CN101329987A - 焊接金球的去除方法 - Google Patents
焊接金球的去除方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN101329987A CN101329987A CNA200710042409XA CN200710042409A CN101329987A CN 101329987 A CN101329987 A CN 101329987A CN A200710042409X A CNA200710042409X A CN A200710042409XA CN 200710042409 A CN200710042409 A CN 200710042409A CN 101329987 A CN101329987 A CN 101329987A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- gold ball
- welding gold
- face
- removal method
- chip
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02W—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO WASTEWATER TREATMENT OR WASTE MANAGEMENT
- Y02W30/00—Technologies for solid waste management
- Y02W30/30—Landfill technologies aiming to mitigate methane emissions
Landscapes
- Grinding And Polishing Of Tertiary Curved Surfaces And Surfaces With Complex Shapes (AREA)
Abstract
本发明公开了一种焊接金球的去除方法，涉及半导体领域的检测分析技术。现有去除方法，蚀刻金球的时间过长，导致破坏金球下面的金属互连线。本发明的去除方法包括：a.提供封装后的芯片；b.对芯片的端面进行研磨抛光步骤，研磨掉端面的部分塑封体以及部分焊接金球；c.进行蚀刻步骤，将焊接金球去除。与现有技术相比，本发明通过研磨抛光步骤提高金球蚀刻的均匀度，使得采用较短的时间就可以将金球蚀刻掉，避免了因过长时间的蚀刻步骤对金球下面的金属互连线的影响。
Description
技术领域
本发明涉及半导体领域的检测分析技术，具体地说，涉及一种封装芯片焊接金球的去除方法。
背景技术
对封装后的芯片检测通常是抽样检测，所以当部分芯片使用过程出现问题时，客户就会将这些问题芯片退回，要求进行失败原因检测分析。在进行检测分析时，首先需要将封装表面的塑封体去除，然后将焊接金球去除后才能进行电路检测分析。
目前业界的通常做法是采用煮沸的硝酸将塑封体去掉，然后再用王水将焊接金球去掉。通过测试发现，金球的边缘部分和中心部分的蚀刻速度有很大差别，边缘部分需要十分钟的时间蚀刻掉，而中心部分需要约一分钟就可以完全蚀刻掉。因此需要约十分钟的蚀刻步骤才能将金球全部去除干净。但是，长时间的蚀刻步骤，很容易破坏金球中心部分对应的下层金属互连线，进而严重影响后续的电路检测分析。
有鉴于此，需要提供一种新的焊接金球的去除方法以改善上述问题。
发明内容
本发明解决的技术问题在于提供一种可较好保护芯片金属互连线的焊接金球的去除方法。
为解决上述技术问题，本发明提供了一种焊接金球的去除方法，其包括：a.提供封装后的芯片，其包括最外层的塑封体以及靠近焊接金球的端面；b.对芯片的端面进行研磨抛光步骤，研磨掉端面的部分塑封体以及部分焊接金球；c.进行蚀刻步骤，将剩余焊接金球蚀刻掉。
所述步骤b在打磨机上进行，其中打磨机具有研磨盘以及可拆卸地安装在研磨盘上的砂纸；进一步地，步骤b分为数个分步骤进行，且采用砂纸的颗粒以及设置的研磨盘转速依次减小；进一步地，第一分步骤选择颗粒为30um的砂纸，设置研磨盘的转速为70r/m，对芯片端面进行研磨抛光，直至看到金球；然后进行第二分步骤，更换颗粒为15um的砂纸，设置研磨盘的转速为40r/m，继续对芯片端面进行研磨抛光，直至研磨掉金球边缘的大部分；然后进行第三分步骤，选择颗粒为6um的砂纸，设置研磨盘的转速为30r/m继续进行研磨，直至金球的边缘部分全部被研磨掉。
进行步骤b时，与端面对应的表面具有研磨方向标记，根据方向标记进行研磨，使芯片端面各部分研磨的厚度相同。
步骤c的反应溶液是由浓度为79％的硝酸和浓度为49％的盐酸以1∶3的比例混合而成的王水。
步骤c的蚀刻时间为一分钟。
与现有技术相比，本发明焊接金球的去除方法通过研磨抛光步骤，将金球边缘部分研磨掉，提高了剩余金球蚀刻均匀性；本发明仅需要较短的蚀刻步骤时间就可以将剩余金球完全去除，避免了因过长时间的蚀刻步骤对金球下面的金属互连线的影响，从而起到了提高了后续电路检测分析的正确性的有益效果。
附图说明
图1为本发明焊接金球的去除方法一实施例的流程图。
具体实施方式
下面结合图1对本发明焊接金球的去除方法一实施例作详细描述。
