CN101281493A - 与非闪存器及其管理方法 - Google Patents

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陈颖
王志忠
周昶
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本发明提供了一种NAND flash及其管理方法，其中，上述NAND flash的管理方法包括：将包含有N个块的NAND flash划分为信息存储区域、数据存储区域、备份数据区域，其中，信息存储区域为NAND flash的第一个块，其物理地址为0，数据存储区域的物理地址为从1到M－1，备份数据区域的物理地址为M到N，用于提供对数据存储区域中的坏块的备份；在信息存储区域中设置物理/逻辑地址映射表；利用物理/逻辑地址映射表将逻辑空间的数据映射到数据存储区域中，以在数据存储区域中实现数据的读写操作。本发明提高了控制器访问NAND flash的效率。

Description

与非闪存器及其管理方法
技术领域
本发明涉及通信领域，具体而言，涉及一种与非闪存器(NANDflash)及其管理方法。
背景技术
由于NAND flash具有成本低、容量大、读写速度快等优点，越来越为各种设备所使用。
如图1所示为NAND flash的结构图，NAND flash 110通常由BLOCK(块)111所组成。每个BLOCK包含32个PAGE(页面)112。每个页面包含(512+16)BYTE(字节)。前512字节是数据区113，后16字节是SPARE AREA(空闲区)114。
由于工艺限制，NAND flash芯片在出厂时并不保证每一个BLOCK均为“好块”，并且在使用NAND flash的过程中，会出现新的BLOCK坏块。为了标示无法使用的BLOCK坏块，通常芯片厂家会作出如下保证：
1.第一个BLOCK保证为可以使用的好块，并且在使用NANDflash的过程中，此BLOCK不会损坏。
2.在出厂时，所有BLOCK坏块会被打上标签，标记在BLOCK坏块的前两个PAGE的空闲区。
由于NAND flash存在这些缺陷，在使用NAND flash的过程中就必须要考虑到BLOCK坏块的监测、处理等一系列问题。
目前NAND flash所使用的坏块处理方式，通常是“坏块忽略”方式，如图2所示。即：在NAND flash的读/写操作过程中，当NANDflash发现BLOCK坏块后，NAND flash就将数据转移到地址连续的下一个好的BLOCK中。
在实现本发明过程中，发明人发现由于BLOCK坏块的存在使得NAND flash中的物理地址不能连续映射到逻辑地址，控制器访问NAND flash的时候，NAND flash中的逻辑地址和物理地址不是一一对应的。所以当出现新的坏块后，NAND flash的物理/逻辑地址需要再次重新映射，导致控制器访问NAND flash效率降低。
发明内容
本发明旨在提供一种NAND flash及其管理方法，以解决当NAND flash中出现新的坏块后，NAND flash的物理/逻辑地址需要再次重新映射，导致控制器访问NAND flash效率降低的问题。
在本发明的实施例中，提供了一种NAND flash的管理方法，包括：将包含有N个块的NAND flash划分为信息存储区域、数据存储区域、备份数据区域，其中，信息存储区域为NAND flash的第一个块，其物理地址为0，数据存储区域的物理地址为从1到M-1，备份数据区域的物理地址为M到N，用于提供对数据存储区域中的坏块的备份；在信息存储区域中设置物理/逻辑地址映射表；利用物理/逻辑地址映射表将逻辑空间的数据映射到数据存储区域中，以在数据存储区域中实现数据的读写操作。
优选的，上述NAND flash的管理方法还包括：如果数据存储区域出现坏块，则从备份数据区域寻找可用块替换坏块加入到物理/逻辑地址映射表；利用更新的物理/逻辑地址映射表将原来映射到坏块的数据映射到可用块。
优选的，上述NAND flash的管理方法还包括：根据设备冗余需求设置备份数据区域与数据存储区域的大小。
优选的，上述NAND flash的管理方法还包括：在信息存储区域中建立NAND flash使用信息表和坏块信息表。
