CN101283264A - 具有磁场补偿的磁传感器设备 - Google Patents

具有磁场补偿的磁传感器设备 Download PDF

Info

Publication number
CN101283264A
CN101283264A CNA2006800377196A CN200680037719A CN101283264A CN 101283264 A CN101283264 A CN 101283264A CN A2006800377196 A CNA2006800377196 A CN A2006800377196A CN 200680037719 A CN200680037719 A CN 200680037719A CN 101283264 A CN101283264 A CN 101283264A
Authority
CN
China
Prior art keywords
magnetic field
magnetic
magnetic sensor
sensor device
sensor element
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CNA2006800377196A
Other languages
English (en)
Inventor
J·A·H·M·卡尔曼
H·杜里克
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Koninklijke Philips NV
Original Assignee
Koninklijke Philips Electronics NV
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Koninklijke Philips Electronics NV filed Critical Koninklijke Philips Electronics NV
Publication of CN101283264A publication Critical patent/CN101283264A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
    • G01R33/02—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux
    • G01R33/025—Compensating stray fields
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y25/00—Nanomagnetism, e.g. magnetoimpedance, anisotropic magnetoresistance, giant magnetoresistance or tunneling magnetoresistance
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
    • G01R33/02—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux
    • G01R33/06—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux using galvano-magnetic devices
    • G01R33/09—Magnetoresistive devices
    • G01R33/093—Magnetoresistive devices using multilayer structures, e.g. giant magnetoresistance sensors
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
    • G01R33/12—Measuring magnetic properties of articles or specimens of solids or fluids
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
    • G01R33/12—Measuring magnetic properties of articles or specimens of solids or fluids
    • G01R33/1269—Measuring magnetic properties of articles or specimens of solids or fluids of molecules labeled with magnetic beads
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N15/00—Investigating characteristics of particles; Investigating permeability, pore-volume or surface-area of porous materials
    • G01N15/06—Investigating concentration of particle suspensions
    • G01N15/0656—Investigating concentration of particle suspensions using electric, e.g. electrostatic methods or magnetic methods
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N15/00—Investigating characteristics of particles; Investigating permeability, pore-volume or surface-area of porous materials
    • G01N15/10—Investigating individual particles
    • G01N15/1031—Investigating individual particles by measuring electrical or magnetic effects

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Magnetic Means (AREA)
  • Measuring Magnetic Variables (AREA)

Abstract

本发明涉及一种磁传感器设备(10)，其包括用于产生第一磁场(B1)的励磁导线(11)、用于感测由磁珠(2)产生的杂散场(B’)的GMR传感器(12)、以及用于产生第二磁场(B2)以在GMR传感器(12)中抵消第一磁场(B1)的补偿导线(13)。优选地，励磁导线和补偿导线(11、13)对称设置在GMR传感器(12)的上方和下方，并被提供相等幅值的并联电流(I1、I2)。在第二操作模式中，可以将磁场(B1、B2)设定成在包含磁珠(2)的区域中基本抵消，以便允许校准GMR传感器(12)。

