CN102073561A - 一种固态硬盘写操作纠错的方法 - Google Patents

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姜凯
于治楼
李峰
梁智豪
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Abstract

本发明公开了一种固态硬盘写操作纠错的方法，属于微电子技术领域，在固态硬盘执行写操作的过程中，当数据由数据缓冲器进入Nand闪存端口对Nand Flash进行编程操作的同时，将数据缓冲器中的数据备份到同步动态随机存储器中；若Nand Flash编程成功后，会返回一个标识，系统将数据缓冲器中的下一个数据写入Nand Flash并且同时将备份在同步动态随机存储器中的数据覆盖掉；若Nand Flash编程失败，会返回一个中断，系统将同步动态随机存储器中的备份数据重新调入数据缓冲器，并经Nand闪存端口写入Nand Flash，直到Nand Flash编程成功为止。本发明在几乎不增加复杂度的情况下，可以避免数据丢失的情况出现。

Description

一种固态硬盘写操作纠错的方法
技术领域
本发明涉及一种微电子技术领域，具体地说是一种固态硬盘写操作纠错的方法。
背景技术
固态硬盘(英文Solid State Disk，简写SSD)因为其存储介质为NandFlash，所以它便具有了与NandFlash相似优势：轻便、存储密度大、功耗低、抗震和温度适应范围宽。
在SSD写的过程中，为了提高写性能，一般数据会在写入NandFlash之前先放入数据Buffer(缓存)。与Buffer的数据传输速度相比，由于NandFlash结构的原因，NandFlash自身的写速度会慢得多，这个过程大概200us左右。由于这两个速度的不同，所以在SSD写过程中，会出现NandFlash写失败，而数据Buffer的数据已经被后来数据覆盖而造成数据丢失的问题。
如何解决上述数据丢失问题，是固态硬盘写操作迫切需要解决的。
发明内容
本发明的技术任务是提供在几乎不增加复杂度的情况下，可以避免数据丢失的情况出现的一种固态硬盘写操作纠错的方法。
本发明的技术任务是按以下方式实现的，在固态硬盘写操作过程中增加同步动态随机存储器(英文Sdram)，在固态硬盘(简写SSD)执行写操作的过程中，当数据由数据缓冲器(简写Buffer)进入Nand闪存端口(英文Nand Flash Interface，简称NFI)对Nand Flash(简写Nand闪存)进行编程操作的同时，将数据缓冲器中的数据备份到同步动态随机存储器中；若Nand Flash编程成功后，会返回一个标识(Flag)，系统将数据缓冲器中的下一个数据写入Nand Flash并且同时将备份在同步动态随机存储器中的数据覆盖掉；若Nand Flash编程失败，会返回一个中断(INT)，系统将同步动态随机存储器中的备份数据重新调入数据缓冲器，并经Nand闪存端口写入Nand Flash，直到Nand Flash编程成功为止。
固态硬盘写操作流程分为以下几个步骤：
(1)、固态硬盘的Nand闪存控制器(英文Nand Flash Controller，简称NFC)复位；
(2)、Nand闪存控制器会根据外部传入的命令解析出数据的写入块地址、页偏移量、数据长度参数进行Nand闪存控制器配置；
(3)、Nand闪存控制器将数据写入空闲数据缓冲器(简写Buffer)中；
(4)、此时如果Nand闪存控制器的通道及Nand Flash(Nand闪存)均是空闲的，则Nand闪存控制器会将数据缓冲器中数据写入Nand Flash所对应的地址当中；
(5)、同时，这部分数据会备份到同步动态随机存储器(英文Sdram)中；
(6)、写入完毕后，Nand闪存控制器会读取固态硬盘的状态寄存器的状态，如果正确，则操作完成，同时同步动态随机存储器数据释放；
(7)、如果固态硬盘的状态寄存器状态不正确，则送出中断，同时将同步动态随机存储器中的数据搬出，重新送入数据缓冲器，重新执行步骤(3)。
每个数据缓冲器大小与Nand Flash的页大小相同。
本发明的一种固态硬盘写操作纠错的方法具有以下优点：基本不会增加NFC(Nand Flash Controller，Nand闪存控制器)的复杂度并且不会影响SSD的写入速度，但可以解决由于Buffer(数据缓冲器)中数据传输速度快和对Nand Flash编程速度慢，使得Nand Flash编程失败而Buffer中数据已经被下一个数据冲掉造成的数据丢失的问题。因而，此方法对于大容量多通道的SSD而言，既可以保持高速写入，同时也可以保证写入数据的正确性。
附图说明
下面结合附图对本发明进一步说明。
附图1为一种固态硬盘写操作纠错的方法的流程图。
具体实施方式
参照说明书附图和具体实施例对本发明的一种固态硬盘写操作纠错的方法作以下详细地说明。
实施例：
本发明的一种固态硬盘写操作纠错的方法，在固态硬盘写操作过程中增加同步动态随机存储器(英文Sdram)，在固态硬盘(简写SSD)执行写操作的过程中，当数据由数据缓冲器(简写Buffer)进入Nand闪存端口(英文Nand Flash Interface，简称NFI)对Nand Flash(简写Nand闪存)进行编程操作的同时，将数据缓冲器中的数据备份到同步动态随机存储器中；若Nand Flash编程成功后，会返回一个标识(Flag)，系统将数据缓冲器中的下一个数据写入Nand Flash并且同时将备份在同步动态随机存储器中的数据覆盖掉；若Nand Flash编程失败，会返回一个中断(INT)，系统将同步动态随机存储器中的备份数据重新调入数据缓冲器，并经Nand闪存端口写入Nand Flash，直到Nand Flash编程成功为止。
如图1所示，固态硬盘写操作流程分为以下几个步骤：
(1)、固态硬盘的Nand闪存控制器(英文Nand Flash Controller，简称NFC)复位；
(2)、Nand闪存控制器会根据外部传入的命令解析出数据的写入块地址、页偏移量、数据长度参数进行Nand闪存控制器配置；
(3)、Nand闪存控制器将数据写入空闲数据缓冲器(简写Buffer)中；
(4)、此时如果Nand闪存控制器的通道及Nand Flash(Nand闪存)均是空闲的，则Nand闪存控制器会将数据缓冲器中数据写入Nand Flash所对应的地址当中；
(5)、同时，这部分数据会备份到同步动态随机存储器(英文Sdram)中；
(6)、写入完毕后，Nand闪存控制器会读取固态硬盘的状态寄存器的状态，如果正确，则操作完成，同时同步动态随机存储器数据释放；
(7)、如果固态硬盘的状态寄存器状态不正确，则送出中断，同时将同步动态随机存储器中的数据搬出，重新送入数据缓冲器，重新执行步骤(3)。
每个数据缓冲器大小与Nand Flash的页大小相同。
除说明书所述的技术特征外，均为本专业技术人员的已知技术。

