CN101357452A - 研磨机台反应系统的预热方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种研磨台反应系统的预热方法，涉及半导体制造领域的研磨工艺。所述预热方法首先对输送研磨浆或去离子水的管道进行加热步骤，将研磨液或者去离子水加热至预设温度；带有预设温度的研磨浆或者去离子水进入反应系统后将反应系统的预热至反应温度；然后再对晶圆进行化学机械研磨步骤。与现有技术相比，本发明预热方法通过带有一定温度的去离子水或者研磨液将反应系统加热到最佳的反应温度，不需要通过研磨一些空挡片进行预热。采用本发明的方法节约研磨时间，提高了生产效率。
Description
技术领域
本发明涉及半导体制造领域的研磨工艺，具体地说，涉及一种研磨台反应系统的预热方法。
背景技术
化学机械研磨(CMP)基于化学反应和机械研磨原理已经广泛应用于集成电路的制造工艺中。化学反应需要有一定的反应环境，CMP也不例外，尤其是在金属CMP的制程中，反应温度是一个很重要的参数。例如在钨CMP制程中，反应的最佳温度在50-70摄氏度，然而洁净室的温度往往低于该温度。为了将研磨机台的反应系统的温度加热到预定温度。就目前而言，一般就是在进行正式钨CMP之前，先让研磨机台对一些空挡片(dummy wafer)进行研磨步骤，对研磨机台的反应系统进行预热，使反应体系达到最佳的反应温度。采用现有的预热方法，比较浪费时间，不利于提高生产效率。
因此，需要提供一种研磨机台反应系统的预热方法以进一步优化化学机械研磨制程。
发明内容
本发明解决的技术问题是提供一种可节约时间的研磨机台反应系统的预热方法。
为解决上述技术问题，本发明提供了一种研磨机台反应系统的预热方法，所述研磨机台连接有输送研磨浆或者去离子水的管道，所述预热方法首先对上述管道的研磨浆或去离子水加热至预设温度，带有预设温度的研磨浆或者去离子水进入反应系统后将反应系统的预热至反应温度，然后再对晶圆进行化学机械研磨步骤。
与现有技术相比，本发明通过在去离子水或者研磨液进入反应系统前进行加热步骤，通过带有一定温度的去离子水或者研磨液将反应系统加热到最佳的反应温度，起到了节约时间，提高生产效率的有益效果。
附图说明
图1是采用本发明预热方法的化学机械研磨系统的结构示意图。
具体实施方式
以下对本发明一实施例结合附图的进行描述，以期进一步理解本发明的目的、具体结构特征和优点。
图1是采用本发明预热方法的化学机械研磨系统的结构示意图。该化学机械研磨系统包括去离子水(DIW)存储器1、研磨浆存储器2、泵4、数条传送去离子水或者研磨浆的输送管道5以及研磨机台7。DIW存储器1存放用于清洗晶圆和研磨垫的去离子水。研磨浆存储器2用于存放进行CMP的研磨浆。当打开气阀3、5后，通过泵4将研磨浆或者去离子水输送到管道50。该研磨机台7具有反应系统，其包括放置晶圆的旋转台以及放置在晶圆北研磨表面的研磨垫，进行化学机械研磨步骤时，旋转台旋转，打开控制研磨液存储器1的气阀，将研磨液输送到反应系统上。
该化学机械研磨系统还包括加热装置6，其安装在管道50附近。本发明的预热方法是在进行CMP前，打开加热装置6将输送到反应系统的去离子水或者研磨浆在管道50处被加热到预定温度。当去离子水或者研磨液进入反应系统后，使反应系统达到的最佳反应温度。然后在进行CMP制程。
采用本发明的预设方法不需要通过研磨空挡片对研磨机台的反应系统进行预热，仅需要在去离子水或者研磨液进入反应系统前进行加热步骤，通过带有一定温度的去离子水或者研磨液将反应系统加热到最佳的反应温度。采用本发明的预热方法，不仅节约了时间，而且避免对挡片的浪费。
Claims (2)
1.一种研磨机台反应系统的预热方法，所述研磨机台连接有输送研磨浆或者去离子水的管道，其特征在于，对上述管道的研磨浆或去离子水加热至预设温度，带有预设温度的研磨浆或者去离子水进入反应系统后将反应系统的预热至反应温度，然后再进行化学机械研磨步骤。
2.如权利要求1所述的预热方法，其特征在于：所述研磨机台设有加热装置，其设置在靠近反应系统的管道的位置。
Priority Applications (1)
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| CNA2007100445452A CN101357452A (zh) | 2007-08-03 | 2007-08-03 | 研磨机台反应系统的预热方法 |
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Publications (1)
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| CN101357452A true CN101357452A (zh) | 2009-02-04 |
Family
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Family Applications (1)
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| CNA2007100445452A Pending CN101357452A (zh) | 2007-08-03 | 2007-08-03 | 研磨机台反应系统的预热方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN101357452A (zh) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2012083621A1 (zh) * | 2010-12-21 | 2012-06-28 | 中国科学院微电子研究所 | 化学机械抛光设备及其预热方法 |
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| CN114393514A (zh) * | 2022-01-19 | 2022-04-26 | 江西苏煜新能源科技有限公司 | 一种光伏银浆加工用高速研磨装置 |
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2007
- 2007-08-03 CN CNA2007100445452A patent/CN101357452A/zh active Pending
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