CN101368266B - 用于平面显示器的化学气相沉积装置 - Google Patents
用于平面显示器的化学气相沉积装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN101368266B CN101368266B CN2008101289600A CN200810128960A CN101368266B CN 101368266 B CN101368266 B CN 101368266B CN 2008101289600 A CN2008101289600 A CN 2008101289600A CN 200810128960 A CN200810128960 A CN 200810128960A CN 101368266 B CN101368266 B CN 101368266B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- inlet pipe
- gas inlet
- chemical vapor
- vapor deposition
- gas
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 title claims abstract description 44
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 94
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims abstract description 60
- 239000002002 slurry Substances 0.000 claims abstract description 45
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 claims abstract description 39
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 29
- 230000002265 prevention Effects 0.000 claims abstract description 24
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 claims description 63
- 230000005611 electricity Effects 0.000 claims description 41
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 25
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 claims description 8
- 230000009471 action Effects 0.000 claims description 7
- 238000009987 spinning Methods 0.000 claims description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 claims description 3
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 2
- 238000005452 bending Methods 0.000 claims 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 abstract description 14
- 230000008021 deposition Effects 0.000 abstract description 13
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 221
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 21
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 11
- 230000008859 change Effects 0.000 description 7
- 238000009955 starching Methods 0.000 description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 5
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 4
- 150000003254 radicals Chemical class 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- QKCGXXHCELUCKW-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(dinaphthalen-2-ylamino)phenyl]phenyl]-n-naphthalen-2-ylnaphthalen-2-amine Chemical compound C1=CC=CC2=CC(N(C=3C=CC(=CC=3)C=3C=CC(=CC=3)N(C=3C=C4C=CC=CC4=CC=3)C=3C=C4C=CC=CC4=CC=3)C3=CC4=CC=CC=C4C=C3)=CC=C21 QKCGXXHCELUCKW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 2
