CN101335287A - 发光元件及其制造方法与应用其的发光模组 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种发光元件及其制造方法与应用其的发光模组。发光元件包括一第一发光二极管、一第二发光二极管、第一电极及一第二电极。第一发光二极管设置于一基板上。第一发光二极管包括一第一P型半导体及一第一N型半导体。第二发光二极管堆叠于第一发光二极管之上。第二发光二极管包括一第二P型半导体及一第二N型半导体。第一电极电性连接第一P型半导体及第二N型半导体。第二电极电性连接第一N型半导体及第二P型半导体。其中，第一电极及第二电极电性连接于一交流回路，以轮流驱动第一发光二极管及第二发光二极管发亮。

Description

发光元件及其制造方法与应用其的发光模组

技术领域

本发明是有关于一种发光元件及其制造方法与应用其的发光模组，且特别是有关于一种可应用于交流回路的发光元件及其制造方法与应用其的发光模组。

背景技术

发光二极管(Light Emitting Diode，LED)的发光原理是利用半导体特有性质，不同于一般日光灯或白炽灯发热的发光原理，所以发光二极管所发的光被称为冷光(cold luminescence)。发光二极管具有体积小、发热量低、耗电量低、寿命长、反应速度快、环保、可平面封装、易开发成“轻、薄、短、小”产品等优点，使得发光二极管逐渐取代白炽灯泡及日光灯，并广泛应用于各种产品中。

请参照图1，其绘示传统的发光二极管的示意图。发光二极管900包括一P型半导体900P、一N型半导体900N及一发光层900E。发光层900E设置于P型半导体900P及N型半导体900N之间。在一适当的顺向偏压下，电子E及空穴H分别由N型半导体900N及P型半导体900P注入后，电子E及空穴H便会在发光层900E结合而发出光线L9。因此，传统的发光二极管900仅可以直流回路DC驱动。若以市用交流电驱动传统的发光二极管900则有一半的电流无法利用的情况。

发明内容

本发明为解决上述问题而提供一种发光元件及其制造方法与应用其的发光模组。

根据本发明的一方面，提出一种发光元件。发光元件包括一第一发光二极管、一第二发光二极管、第一电极及一第二电极。第一发光二极管设置于一基板上。第一发光二极管包括一第一P型半导体及一第一N型半导体。第二发光二极管堆叠于第一发光二极管之上。第二发光二极管包括一第二P型半导体及一第二N型半导体。第一电极电性连接第一P型半导体及第二N型半导体。第二电极系电性连接第一N型半导体及第二P型半导体。其中，第一电极及第二电极电性连接于一交流回路，以轮流驱动第一发光二极管及第二发光二极管发亮。

根据本发明的另一方面，提出一种发光模组。发光元件包括一基板及数个发光元件。各发光元件设置于基板上。各发光元件包括一第一发光二极管、一第二发光二极管、第一电极及一第二电极。第一发光二极管设置于一基板上。第一发光二极管包括一第一P型半导体及一第一N型半导体。第二发光二极管堆叠于第一发光二极管之上。第二发光二极管包括一第二P型半导体及一第二N型半导体。第一电极电性连接第一P型半导体及第二N型半导体。第二电极电性连接第一N型半导体及第二P型半导体。其中，第一电极及第二电极电性连接于一交流回路，以轮流驱动第一发光二极管及第二发光二极管发亮。

根据本发明的再第一方面，提出一种发光元件的制造方法。发光元件的制造方法包括：形成一第一发光二极管，第一发光二极管包括一第一P型半导体及一第一N型半导体；形成一第二发光二极管于第一发光二极管上，第二发光二极管包括一第二P型半导体及一第二N型半导体；以及形成一第一电极及一第二电极，第一电极电性连接第一P型半导体及第二N型半导体，第二电极电性连接第一N型半导体及第二P型半导体。

本发明的发光元件及其制造方法与应用其发光模组，由于利用第一发光二极管及第二发光二极管的堆叠结构，及其电性连接方式，使得发光元件具有多项优点。例如适用于交流回路、适用于高压电、元件面积大幅缩小、发光效率高、制程简化、降低制造成本、提高制程良率、以及在单一发光元件上，获得白色发光效果。

