在上述弯曲部的一侧上述所成角度为顺时针10度以上45度以下，在上述弯曲部的另一侧上述所成角度为逆时针15度以上45度以下，在上述液晶从上述第二基板向上述第一基板顺时针扭转时，在上述弯曲部的一侧上述所成角度为顺时针15度以上45度以下，在上述弯曲部的另一侧上述所成角度为逆时针10度以上45度以下，

上述像素电极与上述图像信号线重叠，在上述图像信号线的上述弯曲部处的上述重叠量大于其他部分的上述重叠量。

(4)在上述(3)的液晶显示装置中，其特征在于：

关于上述弯曲的像素电极的边与上述第一方向所形成的角度，在上述液晶从上述第二基板向上述第一基板逆时针扭转时，在上述弯曲部的一侧上述所成角度为顺时针10度以上25度以下，在上述弯曲部的另一侧上述所成角度为逆时针15度以上25度以下，在上述液晶从上述第二基板向上述第一基板顺时针扭转时，在上述弯曲部的一侧上述所成角度为顺时针15度以上25度以下，在上述弯曲部的另一侧上述所成角度为逆时针10度以上25度以下。

(5)一种液晶显示装置，在第一基板和第二基板之间夹持有液晶，对上述第一基板和上述第二基板实施摩擦处理以使灰阶反转在3点或9点的方向上难以产生，该液晶显示装置是进行点反转驱动或每列反转驱动的TN方式液晶显示装置，其特征在于：

在上述第一基板上图像信号线整体上沿与12点方向平行的第一方向延伸、并沿与3点方向平行的第二方向排列，扫描线沿上述第二方向延伸、并沿上述第一方向排列，在由上述图像信号线和上述扫描线围成的区域形成包括像素电极的像素，

上述像素电极与上述图像信号线重叠，上述图像信号线和上述像素电极在上述像素内相对于上述第一方向朝同一方向倾斜，关于上述图像信号线和上述像素电极的边与上述第一方向所形成的角度，在上述液晶从上述第二基板向上述第一基板逆时针扭转时，上述所成角度为顺时针10度以上45度以下、或逆时针15度以上45度以下，在上述液晶从上述第二基板向上述第一基板顺时针扭转时，上述所成角度为顺时针15度以上45度以下、或逆时针10度以上45度以下，

(6)在上述(5)的液晶显示装置中，其特征在于：

关于上述图像信号线和上述像素电极的边与上述第一方向所形成的角度，在上述液晶从上述第二基板向上述第一基板逆时针扭转时，上述所成角度为顺时针10度以上25度以下，在上述液晶从上述第二基板向上述第一基板顺时针扭转时，上述所成角度为逆时针10度以上25度以下。

(7)在上述(5)的液晶显示装置中，其特征在于：

关于上述图像信号线和上述像素电极的边与上述第一方向所形成的角度，在上述液晶从上述第二基板向上述第一基板逆时针扭转时，上述所成角度为逆时针15度以上25度以下，在上述液晶从上述第二基板向上述第一基板顺时针扭转时，上述所成角度为顺时针15度以上25度以下。

(8)在上述(1)至(7)中任意一项所述的液晶显示装置中，其特征在于：

上述液晶的介电各向异性为6以下、且大于0。

根据本发明的第一技术方案，在利用图像信号线和遮光膜防止因取向紊乱引起的漏光的结构中，有效地对产生反向倾斜区域的一侧进行遮挡，并考虑到图案形成精度、基板重合精度来设定图像信号线和遮光膜的位置关系，因此能够得到明亮、且对比度优异的点反转驱动或每列反转驱动的TN式液晶显示装置。

根据本发明的另一技术方案，由于使像素电极和图像信号线在像素内弯曲，因此能够减轻以反向倾斜区域为首的取向紊乱，能够减小图像信号线与像素电极的重叠量。由此，能够得到明亮、且对比度优异的点反转驱动或每列反转驱动的TN式液晶显示装置。

根据本发明的又一技术方案，由于使像素电极和图像信号线在像素内向同一方向倾斜、并确定倾斜角度，因此能够减轻以反向倾斜区域为首的取向紊乱，能够减小用于防止漏光的图像信号线与像素电极的重叠量。由此，能够得到明亮、且对比度优异的点反转驱动或每列反转驱动的TN式液晶显示装置。

附图说明

图1A和图1B是表示实施例1的示意图。

图2A和图2B是表示实施例1的另一方式的示意图。

图3是表示实施例1的又一方式的示意图。

图4是实施例2的说明图。

图5A和图5B是实施例2的另一说明图。

图6是表示实施例2效果的图表。

图7是表示实施例2效果的另一图表。

图8A和图8B是汇总了实施例2效果的图表。

图9A、图9B、图9C、图9D和图9E是表示实施例3的俯视图。

图10A和图10B是表示实施例3的另一方式的俯视图。

图11是液晶显示装置的纵向剖视图。

图12A和图12B是通常像素构造的液晶显示装置的图。

图13A和图13B是高开口率像素构造的液晶显示装置的图。

图14A和图14B是说明实施例3的剖视图。

图15是表示实施例3效果的图表。

图16是汇总实施例3效果的图表。

图17是表示实施例4效果的图表。

图18是汇总实施例4效果的图表。

图19是帧反转驱动的工作图。

图20是行反转驱动的工作图。

图21是点反转驱动的工作图。

图22是每列反转驱动的工作图。

图23是给予12点视角的液晶取向轴。

图24是在12点视角处的点反转驱动时的取向紊乱。

图25是给予3点视角的液晶取向轴。

图26是在3点视角处的点反转驱动时的取向紊乱。

图27是给予3点视角的另一结构。

图28是给予9点视角的液晶取向轴。

图29是给予9点视角的另一结构。

图30A和图30B是在12点视角处的帧反转驱动的示意图。

图31A和图31B是在12点视角处的点反转驱动的示意图。

图32A和图32B是在3点视角处的帧反转驱动的示意图。

图33A和图33B是在3点视角处的点反转驱动的示意图。

图34是点反转驱动中的3点视角与12点视角的比较。

具体实施方式

首先，对在灰阶易于反转的方向为3点或9点方向且被设置成点反转驱动或每列反转驱动的情况下的问题点进行详细说明。图19是帧反转驱动的驱动方法的示意图。图中(a)是第一帧，图中(b)是第二帧。在(a)中，显示区域4由配置成矩阵状的许多像素3形成。各像素3被纵向延伸的图像信号线DL和横向延伸的扫描线GL所划分。

在显示区域4的上部形成有图像信号线驱动电路1，在显示区域4的左方形成有扫描线驱动电路2。在(a)所示的第一帧中，相对于形成于第二基板SUB2的共用电极，向各像素3提供正的信号电位。在(b)所示的第二帧中，相对于共用电极，向各像素3提供负的信号电位。在这样的驱动方法中，由于对夹着图像信号线DL的相邻的像素3施加相同极性的信号，因此不会产生取向紊乱。