- 230000008521 reorganization Effects 0.000 description 2
- 230000002000 scavenging effect Effects 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- 108010007702 G-substrate Proteins 0.000 description 1
- 102100025780 Protein phosphatase 1 regulatory subunit 17 Human genes 0.000 description 1
- 241000220317 Rosa Species 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 230000024241 parasitism Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H01L21/205—
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
本发明为一种用于平面显示器的化学气相沉积装置，包括：对基板实施沉积加工的一反应室，供加工气体注入反应室的一气体进管，以及连接至所述的气体进管且用在导引加工气体流至所述的气体进管的一气体供应管；在所述的化学气相沉积装置中，其中一寄生电浆产生预防部是位于所述的气体进管中并通过于沉积加工期间增加所述的气体供应管的压力来预防寄生电浆产生在所述的气体供应管中。
Description
技术领域
本发明涉及的是一种用于平面显示器的化学气相沉积装置，尤其涉及的是一种用于平面显示器的化学气相沉积装置，其是通过减少气体进管(gas inlet pipe)的传导性(conductance)以预防在气体供应管(gas feed-through pipe)中的寄生电浆的产生。
背景技术
由于半导体电子显示企业的快速发展，平面显示器(flat paneldisplay，FDP)是被广泛地使用。平面显示器比起主要用在电视或计算机显示器的阴极射线管显示器(CRT)显的还为轻薄，且包括液晶显示器(LCDs)、电浆显示面板(PDPs)，以及有机发光二极管(OLEDs)。
液晶显示器是属于平面显示器的一种，其是通过于两片薄上下玻璃基板之间注入作为中间物质的液晶(处在固态与液态之间)所形成。液晶显示器是一种使用光学切换现象的装置，其是通过使上下玻璃基板间的电压差来改变液晶分子配置以产生亮暗来显示数字或影像。
液晶显示器是通过薄膜晶体管(TFT)加工来制造，包括：其中反复地进行沉积、微影、蚀刻、化学气相沉积、用在结合上下玻璃基板的液晶胞加工，以及完成产品的模块化加工。
图1为用在平面显示器的典型气相沉积装置的气体进入部的剖面图。请参照图1，化学气相沉积包括注入由气体供应部(未示出)供应至加工室(未示出)中的加工气体的气体进入部1。气体进入部1一般是位于所述的加工室的上侧。
参照图1，气体进入部1包括连接至加工室且导引加工气体流入所述的加工室的气体进管4、连接至气体进管4且导引加工气体流向所述的气体进管4的气体供应管2、以及通过改变管径方向来分别连接至气体供应管2与气体进管4的一角度转接器(angle adaptor)3。形成流通路径以供加工气体流通的气体供应管2、角度转换器3以及气体进管4的内径是相等。
在上述建构的化学气相沉积装置中，通过气体供应部供应的加工气体是经由所述的气体进入部1流入所述的加工反应室且是使用利用电极供应的高频电源来电浆化处理，所述的加工气体因此沉积在基板上。
然而，在典型的化学气相沉积装置中，在沉积加工期间，当加工气体流入且高频电源被施加在一特定状态下时，寄生电浆会产生在气体进入部1，因此气体进入部1的内部与连接在所述的处的结构会损坏且会产生粒子而直接对加工结果产生不好的影响。
发明内容
为解决上述问题与/或其它问题，本发明是提供一种用于平面显示器的化学气相沉积装置，其是通过减少气体进管的传导性来预防在气体供应管中的寄生电浆的产生。
本发明也提供一种用于平面显示器的化学气相沉积装置，其不仅在沉积加工期间能防止寄生电浆的产生，也能在清洁过程期间通过限制自由基的再结合以增进清洁效率。
根据本发明的一态样，用于平面显示器的化学气相沉积装置包含：对基板实施沉积加工的一反应室，供加工气体进入反应室的一气体进管，以及连接至所述的气体进管且用在导引加工气体流至所述的气体进管的气体供应管，其中一寄生电浆产生预防部是位于所述的气体进管中并通过于沉积加工期间增加所述的气体供应管的压力来预防寄生电浆产生在所述的气体供应管中。
其中，所述的寄生电浆产生预防部形成在所述的气体进入部的内表面上，使得所述的气体进管至少一部份内径小于所述的气体供应管的内径。
根据本发明的另一态样，用于平面显示器的化学气相沉积装置包含：对基板实施沉积加工的一反应室，供加工气体进入反应室的一气体进管，以及位于所述的气体进管中且选择性地根据加工气体的种类控制气体进管的内流道开口区域的流道控制部。
附图说明
图1为用在平面显示器的典型化学气相沉积装置的气体进入部的横剖面图；
图2为根据本发明实施例的用于平面显示器的化学气相沉积装置的横剖面图；
图3为根据本发明实施例的气体进入部的横剖面图；