附图说明

为让本发明的上述目的、特征和优点能更明显易懂，以下结合附图对本发明的具体实施方式作详细说明，其中：

图1绘示传统的发光二极管的示意图；

图2绘示依照本发明第一实施例的发光元件示意图；

图3A绘示图2的发光元件的一种电流方向图；

图3B绘示图2的发光元件的另一种电流方向图；

图4绘示依照本发明第一实施例的发光元件的等效电路图；

图5绘示依照第一实施例的发光元件的制造方法流程图；

图6A～6L绘示依照第一实施例的发光元件的制造方法的结构示意图；

图7绘示依照本发明第二实施例的发光元件的示意图；

图8A～8M绘示依照第二实施例的发光元件的制造方法的结构示意图；

图9绘示依照本发明第三实施例的发光元件的示意图；

图10A～10B绘示依照第三实施例的发光元件的制造方法的结构示意图；

图11绘示依照本发明第三实施例的发光元件的示意图；

图12绘示依照本发明第五实施例的发光模组的示意图；

图13绘示依照本发明第五实施例的发光模组的等效电路图；以及

图14绘示依照本发明第六实施例的发光模组的等效电路图。

具体实施方式

第一实施例

请参照图2，其绘示依照本发明第一实施例的发光元件示意图，发光元件100包括一第一发光二极管110、一第二发光二极管120、一第一电极130及一第二电极140。第一发光二极管110设置于一基板191上。第一发光二极管110包括一第一P型半导体110P及一第一N型半导体110N。第二发光二极管120堆叠于第一发光二极管110之上。第二发光二极管120包括一第二P型半导体120P及一第二N型半导体120N。第一电极130电性连接第一P型半导体110P及第二N型半导体120N。第二电极140电性连接第一N型半导体110N及第二P型半导体120P。

请参照图3A，其绘示图2的发光元件的一种电流方向图。第一电极130及第二电极140电性连接于一交流回路AC。在图3A中，交流回路AC施加正电压于第一电极130，并施加负电压于第二电极140。在第一发光二极管110中，第一P型半导体110P耦接于正电压，第一N型半导体120N耦接于负电压。因此，第一发光二极管110形成导通的状态，并发射一第一色光L11。另一方面，在第二发光二极管120中，第二P型半导体120P则耦接于负电压，第二N型半导体120N则耦接于正电压。因此，第二发光二极管120形成不导通的状态。

请参照图3B，其绘示图2的发光元件的另一种电流方向图。在图3B中，交流回路AC施加负电压于第一电极130，并施加正电压于第二电极140。在第一发光二极管110中，第一P型半导体110P耦接于负电压，第一N型半导体110N耦接于正电压。因此，第一发光二极管110形成不导通的状态。另一方面，在第二发光二极管120中，第二P型半导体120P则耦接于正电压，第二N型半导体120N则耦接于负电压。因此，第二发光二极管120形成导通的状态，并发出一第二色光L12。

如上所述的两种情况，在交流回路AC施加不同电流方向于发光元件100时，交流回路AC可轮流驱动第一发光二极管110及第二发光二极管120发亮。也就是说，发光元件100在任何时间点，至少有一发光二极管(第一发光二极管110或第二发光二极管120)发亮。

请参照图4，其绘示依照本发明第一实施例的发光元件的等效电路图。本实施例的发光元件100相当于将第一发光二极管110及第二发光二极管120以反向并联的方式连接于交流回路AC。不论交流回路AC所提供的电流方向如何变换，至少有一发光二极管(第一发光二极管110或第二发光二极管120)将被驱动而发亮。

此外，发光元件100的第一发光二极管110及第二发光二极管120并非平行设置于基板191上，而是以堆叠的方式设置于基板191上。因此，发光元件100的元件面积大幅缩小为50％。

再者，请参照图2，由于发光元件100的第一发光二极管110及第二发光二极管120是堆叠于同一区域。在交流回路AC驱动发光元件时，不论是第一发光二极管110或第二发光二极管120发光，在此一区域均会呈现发光状态。也就是说，在交流回路AC驱动发光元件100时，发光元件100的大部分区域几乎皆呈发光状态，几乎没有未发光的区域，大幅提升发光元件100的发光效率。