图20是行反转驱动的示意图。图中(a)是第一帧，图中(b)是第二帧。像素3的配置、图像信号线驱动电路1的配置、扫描线驱动电路2的配置与图19相同。在(a)所示的第一帧中，对于形成于第二基板SUB2的共用电极，向各扫描线GL的像素3提供正或负的信号电位。在(b)所示的第二帧中，也是向各扫描线GL的像素3提供正或负的信号电位，但正或负的位置是与(a)相互不同的关系。因此，其称为行反转。在行反转驱动的情况下，也是由于对夹着图像信号线DL的相邻的像素3施加相同极性的信号，因此不会产生取向紊乱。

图21是点反转驱动的示意图。图中(a)是第一帧，图中(b)是第二帧。像素3的配置、图像信号线驱动电路1的配置、扫描线驱动电路2的配置与图19相同。在(a)所示的第一帧中，相对于形成于第二基板SUB2的共用电极，各像素3的信号电位反转。在(b)所示的第二帧中，也是各像素3的信号电位反转，但正或负的位置是与第一帧相互不同的关系。无论在第一帧中还是在第二帧中，看同一扫描线GL上时，对夹着图像信号线DL的相邻的像素3施加相反极性的信号电位。因此，在夹着图像信号线DL的相邻的像素3之间产生横向电场，会产生取向紊乱。该取向紊乱造成漏光。

图22是每列反转驱动的示意图。图中(a)是第一帧，图中(b)是第二帧。像素3的配置、图像信号线驱动电路1的配置、扫描线驱动电路2的配置与图19相同。在(a)所示的第一帧中，相对于形成于第二基板SUB2的共用电极，各列的信号电位反转。在(b)所示的第二帧中，也是各列的信号电位反转，但正或负的位置是与第一帧相互不同的关系。无论在第一帧中还是在第二帧中，与点反转时相同，看同一扫描线GL上时，对夹着图像信号线DL的相邻的像素3施加相反极性的信号电位。因此，在夹着图像信号线DL的相邻的像素3之间产生横向电场，会产生取向紊乱。该取向紊乱造成漏光。以下，对点反转时的问题点和对策进行说明，但该对策也能同样适用于每列反转的情况。

以下的说明中所使用的语言的定义如下。

12点视角：12点方向灰阶难以反转，6点方向灰阶易于反转。

6点视角：6点方向灰阶难以反转，12点方向灰阶易于反转。

3点视角：3点方向灰阶难以反转，9点方向灰阶易于反转。

9点视角：9点方向灰阶难以反转，3点方向灰阶易于反转。

在此，所谓3点方向是指在2点～4点之间，且不包括2点和4点。所谓9点方向是指在8点～10点之间，且不包括8点和10点。其他情况下也相同。

图23是表示12点视角时的第一基板SUB1和第二基板SUB2的液晶取向方向关系的图。即，在图23中，12点方向灰阶难以反转，6点方向灰阶易于反转。各基板的液晶取向方向即取向矢量取决于各基板的摩擦(rubbing)方向。在图23中，实线箭头表示第二基板SUB2的取向矢量VSUB2(与摩擦方向相反的方向)，虚线箭头表示第一基板SUB1的取向矢量VSUB1(与摩擦方向相同的方向)。第二基板SUB2的取向矢量VSUB2距x轴为225度，第一基板SUB1的取向矢量VSUB1距x轴为135度。液晶分子的旋转角θtw是自第二基板SUB2向第一基板SUB1逆时针旋转90度。使偏振片的吸收轴与液晶分子长轴方向一致。

图24是表示在12点视角时的点反转驱动中的液晶取向的图。在图24中，第一基板SUB1上形成有栅极绝缘膜GI、图像信号线DL、第一钝化膜(第一绝缘膜)PAS1、第二钝化膜(第二绝缘膜)PAS2，在第二钝化膜PAS2之上形成有像素电极PX。对右侧的像素电极PX施加相对于形成在第二基板SUB2的对置电极CT的电位为正的电位，对左侧的像素电极PX施加负电位。俯视看去，像素电极PX周边与图像信号线DL重叠。在像素电极PX之上形成有下取向膜AL1。

在第二基板SUB2侧形成有对置电极CT和上取向膜AL2。在图24中，省略了第二基板SUB2侧的黑色矩阵(遮光膜)BM、滤色片CF等。在第一基板SUB1与第二基板SUB2之间夹持有液晶层LC。图24为ON状态，在像素电极PX上液晶分子朝向垂直方向。但是，在像素电极PX的周边，由于在中间夹着图像信号线DL的相互相邻的像素电极PX之间施加了与对置电极CT电位极性不同的电压，因此，形成了横向电场。从而在像素电极PX之间存在如图24所示那样的等电位线EP。

由于该像素电极周边的横向电场而使液晶分子的取向紊乱。具体而言，在像素电极PX之间，由于液晶分子沿横向电场而水平方向取向，因此无法遮蔽光，出现亮度分布、即漏光LK。但是，在该情况下，由于来自背光源的光被图像信号线DL遮挡，因此，实际上不会产生漏光。

然而，在图25所示那样的3点视角时会出现问题。在图25中，3点方向灰阶难以反转，9点方向灰阶易于反转。图25是表示3点视角时的第一基板SUB1和第二基板SUB2的液晶取向方向关系的图。即，各基板的液晶取向方向、即取向矢量取决于各基板的摩擦方向。在图25中，实线箭头表示第二基板SUB2的取向矢量VSUB2(与摩擦方向相反的方向)，虚线箭头表示第一基板SUB1的取向矢量VSUB1(与摩擦方向相同的方向)。第二基板SUB2的取向矢量VSUB2距x轴为135度，第一基板SUB1的取向矢量VSUB1距x轴为45度。液晶分子是自第二基板SUB2向第一基板SUB1逆时针旋转90度。使偏振片的吸收轴与液晶分子长轴方向一致。

图26是表示在3点视角时的点反转驱动中的液晶取向的图。液晶显示装置的构造与图23所说明的构造相同。图26为ON状态，在像素电极PX上液晶分子朝向垂直方向。在图26中，对左侧的像素施加了相对于对置电极CT电位为负的电位，对右侧的像素施加正电位。因此，在像素周边产生横向电场，液晶取向紊乱。

在之前例子的图24中的12点视角的情况中，在对液晶层LC不施加电压的初始状态下，液晶层LC的厚度方向中央附近的液晶分子朝向12点方向，因此，由于液晶分子的弹性而难以受到横向电场的影响。但是，在图26所示的3点视角的情况中，即使在对液晶层LC不施加电压的初始取向状态下，液晶层LC的厚度方向中央附近的液晶分子也是朝向3点方向。因此，在施加像素电压时，容易受到在像素电极PX之间产生的横向电场的影响。

如此，3点视角时的像素电极PX之间的亮度分布、即漏光LK大于12点视角时的漏光LK。尤其是在左侧的像素电极PX周边出现液晶分子向相反方向倾斜的部分(reverse tilt domain：反向倾斜区域)，该部分亮度增大而产生向错线(disclination line)。该向错线发生于图像信号线DL的外侧，因此不能被图像信号线DL遮蔽而成为漏光，使对比度变差。