Description

具有磁场补偿的磁传感器设备
本发明涉及一种磁传感器设备，其包括至少一个磁场发生器和至少一个相关联的磁传感器元件。并且，本发明包括该磁传感器设备的使用以及用于在研究区域中检测至少一种磁性粒子的方法。
从WO2005/010543 A1和WO2005/010542 A2中，获知了一种微型传感器设备，它例如可以在微流体生物传感器中使用，该微流体生物传感器用于对利用磁珠作标记的生物分子进行检测。微型传感器设备具有传感器阵列，其包括用于产生磁场的导线以及用于检测由磁珠产生的杂散场的巨磁电阻(GMR)。于是，GMR的信号指示传感器附近的磁珠的数量。已知磁传感器设备的问题在于GMR受到比较强的励磁磁场的影响，这可能导致所需信号的损坏。
基于这种情况，本发明的目的是提供一种手段，该手段允许利用上述类型的磁传感器设备进行更加精确的测量。
该目的由根据权利要求1所述的磁传感器设备、根据权利要求10所述的方法、以及根据权利要求13所述的使用来实现。优选实施例在从属权利要求中公开。
根据本发明的磁传感器设备包括下列元件：
a)至少一个用于在研究区域中产生第一磁场的磁场发生器。该磁场发生器例如可以由微型传感器的基板上的导线(“励磁导线”)实现。
b)至少一个磁传感器元件，其具有灵敏度方向，并且在它受磁场发生器的磁场的影响的意义上讲，该至少一个磁传感器元件与前述磁场发生器相关联。该磁传感器元件可以特别是在WO2005/010543 A1或者WO2005/010542 A2中描述的那种磁电阻元件。该磁传感器元件的“灵敏度方向”表示该传感器元件对磁场矢量平行于所述空间方向的元件最灵敏，或者仅对磁场矢量平行于所述空间方向的元件灵敏。通常，该磁传感器元件仅具有一个灵敏度方向，并且基本上对磁场与该方向垂直的元件不灵敏。
c)至少一个磁场补偿器，其用于产生第二磁场。该磁场补偿器可以例如由微型传感器的基板上的导线(“补偿导线”)实现。
d)耦合至磁场发生器和磁场补偿器的控制器，其用于控制第一和第二磁场的产生。该控制器例如可以是对流经导线的电流的幅值和方向进行控制的电路，其中所述导线构成了磁场发生器和磁场补偿器。
将磁传感器设备如此设计，使得它允许下述操作，即在该操作期间，第一和第二磁场在磁传感器元件中相对于该磁传感器元件的灵敏度方向基本上互相抵消。
所述磁传感器设备的优点在于：磁场发生器产生的第一磁场的直接影响可以通过利用第二磁场对其有效补偿来抵消。因此，磁传感器元件所产生的信号仅是由我们感兴趣的效应引起的，例如研究区域中的磁性粒子的杂散场。这样，可以使来自磁场发生器的串扰所引起的信号损坏最小化。
通过对磁场发生器和磁场补偿器进行恰当的布置和设计以及利用由控制器确定的恰当操作条件，可以在根本上实现第一和第二磁场在磁传感器元件的灵敏度方向上基本抵消的状况。根据磁传感器设备的第一实施例，相对于磁传感器元件的灵敏度方向，对称布置磁场发生器和磁场补偿器，其中该灵敏度方向可以被理解为是穿过磁传感器元件(或者，更精确地，其灵敏区域)的直线或平面。并且，磁场发生器和磁场补偿器优选具有相同的设计，例如相同材料和相同几何结构的导线。磁场发生器和磁场补偿器的这种对称布局保证了它们产生的磁场可以在该布置的中心平面中完全抵消。如果所述对称布局有偏差，那么它们可以通过在磁传感器设备的操作期间改变导线电流之间的平衡来补偿。
如已经所述的，磁场发生器和/或磁场补偿器尤其可以包括至少一个导体导线。该磁传感器元件可以特别由磁电阻元件实现，例如巨磁电阻(GMR)，TMR(隧道磁电阻)，或者AMR(各向异性磁电阻)。并且，基于在传感器表面上或附近对要测量的粒子的磁性的检测，磁传感器元件可以是任何适合的传感器元件。因此，磁传感器元件可被设计为线圈、磁电阻传感器、限磁传感器、霍尔传感器、平面霍尔传感器、磁通门传感器、SQUID(半导体超导量子干涉设备)、磁共振传感器、或者被设计为由磁场激励的另一传感器。并且，可以将磁场发生器、磁场补偿器以及磁传感器元件实现为集成电路，例如使用CMOS技术以及附加的步骤来将磁电阻元件实现在CMOS电路的顶部。任选地，所述集成电路还可以包括磁传感器设备的控制器。