优选的，上述NAND flash的管理方法还包括：如果数据存储区域出现坏块，则更新坏块信息表以记录坏块。
在本发明的实施例中，还提供了一种NAND flash，其特征在于，包括：信息存储区域，其为NAND flash的第一个块，物理地址为0，其中包含物理/逻辑地址映射表；数据存储区域，其物理地址为从1到M-1，用于利用物理/逻辑地址映射表将逻辑空间的数据映射到数据存储区域中，以实现数据的读写操作；备份数据区域，其的物理地址为M到N，用于为数据存储区域中的坏块提供备份。
优选的，如果数据存储区域出现坏块，物理/逻辑地址映射表中关于坏块的映射被从备份数据区域寻找的可用块替换，原来映射到坏块的数据被利用更新的物理/逻辑地址映射表映射到可用块。
优选的，备份数据区域与数据存储区域的大小根据设备冗余需求设置。
优选的，信息存储区域中还包括NAND flash使用信息表和坏块信息表。
优选的，如果数据存储区域出现坏块，坏块信息表被更新以记录坏块。
以上实施例因为采用通过在NAND flash中建立备份空间和NAND flash存储信息表来实现NAND flash中坏块的管理的方法，所以克服了当NAND flash中出现新的坏块后，NAND flash的物理/逻辑地址需要再次重新映射，导致控制器访问NAND flash效率降低问题，进而达到了提高控制器访问NAND flash效率的效果。
附图说明
此处所说明的附图用来提供对本发明的进一步理解，构成本申请的一部分，本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明，并不构成对本发明的不当限定。在附图中：
图1示出了现有技术中NAND flash的结构的示意图；
图2示出了现有技术中所使用的坏块处理方式的示意图；
图3示出了根据本发明实施例的NAND flash的管理方法的流程图；
图4示出了根据本发明实施例的NAND flash的方框图；
图5示出了根据本发明实施例的坏块处理方式的示意图。
具体实施方式
下面将参考附图并结合实施例，来详细说明本发明。
图3示出了根据本发明实施例的NAND flash的管理方法的流程图，该方法包括：
步骤S10，将包含有N个块的NAND flash划分为信息存储区域、数据存储区域、备份数据区域，其中，信息存储区域为NANDflash的第一个块，其物理地址为0，数据存储区域的物理地址为从1到M-1，备份数据区域的物理地址为M到N，用于提供对数据存储区域中的坏块的备份；
步骤S20，在信息存储区域中设置物理/逻辑地址映射表；
步骤S30，利用物理/逻辑地址映射表将逻辑空间的数据映射到数据存储区域中，以在数据存储区域中实现数据的读写操作。
该实施例因为采用通过在NAND flash中建立备份空间和NAND flash存储信息表来实现NAND flash中坏块的管理的方法，所以克服了当NAND flash中出现新的坏块后，NAND flash的物理/逻辑地址需要再次重新映射，导致控制器访问NAND flash效率降低问题，进而达到了提高控制器访问NAND flash效率的效果。
优选的，上述NAND flash的管理方法还包括：如果数据存储区域出现坏块，则从备份数据区域寻找可用块替换坏块加入到物理/逻辑地址映射表；利用更新的物理/逻辑地址映射表将原来映射到坏块的数据映射到可用块。该优选实施例可以简化坏块处理过程。
优选的，上述NAND flash的管理方法还包括：根据设备冗余需求设置备份数据区域与数据存储区域的大小。因为通常NANDflash的芯片制造厂商会提供一个芯片坏块率的数据x，表明在实际的应用中整个芯片的坏块数目不会超过N*x，所以采用该优选实施例可以根据实际情况设置备份数据区域与数据存储区域的大小。
优选的，上述NAND flash的管理方法还包括：由于NAND flash中第一个BLOCK保证为可以使用的好块，并且在使用过程中，不会损坏。所以在信息存储区域中建立NAND flash使用信息表和坏块信息表。
优选的，上述NAND flash的管理方法还包括：如果数据存储区域出现坏块，则更新坏块信息表以记录坏块。该优选实施例能够保证得到更新后的信息。
同时，在每次flash的读写操作过程中，通过信息存储区的物理/逻辑地址映射表将连续的逻辑地址映射为flash内部的不连续的物理地址。