图4为帕申曲线(Paschen Curve)的示意图；
图5为根据本发明另一实施例的气体进入部的横剖面图；以及
图6为图5区域A的放大立体图。
附图标记说明：1-气体进入部；2-气体供应管；3-角度转换器；4-气体进管；10-上反应室；11-上板部；13-气体供应部；14-连接线；15-高频电源部；20-上反应室；21-基板进入部；24-门；30-气体进入部；31-气体供应管；32-角度转接器；33-气体进管；34-寄生电浆产生预防部；35-第一区；36-第二区；40-基座；41-举针；42-圆柱；43-基座支撑物；50-抬升模块；51-风箱管；60-电极部；61-后板；62-气体分配板；63-悬吊支撑件；64-绝缘体；130-气体进入部；131-气体供应管；132-角度转接器；133-气体进管；134-流道控制部；135-流道开/关板；136-旋转驱动部；137-电源产生部；138-旋转轴；139-动作转换部；139a-齿条；139b-小齿轮；B-缓冲空间；G-基板；S-沉积空间。
具体实施方式
本发明所附图式是用在解释本发明的较佳实施例及其达成的目的以其优点能还易于被理解。在下文中，本发明将通过参照附图来详细解释其较佳实施例。在图式中的参考数字是代表组件。
图2为根据本发明实施例的用于平面显示器的化学气相沉积装置的横剖面图。图3为根据本发明实施例的气体进入部的横剖面图。图4为帕申曲线(Paschen Curve)的示意图。
请参照图2，根据本发明用于平面显示器的化学气相沉积装置包括一上反应室10与一下反应室20(在上反应室10与下反应室20中是实施对基板G的沉积加工)、提供流道的一气体进入部30，其中由气体供应部13提供的沉积加工气体是经由所述的气体进入部30流入上反应室10与下反应室20中、位于所述的上反应室10中用在将沉积加工气体喷向基板G且同时作为上电极的一电极部60，其中一高频电源部15是将高频电源施加在所述的电极部60，以及位于所述的下反应室20中用在承载装载在下反应室20中的基板G的一基座40(susceptor)。
上反应室10与下反应室20是结合以提供用在实施沉积加工至基板G的一沉积空间S，如图2所示。上反应室10与下反应室20是被保护而与外界隔离使得沉积空间S可在沉积加工期间维持真空状态。
遮蔽上反应室10上部的一上板部11是位于所述的上反应室10的上端。气体供应部13、气体进入部30与高频电源部15是安装在所述的上板部11的上。基板进入部21为在所述的下反应室20的一侧壁上使得基板G可由所述的处进入下反应室20。基板进入部21是通过门24选择性地开关。
电极部60包括在上反应室10中的一后板61与一气体分配板62，后板61与气体分配板62之间是具有一缓冲空间B。后板61在其中央区域有一个穿孔，使得沉积加工气体可以由所述的处流入上反应室10与下反应室20之间。气体分配板62上形成有多个气体通孔(未示出)以将沉积加工气体喷向基板G。后板61与气体分配板62是通过一连接线14电连接在所述的高频电源部15。
一悬吊支撑件63是位于所述的后板61与气体分配板62之间。悬吊支撑件63不仅可预防在缓冲空间B中的沉积加工气体外泄，也可以支撑重达数百公斤且悬吊在后板61的气体分配板62。此外，悬吊支撑件63能补偿在沉积加工期间被加热至数百度(例如：两百度C)的气体分配板62的热扩散。
由铁弗龙形成的绝缘体64是位于所述的后板61与所述的上反应室10侧壁之间且位于所述的气体分配板62与所述的上反应室10侧壁之间。
如图3所示，作为提供一流道以导引由气体供应部13供应的沉积加工气体流至所述的上反应室10与下反应室20的气体进入部30包括一气体进管33，沉积加工气体可由所述的处流入上反应室10与下反应室20、连接至所述的气体进管33的一气体供应管31，沉积加工气体可由所述的处转移至所述的气体进管33，以及连接所述的气体供应管31与气体进管33且用在改变沉积加工气体流道的一角度转接器32。所述的气体进入部30将在后详细描述。
基座40是位于所述的下反应室20中且承载装载在下反应室20中的基板G，且基座40也同时作为下电极。一般来说，基座40的体积是大于接受沉积的基板G。基座40的上表面是实质作为一表面平板使得基板G可被精确地装载在水平状态。
基座40包括被安装以穿透所述的基座40的复数根举针41。所述的举针41在基座40与基板G之间形成一空间使得机械手臂(未示出)可在装载与卸载基板G的加工期间抓取基板G。
又，圆柱42是位于基座40以支撑所述的可被抬升的基座40。基座支撑物43是位于圆柱42的上部且稳定支撑所述的基座40的下侧以预防基座40下陷。
基座40在下反应室20中的沉积空间S里上下移动。意即，当承载基板G时，基座40是被配置在下反应室20底面的区域。当基板G紧密接触基座40的上表面且沉积加工开始实施时，基座40会抬升而接近气体分配板62(将在后描述)。为此，用在抬升所述的基座40的抬升模块50是位于所述的耦接在基座40的圆柱42处。
当基座40被抬升模块50抬升，由于圆柱42与下反应室20间不能有空间产生，由外围包围圆柱42的风箱管51是位于所述的下反应室20中圆柱42通过的区域。当基座40下降时，风箱管51会伸展；当基座40上升时，风箱管51会收缩。
参照图2与图3，如前所述，根据本实施例作为提供一流道以导引由气体供应部13供应的沉积加工气体流至所述的上反应室10与下反应室20的气体进入部30包括一气体进管33，沉积加工气体可由所述的处流入上反应室10与下反应室20、连接至所述的气体进管33的一气体供应管31，沉积加工气体可由所述的处转移至所述的气体进管33，以及连接所述的气体供应管31与气体进管33且用在改变沉积加工气体流道的一角度转接器32。