Claims (3)

1.一种固态硬盘写操作纠错的方法，其特征在于在固态硬盘写操作过程中增加同步动态随机存储器，在固态硬盘执行写操作的过程中，当数据由数据缓冲器进入Nand闪存端口对Nand Flash进行编程操作的同时，将数据缓冲器中的数据备份到同步动态随机存储器中；若Nand Flash编程成功后，会返回一个标识，系统将数据缓冲器中的下一个数据写入Nand Flash并且同时将备份在同步动态随机存储器中的数据覆盖掉；若Nand Flash编程失败，会返回一个中断，系统将同步动态随机存储器中的备份数据重新调入数据缓冲器，并经Nand闪存端口写入Nand Flash，直到Nand Flash编程成功为止。
2.根据权利要求1所述的一种固态硬盘写操作纠错的方法，其特征在于固态硬盘写操作流程分为以下几个步骤：
(1)、固态硬盘的Nand闪存控制器复位；
(2)、Nand闪存控制器会根据外部传入的命令解析出数据的写入块地址、页偏移量、数据长度参数进行Nand闪存控制器配置；
(3)、Nand闪存控制器将数据写入空闲数据缓冲器中；
(4)、此时如果Nand闪存控制器的通道及Nand Flash均是空闲的，则Nand闪存控制器会将数据缓冲器中数据写入Nand Flash所对应的地址当中；
(5)、同时，这部分数据会备份到同步动态随机存储器中；
(6)、写入完毕后，Nand闪存控制器会读取固态硬盘的状态寄存器的状态，如果正确，则操作完成，同时同步动态随机存储器数据释放；
(7)、如果固态硬盘的状态寄存器状态不正确，则送出中断，同时将同步动态随机存储器中的数据搬出，重新送入数据缓冲器，重新执行步骤(3)。
3.根据权利要求1所述的一种固态硬盘写操作纠错的方法，其特征在于每个数据缓冲器大小与Nand Flash的页大小相同。
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