以上实施例通过在NAND flash芯片中建立NAND flash存储信息表和备份空间的方法从而实现NAND flash的坏块管理，对上层应用软件而言，面对的是一个连续的完好的flash空间，为用户提供带来更多的便利。
图4示出了根据本发明实施例的NAND flash的方框图，包括：
信息存储区域10，其为NAND flash的第一个块，物理地址为0，其中包含物理/逻辑地址映射表；
数据存储区域20，其物理地址为从1到M-1，用于利用物理/逻辑地址映射表将逻辑空间的数据映射到数据存储区域中，以实现数据的读写操作；
备份数据区域30，其的物理地址为M到N，用于为数据存储区域中的坏块提供备份。
该实施例因为采用通过在NAND flash中建立备份空间和NAND flash存储信息表来实现NAND flash中坏块的管理的方法，所以克服了当NAND flash中出现新的坏块后，NAND flash的物理/逻辑地址需要再次重新映射，导致控制器访问NAND flash效率降低问题，进而达到了提高控制器访问NAND flash效率的效果。
优选的，如果数据存储区域出现坏块，物理/逻辑地址映射表中关于坏块的映射被从备份数据区域寻找的可用块替换，原来映射到坏块的数据被利用更新的物理/逻辑地址映射表映射到可用块。该优选实施例可以简化坏块处理过程。
优选的，备份数据区域与数据存储区域的大小根据设备冗余需求设置。因为通常NAND flash的芯片制造厂商会提供一个芯片坏块率的数据x，表明在实际的应用中整个芯片的坏块数目不会超过N*x，所以采用该优选实施例可以根据实际情况设置备份数据区域与数据存储区域的大小。
优选的，由于NAND flash中第一个BLOCK保证为可以使用的好块，并且在使用过程中，不会损坏。所以在信息存储区域中还包括NAND flash使用信息表和坏块信息表。
优选的，如果数据存储区域出现坏块，坏块信息表被更新以记录坏块。该优选实施例能够保证得到更新后的信息。
根据本发明实施例使用的坏块处理方法，在NAND flash的初始化过程，首先需要读取flash信息存储区(位于物理地址0的第一个BLOCK)中的的flash使用信息，判断该flash是否初次使用。如果是首次使用，那么需要读取该flash所有BLOCK的坏块标签，并且将坏块信息存储到坏块信息表中。为了提高系统工作效率，该信息同时存储在系统内存中，同时建立物理/逻辑地址映射表。
在进行数据写操作的过程，首先通过逻辑/物理地址映射表，将逻辑地址映射为flash中的物理地址，然后将数据写入。
如果在写入过程中产生新的坏块，则从备份数据区域寻找可用的BLOCK写入数据。同时更新坏块信息表和物理/逻辑地址映射表。
由于出现坏块后，数据存储到数据备份区域，当产生新的坏块后只需要更新该BLOCK的物理/逻辑地址映射信息，而不会对其他BLOCK的物理/逻辑地址映射信息产生影响。同时通过物理/逻辑地址映射表，使得对控制器而言，所面对的是一个逻辑地址完整的存储空间。
图5示出了根据本发明实施例的坏块处理方式的示意图，数据存储过程包括：
当物理地址为2的BLOCK为坏块的时候，逻辑地址0，1，2的数据分别存储在物理地址1，M，3。
当出现物理地址为5的新的坏块时，将原来存储在该地址的内容，转移到M+1的BLOCK内，并不改变其他的物理/逻辑地址映射关系。
以上实施例描述的NAND flash坏块处理方式，采用了较为简单的物理/逻辑映射方式，简化了坏块处理过程，并且由于建立了NAND flash的信息存储区域，使得对控制器而言，所面对的是一个完整的连续的存储空间。而不需要考虑复杂的坏块处理，简化了NAND flash的开发应用过程。
显然，本领域的技术人员应该明白，上述的本发明的各模块或各步骤可以用通用的计算装置来实现，它们可以集中在单个的计算装置上，或者分布在多个计算装置所组成的网络上，可选地，它们可以用计算装置可执行的程序代码来实现，从而，可以将它们存储在存储装置中由计算装置来执行，或者将它们分别制作成各个集成电路模块，或者将它们中的多个模块或步骤制作成单个集成电路模块来实现。这样，本发明不限制于任何特定的硬件和软件结合。