根据磁传感器设备的另一优选实施例，磁传感器元件设置在数量为N(例如N＝2)的磁场发生器和相同数量的N个磁场补偿器之间的中间，其中该磁场发生器的结构(即空间分布)和磁场补偿器的结构相同。这样，相对于磁传感器元件来说，实现了发生器和磁场的对称布置。
根据磁传感器设备的另一改进，该控制器适用于在第二操作模式中控制第一和第二磁场，使得它们在研究区域中基本抵消。这样，可以建立一种状况，在这种状况中，在研究区域中没有磁信号(例如磁性粒子的杂散场)被激励，并且确定的磁状况在磁传感器元件中占主导。
在前述实施例的进一步改进中，控制器适用于基于第二操作模式，即第一和第二磁场在研究区域中基本抵消的状况，校准磁传感器元件(包括相关联的处理电路)。这种在确定状况下对磁传感器元件进行的校准能够充分提高设备的精确性。
根据本发明的另一实施例，该磁传感器设备包括一个能量源，例如，电流源，其给磁场发生器和磁场补偿器供电。不使用两个单独的能量源，而仅使用一个能量源的优点在于可以避免增加两个独立的噪声贡献(来自两个独立的能量源)。
本发明进一步涉及一种用于在研究区域中检测至少一种磁性粒子，例如在传感器表面上固定不动的磁珠的方法，该方法包括下列步骤：
a)在研究区域中产生第一磁场。
b)产生第二磁场，使得它在磁传感器元件的灵敏度方向上基本抵消第一磁场。
c)利用磁传感器元件感测粒子的磁性。
该方法在通常形式上包括由上述类型的磁传感器设备执行的步骤。因此，为了获得关于细节、优点以及该方法改进的更多信息，请参考前面的描述。
根据该方法的优选实施例，第一和第二磁场由相等幅值的并联电流产生。在这种情况下，与这些电流相关联的磁场在电流的中心对称平面上被完全抵消。优选地，导线串联连接以保证电流完全相等以及保证实现非常(温度)稳定的磁性补偿。并且，串联连接意味着仅包括一个电流源(由此，最小的噪声输入)。并且，这些导线可以彼此并联布置，电流方向可以并联或反并联。
任选地，该方法进一步包括下列步骤：改变磁场，使得它们在研究区域中基本抵消，以及在该状况期间校准磁传感器元件。研究区域中的磁场抵消避免了对来自研究区域中的粒子的磁信号的激励，这样在磁传感器元件中允许在确定的磁状况下校准电子器件。
本发明还涉及上述用于分子诊断、生物样品分析或化学样品分析的磁传感器设备的使用。分子诊断例如可以借助于直接或间接附着到目标分子上的磁珠来实现。
参考下文所述的实施例，本发明的这些和其他方面将变得显而易见并且被阐明。这些实施例将通过借助于附图的示例来描述，在附图中：
图1示意性示出了在第一操作模式(测量)中的根据本发明第一实施例的磁传感器设备；
图2示出了在第二操作模式(校准)中的图1的磁传感器设备；以及
图3示意性示出了根据本发明第二实施例的磁传感器设备。
附图中相同的参考标记表示相同或相似的元件。
在灵敏性、专一性、集成性、使用简便以及成本方面，磁电阻生物芯片或生物传感器对于生物分子诊断来说具有有前景的属性。在WO2003/054566、WO2003/054523、WO2005/010542 A2、WO 2005/010543A1、以及WO2005/038911 A1中描述了这种生物芯片的示例，通过援引将它们并入本申请中。
图1说明了用于检测超顺磁珠2的根据本发明的单个磁传感器设备10的第一实施例。由这些(例如100个)传感器设备10的阵列构成的生物传感器可以用于同时测量溶液(例如血液或唾液)中大量不同的生物目标分子或合成目标分子1(例如，蛋白质，DNA，氨基酸，药物)。在结合方案的一个可行示例中，即所谓的“夹心法”，这是通过设置具有第一抗体3的结合表面14来实现的，目标分子1可以结合到第一抗体3上。然后，承载第二抗体的超顺磁珠2可以附着到结合的目标分子1上。流入用作“磁场发生器”的励磁导线11中的电流产生磁场B1，然后，它(与导线13的磁场B2一起，下文将介绍)磁化超顺磁珠2。超顺磁珠2的杂散场B’将磁化分量引入到传感器设备10的巨磁电阻(GMR)12中，该磁化分量位于GMR 12的灵敏度方向D上，并因此产生可测量的电阻变化。该方法也可适用于其他结合方案(例如，抑制配位测定或竞争性测定)，以检测类似于药物的小分子。此外，该方法也可以用于检测距离传感器表面一定距离的(固定不动的)磁珠(大块测量)。
为了实现灵敏、快速且稳定的传感器，这里提出在GMR传感器12内施加补偿的磁场。特别地，这些磁场相对于GMR传感器12的灵敏度方向D来说可以是对称的。