气体供应管31一端连接至所述的气体供应部13且另一端连接至所述的角度转接器32。所述的气体供应管31是由陶瓷材料或绝缘材料所制造。角度转接器32具有连接至水平配置的气体供应管31与垂直配置的气体进管33的「L」型流道。气体进管33一端连接至角度转接器32而另一端连接至上反应室10中的后板61的穿透部。角度转接器32与气体进管33是由具有传导性的铝体所制成且与所述的高频电源部15电连接。
由气体供应部13供应的沉积加工气体是由如前述般建构的气体进入部30沿着气体供应管31、角度转接器32与气体进管33所构成的流道注入在上反应室10与下反应室20中。通过气体进管33流向上反应室10与下反应室20的沉积加工气体是通过后板61的穿透部而流入缓冲空间B且接着通过形成在气体分配板62的气体通孔而注入在沉积空间S。
如前所述，在图1所示的现有气体进入部1中，气体供应管2、角度转接器3与气体进管4都具有相同内径，在沉积加工期间在特定条件下，寄生电浆会产生在气体供应管2的内部，因此气体供应管2的内部结构可能会损坏且产生的粒子会对加工结果有着负面影响。
在图1的气体进入部1中，在气体供应管2中的寄生电浆产生是与图4中的帕申曲线的放电点火电压Vf有关。一般来说，电浆的产生是依循帕申曲线。帕申曲线代表的是放电点火电压Vf与(加工气体压力p与两电极间距离d的乘积)的关系。据此，参照图4，当压力p与两电极间距离d的乘积(的后简称pd值)增加时，电浆产生的放电点火电压Vf也增加。
参照帕申曲线，用在产生寄生电浆的特定状态意指实际施加在电极的驱动电压Va或驱动电压Va改变量的上限值Va’是大于符合一特定pd值的放电点火电压Vf的状态。在此状态下，由于驱动电压Va或驱动电压Va改变量的上限值Va’是大于电浆产生时的放电点火电压Vf，故电浆会产生。
在一典型化学气相沉积装置中，因为许多限制，例如：构造上的困难与限制条件，是难以改变电极间的距离(意即施加高频电源处与接地处之间的部位)。又，一旦在实际沉积加工期间，由高频电源部15施加至电极的驱动电压Va设定后，是难以改变所述的驱动电压Va。结果，电浆的产生是取决在压力p，故压力p的增加会与放电点火电压Vf的增加成比例。
因此，通过增加放电点火电压Vf作为预防在气体供应管31中产生寄生电浆的方法，需要增加施加在气体供应管31的压力p1。当压力p1增加(图4中的p1→p1’)，pd值会相应增加使得通过pd值决定的放电点火电压Vf也会增加。因此，在实际沉积加工期间，放电点火电压Vf是增加而大过施加的驱动电压Va，使得寄生电浆的产生可被限制。
换言之，当通过增加气体供应管31的压力p1来增加pd值时，放电点火电压Vf(电浆产生时的初始电压值)也会增加。因此，由于放电点火电压Vf被调整大过驱动电压Va或驱动电压Va改变量的上限值Va’，故在沉积加工期间驱动电压Va不会到达放电点火电压Vf，故可预防气体供应管中的电浆产生。
因此，需要增加气体供应管31的压力p1来预防电浆的产生。有关于压力p1的增加，需要检视真空流量管中每小时气流量的流量Q、压力p，以及传导性C之间的关系。
一般说来，在真空状态的流管中，进入气体量Q、气体供应管31的压力p1、加工反应室的压力p2，与具有狭窄流道的气体进管33的传导性C的关系可以方程式Q＝Cx(p1-p2)来表示。因为由气体供应部13供应的每小时进入加工气体量Q与实施沉积加工的反应室的气压p2是固定的，因此压力p1与气体供应管31的传导性C彼此为倒数关系。
意即，当加工反应室的压力p2与加工气体量Q为常数时，气体供应管31的压力p1是由连接至气体供应管31与反应室的气体进管33的传导性C所决定。因此，当进入的加工气体量Q为常数时，气体供应管31的压力p1会因为传导性C的减少而增加。
结果，通过窄化气体供应管31与反应室间的流道，传导性C会减少，但气体供应管31的压力p1则因为倒数而增加。如此，可预防气体供应管31中的寄生电浆的产生。
基于上述理论背景，是在本实施例的气体进管33中提供用在增加气体供应管31压力p1的一寄生电浆产生预防部34，如图3所示。在本实施例中，寄生电浆产生预防部34是形成在气体进管33的内部，使得至少部分气体进管33的内径小于气体供应管31的内径。
如图3所示，寄生电浆产生预防部34包括沿着气体进管33的纵长，由气体供应管31一侧至气体进管33区域的第一区35，与由所述的第一区35结束在上反应室10与下反应室20的点的第二区36，所述的第二区36具有与第一区35不同的内表面。
寄生电浆产生预防部34的第一区35是逐渐变为细尖使得气体进管33的内径沿着气体进管33的纵向逐渐向着所述的第二区36减少。第二区36为线性。在第二区36中，气体进管33的内径大小较佳为气体供应管31内径大小的15％-95％，在本实施例中为60％。
因此，在本发明用于平面显示器的化学气相沉积装置中，因为气体进管33的内径是小于气体供应管31与角度转接器32的内径，因此气体供应管31的压力p1会上升。
又，在本发明用于平面显示器的化学气相沉积装置中，因为寄生电浆产生预防部34的第一区35具有一细尖形状，因此流入所述的气体进管33的沉积加工气体流速会增加。又，因为沉积加工气体的流动会维持层流，因此沉积加工气体的转移能平顺实施。此外，具有细尖外型的第一区35也通过于流道上实施渗坑功能(sink function)以移除气体供应管31与角度转接器32内部的沉积加工气体的残留物。
如上所述，当气体进管33的传导性C通过形成气体供应管31内径的15％-95％的气体进管33而减少时，气体供应管31的压力p1会增加。当气体供应管31的压力p1增加时，放电点火电压Vf也会据以增加。结果，可预防在气体供应管31中的寄生电浆产生。因此，可预防结构的损坏与粒子产生使得沉积产量可改善。