请参照图2，本实施例的发光元件100由下至上依序堆叠基板191、阻障层192、第一发光二极管110、透明介电层193、穿遂接面层(Tunnel JunctionLayer)194及第二发光二极管120。各层的材料及结构说明如下。

基板191例如是蓝宝石(Sapphire)基板、碳化硅(SiC)基板、硅(Si)基板、砷化镓(GaAs)基板、铝酸锂(LiAlO₂)基板、氧化镁(MgO)基板、氧化锌(ZnO)基板、氮化镓(GaN)基板、氮化铝(AlN)基板或氮化铟(InN)基板。设计者可依据产品功能需求或制程条件需求选用适当的材料作为基板191。

本实施例的第一发光二极管110由下至上依序堆叠第一N型半导体110N、一第一发光层110E及一第一P半导体110P。本实施例的第一发光二极管110由氮化物半导体材料所组成。例如第一N型半导体110N的材质系为掺杂硅的氮化镓(GaN:Si)，其中“:”后的元素表示所掺杂的杂质。第一发光层110E的材质系为氮化铟镓多重量子阱(InGaN Multiple Quantum Wells，InGaNMQWs)。第一P型半导体110P的材质为掺杂镁的氮化镓(GaN:Mg)。

透明介电层193的材质为透明度高且不具导电性的材料，例如是氧化硅(SiO₂)。

穿遂接面层194的材质为掺杂高浓度的P型杂质或N型杂质的材料，例如是重掺杂镁的氮化铟镓(InGaN:Mg)。

本实施例的第二发光二极管120由下至上依序堆叠一第二P型半导体120P、一第二发光层120E及一第二N半导体120N。本实施例的第二发光二极管120是由氮化物半导体材料所组成。例如第二P型半导体120P的材质为掺杂镁的氮化镓(GaN:Mg)。第二发光层120E的材质为氮化铟镓多重量子阱(InGaN MQWs)。第二N型半导体120N的材质为掺杂硅的氮化镓(GaN:Si)。

第一电极130及第二电极140的材质则为具导电性的材料，例如是金属，常用的金属包含铜(Cu)、金(Au)或铝(Al)。

请参照图5，其绘示依照第一实施例的发光元件的制造方法流程图。本实施例发光元件100的制造方法至少包括步骤S02、步骤S04及步骤S06。在步骤S02中，形成第一发光二极管110，第一发光二极管110包括第一P型半导体110P及第一N型半导体110N。接着，在步骤S04中，形成第二发光二极管120于第一发光二极管110上，第二发光二极管120包括第二P型半导体120P及第二N型半导体120N。然后，在步骤S06中，形成第一电极130及第二电极140，第一电极130电性连接第一P型半导体110P及第二N型半导体110N，第二电极140电性连接第一N型半导体110N及第二P型半导体110P。

以下更以详细的结构图说明本实施例发光元件100的制造方法，请参照第6A～6L图，其绘示依照第一实施例的发光元件的制造方法的结构示意图。首先，请参照图6A，提供一基板191。

接着，请参照图6B，形成阻障层192于基板191上。

然后，请参照图6C，形成第一发光二极管110于阻障层192上。其中，本实施例的第一发光二极管110是以一单一磊晶成长的方式形成。单一磊晶成长的方式例如有机金属汽相磊晶(Organometallic Vapor Phase Epitaxy，OMVPE)、分子线磊晶(Molecular Beam Epitaxy，MBE)或氢化物气相磊晶法(Hydride Vapor Phase Epitaxy，HVPE)，设计者可依据制程条件与产品功能需求选择适当的单一磊晶成长的方式。

接着，请参照图6D，形成透明介电层193于第一发光二极管110之上。至此，即完成上述图5的步骤S02。

然后，请参照图6E，提供另一基板195。

接着，请参照图6F，形成第二发光二极管120于基板195上。其中，第二发光二极管120是以一单一磊晶成长的方式形成。单一磊晶成长的方式例如有机金属汽相磊晶(OMVPE)、分子线磊晶(MBE)或氢化物气相磊晶法(HVPE)，设计者可依据制程条件与产品功能需求选择适当的单一磊晶成长的方式。