图1示出了该总体概念的具体实现方式。磁传感器设备10包括第二“补偿”导线13，该第二“补偿”导线13用作“磁场补偿器”，并且相对于GMR传感器12的灵敏度方向D来说，将第二“补偿”导线13布置成象励磁导线11的镜像。换言之，励磁导线11和补偿导线13具有相同的尺寸和几何结构，而GMR传感器12布置在它们中间。
图1进一步示意性描述了耦合至励磁导线11和补偿导线13两者的控制器15，并且它可以集成在同一微型芯片上。控制器15可以在第一操作模式中向两条导线11、13提供相同幅值的并联电流I1、I2。因此，这些电流产生具有相同空间形状和尺寸的磁场B1、B2，但是这些磁场在导线11和13中分别具有不同的起点。在磁场B1、B2的对称平面中，两个磁场因此将完全抵消。这样，第一磁场B1在GMR传感器12内由第二磁场B2抵消。电流I1、I2优选由同一电流源产生以使噪声输入最小化。
图2示出了在第二操作模式中的图1的磁传感器设备10。与图1相比，补偿导线13中的第二电流I2’现在与励磁导线11中的第一电流I1反并联。并且，第二电流I2’比第一电流I1大得多，使得分别由电流I1和I2’产生的磁场B1、B2’将在上述结合表面14上的研究区域内基本抵消。因此，没有杂散场由磁性粒子2产生，并且GMR传感器12只经历两个磁场B1和B2’的和(现在，它们在GMR传感器12内没有抵消)。由于GMR传感器12中的这种叠加的磁场的幅值是已知的并且是确定的，因此它可以由控制器15使用来校准GMR传感器12和相关处理电子器件的增益。
通过向一侧的励磁导线11和另一侧的补偿导线13施加反并联电流，使磁场聚集在所述电流导线之间，并且使用该磁场在不磁化磁珠的情况下校准传感器和检测电子器件的增益。通过将交替的并联以及反并联电流施加于导线，所述校准在实际生物测量中可以是时分复用的。并且，为了获得更加精确的信号，也可以使用频分复用(通过使用并联和反并联电流的不同频率)来实现连续测量和校准。在这种情况下，测量信号和校准信号必须在频域中分开。
应当注意，在文本中，“测量”指的是从与图1类似的结构中的GMR传感器12获得的信号。然后，这些“测量”的进一步处理将特别考虑校准结果以确定校正的(或“校准”)的数据，其中该校正数据更精确地表示感兴趣的值。
图3示出了磁传感器设备110的替换实施例，其中与图1和图2中的元件相同的元件的附图标记增加了100。磁传感器设备110包括一对励磁导线111a、111b和一对补偿导线113a、113b。相对于对称平面E来说，这些对导线被对称布置，其中该对称平面E包括灵敏度方向为D的GMR传感器112。通过向这些导线施加相同幅值和方向的电流，由此可以在GMR传感器112中实现所产生磁场的完全抵消。并且，可以再次使用反并联电流(未示出)来进行校准。
在上述公开的所有实施例中，流经励磁导线和补偿导线的电流(无论幅值是否相等)优选由同一电流源产生，以使噪声贡献最小化。
所述磁传感器设备10、110满足下列要求：
1、磁珠2和GMR传感器12、112之间的大的磁耦合。表面上的磁珠在x方向被磁化，其最优的是耦合至GMR传感器的灵敏层。这提高了测量的信噪比。
2、磁场产生导线11、13、111a、111b、113a、113b和磁电阻传感器12、112之间的低磁耦合(低磁串扰)，这使得增益变化和巴克豪森噪声的影响最小化。
在对称的几何结构中，并且在相等的电流以相同的方向施加于磁场产生电流导线的情况下，灵敏层中的磁场可以是零。优选地，GMR传感器的灵敏层位于两个磁场产生导线的中间。
3、磁珠的磁引力朝向传感器最灵敏的区域。
4、通过增加反并联的补偿电流，从而对GMR传感器12、112进行磁屏蔽，其中所述反并联的补偿电流在GMR中产生补偿磁场且不会磁化磁珠。该屏蔽通过防止磁操作点发生偏移以及传感器饱和来允许使用外部励磁磁场。
5、通过施加反向电流，可以对传感器和信号处理电子器件进行增益校准。
6、由于紧凑设计而具有的高填充因数。每个传感器具有低的抗体消耗。
最后指出，在本申请中，术语“包括”不排除其他元件或步骤，“一个”不排除多个，并且单个处理器或其他单元可以实现几个装置的功能。本发明在于每个新颖性特征和这些特征的每个组合。并且，权利要求中的附图标记不应该被理解成是限制它们的保护范围。