虽然在本实施例中是讨论减少气体进管33的内径以减少气体进管33传导性C的方法，然而仍有另一方法可减少传导性C，那就是在制造气体进管33时将其弯曲一次或多次来增加气体进管33的长度。
请参照图2与图3，其是描述根据本实施例的用在化学气相沉积装置的气体进入部30中的沉积加工气体沿着流道的流动。
首先，由气体供应部13供应的沉积加工气体是流入气体供应管31。所述的沉积加工气体是通过气体供应管31水平转移至位于上反应室10中央部位的角度转接器32。接着，沉积加工气体通过位于上反应室10中央部位的角度转接器32。角度转接器32是位于上反应室10之中央部位(气体供应管31与气体进管33间)且连接所述的气体供应管31与气体进管33。在本实施例中，角度转接器32改变沉积加工气体的流道，由水平方向至上反应室10的中央部位，再以垂直方向往上反应室10与下反应室20的内部前进。
沉积加工气体经由角度转接器32流入气体进管33中。气体进管33作为用在导引沉积加工气体至上反应室10与下反应室20的导引板。如前述建构的寄生电浆产生预防部34为在所述的气体进管33中以增加气体供应管31的压力。
在寄生电浆产生预防部34的第一区35中，因为气体进管33的内径逐渐减少所产生的细尖形状会使得留入气体进管33的沉积加工气体的流速逐渐增加。据此，沉积加工气体流可维持层流。寄生电浆产生预防部34也实施渗坑功能以预防沉积加工气体的背流流向角度转接器32与气体供应部13。
接着，在寄生电浆产生预防部34的第二区36中，在沉积加工气体进入上反应室10的缓冲空间B的前，其是会被维持在固定流速。最后，沉积加工气体进入上反应室10与下反应室20的沉积空间S且在所述的处实施电浆加工。
如前所述，根据本实施例，由于寄生电浆产生预防部34为气体进管33中以减少气体进管33的传导性C，因此气体供应管31的压力p1会增加使得电浆产生的初始限值被调整而大于放电点火电压Vf。
结果，根据本实施例，可预防在气体供应管31中的寄生电浆产生以预防结构损坏与粒子产生，以改良沉积加工的沉积产能。
图5为为根据本发明另一实施例的气体进入部的横剖面图。图6为图5区域A的放大立体图。在本实施例中，在沉积加工期间作为限制寄生电浆产生的气体进入部130是包括一流道控制部134(取代先前实施例中的寄生电浆产生预防部34)。由于气体进入部130的其它结构是与气体进入部30实质相同(除了流道控制部134)，故以下叙述主要着重在与先前实施例不同之处。
请参照图2与图5，本实施例的气体进入部130包括具有一端连接至气体供应部13的气体供应管131、具有一端连接至后板61贯穿部的气体进管133、连接至所述的气体供应管131与气体进管133以改变所述的气体供应管131与气体进管133方向的角度转接器132，以及位于所述的气体进管133且选择性地调整所述的气体进管133内流道开口区域的流道控制部134。
一般说来，当沉积加工通过上反应室10与下反应室20而实施时，沉积加工气体不仅沉积在基板G的上表面，同时也沉积在上反应室10与下反应室20的内壁与位于其中的结构的表面上，因此形成残渣。残渣会使得产品的质量下降且对于基板G的表现有着负面影响。据此，需要一种周期性清洁聚集在上反应室10与下反应室20的内壁与位于其中的结构的表面上所聚集的残渣的清洁加工。
所述的清洁加工是通过施加一清洁加工气体，例如三氟化氮(NF3)至远离上反应室10与下反应室20设置以产生电浆与自由基(其后简称为净化材料)的一远程电浆源(未示出)，且通过将净化材料通过气体供应部130注入上反应室10与下反应室20以及上反应室10与下反应室20中的残渣反应。
换言之，在化学气相沉积装置的下流道中，不但供用在实施沉积加工的沉积加工气体流通，而且也供用在清洁加工的清洁加工气体流通。据此，为了使化学气相沉积装置无论适合种加工气体都能使用，是需要选择性地调整气体进管133内流道的开口区域。
参照图5，所述的流道控制部134包括配置在气体进管133的内流道上以开/关内流道的一流道开/关板135，以及耦接在所述的流道开/关板135以旋转所述的流道开/关板135的旋转驱动部136。
流道开/关板135是一块具有与气体流管133实质相同内径的圆板且被制造插入所述的气体进管133。流道开/关板135是以铝或陶瓷材料制造。
旋转驱动部136是耦接在所述的流道开/关板135且通过旋转所述的流道开/关板135改变所述的流道开/关板135的开口角度以选择性根据加工气体的种类来调节气体进管133内流道的开口区域。旋转驱动部136是被控制而以一预设角度一步步来旋转流道开/关板135。
如图5所示，所述的旋转驱动部136包括位于气体进管133外侧以产生电源的一电源产生部137、与所述的流道开/关板135耦接且提供流道开/关板135旋转中心的旋转轴138、连接所述的电源产生部137与所述的旋转轴138且转换所述的电源产生部137产生的用在使所述的旋转轴138产生旋转动作的电源的动作转换部139。
电源产生部137可为直流马达或使用电力或水压或气压的线马达。如图5所示，在本实施例中，是使用利用电力的VCM马达137来作为电源产生部137。VCM马达137是利用与气体进管133(其是与所述的高频电源部15电连接)电性绝缘以维持在电性稳定状态。
动作转换部139为转换VCM马达137的线性动作至旋转动作的单元，且包括连接在所述的VCM马达137且实施线性动作的齿条(rack)139a，以及耦接至旋转轴138且与齿条139a啮合并根据齿条139a的线性动作旋转的小齿轮(pinion)139b。意即，在本实施例中动作转换部139是通过齿轮与齿条装置而实现。