然后，请参照图6G，形成穿遂接面层194于第二发光二极管120之上。

接着，请参照图6H，以覆晶黏接(bonding)的方式将第二发光二极管120设置于第一发光二极管110上。

然后，请参照图6I，移除基板195。至此，即完成上述图5的步骤S04。

接着，请参照图6J，蚀刻部分的第一发光二极管110及部分的第二发光二极管120，以暴露出部分的第一P型半导体110P、第一N型半导体110N、第二P型半导体120P及第二N型半导体120N。

然后，请参照图6K，形成一绝缘层196于第一发光二极管110及第二发光二极管120的侧壁。

接着，请参照图6L，形成第一电极130及第二电极140。第一电极130电性连接第一P型半导体110P及第二N型半导体120N，第二电极140电性连接第一N型半导体110N及第二P型半导体120P。至此，即形成上述图5的步骤S06。

透过上述步骤即形成本实施例的发光元件100，虽然本实施例的发光元件100是以上述流程图为例作说明，然发光元件100的制造方法并非限制于此。发光元件100的制造方法仅需至少上述步骤S02、步骤S04及步骤S06即可完成，图6A～6L所述的结构仅为其中一种实施方式。

发光元件100的制造方法是直接以黏接的方式堆叠第一发光二极管110及第二发光二极管120，且第一电极130及第二电极140不再需要复杂的绕线设计，不仅简化制程步骤，更降低制造成本与提高制程良率。

请再参照图2，第一发光二极管110是发出一第一色光L11，第二发光二极管120是发出一第二色光L12。其中，第一色光L11的波长大于或等于第二色光L12的波长。使得第一色光L11在穿越第二发光二极管120的过程中，第一色光L11不会受到第二发光层120E的影响。以本实施例的第一发光层110E及第二发光层120E的材料为例，其所发出的第一色光L11及第二色光L12均为蓝色光。其中，第一色光L11系为波长较长的蓝色光，第二色光L12系为波长较短的蓝色光。因此，在交流回路AC的驱动下，发光元件100随时皆可发出蓝色光。尤其是在交流回路AC的周期小于人眼的视觉暂留时间长度时，人眼所观看到的是第一色光L11(波长较长的蓝色光)及第二色光L12(波长较短的蓝色光)的混合色光，也就是一种均匀的蓝色光。

虽然本实施例的第一发光二极管110及第二发光二极管120的内部结构是以上述堆叠方式为例作说明，然第一发光二极管110由下至上也可依序堆叠第一P型半导体110P、第一发光层110E及第一N半导体110N。并且第二发光二极管120由下至上也可依序堆叠第二N型半导体120N、第一发光层120E及第二P半导体120P。只要是第一电极130电性连接第一P型半导体110P及第二N型半导体120N，且第二电极140电性连接第一N型半导体110N及第二P型半导体120P，均不脱离发明所属技术范围。

第二实施例

请参照图7，其绘示依照本发明第二实施例的发光元件的示意图。本实施例的发光元件200与第一实施例的发光元件100不同之处在于第一发光二极管210及第二发光二极管220之间具有一空隙G200，其余相同之处不再重述。本实施例的发光元件200由下至上依序堆叠基板291、阻障层292、第一发光二极管210、第二发光二极管220、阻障层293及基板294。第一发光二极管210及第二发光二极管220之间具有空隙G200，以避免第一发光二极管210的第一P型半导体210P直接与第二发光二极管220的第二P型半导体220P直接接触。