Claims (13)

1、一种磁传感器设备(10、110)，包括：
a)至少一个用于在研究区域中产生第一磁场(B1)的磁场发生器(11、111a、111b)；
b)至少一个具有灵敏度方向(D)的相关联的磁传感器元件(12、112)；
c)至少一个用于产生第二磁场(B2)的磁场补偿器(13、113a、113b)；
d)耦合至所述磁场发生器(11、111a、111b)和所述磁场补偿器(13、113a、113b)的控制器(15、115)，其用于控制所述第一磁场和所述第二磁场(B1、B2)的产生；
其中设计所述磁传感器设备(10、110)，使得它允许下述操作模式，在该操作模式中，所述第一磁场和第二磁场(B1、B2)在所述磁传感器元件(12、112)中相对于它的所述灵敏度方向(D)基本抵消。
2、根据权利要求1所述的磁传感器设备(10、110)，其特征在于，相对于所述磁传感器元件(12、112)的所述灵敏度方向(D)，对称布置所述磁场发生器(11、111a、111b)和所述磁场补偿器(13、13a、113b)。
3、根据权利要求1所述的磁传感器设备(10、110)，其特征在于，所述磁场发生器(11、111a、111b)和/或所述磁场补偿器(13、13a、113b)包括导体导线。
4、根据权利要求1所述的磁传感器设备，其特征在于，所述磁传感器元件(12、112)是磁电阻元件，优选是巨磁电阻，或隧道磁电阻或者各向异性磁电阻，和/或霍尔传感器。
5、根据权利要求1所述的磁传感器设备(10、110)，其特征在于，所述磁传感器元件(12、112)设置在多个磁场发生器(11、111a、11b)和相同数量的磁场补偿器(13、113a、113b)之间的中间，其中所述磁场发生器(11、111a、111b)的结构和所述磁场补偿器(13、113a、113b)的结构相同。
6、根据权利要求1所述的磁传感器设备(10、110)，其特征在于，它被实现为集成电路。
7、根据权利要求1所述的磁传感器设备(10、110)，其特征在于，所述控制器(15、115)适用于在第二操作模式中控制所述第一磁场和所述第二磁场(B1、B2)，使得它们在所述研究区域中基本抵消。
8、根据权利要求7所述的磁传感器设备(10、110)，其特征在于，所述控制器(15、115)适用于基于所述第二操作模式来校准所述磁传感器元件(12、112)。
9、根据权利要求1所述的磁传感器设备(10、110)，其特征在于，它包括一个能量源，其给所述磁场发生器(11、111a、111b)和所述磁场补偿器(13、113a、113b)供电。
10、一种用于在研究区域中检测至少一种磁性粒子(2)的方法，所述方法包括下列步骤：
a)在所述研究区域中产生第一磁场(B1)；
b)产生第二磁场(B2)，使得它在磁传感器元件(12、112)的灵敏度方向(D)上基本抵消所述第一磁场(B1)；
c)利用所述磁传感器元件(12、112)感测所述粒子(2)的磁性。
11、根据权利要求10所述的方法，其特征在于，所述第一磁场和所述第二磁场(B1、B2)由相等幅值的并联电流(I1、I2)产生。
12、根据权利要求10所述的方法，其特征在于，它进一步包括下列步骤：
d)改变所述磁场(B1、B2)，使得它们在所述研究区域中基本抵消，以及基于该状况来校准所述磁传感器元件(12、112)。
13、根据权利要求1至9中任一项所述的磁传感器设备(10)的使用，以用于分子诊断、生物样品分析或化学样品分析。
CNA2006800377196A 2005-10-12 2006-09-29 具有磁场补偿的磁传感器设备 Pending CN101283264A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP05109457 2005-10-12
EP05109457.1 2005-10-12

