CN101335152A - 提高真空断路器用永磁机构速度的方法及永磁机构 - Google Patents

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田利民
张社平
李建利
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Tian Limin
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Abstract

一种提高真空断路器用永磁机构速度的方法,是在永磁机构的合分位置的端部或动铁芯的端部建立独立的磁保持回路以克服或减少磁回路对分合闸的影响。所述的永磁机构,包括磁轭、线圈、动铁芯和永磁体,磁轭是一个金属框架并且作为整个永磁机构的架体,线圈固定在磁轭框架内,动铁芯位于线圈中间并且两端安装在磁轭两端,永磁体固定在磁轭端部或动铁芯的端部。本发明优点是通过此方法可以大大提高真空断路器的分闸速度,解决永磁机构在大容量真空断路器中分闸速度低的问题。

Description

提高真空断路器用永磁机构速度的方法及永磁机构
技术领域
本发明属于电气技术领域,特别是高压开关中的永磁机构。
背景技术
近年来,高压开关用永磁机构备受关注,但由于其本身结构的影响无法达到真空灭弧室所要求的理想分闸速度,影响了其在大容量开断的应用。传统永磁机构分为双稳态和单稳态(见图1a;1b)。无论双稳态和单稳态,永磁体4都是在动铁芯3中部,线圈2位于动铁芯3端部。双稳态工作原理中永磁体为合分位置共有体,合闸时永磁体串联在磁回路中。分闸时由于合闸磁回路的作用,阻止了铁芯运动速度使运动速度降低。合闸反之。
发明内容
本发明目的是提供一种提高真空断路器用永磁机构速度的方法及永磁机构,以提高永磁机构分合闸速度,解决了真空断路器大容量开断问题。
本发明技术方案是:一种提高真空断路器用永磁机构速度的方法,其是在永磁机构的合分位置的端部或动铁芯的端部建立独立的磁保持回路以克服或减少磁回路对分合闸的影响。
提高真空断路器用永磁机构速度的方法,同时在永磁机构的分闸线圈中加大电流以提高分闸速度。
实现上述提高真空断路器用永磁机构速度的方法的永磁机构,包括磁轭、线圈、动铁芯和永磁体,磁轭是一个金属框架并且作为整个永磁机构的架体,线圈固定在磁轭框架内,动铁芯位于线圈中间并且两端安装在磁轭两端,本发明永磁机构的永磁体固定在磁轭端部或动铁芯的端部。
在磁轭或动铁芯的一端固定永磁体或者两端均固定永磁体。
永磁体的固定方式可以采取以下任意一种:
永磁体固定连接在动铁芯的端面上;
永磁体镶嵌在磁轭的端部。
本发明优点是通过此方法可以大大提高真空断路器的分闸速度,解决永磁机构在大容量真空断路器中分闸速度低的问题。使永磁机构应用更加广泛,使我国真空断路器永磁机构的开发制造走在世界前列。
附图说明
图1为现有永磁机构示意图,其中图1(a)为双稳态结构;图1(b)为单稳态结构。
图2为本发明永磁机构在动铁芯加磁回路示意图,其中图2(a)为双稳态结构;图2(b)为单稳态结构。
图3为本发明永磁机构在静铁芯(磁轭)加磁回路示意图,其中图3(a)为双稳态结构;图3(b)为单稳态结构。
具体实施方式
实施例1:如图2(a)和图2(b)所示,无论双稳态还是单稳态结构,永磁体4固定在动铁芯3端部,线圈2位于动铁芯3端部并且一同安装在磁轭(1)内。
实施例2:如图3(a)和图3(b)所示,无论双稳态还是单稳态结构,永磁体4固定在磁轭1(静铁芯)端部(一端或两端都固定),线圈2位于动铁芯3端部并且一同安装在磁轭(1)内。

Claims (6)

1、一种提高真空断路器用永磁机构速度的方法,其特征是在永磁机构的合分位置的端部或动铁芯的端部建立独立的磁保持回路以克服或减少磁回路对分合闸的影响。
2、根据权利要求1所述的提高真空断路器用永磁机构速度的方法,其特征是同时在永磁机构的分闸线圈中加大电流以提高分闸速度。
3、实现如权利要求1或2所述提高真空断路器用永磁机构速度的方法的永磁机构,包括磁轭(1)、线圈(2)、动铁芯(3)和永磁体(4),磁轭(1)是一个金属框架并且作为整个永磁机构的架体,线圈(2)固定在磁轭(1)框架内,动铁芯(3)位于线圈(2)中间并且两端安装在磁轭(1)两端,其特征是永磁体(4)固定在磁轭(1)端部或动铁芯(3)的端部。
4、根据权利要求3所述的永磁机构,其特征是在磁轭(1)或动铁芯(3)的一端固定永磁体(4)或者两端均固定永磁体(4)。
5、根据权利要求4所述的永磁机构,其特征是永磁体(4)是固定连接在动铁芯(3)的端面上。
6、根据权利要求4所述的永磁机构,其特征是永磁体(4)是镶嵌在磁轭(1)的端部。
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Co-applicant before: Zhang Sheping

Co-applicant before: Li Jianli

C02 Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001)
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Open date: 20081231