在图25中，说明了给予3点视角的取向矢量的结构。给予3点视角的取向矢量的结构不限于图25的结构，也可以是图27的结构。在图27中，实线箭头表示第二基板SUB2的取向矢量VSUB2(与摩擦方向相反的方向)，虚线箭头表示第一基板SUB1的取向矢量VSUB1(与摩擦方向相同的方向)。第二基板SUB2的取向矢量VSUB2距x轴为-135度，第一基板SUB1的取向矢量VSUB1距x轴为-45度。液晶分子是自第二基板SUB2向第一基板SUB1顺时针旋转90度。使偏振片的吸收轴与液晶分子长轴方向一致。在图27所示的3点视角的结构中也存在与图26中说明的同样的问题。

以上，对3点视角时的问题点进行了说明。在9点视角时也产生与3点视角时同样的问题。图28是给予9点视角的取向矢量的结构的例子。在图28中，实线箭头表示第二基板SUB2的取向矢量VSUB2(与摩擦方向相反的方向)，虚线箭头表示第一基板SUB1的取向矢量VSUB1(与摩擦方向相同的方向)。第二基板SUB2的取向矢量VSUB2距x轴为-45度，第一基板SUB1的取向矢量VSUB1距x轴为-135度。液晶分子是自第二基板SUB2向第一基板SUB1逆时针旋转90度。

图29是给予9点视角的取向矢量的结构的另一例子。在图29中，实线箭头表示第二基板SUB2的取向矢量VSUB2(与摩擦方向相反的方向)，虚线箭头表示第一基板SUB1的取向矢量VSUB1(与摩擦方向相同的方向)。第二基板SUB2的取向矢量VSUB2距x轴为45度，第一基板SUB1的取向矢量VSUB1距x轴为135度。液晶分子是自第二基板SUB2向第一基板SUB1顺时针旋转90度。在图28和图29所示的9点视角时的取向矢量中，与3点视角时相同，由于向错线而产生漏光。在9点视角时，在右侧的像素电极PX周边产生液晶分子反向倾斜的部分。发生向错线的位置为3点视角时的相反侧。除此之外，基本上与3点视角时相同。

以下，汇总驱动方式和视角方向的关系进行说明。图30A和图30B是在12点视角时帧反转驱动时的工作示意图。在图30A和图30B中，各构成要素的符号与图24相同。省略了第二基板SUB2中的黑色矩阵BM、滤色片CF等。将第一钝化膜PAS1和第二钝化膜PAS2总称为钝化膜PAS。直到图33A和图33B都是一样。图30A为OFF状态，液晶分子大致水平方向取向。图30B为ON状态，但由于是帧反转驱动，因此在夹着图像信号线DL而相邻的像素之间不产生电场。因此，在像素周边不出现取向紊乱。

图31A和图31B是在12点视角时点反转驱动时的工作示意图。图31A为OFF状态，液晶分子大致水平方向取向。图31B为ON状态，但由于是点反转驱动，因此对夹着图像信号线DL两侧的像素分别施加不同极性的电压。图31B中对左侧像素施加相对于对置电极CT电位为负的电位，对右侧像素施加正电位。

在该状态下，在液晶层LC的厚度方向中心附近，在像素电极PX上液晶分子垂直方向取向。另一方面，在像素电极PX的周边部，液晶分子不是垂直方向，而是朝向水平方向，取向紊乱。但是，此时的取向紊乱较小。即，在OFF状态下，液晶分子平均朝向12点方向，因此，由于液晶层LC的弹性，液晶分子难以朝向电场方向。因此，能够利用图像信号线DL的遮光来防止由于此时的取向紊乱导致的背光源漏光。

图32A和图32B是在3点视角时帧反转驱动时的工作示意图。图32A为OFF状态，液晶分子大致水平方向取向。图32B为ON状态，但由于是帧反转驱动，因此在夹着图像信号线DL而相邻的像素之间不产生电场。因此，在像素周边不出现取向紊乱。

图33A和图33B是在3点视角时点反转驱动时的工作示意图。图33A为OFF状态，液晶分子大致水平方向取向。图33B为ON状态，但由于是点反转驱动，因此对夹着图像信号线DL两侧的像素分别施加不同极性的电压。图33B中对左侧像素施加相对于对置电极CT电位为负的电位，对右侧像素施加正电位。

在该状态下，在液晶层LC的厚度方向中心附近，在像素电极PX上液晶分子垂直方向取向。另一方面，在像素电极PX的周边部，液晶分子不是垂直方向，而是朝向水平方向，取向紊乱。此时的取向紊乱大于图31时的取向紊乱。即，液晶分子在初始状态平均朝向3点方向。其与成为ON状态而产生于像素之间的横向电场同向，与12点视角时不同，没有液晶层LC的弹性阻力。因此，如图33B所示，像素之间的取向紊乱遍及液晶层LC的较广范围。尤其是在左侧像素的周边产生液晶取向方向相反的反向倾斜区域。如此，由于液晶层LC的取向紊乱遍及较广范围，因此用通常的图像信号线DL的遮光不能防止漏光。

图34是将以上说明的内容汇总于图表中而成的图。在图的(a)中，横轴x表示部位，纵轴t表示液晶层LC的透射率。图中(b)表示与(a)对应的像素电极PX和图像信号线DL的位置。在(b)中，像素电极PX的端部与图像信号线DL的端部重叠3μm。像素电极PX与像素电极PX之间间隔为5.5μm。由于图34为ON状态，因此对左侧的像素电极PX施加相对于对置电极CT电位为负的电位，对右侧像素电极PX施加正电位。因此，在右侧像素电极PX与左侧像素电极PX之间产生横向电场，液晶分子的取向紊乱。因此，不能完全遮挡液晶层LC的光，具有一定程度的透射率。

在(a)中，12PM是12点视角的情况，3PM是3点视角的情况。3点视角时较12点视角时取向紊乱较大，因此，3点视角时的像素电极与图像信号线DL的重叠部的透射率较大。12点视角时，由于取向紊乱的透射部分被图像信号线DL遮住，因此没有漏光。在3点视角时，形成宽度较宽的峰和尖锐的峰这两个峰。宽度较宽的峰被图像信号线DL遮住，因此不会漏光。形成于左侧的宽度较窄的峰不能被图像信号线DL完全遮住，成为背光源的漏光，导致对比度降低。该宽度较窄的峰是由于反向倾斜的向错线而引起的。本发明在于防止该3点视角时的漏光。如上所述，9点视角时，除了在图像信号线DL右侧形成宽度较窄的峰之外，其余与3点视角时完全相同。因此，以下所示的实施例也适用于9点视角。

实施例1

图1A和图1B是表示本发明第一实施例原理的示意图。图1是3点视角时的液晶显示装置。图1A是第一基板SUB1的俯视图，图1B是第一基板SUB1和第二基板SUB2组合起来状态的剖视图。3点视角时，在图像信号线DL的左侧发生由反向倾斜引起的向错线。因此，在图像信号线DL的左侧，通过使像素电极PX与图像信号线DL的重叠量增大，从而来仅遮住向错线部分，能够提高对比度而不会产生大幅度开口率降低。具体而言，在图像信号线DL的左侧，扩大图像信号线DL的宽度。