以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种与非闪存器的管理方法，其特征在于，包括：
将包含有N个块的与非闪存器划分为信息存储区域、数据存储区域、备份数据区域，其中，所述信息存储区域为所述与非闪存器的第一个块，其物理地址为0，所述数据存储区域的物理地址为从1到M-1，所述备份数据区域的物理地址为M到N，用于提供对所述数据存储区域中的坏块的备份；
在所述信息存储区域中设置物理/逻辑地址映射表；
利用所述物理/逻辑地址映射表将逻辑空间的数据映射到所述数据存储区域中，以在所述数据存储区域中实现所述数据的读写操作。
2.根据权利要求1所述的管理方法，其特征在于，还包括：
如果所述数据存储区域出现坏块，则从所述备份数据区域寻找可用块替换所述坏块加入到所述物理/逻辑地址映射表；
利用所述更新的物理/逻辑地址映射表将原来映射到所述坏块的数据映射到所述可用块。
3.根据权利要求2所述的管理方法，其特征在于，还包括：
根据设备冗余需求设置所述备份数据区域与所述数据存储区域的大小。
4.根据权利要求3所述的管理方法，其特征在于，还包括：
在所述信息存储区域中建立与非闪存器使用信息表和坏块信息表。
5.根据权利要求4所述的管理方法，其特征在于，还包括：
如果所述数据存储区域出现坏块，则更新所述坏块信息表以记录所述坏块。
6.一种与非闪存器，其特征在于，包括：
信息存储区域，其为与非闪存器的第一个块，物理地址为0，其中包含物理/逻辑地址映射表；
数据存储区域，其物理地址为从1到M-1，用于利用所述物理/逻辑地址映射表将逻辑空间的数据映射到所述数据存储区域中，以实现所述数据的读写操作；
备份数据区域，其的物理地址为M到N，用于为所述数据存储区域中的坏块提供备份。
7.根据权利要求6所述的与非闪存器，其特征在于，如果所述数据存储区域出现坏块，所述物理/逻辑地址映射表中关于所述坏块的映射被从所述备份数据区域寻找的可用块替换，原来映射到所述坏块的数据被利用所述更新的物理/逻辑地址映射表映射到所述可用块。
8.根据权利要求7所述的与非闪存器，其特征在于，所述备份数据区域与所述数据存储区域的大小根据设备冗余需求设置。
9.根据权利要求8所述的与非闪存器，其特征在于，所述信息存储区域中还包括与非闪存器使用信息表和坏块信息表。
10.根据权利要求9所述的与非闪存器，其特征在于，如果所述数据存储区域出现坏块，所述坏块信息表被更新以记录所述坏块。
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Cited By (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102073561A (zh) * 2011-01-26 2011-05-25 浪潮电子信息产业股份有限公司 一种固态硬盘写操作纠错的方法
CN102331911A (zh) * 2011-06-17 2012-01-25 杭州华三通信技术有限公司 用于文件系统向Nand Flash写数据的驱动装置及方法
CN101694636B (zh) * 2009-10-21 2012-05-23 上海坚芯电子科技有限公司 非易失性数据存储器数据更新备份系统及方法
CN102541676A (zh) * 2011-12-22 2012-07-04 福建新大陆通信科技股份有限公司 一种nand flash的状态检测及映射方法
CN102722443A (zh) * 2012-05-21 2012-10-10 三星半导体(中国)研究开发有限公司 闪速存储器的坏块管理方法
CN102866955A (zh) * 2012-09-14 2013-01-09 记忆科技(深圳)有限公司 一种闪存数据管理方法及系统
CN103092725A (zh) * 2012-12-29 2013-05-08 华为技术有限公司 一种实现存储器中数据备份的方法及装置
CN103473098A (zh) * 2013-09-10 2013-12-25 华为技术有限公司 一种boot程序的启动方法和相关装置
CN103514097A (zh) * 2012-06-20 2014-01-15 安凯(广州)微电子技术有限公司 基于Nand Flash的数据写入方法