旋转驱动部136可省略动作转换部139。在此种情况下，电源产生部137是直接连接至旋转流道开/关板135的旋转轴138。电源产生部137可以能旋转的直流马达(未示出)或旋转马达(未示出)而实现。
此外，流道控制部134的流道开/关板135可手动旋转。在此种情况下，旋转驱动部136可省略且相反地以位于所述的气体进管133外部的具有耦接至所述的流道开/关板135以旋转所述的流道开/关板135的一手把(未示出)的一手动枢轴部(未示出)来代替。据此，操作员可在清洁加工前使用所述的手动枢轴部来手动调整流道开/关板135的开启角度。因此，可预防自由基的重新结合使得清洁效率可改良。
旋转轴138是枢接在流道开/关板135。旋转轴138的长度是大于流道开/关板135的直径使得旋转轴138的一端是枢接在形成在所述的气体进管133内部区域一侧处的一耦接孔(未示出)且另一端穿过所述的气体进管133内部区域另一侧处的一耦接孔(未示出)而耦接至动作转换部139。耦接至旋转轴138的耦接孔是完全密封使得气体进管133的内部区域完全与外界隔绝。流道开/关板135与旋转轴138可以金属材料一体成形。
在操作如前述建构般的流道控制部134时，首先，当操作员操作位于所述的化学器是沉积装置外部的开启角度开关(未示出)以指示一预定开启角度时，由所述的开关产生的控制讯号会传至位于旋转驱动部136中的电源产生部137(意即VCM马达137)。如前所述，所述的VCM马达137产生的线性动作会被由齿轮与齿条装置所组成的动作转换部139转换为旋转动作。
转换为旋转动作的力会转动所述的旋转轴138以及耦接至所述的旋转轴138的流道开/关板135，最终通过改变所述的气体进管133内流道的开启区域。根据加工气体种类，操作流道控制部134为一加工前工作。
详细地，当用在沉积加工的沉积加工气体被注入所述的上反应室10与下反应室20，通过减少气体进管133内的流道开/关板135的开启角度，内流道的开启区域被设定为所述的气体供应管131内径的15％-95％，在本实施例中为60％。
当气体进管133内的流道开/关板135的开启角度被设定为所述的气体供应管131内径的15％-95％使得所述的气体进管133的传导性C减少时，所述的气体供应管131的压力p1会增加使得放电点火电压Vf会据以增加。接着，可预防在气体供应管131内的寄生电浆产生故可预防结构损坏与粒子产生，以改良沉积产率。
同时，当用在清洁加工的清洁加工气体注入所述的上反应室10与下反应室20时，通过增加气体进管133内的流道开/关板135的开启角度，内流道的开启区域被设定大于沉积加工气体注入时的开启区域。
据此，在清洁加工期间，可通过开/关所述的气体进管133内的流道开/关板135的开启角度至其最大值以最大化气体进管133的内流道开启区域，使得气体进管133的传导性C增加。据此，因为在气体进管133中的清洁加工气体流未被阻止，故清洁加工气体的流速可增加。当清洁加工气体的流速增加，清洁自由基的重组便会被限制，因此可改良清洁效率。
如前所述，根据本实施例在所述的气体进入部130中，因为流道控制部134是位于所述的气体进管133中，所述的气体进管133的内流道的开启区域可根据通过所述的气体进管133注入所述的上反应室10与下反应室20的加工气体种类而被选择性地控制。
据此，根据本实施例在所述的气体进入部130中，当用在沉积加工的沉积加工气体被注入所述的上反应室10与下反应室20时，通过减少所述的气体进管133的内流道的开启区域，可预防在所述的气体供应管131中的寄生电浆产生。又，当用在沉积加工的沉积加工气体被注入所述的上反应室10与下反应室20时，通过相对增加所述的气体进管133的内流道的开启区域，可使清洁加工气体能平顺流动以改进清洁效率。
如前所述，根据本发明，因为寄生电浆产生预防部是位于用在导引加工气体至反应室的气体进管中，所述的气体进管的传导性可减少以预防气体供应管中的寄生电浆的产生。
又，根据本发明，因为基于加工气体种类而选择性控制气体进管的内流道开启体积的流道控制部是位于所述的气体进管中，因此不仅可预防在沉积加工期间的寄生电浆产生，也可以通过限制在清洁加工期间自由基的重组而改善清洁效率。
以上所述仅为本发明的较佳实施例，对本发明而言仅仅是说明性的，而非限制性的。本专业技术人员理解，在本发明权利要求所限定的精神和范围内可对其进行许多改变，修改，甚至等效，但都将落入本发明的保护范围内。
Claims (19)
1.一种用于平面显示器的化学气相沉积装置，其特征在于：包含：
一反应室，其中是对一基板实施沉积加工；
一气体进管，供加工气体通过并注入所述反应室；以及
一气体供应管，是连接在所述的气体进管，并导引所述的加工气体流向所述的气体进管；
其中，所述的气体进管中设有一寄生电浆产生预防部，其是在沉积加工期间，通过增加所述的气体供应管的压力来防止所述的气体供应管中产生寄生电浆；
所述的寄生电浆产生预防部形成在所述的气体进入部的内表面上，使得所述的气体进管至少一部份内径小于所述的气体供应管的内径。
2.根据权利要求1所述的用于平面显示器的化学气相沉积装置，其特征在于：所述的寄生电浆产生预防部包含：
一第一区，其是沿着气体进管纵长，由气体供应管的一侧形成至气体进管的一区域；以及
一第二区，其是形成在所述的第一区结束在反应室的点，且具有不同在所述的第一区的内表面形状。
3.根据权利要求2所述的用于平面显示器的化学气相沉积装置，其特征在于：所述的第一区为细尖外型，其中所述的气体进管的内径沿着气体进管的纵向逐渐向着所述的第二区减少，且第二区为线性外型。