在图1A中，保持电容线CL和扫描线GL横向延伸、纵向排列。在保持电容线CL和扫描线GL之间形成有包括半导体层SC的薄膜晶体管(TFT)和用于将TFT和像素电极PX导通的接触孔CH等。图像信号线DL纵向延伸、横向排列。在图像信号线DL与图像信号线DL之间形成像素电极PX。俯视看，像素电极PX的端部与图像信号线DL的重叠。这是为尽量提高开口率。关于像素电极PX的端部与图像信号线DL的重叠量，图像信号线DL的左侧的重叠量大于图像信号线DL的右侧的重叠量。这是为遮住由反向倾斜引起的向错线。

在图1B中，在第一基板SUB1的下侧粘接有下视角扩大膜WV1和下偏振片POL1。在第一基板SUB1的内侧形成有栅极绝缘膜GI、图像信号线DL、第一钝化膜PAS1、第二钝化膜PAS2，在其上形成像素电极PX。覆盖像素电极PX地形成取向膜AL1。另一方面，在第二基板SUB2上粘接有上视角扩大膜WV2和上偏振片POL2。在第二基板SUB2的内侧形成有黑色矩阵BM、滤色片CF。覆盖滤色片CF地形成外套膜OC，在外套膜OC上形成对置电极CT和上取向膜AL2。在第一基板SUB1与第二基板SUB2之间夹持液晶层LC。

在图1B中，像素电极PX和像素电极PX的间隙G的中心与黑色矩阵BM的中心一致，但图像信号线DL的中心相对于像素电极PX和像素电极PX的间隙G的中心偏左。如此，则能够遮住在图像信号线DL左侧产生的由反向倾斜引起的向错线。

图2A和图2B表示本实施例的另一方式。在图1中，仅由图像信号线DL来遮住因反向倾斜引起的向错线，但在本实施方式中，由图像信号线DL和黑色矩阵BM这双方来双重遮住因反向倾斜引起的向错线。图2A是第一基板SUB1的俯视图，与图1A相同。

图2B是本实施方式中的液晶显示装置的剖视图。图2B中除了黑色矩阵BM的位置其余与图1B相同。在图2B中，黑色矩阵BM的中心相对于像素电极PX和像素电极PX的间隙G的中心偏左。由此，能够遮住因反向倾斜引起的向错线。即，根据本实施方式，能够由图像信号线DL和黑色矩阵BM这双方来遮住因反向倾斜引起的向错线，因此能够进一步提高对比度。

利用图2A和图2B的结构能够遮住向错线。但是，通常由于第一基板SUB1和第二基板SUB2的重叠错位，黑色矩阵BM和像素电极PX或图像信号线DL的位置错开。此时，在图2A和图2B的结构中，像素电极PX的开口率降低。若开口率降低则亮度减小，因此需要尽量抑制开口率降低。此外，开口率的降低不仅是由于第一基板SUB1和第二基板SUB2的重叠错位，在黑色矩阵BM或像素电极PX的尺寸自身出现偏差时也会导致开口率的降低。

图3附加了针对这些问题而采用的结构。图3是表示本实施例的第三实施方式要部的剖视示意图。图3中省略了除说明所必须的部分以外的部分。在图3中，在第一基板SUB1上形成栅极绝缘膜GI，在其上形成图像信号线DL。在图像信号线DL上形成钝化膜PAS。在其上形成像素电极PX。另一方面，在第二基板SUB2中，在与第一基板SUB1的图像信号线DL对应的部分形成黑色矩阵BM。

在图3中，δ1表示在像素电极PX的重叠错位、或尺寸出现偏差时的变动。在图3中，仅示出因δ1而使像素电极PX之间的间隙G增大的情况，但实际也存在与其相反的情况。δ2表示黑色矩阵BM的重叠错位、或尺寸偏差。D表示像素电极PX之间的间隙G变得最大时(像素电极PX的单侧减小了δ1时)的自像素电极PX端部到向错线DS之间的距离。

在图3中，设左侧的像素电极PX为第一像素电极PX，设右侧的像素电极PX为第二像素电极PX。在第一像素电极PX一侧，黑色矩阵BM伸出到图像信号线DL的外侧，在第二像素电极PX一侧，图像信号线DL伸出到黑色矩阵BM的外侧。

在图3中，黑色矩阵BM的宽度为Lbm。黑色矩阵BM比图像信号线DL向左侧延伸δ2。此时，向错线被黑色矩阵BM充分覆盖。另一方面，在黑色矩阵BM的右侧，图像信号线DL位于黑色矩阵BM的外侧。由右侧的取向紊乱引起的液晶层LC的光的透射被图像信号线DL遮住。

此时，即便使黑色矩阵BM相对于图像信号线DL向左侧移动，也不会看到向错线。在第二像素电极PX一侧，由于图像信号线DL遮光，因此不会产生漏光。另一方面，即使黑色矩阵相对于图像信号线DL向右侧移动δ2，在第一像素电极PX一侧，能够勉强正好覆盖向错线。即，如图3的箭头所示，来自背光源的光被黑色矩阵BM端部遮住。另一方面，在第二像素电极PX一侧，黑色矩阵BM的左端与图像信号线DL的左端对齐。因此，在第二像素电极PX一侧，避免了因黑色矩阵BM的错位而导致透射率减少。

如此，如本实施方式这样，在第一像素电极PX一侧使黑色矩阵BM伸出到图像信号线DL的外侧，在第二像素电极PX一侧使图像信号线DL伸出到黑色矩阵BM的外侧，由此，能够防止因取向紊乱、尤其是反向倾斜区域引起的漏光，并将开口率的降低抑制得最小。

实施例2

本发明的第二实施例是通过控制第一基板SUB1或第二基板SUB2的初始取向矢量的朝向和像素之间电场的朝向来缓和取向紊乱。图4、图5A和图5B是说明该结构的图。图4表示从俯视看图像信号线DL、像素电极PX的端部重叠的状态。在图4中，采用点反转驱动为ON状态，因此对左侧的像素电极PX施加相对于未图示的对置电极CT电位为负的电位，对右侧的像素电极PX施加正电位。因此，在相面对的像素电极PX之间产生电场EF。由于液晶分子的初始取向方向也与电场方向平行，因此，成为最容易受到取向紊乱的状态。在此，所谓液晶分子的初始取向方向是指液晶层LC的层厚方向中央部处的初始取向方向。以下相同。

图5表示使液晶分子的初始取向方向与由第一像素电极PX和第二像素电极PX形成的电场方向不同的状态。图5A是使液晶分子的初始取向方向相对于由第一像素电极PX和第二像素电极PX形成的电场方向顺时针倾斜特定角度的情况。此时，为了使液晶分子朝向电场方向，需要对抗液晶层LC的弹性而使液晶分子旋转，因此，与图4的情况相比，取向紊乱的程度减小。