本发明焊接金球的去除方法包括如下步骤：提供封装后的芯片，其包括最外层的塑封体以及靠近焊接金球的端面；对该芯片的端面进行研磨抛光步骤，将芯片端面的大部分塑封体和部分金球研磨掉；进行清洗步骤，清洗研磨抛光步骤产生的杂质；进行蚀刻步骤，将剩余金球蚀刻掉。
所述研磨抛光步骤在打磨机上进行，该打磨机具有一个8寸的研磨盘，研磨盘上安装有砂纸，其中砂纸可根据实际需要采用不同颗粒大小的类型。进行研磨抛光步骤时，芯片放在砂纸上面，用手按住芯片背面(与端面相对的表面)，设置研磨盘的转速，对芯片的端面进行研磨抛光。本实施例中的研磨抛光步骤分三步进行：第一步选择颗粒为30um的砂纸，设置研磨盘的转速为70转每分钟(70r/m)对芯片端面进行研磨抛光，在研磨过程中，隔一定时间，就用显微镜观察芯片端面，直至看到金球；然后进行第二步，更换颗粒为15um的砂纸，设置研磨盘的转速为40r/m，继续对芯片端面进行研磨抛光，直至研磨掉金球边缘的大部分；然后进行第三步，选择颗粒为6um的砂纸，设置研磨盘的转速为30r/m继续进行研磨，直至金球的边缘部分全部被研磨掉，仅剩下与芯片钝化层的金属互连线接触的中心部分。
另外，为了保证研磨的芯片端面具有较好的平整度，研磨抛光过程中，在芯片的背面刻上研磨方向标记，根据方向标记，变换不同方向进行研磨，从而确保芯片端面各部分研磨的厚度均大致相同。研磨的芯片端面平整度越高，蚀刻步骤中对金球蚀刻的均匀度也越高，这样经过研磨抛光步骤后，金球剩下的中心部分的蚀刻速率会基本相同。
所述蚀刻步骤为湿法蚀刻，反应溶液是由浓度为79％的硝酸和浓度为49％的盐酸以1∶3的比例混合而成的王水。蚀刻时间约1分钟或者更少时间就可以将金球的剩下部分完全蚀刻掉。
本发明去除方法在研磨抛光步骤将金球边缘部分研磨掉，且芯片端面具有较好的平整度，使剩下的金球部分在蚀刻步骤中，以大致相同的时间被蚀刻掉，且时间较短。因此，采用本发明的去除方法，不仅可以将金球去除干净，也可以有效避免金球下面的金属互连线受到破坏，减小了对后续电路检测分析的影响。
Claims (8)
1.一种焊接金球的去除方法，其特征在于，该去除方法包括如下步骤：a.提供封装后的芯片，其包括最外层的塑封体以及靠近焊接金球的端面；b.对芯片的端面进行研磨抛光步骤，研磨掉端面的部分塑封体以及部分焊接金球；c.进行蚀刻步骤，将剩余焊接金球蚀刻掉。
2.如权利要求1所述的焊接金球的去除方法，其特征在于：步骤b在打磨机上进行，其中打磨机具有研磨盘以及可拆卸地安装在研磨盘上的砂纸。
3.如权利要求2所述的焊接金球的去除方法，其特征在于：步骤b分为数个分步骤进行，且采用砂纸的颗粒以及设置的研磨盘转速依次减小。
4.如权利要求3所述的焊接金球的去除方法，其特征在于：步骤b分为三个分步进行：第一分步骤选择颗粒为30um的砂纸，设置研磨盘的转速为70r/m，对芯片端面进行研磨抛光，直至看到焊接金球；然后进行第二分步骤，更换颗粒为15um的砂纸，设置研磨盘的转速为40r/m，继续对芯片端面进行研磨抛光，直至研磨掉焊接金球边缘的大部分；然后进行第三分步骤，选择颗粒为6um的砂纸，设置研磨盘的转速为30r/m继续进行研磨，直至焊接金球的边缘部分全部被研磨掉。
5.如权利要求2所述的焊接金球的去除方法，其特征在于：进行步骤b时，与端面对应的表面具有研磨方向标记，根据方向标记进行研磨，使芯片端面各部分研磨的厚度相同。
6.如权利要求1所述的焊接金球的去除方法，其特征在于：步骤c的反应溶液是由浓度为79％的硝酸和浓度为49％的盐酸以1∶3的比例混合而成的王水。
7.如权利要求1所述的焊接金球的去除方法，其特征在于：步骤c的蚀刻时间为一分钟。
8.如权利要求1所述的焊接金球的去除方法，其特征在于：步骤b和c之间还包括清洗步骤。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN200710042409A CN101329987B (zh) | 2007-06-22 | 2007-06-22 | 焊接金球的去除方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN200710042409A CN101329987B (zh) | 2007-06-22 | 2007-06-22 | 焊接金球的去除方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN101329987A true CN101329987A (zh) | 2008-12-24 |
| CN101329987B CN101329987B (zh) | 2010-05-19 |
Family
ID=40205723
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN200710042409A Active CN101329987B (zh) | 2007-06-22 | 2007-06-22 | 焊接金球的去除方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN101329987B (zh) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103187239A (zh) * | 2011-12-29 | 2013-07-03 | 无锡华润上华半导体有限公司 | 去除芯片上锡球的方法 |