请参照图8A～8M，其绘示依照第二实施例的发光元件的制造方法的结构示意图。首先，请参照图8A，提供基板291。

接着，请参照图8B，形成阻障层292于基板291上。

然后，请参照图8C，形成第一发光二极管210于阻障层292上。

接着，请参照图8D，蚀刻部分的第一发光二极管210，以暴露出第一N型半导体210N。

然后，请参照图8E，形成一绝缘层296于第一发光二极管210的侧壁。

接着，请参照图8F，形成一第二电极240于暴露的第一N型半导体210N上，第二电极240的高度高于第一P型半导体210P。

然后，请参照图8G，提供另一基板294。

然后，请参照图8H，形成另一阻障层293于基板294上。

接着，请参照图8I，形成第二发光二极管220于阻障层293上。

然后，请参照图8J，蚀刻部分的第二发光二极管220，以暴露出第二N型半导体220N。

然后，请参照图8K，形成绝缘层296于第二发光二极管220的侧壁。

接着，请参照图8L，形成一第一电极230于暴露的第二N型半导体220N上，第一电极230的高度高于第二P型半导体220P。

然后，请参照图8M，组合第一发光二极管210及第一发光二极管220。使得第一电极230电性连接第一P型半导体210P及第二N型半导体220N，第二电极240电性连接第一N型半导体210N及第二P型半导体220P，且第一发光二极管210及第二发光二极管220之间具有空隙G200。

透过上述步骤即形成本实施例的发光元件200，虽然本实施例的发光元件200是以上述流程图为例作说明，然发光元件200的制造方法并非限制于此。图8A～8M所述的结构仅为其中一种实施方式。

第三实施例

请参照图9，其绘示依照本发明第三实施例的发光元件的示意图。本实施例的发光元件300与第一实施例的发光元件100不同之处在于发光元件300还包括一萤光层350，萤光层350是覆盖在第二发光二极管320之上，以及第一发光二极管310与第二发光二极管320所发出的光线颜色。其余相同之处，不再重述。

请参照图10A～10B，其绘示依照第三实施例的发光元件的制造方法的结构示意图。

首先，请参照图10A，形成第一发光二极管310及第二发光二极管320。详细的步骤已说明于第一实施例，在此不再重述。

接着，请参照图10B，形成萤光层350于第二发光二极管320之上。透过上述步骤即形成本实施例的发光元件300。

其中，第一发光二极管310是射出一第一色光L31，第二发光二极管320是射出一第二色光L32。萤光层350吸收部分的第一色光L31后，射出一第三色光L33。萤光层350吸收部分的第二色光L32后，射出一第四色光L34。在本实施例中，第一色光L31是为波长较长的蓝色光，第二色光L32是为波长较短的蓝色光，第三色光L33及第四色光L34是为黄色光。因此，在交流回路的驱动下，发光元件300轮流发出第一色光L31(波长较长的蓝色光)与第三色光L33(黄色光)的混合色光(即一种白色光)及第二色光L32(波长较短的蓝色光)与第四色光L34(黄色光)的混合色光(即另一种白色光)。尤其是在交流回路AC的周期小于人眼的视觉暂留时间长度时，人眼所观看到的是第一色光L31(波长较长的蓝色光)、第二色光L32(波长较短的蓝色光)、第三色光L33(黄色光)及第四色光L34(黄色光)的混合色光，也就是一种均匀的白色光。

第四实施例

请参照图11，其绘示依照本发明第三实施例的发光元件的示意图。本实施例的发光元件400与第三实施例的发光元件300不同之处在于第一发光二极管410、第二发光二极管420及萤光层450射出的光线颜色，其余相同之处不重述。

如图11所示，第一发光二极管410是射出一第一色光L41，第二发光二极管420是射出一第二色光L42。萤光层450吸收部分的第一色光L41或部分的第二色光L42后，射出一第三色光L43。在本实施例中，第一色光L41是为绿色光，第二色光L42是为蓝色光，第三色光L43是为红色光。因此，在交流回路AC的驱动下，发光元件400轮流发出第一色光L41及第二色光L42，并同时发出第三色光L43。尤其是在交流回路AC的周期小于人眼的视觉暂留时间长度时，人眼所观看到的是第一色光L41(绿色光)、第二色光L42(蓝色光)及第三色光L43(红色光)的混合色光，也就是一种均匀的白色光。

第五实施例

请参照图12，其绘示依照本发明第五实施例的发光模组的示意图。本实施例是以数个第三实施例的发光元件300组装成一发光模组5000，其余相同之处不再重述。发光模组5000包括一基板591及数个发光元件300。发光元件300是设置于基板591上。以图12为例，两个发光元件300相互串联，其中一发光元件300的第一电极330电性连接于另一发光元件300的第二电极340。各个发光元件300的连接方式相当简易，并不需要复杂的绕线结构。

请参照图13，其绘示依照本发明第五实施例的发光模组500的等效电路图。数个发光元件300依序串联，并以一交流回路AC驱动。本实施例的发光模组500在不需要设置电阻、电感或电容等元件之下，即可承受高压(100V～240V)电流。

第六实施例

请参照图14，其绘示依照本发明第六实施例的发光模组的等效电路图。本实施例的发光模组6000与第五实施例的发光模组5000不同之处在于本实施例系由数个第三实施例的发光元件300以及数个第四实施例的发光元件400所组成，其余相同之处不再重述。在本实施例中，第三实施例的发光元件300及第四实施例的发光元件400是交叉串联。使得发光模组6000在交流回路的驱动下，呈现发光元件300的第一色光L31、第二色光L32与第三色光L33及发光元件400的第一色光L41、第二色光L42、第三色光L43及第四色光L44，而混合出一种白色光。

本发明上述实施例所揭示的发光元件及其制造方法与应用其发光模组，是利用第一发光二极管及第二发光二极管的堆叠结构，及其电性连接方式，使得发光元件具有多项优点。其中，仅列举部分的优点如下：

第一、适用于交流回路：单一发光元件不再需要以复杂的电路设计及可适用于交流回路。并且在交流回路的驱动下，任何时刻皆可射出光线。

第二、适用于高压电：本实施例的发光模组系可承受高压(100V～240V)电流，而不再需要设置电阻、电感或电容等元件，相当地方便。

第三、元件面积大幅缩小：发光元件的第一发光二极管并非平行设置于基板上，而是以堆叠的方式设置于基板上。因此，发光元件的元件面积大幅缩小为50％。

第四、发光效率高：由于发光元件的第一发光二极管及第二发光二极管是堆叠于同一区域。在交流回路驱动发光元件时，不论是第一发光二极管或第二发光二极管发光，在此一区域均会呈现发光状态。也就是说，在交流回路驱动发光元件时，发光元件的大部分区域几乎皆呈发光状态，几乎没有未发光的区域，大幅提升发光元件的发光效率。

第五、制程简化：发光元件的制造方法系直接以黏接的方式堆叠第一发光二极管及第二发光二极管，且第一电极及第二电极更不再需要复杂的绕线设计，大幅简化制程步骤。

第六、降低制造成本：发光元件不再需要复杂的制程步骤且省去绕线的麻烦，更降低材料成本，且缩短制造工时与减少人力/设备的投入。

第七、提高制程良率：简化制程步骤后，减少制程变异的因素及微粒子的影响，而提高了制程良率。

第八、在单一发光元件上，获得白色发光效果：发光元件的第一发光二极管及第二发光二极管在搭配适当的萤光层后，即可混合出一种均匀的白色光。

虽然本发明已以较佳实施例揭示如上，然其并非用以限定本发明，任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作些许的修改和完善，因此本发明的保护范围当以权利要求书所界定的为准。

Claims (18)

1.一种发光元件，其特征在于，包括：

一第一发光二极管，系设置于一基板上，该第一发光二极管包括：

一第一P型半导体；及

一第一N型半导体；

一第二发光二极管，堆叠于该第一发光二极管之上，该第二发光二极管包括：

一第二P型半导体；及

一第二N型半导体；

一第一电极，电性连接该第一P型半导体及该第二N型半导体；以及

一第二电极，电性连接该第一N型半导体及该第二P型半导体；

其中，该第一电极及该第二电极电性连接于一交流回路，以轮流驱动该第一发光二极管及该第二发光二极管发亮。

2.如权利要求1所述的发光元件，其特征在于，该第一发光二极管是发出一第一色光，该第二发光二极管是发出一第二色光，该第一色光的波长大于或等于该第二色光的波长。

3.如权利要求1所述的发光元件，其特征在于，还包括：

一穿遂接面层，设置于该第一发光二极管及该第二发光二极管之间，该穿遂接面层是掺杂高浓度的P型杂质或N型杂质；或者

一透明介电层，设置于该第一发光二极管及该第二发光二极管之间。

4.如权利要求1所述的发光元件，其特征在于，还包括：

一萤光层，覆盖在该第二发光二极管之上。

5.如权利要求4所述的发光元件，其特征在于，该第一发光二极管是射出一第一色光，该第二发光二极管是射出一第二色光，该萤光层吸收部分的该第一色光或部分的该第二色光后，射出一第三色光，该第一色光、该第二色光及该第三色光混合后形成白色光。