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN101283264A true CN101283264A (zh) 2008-10-08

Family

ID=37943193

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNA2006800377196A Pending CN101283264A (zh) 2005-10-12 2006-09-29 具有磁场补偿的磁传感器设备

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20080246470A1 (zh)
EP (1) EP1938083A2 (zh)
JP (1) JP2009511894A (zh)
CN (1) CN101283264A (zh)
WO (1) WO2007042958A2 (zh)

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102428381A (zh) * 2009-03-17 2012-04-25 Lg伊诺特有限公司 使用磁阻传感器对样品进行信号检测的系统及其检测方法
CN101611326B (zh) * 2007-02-07 2014-06-25 美国思睿逻辑有限公司 磁场反馈△-σ调节器传感器电路
CN107110664A (zh) * 2014-09-26 2017-08-29 伯恩斯公司 用于有效平衡/消除磁传感器中的磁干扰的系统和方法
CN108872887A (zh) * 2017-05-08 2018-11-23 Tdk-迈克纳斯有限责任公司 磁场补偿装置
CN109313245A (zh) * 2016-06-07 2019-02-05 皇家飞利浦有限公司 用于补偿磁共振成像磁体中的磁场变化的低温场感测
CN109313243A (zh) * 2016-05-31 2019-02-05 德州仪器公司 集成磁通门磁性传感器
CN109407018A (zh) * 2018-09-11 2019-03-01 北京工业大学 高分辨率巴克豪森噪声与增量磁导率扫查成像系统
CN109917309A (zh) * 2017-12-11 2019-06-21 恩智浦有限公司 具有杂散场抵消的磁阻式传感器及并有此类传感器的系统
CN110462416A (zh) * 2017-03-30 2019-11-15 高通股份有限公司 采用具有不同磁场灵敏度的隧道磁阻(tmr)器件以提高检测灵敏度的tmr传感器
CN111796220A (zh) * 2019-04-02 2020-10-20 株式会社东芝 磁传感器、传感器模块及诊断装置
CN113495233A (zh) * 2020-03-18 2021-10-12 Tdk株式会社 磁场检测装置和电流检测装置
CN115485588A (zh) * 2020-05-11 2022-12-16 株式会社京冈 磁探测装置