4.根据权利要求2所述的用于平面显示器的化学气相沉积装置，其特征在于：所述的第二区中的气体进管的内径为所述的气体供应管内径的15％-95％。
5.根据权利要求1所述的用于平面显示器的化学气相沉积装置，其特征在于：所述的气体供应管与气体进管是配置为彼此交错，所述的化学气相沉积装置还包含连接在所述的气体供应管与气体进管的角度转接器。
6.根据权利要求1所述的用于平面显示器的化学气相沉积装置，其特征在于：所述的寄生电浆产生预防部为至少在一区域具有弯折形状的气体进管。
7.根据权利要求1所述的用于平面显示器的化学气相沉积装置，其特征在于：所述的气体供应管是以陶瓷材料制作，且所述的气体进管是以铝制作。
8.根据权利要求1所述的用于平面显示器的化学气相沉积装置，其特征在 于：所述的基板为液晶显示器基板。
9.一种用于平面显示器的化学气相沉积装置，其特征在于：包含：
一反应室，其中是对一基板实施沉积加工；
一气体进管，供加工气体通过并注入反应室；以及
一流道控制部，是位于所述的气体进管中且基于加工气体种类选择性地控制所述的气体进管内流道的开启区域。
10.根据权利要求9所述的用于平面显示器的化学气相沉积装置，其特征在于：所述的流道控制部包含：
一流道开/关板，是配置在气体进管的内流道上且开/关所述的内流道；以及
一旋转驱动部，是耦接在所述的流道开/关板且旋转所述的流道开/关板。
11.根据权利要求10所述的用于平面显示器的化学气相沉积装置，其特征在于：所述的旋转驱动部包含：
一电源产生部，是位于气体进管外侧且用在产生电源；
一旋转轴，是与所述的流道开/关板耦接，且提供流道开/关板一旋转中心；以及
一动作转换部，是连接所述的电源产生部与所述的旋转轴，且转换所述的电源产生部产生的电源以使所述的旋转轴产生旋转动作。
12.根据权利要求11所述的用于平面显示器的化学气相沉积装置，其特征在于：所述的电源产生部为一VCM马达，且所述的动作转换部包含：
一齿条，是连接在所述的VCM马达且实施线性动作；以及
一小齿轮，是耦接至旋转轴且与齿条啮合，并根据齿条的线性动作旋转。
13.根据权利要求10所述的用于平面显示器的化学气相沉积装置，其特征在于：所述的旋转驱动部是被控制，而以一预设角度一步步来旋转流道开/关板。
14.根据权利要求10所述的用于平面显示器的化学气相沉积装置，其特征在于：所述的旋转驱动部是耦接至旋转流道开/关板，且旋转所述的旋转流道开/关板。
15.根据权利要求10所述的用于平面显示器的化学气相沉积装置，其特征在于：所述的旋转流道开/关板是由铝或陶瓷材料所制成。
16.根据权利要求9所述的用于平面显示器的化学气相沉积装置，其特征在于：所述的流道控制部包含：
一流道开/关板，是配置在所述的气体进入部的内流道中，且开/关所述的内 流道；以及
一手动枢轴部，是耦接至具有设置在所述的气体进管外侧的一端部的流道开/关板，所述的端部具有一手把。
17.根据权利要求9所述的用于平面显示器的化学气相沉积装置，其特征在于：所述的加工气体为用在沉积加工或清洁反应室的清洁加工气体中的任一种气体。
18.根据权利要求17所述的用于平面显示器的化学气相沉积装置，其特征在于：当清洁加工气体注入时，所述的流道控制部是使开启区域大于当所述的沉积加工气体进入反应室时的开启区域。
19.根据权利要求9所述的用于平面显示器的化学气相沉积装置，其特征在于：还包含：
一气体供应管，是连接至所述的气体进管而彼此交错，且导引所述的加工气体流向所述的气体进管；以及
一角度转接器，是连接所述的气体供应管与所述的气体进管。
Applications Claiming Priority (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020070061165 | 2007-06-21 | ||
| KR1020070061165A KR100857807B1 (ko) | 2007-06-21 | 2007-06-21 | 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치 |
| KR10-2007-0061165 | 2007-06-21 | ||
| KR1020070073887 | 2007-07-24 | ||
| KR1020070073887A KR100938875B1 (ko) | 2007-07-24 | 2007-07-24 | 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치 |
| KR10-2007-0073887 | 2007-07-24 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN101368266A CN101368266A (zh) | 2009-02-18 |
| CN101368266B true CN101368266B (zh) | 2011-10-05 |
Family
ID=40022875
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN2008101289600A Expired - Fee Related CN101368266B (zh) | 2007-06-21 | 2008-06-21 | 用于平面显示器的化学气相沉积装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR100857807B1 (zh) |