图5B是使液晶分子的初始取向方向相对于由第一像素电极PX和第二像素电极PX形成的电场方向逆时针倾斜特定角度的情况。此时，也是为了使液晶分子朝向电场方向，需要对抗液晶层LC的弹性而使液晶分子旋转，因此，与图4的情况相比，取向紊乱的程度减小。

图6是表示改变液晶分子的初始取向方向时的取向紊乱的量的变化的图。在图6中，横轴x表示部位，纵轴t表示液晶层LC的透射率。图中(b)表示与(a)对应的像素电极PX和图像信号线DL的位置。图6中为ON状态，因此对左侧的像素电极PX施加相对于未图示的对置电极CT电位为负的电位，对右侧的像素电极PX施加正电位。因此，在左侧的像素电极PX与右侧的像素电极PX之间产生横向电场，液晶分子的取向紊乱。因此，液晶层LC的光没有被完全遮挡，具有某种程度的透射率。

(a)是表示使图25中的第一基板SUB1的取向矢量VSUB1的朝向发生变化时的取向紊乱所导致的液晶透射变化的图。由于第一基板SUB1的取向矢量VSUB1与第二基板SUB2的取向矢量VSUB2的朝向互成90度，因此，通过改变第一基板SUB1的取向矢量VSUB1的朝向，能够改变液晶层LC的层厚方向中央部的液晶分子的取向。

在(a)中，第一基板SUB1的取向矢量VSUB1的朝向φ1为45度时，液晶层LC的层厚方向中央处的液晶分子初始取向的方向与像素之间的平行电场方向一致。因此，第一基板SUB1的取向矢量VSUB1的方向为45度时的取向紊乱最大。因反向倾斜导致向错线位于最外侧。随着第一基板SUB1的取向矢量VSUB1逐渐大于45度，取向紊乱减小，因反向倾斜导致的向错线也向内侧移动。

图7表示将液晶分子初始取向方向改变为与图6相反方向时的取向紊乱的量的变化。图中(b)的结构与图6(b)相同。(a)是表示使图25中的第一基板SUB1的取向矢量VSUB1的朝向发生变化时的取向紊乱所导致的液晶透射变化的图。由于第一基板SUB1的取向矢量VSUB1与第二基板SUB2的取向矢量VSUB2的朝向互成90度，因此，通过改变第一基板SUB1的取向矢量VSUB1的朝向，能够改变液晶层LC的层厚方向中央部的液晶分子的取向。

在(a)中，第一基板SUB1的取向矢量VSUB1的朝向φ1为45度时，液晶层LC的层厚方向中央处的液晶分子初始取向的方向与像素之间的平行电场方向一致。因此，第一基板SUB1的取向矢量VSUB1的朝向为45度时的取向紊乱最大。因反向倾斜导致的向错线位于最外侧。随着第一基板SUB1的取向矢量VSUB1逐渐小于45度，取向紊乱减小，因反向倾斜导致的向错线也向内侧移动。

无论是图6的情况还是图7的情况，都表示出随着第一基板SUB1的取向矢量VSUB1逐渐离开45度，取向紊乱的量减小。这表示出为了不发生漏光，可通过改变第一基板SUB1的取向矢量VSUB1的朝向来改变像素电极PX与图像信号线DL的重叠量。图8A和图8B表示该状况。

在图8A和图8B中，横轴表示第一基板SUB1的取向矢量VSUB1的方向与x轴夹角φ1的绝对值，纵轴表示用于不引起漏光的像素电极PX与图像信号线DL的重叠量f。在此，x轴是指与图像信号线DL正交的方向、即相邻像素之间的平行电场的方向。图8A和图8B的区域A是不产生漏光的区域，区域B是发生漏光的区域。在图8A中，在第一基板SUB1的取向矢量VSUB1的方向与x轴夹角φ1的绝对值为45度时，像素电极PX与图像信号线DL的必须重叠量最大。在第一基板SUB1的取向矢量VSUB1的方向相对于x轴减小时，通过使x轴方向、即相对于第一基板SUB1的水平方向的夹角φ1的绝对值为30度以下、0度以上，能够得到抑制取向紊乱的效果。另一方面，在通过后述那样在维持3点视角的同时、使图像信号线DL和像素电极PX弯曲，而实质上减小图8A中φ1的绝对值的情况下，若第一基板SUB1的取向矢量VSUB1的朝向过于接近x轴方向(图8A中φ1的绝对值过小)，则图像信号线DL和像素电极PX的弯曲角过于增大，图像的外观变差，因此，更优选的角度是图8A中φ1的绝对值为30度以下、20度以上。

在使第一基板SUB1的取向矢量VSUB1的朝向相对于x轴增大时，通过使x轴方向、即相对于第一基板SUB1的水平方向的夹角φ1的绝对值为55度以上、90度以下，能够得到抑制取向紊乱的效果。另一方面，在通过后述那样在维持3点视角的同时、使图像信号线DL和像素电极PX弯曲，而实质上增大图8A中φ1的绝对值的情况下，若第一基板SUB1的取向矢量VSUB1的朝向过于接近与x轴垂直的方向(图8A中φ1的绝对值过大)，则图像信号线DL和像素电极PX的弯曲角过于增大，图像的外观变差，因此，更优选的角度是图8A中φ1的绝对值为55度以上、70度以下。

在图8A中，φ1为正值(相对于x轴逆时针旋转)时，表示在3点视角的摩擦方向上液晶从第二基板SUB2向第一基板SUB1逆时针旋转地扭转的情况，φ1为负值(相对于x轴顺时针旋转)时，表示在3点视角的摩擦方向上液晶从第二基板SUB2向第一基板SUB1顺时针旋转地扭转的情况。

图8A表示3点视角的摩擦方向的情况，但其他结构、即9点视角的摩擦方向的情况也如图8B一样同样适用。在图8B中，在第一基板SUB1的取向矢量VSUB1的方向与x轴夹角φ1的绝对值为135度时，像素电极PX与图像信号线DL的必须重叠量最大。在第一基板SUB1的取向矢量VSUB1的方向相对于x轴减小时，通过使x轴方向、即相对于第一基板SUB1的水平方向的夹角的绝对值为180度以下、150度以上，能够得到抑制取向紊乱的效果。另一方面，在通过后述那样在维持9点视角的同时、使图像信号线DL和像素电极PX弯曲，而实质上增大图8B中φ1的绝对值的情况下，若第一基板SUB1的取向矢量VSUB1的朝向过于接近x轴方向(图8B中φ1的绝对值过大)，则图像信号线DL和像素电极PX的弯曲角过于增大，图像的外观变差，因此，更优选的角度是图8B中φ1的绝对值为160度以下、150度以上。

在使第一基板SUB1的取向矢量VSUB1的朝向相对于x轴夹角增大时，通过使相对于x轴方向即第一基板SUB1的水平方向的夹角的绝对值为90度以上且125度以下，能够得到抑制取向紊乱的效果。另一方面，在通过后述那样在维持9点视角的同时、使图像信号线DL和像素电极PX弯曲，而实质上减小图8B中φ1的绝对值的情况下，若第一基板SUB1的取向矢量VSUB1的朝向过于接近与x轴垂直的方向(图8B中φ1的绝对值过小)，则图像信号线DL和像素电极PX的弯曲角过于增大，图像的外观变差，因此，更优选的角度是图8B中φ1的绝对值为110度以上、125度以下。

而且，在图8B中，φ1为负值(相对于x轴顺时针旋转)时，表示在9点视角的摩擦方向上液晶从第二基板SUB2向第一基板SUB1逆时针旋转地扭转的情况，φ1为正值(相对于x轴逆时针旋转)时，表示在3点视角的摩擦方向上液晶从第二基板SUB2向第一基板SUB1顺时针旋转地扭转的情况。

在图8A和图8B所示的图表中，前提是扫描线GL的延伸方向是x轴方向，图像信号线DL的延伸方向是y轴方向。因此，φ1的绝对值是45度时相当于3点视角，φ1的绝对值是135度时相当于9点视角，随着φ1的绝对值偏离45度、135度，抑制取向紊乱的效果增大，但视角方向也偏离3点视角、9点视角。

因此，如后述的图9A、图9B、图9C、图9D、图9E、图10A和图10B所示，在使扫描线GL的延伸方向为x轴方向不变的状态下，使图像信号线DL和像素电极PX的边相对于y轴方向顺时针或逆时针地倾斜角度θ’(其中虽然图像信号线DL从局部看时是相对于y轴倾斜角度θ’，但整体上沿y轴方向延伸)，从而能够使电场方向顺时针或逆时针旋转角度θ’。因此，在将取向矢量VSUB1、VSUB2保持3点视角或9点视角的方向不变的状态下，通过使图像信号线DL和像素电极PX的边相对于y轴方向倾斜，可能达到与实质上使图8A和图8B中φ1的绝对值偏离45度或135度的状态等价的状态。

例如，如图25所示，在3点视角使液晶从第二基板SUB2向第一基板SUB1逆时针扭转90度时，φ1＝+45度。在此，当使图像信号线DL顺时针倾斜角度θ’(其中θ’为大于θ度且45度以下)时，相当于图25中的x轴(测定φ1角度的基准)也顺时针旋转角度θ’，因此，在图8A中，与φ1的绝对值大于45度的位置((45度+θ’)的绝对值的位置)对应。相反，当使图像信号线DL逆时针倾斜角度θ’时，相当于图25中的x轴(测定φ1角度的基准)也逆时针旋转角度θ’，因此，在图8A中，与φ1的绝对值小于45度的位置((45度-θ’)的绝对值的位置)对应。

如图27所示，在3点视角使液晶从第二基板SUB2向第一基板SUB1顺时针扭转90度时，φ1＝-45度。因此，当使图像信号线DL顺时针倾斜角度θ’时，在图8A中，与φ1的绝对值小于45度的位置((-45度+θ’)的绝对值的位置)对应。相反，当使图像信号线DL逆时针倾斜角度θ’时，在图8A中，与φ1的绝对值大于45度的位置((-45度-θ’)的绝对值的位置)对应。

如图28所示，在9点视角使液晶从第二基板SUB2向第一基板SUB1逆时针扭转90度时，φ1＝-135度。因此，当使图像信号线DL顺时针倾斜角度θ’时，在图8B中，与φ1的绝对值小于135度的位置((-135度+θ’)的绝对值的位置)对应。相反，当使图像信号线DL逆时针倾斜角度θ’时，在图8B中，与φ1的绝对值大于135度的位置((-135度-θ’)的绝对值的位置)对应。

如图29所示，在9点视角使液晶从第二基板SUB2向第一基板SUB1顺时针扭转90度时，φ1＝+135度。因此，当使图像信号线DL顺时针倾斜角度θ’时，在图8B中，与φ1的绝对值大于135度的位置((+135度+θ’)的绝对值的位置)对应。相反，当使图像信号线DL逆时针倾斜角度θ’时，在图8B中，与φ1的绝对值小于135度的位置((+135度-θ’)的绝对值的位置)对应。

在图8A(3点视角)中，与φ1的绝对值为45度(角度θ’相当于0度)相比，利用使φ1的绝对值在55度以上的范围(相当于角度θ’为10度以上)、或φ1的绝对值在30度以下的范围(相当于角度θ’为15度以上)，抑制取向紊乱的效果增大。

同样，在图8B(9点视角)中，与φ1的绝对值为135度(相当于角度θ’为0度)相比，利用使φ1的绝对值在125度以下的范围(相当于角度θ’为10度以上)、或φ1的绝对值在150度以上的范围(相当于角度θ’为15度以上)，抑制取向紊乱的效果增大。

因此，无论是3点视角还是9点视角，在液晶从第二基板SUB2向第一基板SUB1逆时针扭转时，只要使角度θ’为顺时针10度以上、或逆时针15度以上即可。在液晶从第二基板SUB2向第一基板SUB1顺时针扭转时，只要使角度θ’为顺时针15度以上、或逆时针10度以上即可。

角度θ’优选为45度以下。但，若θ’过大，则像素过于倾斜，图像的外观变差，因此，更优选是角度θ’为25度以下。

图9A、图9B、图9C、图9D、图9E是在保持3点视角的初始取向矢量的同时、使点反转驱动中的ON工作时的像素电极PX之间的电场朝向与初始液晶分子取向方向错开的例子。在图9A、图9B、图9C、图9D、图9E中，像素电极PX弯曲。局部看图像信号线DL也是弯曲，但整体看图像信号线DL为沿y轴方向延伸。如图9E所示，此时的第一基板SUB1的取向矢量VSUB1是相对于x轴方向为45度，第二基板SUB2的取向矢量VSUB2是相对于x轴方向为135度，液晶层LC的层厚方向中央处的液晶分子的初始取向方向与x轴平行。因此，由图像信号线DL两侧的像素电极PX形成的平行电场与液晶分子的初始取向方向不同。在此，使弯曲角度θ为30度(相对于y轴为±15度)时，与图8A中的横轴角度为30度(＝45-15度)或60度(＝45+15度)时相同，能够将取向紊乱抑制的较小。如此，通过在维持3点视角的同时使图像信号线DL和像素电极PX弯曲，能够实质上使图8A中的φ1大于45度或小于45度。像素电极PX的边与y轴所成角优选是45度以下。但是，由于使弯曲角度θ过大时会使图像的外观变差，因此，像素电极PX的边与y轴所成角优选是25度以下。

如上所述，无论是3点视角还是9点视角，在液晶从第二基板SUB2向第一基板SUB1逆时针扭转时，只要使像素电极PX的边与y轴所成角在弯曲部的一侧为顺时针10度以上、在弯曲部的另一侧为逆时针15度以上即可。在液晶从第二基板SUB2向第一基板SUB1顺时针扭转时，只要使像素电极PX的边与y轴所成角在弯曲部的一侧为顺时针15度以上、在弯曲部的另一侧为逆时针10度以上即可。

但是，在弯曲点处，像素电极PX形成的电场的方向与液晶分子的初始取向方向为相同方向。因此，在该部分处，不能将取向紊乱抑制得较小。为了解决该问题，如图9B所示，在弯曲点处使像素电极PX与图像信号线DL的重叠量大于其他部分的重叠量。也可以是如图9C、图9D所示的结构。通过设置成如此构成，能够实现整个像素上对比度优异、开口率较大、较明亮的液晶显示装置。

图10A和图10B是在保持3点视角的初始取向矢量的同时、使点反转驱动中的ON工作时的像素电极PX之间的电场朝向与初始液晶分子取向方向错开的另一例子。在图10A和图10B中，图像信号线DL和像素电极PX相对于第一基板SUB1的纵向即y轴方向倾斜θ。但是，从整体上看图像信号线DL沿y轴延伸。第一基板SUB1的取向矢量VSUB1的朝向和第二基板SUB2的取向矢量VSUB2的朝向与图9A、图9B、图9C、图9D、图9E所示相同。因此，液晶层LC的层厚方向中央处的液晶分子的初始取向方向与像素电极PX之间的电场朝向(x轴方向)相差角度θ。θ例如为15度时，相当于图8A中的横轴角度为60度(＝45+15度)的情况。因此，能够设置成取向紊乱较小的结构。图10A和图10B中倾斜方向是顺时针方向，但即使倾斜方向是逆时针方向，也能得到同样的结果。例如，像素电极PX或图像信号线DL逆时针倾斜15度时，相当于图8A中横轴为30度(＝45-15度)的情况。此时也能够设置成取向紊乱较小的结构。

因此，总结倾斜角度θ的范围，无论是3点视角还是9点视角，在液晶从第二基板向第一基板逆时针扭转时，只要使图像信号线DL顺时针倾斜时倾斜角度θ为10度以上45度以下、图像信号线DL逆时针倾斜时倾斜角度θ为15度以上45度以下即可。但是，若使倾斜角度θ过大，则图像的外观变差，因此，在液晶从第二基板向第一基板逆时针扭转时，在图像信号线DL顺时针倾斜时倾斜角度θ优选为10度以上25度以下、图像信号线DL逆时针倾斜时倾斜角度θ优选为15度以上25度以下。在液晶从第二基板向第一基板顺时针扭转时，只要使图像信号线DL顺时针倾斜时倾斜角度θ为15度以上45度以下、图像信号线DL逆时针倾斜时倾斜角度θ为10度以上45度以下即可。但是，若使倾斜角度θ过大，则图像的外观变差，因此，在液晶从第二基板向第一基板顺时针扭转时，在图像信号线DL顺时针倾斜时倾斜角度θ优选为15度以上25度以下、图像信号线DL逆时针倾斜时倾斜角度θ优选为10度以上25度以下。

如上所述，根据本实施例，在3点视角，即使在进行点反转驱动时，也能不引起大幅度开口率降低地实现取向紊乱较少、对比度优异的图像。

实施例3

本实施例3是在3点视角下进行点反转驱动时通过控制液晶层LC的层厚来缓和由像素电极PX之间的电场所引起的取向紊乱的程度。图11是液晶显示装置的与图像信号线DL平行方向的即y方向的剖视图。在图11中，在第一基板SUB1下贴附有下偏振片POL1和下视场角扩大膜WV1。在第一基板SUB1的内侧形成扫描线GL、保持电容线CL，在其上的栅极绝缘膜GI上形成具有半导体层SC、漏电极DE、源电极SE的薄膜晶体管(TFT)。覆盖TFT地形成第一钝化膜PAS1、第二钝化膜PAS2，在其上形成像素电极PX、下取向膜AL1。

在第二基板SUB2上贴附有上偏振片POL2和上视场角扩大膜WV2。在第二基板SUB2的内侧形成黑色矩阵BM和滤色片CF，在其上形成外套膜OC。在外套膜OC上形成对置电极CT，覆盖对置电极CT地形成上取向膜AL2。在第一基板SUB1与第二基板SUB2之间夹持液晶层LC。

图12A和图12B是具有通常开口率的液晶显示装置的结构。图12A是第一基板SUB1的俯视图，图12B是液晶显示装置的剖视图。在图12A和图12B中，在图像信号线DL与图像信号线DL之间形成像素电极PX，在像素电极PX与图像信号线DL之间存在间隙。因此，像素电极PX的面积受限制。

图12B是液晶显示装置的扫描线GL方向的即x轴方向的剖视图。在图12B中，从俯视上看图像信号线DL与像素电极PX不重叠，在该部分处背光源漏光。由形成得较大的黑色矩阵BM来防止该漏光。

图13A和图13B是高开口率的液晶显示装置。在图13A中，像素电极PX的端部与图像信号线DL重叠。在像素电极PX与图像信号线DL之间不存在间隙而能够提高开口率。图13B是液晶显示装置的扫描线GL方向即x轴方向的剖视图。在图13B中，从俯视上看像素电极PX的端部与图像信号线DL重叠。在图13A和图13B中，图像信号线DL对遮光具有重要作用。图像信号线DL发挥遮光效果，相应地减小黑色矩阵BM的宽度、提高开口率。

图14A和图14B表示在3点视角下点反转驱动中的由像素之间电位差引起的横向电场的影响与第一基板SUB1和第二基板SUB2的间隔(单元间隙)的关系。图14A是单元间隙d较大的情况。如图14A所示，若单元间隙d为d1那样宽，则横向电场的影响变强，液晶分子紊乱的范围增大。

图14B是单元间隙d如d2那样较小的情况。此时，与纵向电场成分相比，横向电场成分的影响变弱，液晶分子取向紊乱的范围变窄。结果，漏光的范围变窄。

图15是表示单元间隙d与由取向紊乱引起的液晶透射率的关系的图表。在图中(a)中，纵轴表示取向紊乱引起的液晶层LC的透射率t，横轴x表示位置。(a)的横轴x与(b)所示的第一基板SUB1的像素电极PX及图像信号线DL的位置被给予关联。

在(a)中，在单元间隙d为6μm时，由取向紊乱引起的液晶层LC的透射率的较大范围非常广。尤其是因反向倾斜引起的向错线的透射率也大，其位置也超过用图像信号线DL可遮光的范围。与此相对，在单元间隙d为2μm时，由取向紊乱引起的液晶层LC的透射率较小。因反向倾斜引起的向错线的透射率也小，其位置也在由图像信号线DL可充分遮光的范围。

上述示出根据单元间隙d的大小可改变图像信号线DL和像素电极PX的重叠宽度。即，若取向紊乱的范围较小，则可减小图像信号线DL和像素电极PX的重叠量，提高像素的开口率。图16表示该关系。在图16中，横轴表示单元间隙d，纵轴表示为防止因取向紊乱引起的漏光而必须的像素电极PX和图像信号线DL的重叠宽度f。在图16中，区域A是不漏光的区域，区域B是漏光的区域。如图16所示，越减小单元间隙d，越可减小必须的图像信号线DL和像素电极PX的重叠量。

单元间隙d优选是4μm以下。单元间隙d的进一步优选范围是2μm以上、3.5μm以下

实施例4

本实施例是在3点视角下进行点反转驱动时通过改变液晶的介电各向异性Δε来控制因像素电极PX之间的电场引起的取向紊乱的程度的例子。图17是表示液晶的介电各向异性Δε与取向紊乱的关系的图表。在图中(a)中，横轴x表示部位，纵轴t表示液晶层LC的透射率。(b)表示与(a)对应的像素电极PX和图像信号线DL的位置。(a)和(b)的关系与图34中说明的相同。

(a)作为代表例计算了在介电各向异性Δε为2时和介电各向异性Δε为10时的因取向紊乱而引起的液晶层LC的透射率。如(a)所示，介电各向异性Δε越大，则因像素电极PX之间的取向紊乱而引起的液晶层LC的透射率增大，因反向倾斜引起的向错线也位于外侧。液晶的介电各向异性Δε越小则漏光范围越窄的理由是，若介电各向异性Δε较小，则液晶分子相对于电场难以运动。结果，取向发生紊乱的范围变窄，漏光的范围变窄。

因此，用于不产生漏光的、图像信号线DL与像素电极PX所必须的重叠量因液晶的介电各向异性Δε而不同。图18针对各种Δε标绘出图像信号线DL与像素电极PX所必须的重叠量。在图18中，横轴表示液晶的介电各向异性Δε，纵轴表示用于不引起漏光的像素电极PX与图像信号线DL的重叠量f。在图18中，区域A是不漏光的区域，区域B是出现漏光的区域。

图18中的标绘图的倾斜是以Δε＝6为界而不同，在Δε为6以下范围内，减小Δε对信号电极和像素电极PX所必须的重叠量的效果显著。如此，若使液晶的Δε为6以下，则可减小信号电极和像素电极PX所必须的重叠量，可提高像素的开口率。Δε的下限是大于0的范围。

以上说明的实施例1-4只要不相互矛盾可以组合应用。

尽管已经描述了本发明的某些实施例，但应理解为本发明并不仅限于上述具体的实施例，凡是不脱离本发明主旨的各种修改和变形都应属于本发明的保护范围。

Claims (8)

1.一种液晶显示装置，在第一基板和第二基板之间夹持有液晶且对上述第一基板和上述第二基板实施摩擦处理以使灰阶反转在3点或9点的方向上难以产生，该液晶显示装置是进行点反转驱动或每列反转驱动的TN方式的液晶显示装置，

其特征在于：

在上述第一基板上，第一像素电极和第二像素电极夹着图像信号线而在3点或9点的方向上隔着间隔而配置，上述图像信号线与上述第一像素电极和上述第二像素电极重叠，且上述图像信号线与上述第一像素电极的重叠量大于上述图像信号线与上述第二像素电极的重叠量，

在上述第二基板上形成有遮光膜，上述遮光膜与上述第一像素电极和上述第二像素电极重叠，且上述遮光膜与上述第一像素电极的重叠量大于上述遮光膜与上述第二像素电极的重叠量，

在上述第一像素电极一侧，上述遮光膜伸出到上述图像信号线的外侧；在上述第二像素电极一侧，上述图像信号线伸出到上述遮光膜的外侧。

2.根据权利要求1所述的液晶显示装置，其特征在于:

在上述第一像素电极一侧产生反向倾斜区域，上述反向倾斜区域被上述图像信号线和上述遮光膜覆盖。

3.一种液晶显示装置，在第一基板和第二基板之间夹持有液晶且对上述第一基板和上述第二基板实施摩擦处理以使灰阶反转在3点或9点的方向上难以产生，该液晶显示装置是进行点反转驱动或每列反转驱动的TN方式液晶显示装置，

其特征在于：

在上述第一基板上，图像信号线整体上沿与12点的方向平行的第一方向延伸且沿与3点的方向平行的第二方向排列，扫描线沿上述第二方向延伸且沿上述第一方向排列，在由上述图像信号线和上述扫描线围成的区域上形成有包括像素电极的像素，

上述图像信号线和上述像素电极在上述像素内弯曲，上述弯曲的像素电极的边与上述第一方向所形成的角度，当上述液晶从上述第二基板向上述第一基板逆时针扭转时，在上述弯曲部的一侧为顺时针10度以上45度以下，在上述弯曲部的另一侧为逆时针15度以上45度以下，当上述液晶从上述第二基板向上述第一基板顺时针扭转时，在上述弯曲部的一侧为顺时针15度以上45度以下，在上述弯曲部的另一侧为逆时针10度以上45度以下，

上述像素电极与上述图像信号线重叠，在上述图像信号线的上述弯曲部的上述重叠量大于在其他部分的上述重叠量。

4.根据权利要求3所述的液晶显示装置，其特征在于：

上述弯曲的像素电极的边与上述第一方向所形成的角度，当上述液晶从上述第二基板向上述第一基板逆时针扭转时，在上述弯曲部的一侧为顺时针10度以上25度以下，在上述弯曲部的另一侧为逆时针15度以上25度以下，当上述液晶从上述第二基板向上述第一基板顺时针扭转时，在上述弯曲部的一侧为顺时针15度以上25度以下，在上述弯曲部的另一侧为逆时针10度以上25度以下。

5.一种液晶显示装置，在第一基板和第二基板之间夹持有液晶且对上述第一基板和上述第二基板实施摩擦处理以使灰阶反转在3点或9点的方向上难以产生，该液晶显示装置是进行点反转驱动或每列反转驱动的TN方式液晶显示装置，

其特征在于：

在上述第一基板上，图像信号线整体上沿与12点的方向平行的第一方向延伸且沿与3点的方向平行的第二方向排列，扫描线沿上述第二方向延伸且沿上述第一方向排列，在由上述图像信号线和上述扫描线围成的区域上形成有包括像素电极的像素，

上述像素电极与上述图像信号线重叠，上述图像信号线和上述像素电极在上述像素内相对于上述第一方向而朝同一方向倾斜，上述图像信号线和上述像素电极的边与上述第一方向所形成的角度，当上述液晶从上述第二基板向上述第一基板逆时针扭转时为顺时针10度以上45度以下、或逆时针15度以上45度以下，当上述液晶从上述第二基板向上述第一基板顺时针扭转时为顺时针15度以上45度以下、或逆时针10度以上45度以下。

6.根据权利要求5所述的液晶显示装置，其特征在于：

上述图像信号线和上述像素电极的边与上述第一方向所形成的角度，当上述液晶从上述第二基板向上述第一基板逆时针扭转时为顺时针10度以上25度以下，当上述液晶从上述第二基板向上述第一基板顺时针扭转时为逆时针10度以上25度以下。

7.根据权利要求5所述的液晶显示装置，其特征在于：

上述图像信号线和上述像素电极的边与上述第一方向所形成的角度，当上述液晶从上述第二基板向上述第一基板逆时针扭转时为逆时针15度以上25度以下，当上述液晶从上述第二基板向上述第一基板顺时针扭转时为顺时针15度以上25度以下。

8.根据权利要求1所述的液晶显示装置，其特征在于：

上述液晶的介电各向异性为6以下且大于0。

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