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5159193B2 (ja) * 2007-07-09 2013-03-06 キヤノン株式会社 磁気検出素子及び検出方法
JP5132210B2 (ja) * 2007-07-09 2013-01-30 キヤノン株式会社 磁気検出素子及び検出方法
WO2009091926A2 (en) * 2008-01-17 2009-07-23 The Regents Of The University Of California Integrated magnetic field generation and detection platform
CN102027361B (zh) 2008-05-14 2013-02-27 皇家飞利浦电子股份有限公司 利用gmr的氧浓度测量
FR2940900B1 (fr) * 2009-01-15 2012-01-06 Seb Sa Autocuiseur muni d'un dispositif electronique d'information
CN102362183B (zh) * 2009-03-23 2014-11-05 皇家飞利浦电子股份有限公司 生物样本中磁性颗粒的操控
KR101138229B1 (ko) 2009-12-30 2012-04-24 충남대학교산학협력단 표유 자기장 집속 패드 및 이를 이용한 바이오 분자 감지 모듈 또는 바이오 칩
US8825426B2 (en) 2010-04-09 2014-09-02 CSR Technology Holdings Inc. Method and apparatus for calibrating a magnetic sensor
US20110298455A1 (en) * 2010-05-04 2011-12-08 King Abdullah University Of Science And Technology Integrated Microfluidic Sensor System with Magnetostrictive Resonators
ES2608930T3 (es) 2012-01-04 2017-04-17 Magnomics, S.A. Dispositivo monolítico que combina CMOS con sensores magnetorresistivos
WO2013121870A1 (ja) * 2012-02-13 2013-08-22 株式会社村田製作所 磁気センサ装置
DE102016104455A1 (de) * 2016-03-11 2017-09-14 Infineon Technologies Ag Kalibrierung eines Stromsensors
US10780444B2 (en) 2017-01-05 2020-09-22 Microsensor Labs, LLC System and method for detection of cells
US10307138B2 (en) * 2017-04-06 2019-06-04 United Technologies Corporation Wave guide with electric power conduit
CN113960505B (zh) * 2021-10-28 2022-08-09 中国地质大学（武汉） 一种多传感器协同测量的互干扰抑制方法及存储介质

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4000879B2 (ja) * 2002-03-26 2007-10-31 株式会社デンソー 磁気センサ装置
WO2005010542A2 (en) 2003-07-30 2005-02-03 Koninklijke Philips Electronics N.V. On-chip magnetic particle sensor with improved snr
EP1697755A1 (en) * 2003-07-30 2006-09-06 Koninklijke Philips Electronics N.V. On-chip magnetic sensor device with suppressed cross-talk
CN1829908B (zh) 2003-07-30 2010-04-28 皇家飞利浦电子股份有限公司 去除磁阻纳米颗粒传感器中噪声的电路、生物芯片、方法
JP2007519000A (ja) * 2004-01-26 2007-07-12 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ オンチップ磁気共鳴分光法のための方法及びデバイス
EP1754063A1 (en) * 2004-05-24 2007-02-21 Koninklijke Philips Electronics N.V. Magneto-resistive sensor for high sensitivity depth probing
BRPI0607205A2 (pt) * 2005-01-31 2011-07-19 Koninkl Philips Electronics Nv dispositivo sensor para detectar partìculas magnéticas, e, método para um processo de biosensor