| CN (1) | CN101368266B (zh) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101365072B1 (ko) * | 2011-10-06 | 2014-02-20 | 주식회사 에스에프에이 | 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치 |
| KR102262107B1 (ko) * | 2014-08-29 | 2021-06-10 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1830069A (zh) * | 2003-05-30 | 2006-09-06 | 阿维扎技术公司 | 可调节气体分配系统 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20000073450A (ko) * | 1999-05-11 | 2000-12-05 | 윤종용 | 기생 플라즈마 방지용 상부전극부를 구비하는 반응챔버 |
| JP2002367967A (ja) | 2001-06-07 | 2002-12-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマ処理方法及びその装置 |
| KR100446619B1 (ko) * | 2001-12-14 | 2004-09-04 | 삼성전자주식회사 | 유도 결합 플라즈마 장치 |
| JP2006287153A (ja) | 2005-04-05 | 2006-10-19 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置 |
-
2007
- 2007-06-21 KR KR1020070061165A patent/KR100857807B1/ko not_active IP Right Cessation
-
2008
- 2008-06-21 CN CN2008101289600A patent/CN101368266B/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1830069A (zh) * | 2003-05-30 | 2006-09-06 | 阿维扎技术公司 | 可调节气体分配系统 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR100857807B1 (ko) | 2008-09-09 |
| CN101368266A (zh) | 2009-02-18 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN103354202B (zh) | 等离子处理装置 | |
| CN101310036B (zh) | 低温聚硅tft用的多层高质量栅介电层 | |
| CN100564589C (zh) | 用于加工基板的装置和在基板上加工薄膜的方法 | |
| KR101361955B1 (ko) | 성막 장치 | |
| CN1891859B (zh) | 氮氧化硅膜的形成方法 | |
| CN101322224B (zh) | 处理装置 | |
| CN102080219B (zh) | 立式成膜装置及其使用方法 | |
| CN101465283B (zh) | 等离子体处理装置以及等离子体处理方法 | |
| KR100556983B1 (ko) | 유도 결합 플라즈마 처리 장치 | |
| US20020069827A1 (en) | Film formation apparatus | |
| CN101076220A (zh) | 电感耦合等离子体处理装置和等离子体处理方法 | |
| CN107546171A (zh) | 基板升降机构、基板载置台和基板处理装置 | |
| KR20100106614A (ko) | 원자층 성장 장치 및 원자층 성장 방법 | |
| CN101368266B (zh) | 用于平面显示器的化学气相沉积装置 | |
| CN1210764C (zh) | Cvd方法 | |
| CN203085491U (zh) | 低温等离子体清洗设备 | |
| KR100858934B1 (ko) | 화학 기상 증착장치 | |
| KR100738874B1 (ko) | 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치 | |
| KR100783729B1 (ko) | 올레드용 판넬 증착장치 | |
| KR20140140462A (ko) | 원자층 증착 장치 | |
| KR100938875B1 (ko) | 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치 | |
| JP2006237469A (ja) | プラズマｃｖｄ装置及びプラズマｃｖｄ方法 | |
| CN1282221C (zh) | 离子注入机 | |
| CN101126155A (zh) | 化学气相沉积装置 | |
| KR100786274B1 (ko) | 화학 기상 증착장치 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20111005 Termination date: 20170621 |