WO2014082583A1 (zh) * 2012-11-28 2014-06-05 华为终端有限公司 在Nand闪存中生成动态分区信息的方法和装置
CN103871447A (zh) * 2012-12-14 2014-06-18 华邦电子股份有限公司 与非门快闪存储器阵列及芯片及其存取、读取及管理方法
CN104317733A (zh) * 2014-10-28 2015-01-28 陕西千山航空电子有限责任公司 一种nand flash坏块管理方法
CN105117306A (zh) * 2015-08-31 2015-12-02 联想(北京)有限公司 一种信息处理方法及电子设备
CN103064795B (zh) * 2012-12-31 2015-12-02 华为技术有限公司 一种存储设备的控制方法及相关装置
CN105740163A (zh) * 2016-01-29 2016-07-06 山东鲁能智能技术有限公司 一种Nand Flash坏块管理方法
CN106227625A (zh) * 2016-09-05 2016-12-14 深圳震有科技股份有限公司 一种因掉电而损坏的闪存数据的恢复方法及系统
CN106598493A (zh) * 2016-11-30 2017-04-26 郑州云海信息技术有限公司 一种固态硬盘地址映射表管理方法
CN108614781A (zh) * 2016-12-09 2018-10-02 北京京存技术有限公司 基于NANDflash的有效数据查找方法和NANDflash存储设备
CN108614745A (zh) * 2016-12-09 2018-10-02 北京京存技术有限公司 基于NAND flash的出厂坏块处理方法和NAND flash存储设备
CN111324290A (zh) * 2018-12-14 2020-06-23 北京兆易创新科技股份有限公司 一种存储器
CN111722808A (zh) * 2020-06-22 2020-09-29 北京卫星环境工程研究所 一种用于星上载荷的存储处理方法、处理装置及处理器
CN113176970A (zh) * 2021-06-28 2021-07-27 中国核动力研究设计院 基于FPGA的nor flash坏块管理系统及方法
CN118069167A (zh) * 2024-02-02 2024-05-24 联和存储科技(江苏)有限公司 在nand闪存中烧录文件系统的方法及电子设备、存储介质

Cited By (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101694636B (zh) * 2009-10-21 2012-05-23 上海坚芯电子科技有限公司 非易失性数据存储器数据更新备份系统及方法
CN102073561A (zh) * 2011-01-26 2011-05-25 浪潮电子信息产业股份有限公司 一种固态硬盘写操作纠错的方法
CN102331911A (zh) * 2011-06-17 2012-01-25 杭州华三通信技术有限公司 用于文件系统向Nand Flash写数据的驱动装置及方法
CN102541676A (zh) * 2011-12-22 2012-07-04 福建新大陆通信科技股份有限公司 一种nand flash的状态检测及映射方法
CN102541676B (zh) * 2011-12-22 2014-03-05 福建新大陆通信科技股份有限公司 一种nand flash的状态检测及映射方法
CN102722443A (zh) * 2012-05-21 2012-10-10 三星半导体(中国)研究开发有限公司 闪速存储器的坏块管理方法
CN102722443B (zh) * 2012-05-21 2014-12-17 三星半导体(中国)研究开发有限公司 闪速存储器的坏块管理方法
CN103514097A (zh) * 2012-06-20 2014-01-15 安凯(广州)微电子技术有限公司 基于Nand Flash的数据写入方法
WO2014040441A1 (zh) * 2012-09-14 2014-03-20 记忆科技(深圳)有限公司 一种闪存数据管理方法及系统