6.如权利要求4所述的发光元件，其特征在于，该第一发光二极管是射出一第一色光，该第二发光二极管是射出一第二色光，该萤光层吸收部分的该第一色光后，射出一第三色光，该萤光层吸收部分的该第二色光后，射出一第四色光，该第一色光及该第三色光混合后形成白色光，该第三色光及该第四色光混合后形成白色光。

7.一种发光模组，其特征在于，包括：

一基板；以及

数个发光元件，设置于该基板上，各发光元件包括：

一第一发光二极管，设置于一基板上，各第一发光二极管包括：

一第一P型半导体；及

一第一N型半导体；

一第二发光二极管，堆叠于各第一发光二极管之上，各第二发光二极管包括：

一第二P型半导体；及

一第二N型半导体；

一第一电极，电性连接各第一P型半导体及各第二N型半导体；及

一第二电极，电性连接各第一N型半导体及各第二P型半导体，其中各第一电极及各第二电极是电性连接于一交流回路，以轮流驱动各第一发光二极管及各第二发光二极管。

8.如权利要求7所述的发光模组，其特征在于，各第一发光二极管是发出一第一色光，各第二发光二极管是发出一第二色光，各第一色光的波长是大于或等于各第二色光的波长。

9.如权利要求7所述的发光模组，其特征在于，各发光元件还包括：

一穿遂接面层，设置于各第一发光二极管及各第二发光二极管之间，该穿遂接面层是掺杂高浓度的P型杂质或N型杂质；或者

一透明介电层，设置于各第一发光二极管及各第二发光二极管之间。

10.如权利要求7所述的发光模组，其特征在于，各发光元件还包括：

一萤光层，覆盖在各第二发光二极管之上。

11.如权利要求10所述的发光模组，其特征在于，该第一发光二极管是射出一第一色光，该第二发光二极管是射出一第二色光，该萤光层吸收部分的该第一色光或部分的该第二色光后，射出一第三色光，该第一色光、该第二色光及该第三色光混合后形成白色光。

12.如权利要求10所述的发光模组，其特征在于，该第一发光二极管是射出一第一色光，该第二发光二极管是射出一第二色光，该萤光层吸收部分的该第一色光后，射出一第三色光，该萤光层吸收部分的该第二色光后，射出一第四色光，该第一色光及该第三色光混合后形成白色光，该第三色光及该第四色光混合后形成白色光。

13.一种发光元件的制造方法，其特征在于，包括：

形成一第一发光二极管，该第一发光二极管包括一第一P型半导体及一第一N型半导体；

形成一第二发光二极管于该第一发光二极管上，该第二发光二极管包括一第二P型半导体及一第二N型半导体；以及

形成一第一电极及一第二电极，该第一电极是电性连接该第一P型半导体及该第二N型半导体，该第二电极是电性连接该第一N型半导体及该第二P型半导体。

14.如权利要求13所述的发光元件的制造方法，其特征在于，该第一发光二极管及该第二发光二极管是以一单一磊晶成长的方式形成。

15.如权利要求13所述的发光元件的制造方法，其特征在于，该第二发光二极管是以覆晶黏接的方式设置于该第一发光二极管上。

16.如权利要求13所述的发光元件的制造方法，其特征在于，在形成该第一发光二极管之后，该制造方法还包括：

形成一穿遂接面层于该第一发光二极管之上，该穿遂接面层是掺杂高浓度的P型杂质或N型杂质。

17.如权利要求13所述的发光元件的制造方法，其特征在于，在形成该第一发光二极管之后，该制造方法还包括：

形成一透明介电层于该第一发光二极管之上。

18.如权利要求13所述的发光元件的制造方法，其特征在于，在形成该第二发光二极管之后，该制造方法还包括：

形成一萤光层于该第二发光二极管之上。

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