Cited By (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101611326B (zh) * 2007-02-07 2014-06-25 美国思睿逻辑有限公司 磁场反馈△-σ调节器传感器电路
CN102428381A (zh) * 2009-03-17 2012-04-25 Lg伊诺特有限公司 使用磁阻传感器对样品进行信号检测的系统及其检测方法
CN107110664B (zh) * 2014-09-26 2020-03-17 伯恩斯公司 用于有效平衡/消除磁传感器中的磁干扰的系统和方法
CN107110664A (zh) * 2014-09-26 2017-08-29 伯恩斯公司 用于有效平衡/消除磁传感器中的磁干扰的系统和方法
CN109313243A (zh) * 2016-05-31 2019-02-05 德州仪器公司 集成磁通门磁性传感器
CN109313245A (zh) * 2016-06-07 2019-02-05 皇家飞利浦有限公司 用于补偿磁共振成像磁体中的磁场变化的低温场感测
CN109313245B (zh) * 2016-06-07 2021-05-14 皇家飞利浦有限公司 超导磁体及其操作方法
CN110462416B (zh) * 2017-03-30 2022-05-24 高通股份有限公司 采用具有不同磁场灵敏度的隧道磁阻(tmr)器件以提高检测灵敏度的tmr传感器
CN110462416A (zh) * 2017-03-30 2019-11-15 高通股份有限公司 采用具有不同磁场灵敏度的隧道磁阻(tmr)器件以提高检测灵敏度的tmr传感器
CN108872887A (zh) * 2017-05-08 2018-11-23 Tdk-迈克纳斯有限责任公司 磁场补偿装置
CN108872887B (zh) * 2017-05-08 2020-12-08 Tdk-迈克纳斯有限责任公司 磁场补偿装置
CN109917309A (zh) * 2017-12-11 2019-06-21 恩智浦有限公司 具有杂散场抵消的磁阻式传感器及并有此类传感器的系统
CN109917309B (zh) * 2017-12-11 2023-06-30 恩智浦有限公司 具有杂散场抵消的磁阻式传感器及并有此类传感器的系统
CN109407018A (zh) * 2018-09-11 2019-03-01 北京工业大学 高分辨率巴克豪森噪声与增量磁导率扫查成像系统
CN111796220A (zh) * 2019-04-02 2020-10-20 株式会社东芝 磁传感器、传感器模块及诊断装置
CN111796220B (zh) * 2019-04-02 2023-02-24 株式会社东芝 磁传感器、传感器模块及诊断装置
CN113495233A (zh) * 2020-03-18 2021-10-12 Tdk株式会社 磁场检测装置和电流检测装置
CN113495233B (zh) * 2020-03-18 2024-04-05 Tdk株式会社 磁场检测装置和电流检测装置
CN115485588A (zh) * 2020-05-11 2022-12-16 株式会社京冈 磁探测装置
CN115485588B (zh) * 2020-05-11 2024-05-28 株式会社京冈 磁探测装置

Also Published As

Publication number Publication date
EP1938083A2 (en) 2008-07-02
US20080246470A1 (en) 2008-10-09
WO2007042958A3 (en) 2007-08-09
WO2007042958A2 (en) 2007-04-19
JP2009511894A (ja) 2009-03-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101283264A (zh) 具有磁场补偿的磁传感器设备
US20080218165A1 (en) Microsensor Device
US20090072815A1 (en) Calibration of a magnetic sensor device
JP4360998B2 (ja) 電流センサ
CN109212439B (zh) 磁场传感器
JP4466487B2 (ja) 磁気センサおよび電流センサ
US20090224755A1 (en) Means and method for sensing a magnetic stray field in biosensors
US20090278534A1 (en) Magnetic sensor device for and a method of sensing magnetic particles
CN101454683A (zh) 具有自适应场补偿的传感器设备
US20090009156A1 (en) Magnetic Sensor Device With Reference Unit
US20090314066A1 (en) Sensor device for and a method of sensing particles
JP2008525789A (ja) 磁気センサに印加された磁場を評価する方法及び装置
JP2006125962A (ja) 電流センサ
CN101438180A (zh) 具有改进的输出信号特性的磁电阻传感器
EP2082231A2 (en) Magnetic sensor device with pairs of detection units
WO2007060568A2 (en) Magnetic sensor device with sample chamber
US20100060275A1 (en) Magnetic sensor device with robust signal processing
US20100182002A1 (en) Magnetic sensor device with field generator and sensor element
WO2010013169A1 (en) Magnetic sensor device with conductive sensor element
JP6735603B2 (ja) 生体情報検出装置

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C02 Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001)
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Open date: 20081008