CN102866955A (zh) * 2012-09-14 2013-01-09 记忆科技(深圳)有限公司 一种闪存数据管理方法及系统
WO2014082583A1 (zh) * 2012-11-28 2014-06-05 华为终端有限公司 在Nand闪存中生成动态分区信息的方法和装置
CN103871447A (zh) * 2012-12-14 2014-06-18 华邦电子股份有限公司 与非门快闪存储器阵列及芯片及其存取、读取及管理方法
CN103871447B (zh) * 2012-12-14 2017-03-01 华邦电子股份有限公司 与非门快闪存储器阵列及芯片及其存取、读取及管理方法
CN103092725A (zh) * 2012-12-29 2013-05-08 华为技术有限公司 一种实现存储器中数据备份的方法及装置
CN103092725B (zh) * 2012-12-29 2015-09-09 华为技术有限公司 一种实现存储器中数据备份的方法及装置
CN103064795B (zh) * 2012-12-31 2015-12-02 华为技术有限公司 一种存储设备的控制方法及相关装置
CN103473098A (zh) * 2013-09-10 2013-12-25 华为技术有限公司 一种boot程序的启动方法和相关装置
US9411689B2 (en) 2013-09-10 2016-08-09 Huawei Technologies Co., Ltd. Method and relevant apparatus for starting boot program
CN104317733A (zh) * 2014-10-28 2015-01-28 陕西千山航空电子有限责任公司 一种nand flash坏块管理方法
CN105117306A (zh) * 2015-08-31 2015-12-02 联想(北京)有限公司 一种信息处理方法及电子设备
CN105740163A (zh) * 2016-01-29 2016-07-06 山东鲁能智能技术有限公司 一种Nand Flash坏块管理方法
CN106227625B (zh) * 2016-09-05 2019-08-20 深圳震有科技股份有限公司 一种因掉电而损坏的闪存数据的恢复方法及系统
CN106227625A (zh) * 2016-09-05 2016-12-14 深圳震有科技股份有限公司 一种因掉电而损坏的闪存数据的恢复方法及系统
CN106598493A (zh) * 2016-11-30 2017-04-26 郑州云海信息技术有限公司 一种固态硬盘地址映射表管理方法
CN108614781A (zh) * 2016-12-09 2018-10-02 北京京存技术有限公司 基于NANDflash的有效数据查找方法和NANDflash存储设备
CN108614745A (zh) * 2016-12-09 2018-10-02 北京京存技术有限公司 基于NAND flash的出厂坏块处理方法和NAND flash存储设备
CN108614781B (zh) * 2016-12-09 2022-05-27 北京兆易创新科技股份有限公司 基于NANDflash的有效数据查找方法和NANDflash存储设备
CN111324290A (zh) * 2018-12-14 2020-06-23 北京兆易创新科技股份有限公司 一种存储器
CN111722808A (zh) * 2020-06-22 2020-09-29 北京卫星环境工程研究所 一种用于星上载荷的存储处理方法、处理装置及处理器
CN113176970A (zh) * 2021-06-28 2021-07-27 中国核动力研究设计院 基于FPGA的nor flash坏块管理系统及方法
CN118069167A (zh) * 2024-02-02 2024-05-24 联和存储科技(江苏)有限公司 在nand闪存中烧录文件系统的方法及电子设备、存储介质

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Open date: 20081008