CN101332477B - 半导体器件硅铝键合线制造方法 - Google Patents

半导体器件硅铝键合线制造方法 Download PDF

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Abstract

一种半导体器件硅铝键合线制造方法,属于半导体器件封装材料技术领域。其合金熔体采用Al-1%Si合金配料用一般工艺溶制,由加热型铸型水平连铸成具有单方向的柱状晶组织的线坯,经均匀化处理,均匀化温度540-570℃,保温24小时,之后,拉伸加工到¢1.0mm,再固溶化处理,固溶化温度450-570℃,保温1-4小时,然后一直拉伸到¢2-30μm。最后在150-350℃退火;其制造方法包括:熔炼合金-净化处理-制备线坯-均匀化处理-粗拉-固溶化处理-细拉-在线热处理-成品检验。本发明将铝硅合金熔体进行水平单方向凝固铸造,形成柱状晶组织,铸坯经均匀化处理及固溶化处理后,获得S i颗粒细小、强度高、延伸率高、加工性能优良的微细铝线产品。

Description

半导体器件硅铝键合线制造方法
技术领域
本发明属于电子器件封装材料技术领域。
背景技术
在IC封装中,芯片和引线框架(基板)的连接要靠焊线(引线)来实现。这种焊线通常是直径20-30μm的微细线,焊线材料的选择,从导电性和耐蚀性考虑是用金线,但从材料成本和与基体连接的相容性上考虑,用铝线(或Al-1%Si合金线)又更合适。这种直径20-30μm的微细铝线,以往的制造方法是用高纯Al(99.999%)和Si(99.999%)配成Al-1%Si合金,熔炼并用钢模铸成¢50mm的锭坯,经均匀化处理后,在模孔轧机上轧成或在挤压机上挤成线坯,再拉伸到所需尺寸的铝线,中间要经过多次热处理。Al-1%Si合金中Si的固溶极限在577℃时最大是1.65%。随着温度下降,Si的固溶度也降低,常温只有0.02%。按以往制造方法,熔炼并在钢模铸锭,得到的不溶的Si颗粒粗大且分布不均匀。这种大颗粒Si在焊接时会损伤芯片,而且在铝线拉伸加工中断头率高,性能不好。另外,Al-1%Si微细线焊接时,其强度和延伸率对半导体器件的可靠性和生产效率都有很大影响。例如,强度低,焊接时容易断线,实现高速配线困难。而且使用中由于发热而软化。延伸率低,超声焊接时结合力小,焊接强度低,容易脱落。按以往的方法生产的铝线,要提高强度,就需要采用大的变形量加工,但这样,延伸率又会明显的低,要提高延伸率需进行中间退火,这样强度又会下降。因此,按以往的制造方法生产Al-1%Si合金微细线很难得到具有Si颗粒细小,分布均匀,加工性能良好,而且强度,延伸率都高的性能。
发明内容:
本发明的目的是提供一种半导体器件硅铝键合线制造方法,以解决现有技术Si颗粒粗大且分布不均匀,加工性能差,强度和延伸率不能同时高等问题。
本发明解决其技术问题所采用的技术方案是将Al-1%Si合金配料用一般工艺溶制合金熔体,由加热型铸型水平连铸成具有单方向的柱状晶组织的线坯,经均匀化处理,均匀化温度540-570℃,保温24小时,之后,拉伸加工到¢1.0mm,再固溶化处理,固溶化温度450-570℃,保温1-4小时,然后一直拉伸到¢25-30μm。最后在150-350℃退火。其制造方法包括:熔炼合金-净化处理-制备线坯-均匀化处理-拉拔-固溶处理-细拉-在线热处理-成品检验。
采用本发明的积极效果是,将硅铝金熔体进行水平单方向凝固铸造,形成柱状晶组织,不溶的Si颗粒细小,均匀分布。铸坯经均匀化处理后,拉伸到¢1.0mm再进行固溶化处理,从而获得Si颗粒细小、强度高、延伸率高、加工性能优良的微细铝线。
具体实施方式:
以制造¢30μm微细铝线为例.采用原料为99.999%Al和99.999%Si,配制Al-1%Si合金熔体,在690℃下,采用加热铸型水平连铸成¢6.0mm线坯,经540℃,保温24小时的均匀化处理,室温下拉伸加工到¢1.0mm,再经570℃,保温2小时固溶化处理,然后一致拉伸到¢25μm。最后在250℃退火,达到所要求的性能。其制备工艺:
1、熔炼合金:高纯净母合金的配制和Al-1%Si合金熔制。
2、净化处理:合金熔体的过滤。
3、制备线坯:690℃下加热型铸型水平连续定向凝固制成(Φ5-6mm)线坯。
4.均匀化处理:540℃,22小时。
5、拉拔:(Φ5mm)→粗拉(¢1.0mm)。
6、固溶处理:490℃,保温3小时。
7、细拉:拉拔至¢25μm成品。
8、在线热处理:温度250℃.
9、成品检验:包装、入库。

Claims (1)

1.一种半导体器件硅铝键合线制造方法,将Al-1%Si合金配料用一般工艺熔制合金熔体,其特征是由加热型铸型水平连铸成具有单方向的柱状晶组织的线坯,经均匀化处理,均匀化温度540-570℃,保温24小时,之后,拉伸加工到¢1.0mm,再固溶化处理,固溶化温度450-570℃,保温1-4小时,然后一直拉伸到¢25-30μm,最后在150-350℃退火;其制造方法包括:熔炼合金-净化处理-制备线坯-均匀化处理-拉拔-固溶处理-细拉-在线热处理-成品检验。
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