| CN103824756A (zh) * | 2012-11-16 | 2014-05-28 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 去除封装结构的方法 |
| CN106783537A (zh) * | 2016-12-01 | 2017-05-31 | 武汉新芯集成电路制造有限公司 | 一种去除晶圆表面焊料的方法 |
| CN108493123A (zh) * | 2018-04-11 | 2018-09-04 | 宜特(上海)检测技术有限公司 | 覆晶芯片取裸片的制备方法及失效分析方法 |
-
2007
- 2007-06-22 CN CN200710042409A patent/CN101329987B/zh active Active
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103187239A (zh) * | 2011-12-29 | 2013-07-03 | 无锡华润上华半导体有限公司 | 去除芯片上锡球的方法 |
| WO2013097550A1 (zh) * | 2011-12-29 | 2013-07-04 | 无锡华润上华半导体有限公司 | 去除芯片上锡球的方法 |
| CN103187239B (zh) * | 2011-12-29 | 2015-11-25 | 无锡华润上华半导体有限公司 | 去除芯片上锡球的方法 |
| CN103824756A (zh) * | 2012-11-16 | 2014-05-28 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 去除封装结构的方法 |
| CN106783537A (zh) * | 2016-12-01 | 2017-05-31 | 武汉新芯集成电路制造有限公司 | 一种去除晶圆表面焊料的方法 |
| CN108493123A (zh) * | 2018-04-11 | 2018-09-04 | 宜特(上海)检测技术有限公司 | 覆晶芯片取裸片的制备方法及失效分析方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN101329987B (zh) | 2010-05-19 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100572556B1 (ko) | 후면연삭을 포함하는 반도체웨이퍼의 처리방법 | |
| CN100397584C (zh) | 晶片的磨削装置及磨削方法 | |
| CN101329987B (zh) | 焊接金球的去除方法 | |
| CN104802071A (zh) | 化学机械抛光方法 | |
| JP2007165706A (ja) | 半導体集積回路装置の製造方法 | |
| CN101996911A (zh) | 对栅氧化层进行失效分析的方法 | |
| CN101879699A (zh) | 循环渐进平坦化方法及用于该方法的半导体研磨清洁装置 | |
| CN102806525B (zh) | 抛光装置及抛光副产物的去除方法 | |
| CN106625204B (zh) | 一种大尺寸SiC晶片的背面处理方法 | |
| JP2017092135A (ja) | デバイスの製造方法 | |
| CN103870813A (zh) | 指纹传感器和电子设备 | |
| JP2011249499A (ja) | ウェーハの加工方法 | |
| JP2005340431A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2013004910A (ja) | 埋め込み銅電極を有するウエーハの加工方法 | |
| CN104576350B (zh) | 晶圆减薄方法 | |
| CN105762062B (zh) | 一种砷化镓半导体基片湿法刻蚀工艺 | |
| TWM588350U (zh) | 再生晶圓低磨耗之均質化研磨系統 | |
| CN109434671A (zh) | 一种晶圆加工设备及加工方法 | |
| CN105575856B (zh) | 一种对InSb进行割圆倒角的装置 | |
| CN106041660A (zh) | 一种硅晶圆多步变参数粗磨削方法 | |
| CN209579181U (zh) | 研磨环结构以及研磨头 | |
| CN201410642Y (zh) | 半导体研磨清洁装置 | |
| CN111393997A (zh) | 一种金属间化合物抛光液及金属间化合物轮廓线显示方法 | |
| CN104716034A (zh) | 芯片厚度减薄至60～100μm的方法 | |
| CN112179915A (zh) | 一种用于定位裸片内部损伤点的去除层次方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant |