CN101276071A - 缺陷修补装置及靶材结构 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种缺陷修补装置，包括：一电磁波发射单元、一平台、一承载单元以及一流体冷却单元。该平台，其是提供承载待修补之一基板，该基板上具有一缺陷线路。该承载单元，其是设置于该电磁波发射单元与该平台之间，该承载单元是承载有一修补材料，该修补材料可接收该电磁波发射单元所提供的电磁波光束，以转移至该缺陷线路上。该流体冷却单元，其是可吸收在转移修补材料时所产生的热，以提供冷却。利用本发明的装置可以防止缺陷修补装置受到热影响而受到破坏以及修补材料因受热而氧化的问题。另外本发明提供一靶材结构，其是承载多种不同材质以及不同厚度的修补材料，以适用于各种多样式的修补图案。

Description

缺陷修补装置及靶材结构

技术领域

本发明涉及一种修补装置，尤其是指一种利用具有流体冷却以避免装置的构成组件以及修补材料受到热影响而遭受破坏以及氧化之一种缺陷修补装置。

背景技术

平面显示器(Flat Panel Display，FPD)已是国内最重要的产业之一，随着大尺寸液晶显示器面板的发展量产到七代厂，面板尺寸的大型化及产能需求不断提高的趋势及市场需求下，使得现有的修补制程面临极大的瓶颈。如图1所示，平面显示器的前段制程主要为利用光阻蚀刻技术进行线路图案成型，而在此制程中因污染及本身的蚀刻误差，导致制程完成后于线路图案中产生开路缺陷(open defect)10以及线缺陷(line defect)11，这些缺陷是不被允许的，因此必须加以修补(repair)。

传统进行修补的主要方式为激光化学气相沉积(LaserChemical Vapor Deposition，Laser CVD)，而此修补制程主要是将检测后的面板离线送至需特殊气氛环境的Laser CVD设备中，再利用激光与特殊气体的光化学反应，使修补的线路材料沉积于具有缺陷的线路上而完成修补制程。因为需要离线进行修补处理及制程需要于特殊气氛环境下进行，导致使用Laser CVD进行修补制程的产能较低。

另外，现有技术中如日本公开专利JP.NO.2000031013号所揭露的一种线路图案修补装置与方法，其是利用激光将修补材料转移至具有缺陷的线路图案上，以回复线路图案的电性。在该技术中，修补的线路材料受激光照射后，修补材料容易受到激光的能量而产生热影响区的现象，因此会有材料氧化及破坏的问题。此外，在现有技术中也容易因为高热而导致装置的相关组件，例如：修补材料承载单元以及被修补的基板遭到损坏。

发明内容

本发明目的是提供一种缺陷修补装置，其是可提供冷却以避免修补装置的构成组件或被修补的基板因在修补过程中受热而遭受热损害。

本发明提供一种缺陷修补装置，其是可提供冷却以避免修补材料因在修补过程中受热而氧化，进而影响其导电特性。

本发明提供一种缺陷修补装置，其是不需将检测后的面板离线修补，可与整线制程设备结合，大幅提升生产效率。

本发明提供一靶材结构，其是承载多种不同材质以及不同厚度的修补材料，以适用于各种多样式的修补图案。

在一实施例中，本发明提供一种缺陷修补装置，包括：一电磁波发射单元；一平台，其是可提供承载待修补的一基板，该基板上具有一缺陷线路；一承载单元，其是设置于该电磁波发射单元与该平台之间，该承载单元是承载有一修补材料，该修补材料可接收该电磁波发射单元所提供的电磁波光束，以转移至该缺陷线路上；以及一流体冷却单元，其是可吸收在转移修补材料时所产生的热，以提供冷却。

在另一实施例中，该流体冷却单元是为一承载单元冷却装置，其是设置于该承载单元上，该承载单元冷却装置可以提供一气流作用于该承载单元上。

在另一实施例中，该流体冷却单元更具有：一保护气帘单元，其是设置于该承载单元的周围且具有多数个气流通道，以提供一循环气流于该基板以及该修补材料上；以及一承载单元冷却装置，其是设置于该承载单元上，该承载单元冷却装置可以提供一冷却气流。

在另一实施例中，该流体冷却单元更具有：一保护气帘单元，其是设置于该承载单元的周围且具有多数个气流通道，以提供一循环气流于该基板以及该修补材料上；一承载单元冷却装置，其是设置于该承载单元上，该承载单元冷却装置可以提供一冷却气流；以及一平台冷却单元，其是设置于该平台上，该平台冷却单元具有循环回路以提供一流体进行循环。

在另一实施例中，该流体冷却单元更具有：一保护气帘单元，其是设置于该承载单元的周围且具有多数个气流通道，以提供一循环气流于该基板以及该修补材料上；以及一平台冷却单元，其是设置于该平台上，该平台冷却单元具有循环回路以提供一流体进行循环。

在另一实施例中，该流体冷却单元更具有：一承载单元冷却装置，其是设置于该承载单元上，该承载单元冷却装置可以提供一冷却气流；以及一平台冷却单元，其是设置于该平台上，该平台冷却单元具有循环回路以提供一流体进行循环。

在一实施例中，本发明更提供一种靶材结构，包括：一承载板；以及复数种修补材料，其是形成于该承载板的一面上。该复数种修补材料可选择环形数组以及矩形数组其中之一而排列于该承载板上。

附图说明

图1是为线路图案的缺陷示意图。

图2A与图2B是为本发明缺陷修补装置的第一实施例示意图。

图3是为本发明缺陷修补装置的第二实施例示意图。

图4A至图4C是为本发明缺陷修补装置的流体冷却单元其它实施例示意图。

图5是为本发明缺陷修补装置的第三实施例示意图。

图6是为本发明缺陷修补装置的第四实施例示意图。

图7是为本发明的靶材结构第一实施例示意图。

图8A至图8H是为本发明的修补材料结构示意图。

图9是为本发明的靶材结构第二实施例示意图。

【主要组件符号说明】

1-线路图案

10、11-缺陷

2-缺陷修补装置

20-电磁波发射单元

200-电磁波

21-承载单元

210-固定单元

211、213、214-承载板

22、22a、22b-修补材料

220-金属材料层

221-缓冲层

222-导电黏着层

224-中介层

23-平台

230-平台冷却单元

24-保护气帘单元

240-气流通道

25-承载单元冷却装置

26-光罩结构

27-光形调整单元

30-基板

31-缺陷线路

90-循环气流

91-冷却气流

具体实施方式

为能对本发明的特征、目的及功能有更进一步的认知与了解，下文特将本发明的装置的相关细部结构以及设计的理念原由进行说明，以使得审查委员可以了解本发明的特点，详细说明陈述如下：

请参阅图2A与图2B所示，该图是为本发明缺陷修补装置的第一实施例示意图。该缺陷修补装置2具有一电磁波发射单元20、一平台23、一承载单元21以及一流体冷却单元。该电磁波发射单元20是可产生电磁波光束200，其是可选择为全波段激光源或者是紫外光波激光。在本实施例中，该电磁波发射单元20是为全波段激光源。

该平台23，其是可提供承载待修补的一基板30，该基板30上具有一缺陷线路31。该缺陷线路31是可为线缺陷或者是开路缺陷或者是前述两者的组成，在本实施例中是以开路缺陷作说明。该基板30可是玻璃基板或者是硅基板，面板上的线路图案在本实施例中是为应用于平面显示器的线路图案，但不在此限。该承载单元21，其是设置于该电磁波发射单元20与该平台23之间，该承载单元21是具有一固定单元210以及一承载板211。该承载板211是承载有一修补材料22，该修补材料22可接收该电磁波发射单元20所提供的电磁波光束200，以转移至该缺陷线路31上。该修补材料22可为金属可导电的材料，该金属可导电材料可选择钨、金、银、铜、银胶或者是钼材料，但不在此限。在本实施例中，该修补材料22是形成于一承载板211上，该承载单元21的固定单元210是利用真空吸附或者是夹持的方式固定该承载板211，此时该修补材料22是与该缺陷线路31相对应。

该流体冷却单元，其是可提供冷却以避免该修补材料因受热氧化、该基板因受热影响而损坏或者是缺陷修补装置的构成组件，例如：承载单元21，受热而损坏。本发明的流体冷却单元可以对基板30或者是修补材料22提供冷却的效果以避免基板30损坏或者是修补材料22因在转移的过程中受热氧化，进而减低或者是丧失其导电的特性。此外，流体冷却单元可以对承载修补材料22的承载板211提供冷却的效果，以防止承载板211受热而损坏。

因此在图2A的实施例中，该流体冷却单元是包括有：一保护气帘单元24以及一平台冷却单元230。该保护气帘单元24，其是设置于该承载单元21的周围且具有多数个气流通道240，以提供一循环气流90于该基板30以及该修补材料22上。该平台冷却单元230，其是设置于该平台23内，该平台冷却单元230具有循环回路以提供一流体进行循环。该保护气帘单元上的气流信道，可导引循环气流90由上往下吹，并在该修补材料22与该基板30之间循环。

如图2B所示，当电磁波发射单元20发射出电磁波光束200(本实施例为全波段激光)时，修补材料22接受电磁波光束200照射后产生的碰撞压力，亦即直接来自光子撞击所产生的光压，辅以电磁波能量产生打断分子键结或爆炸现象，而转移至缺陷线路31上。此时该循环气流90可以吸收热电磁波转移修补材料22时所产生的热量，并可以形成气幕以避免外界空气进入，进而防止该修补材料22氧化。在本实施例中该循环气流90的气体可选择为惰性气体，例如：氦气或者是氖气等，但不在此限。另外该平台冷却单元230可通过由循环回路内所通过的流体，例如液体或者是气体，产生冷却的效果，以避免基板30在转移过程中受热而损坏。该平台冷却单元230的技术是可利用现有技术达成，在此不作赘述。

请参阅图3所示，该图3是为本发明缺陷修补装置的第二实施例示意图。在本实施例中，在该承载单元21上更设置有一承载单元冷却装置25，其是设置于该承载单元上21，该承载单元冷却装置25可以提供一冷却气流91作用于该承载单元21以及该承载板211上。由于该电磁波发射单元20所产生的电磁波光束200是会穿透该承载板211，因此在转移的过程中承载板211也会产生高热。为了避免在转移过程中所产生的高热破坏承载板211，该承载单元冷却装置25所产生的冷却气流91可以辅助降低承载板211的温度，以增加承载板211的使用寿命。另外，由于该承载单元冷却装置25也可以提供辅助降低修补材料22的温度以及避免电磁波能量不均的功效。在本实施例中，该冷却气流91的气体可选择为惰性气体，例如：氦气或者是氖气等，但不在此限。

综合前述的本发明所提供的流体冷却单元的实施例具有保护气帘单元24、承载单元冷却装置25以及平台冷却装置230。前述的保护气帘单元24、承载单元冷却装置25以及平台冷却装置230可以单独实施或者是相互组合以达到不同的冷却功效，如图4A至图4C所示的流体冷却单元的不同组合实施例。例如：在图4A中该流体冷却单元是为承载单元冷却装置25与平台冷却单元230的组合。而在图4B中该流体冷却单元是为承载单元冷却装置25。另外在图4C中，该流体冷却单元是为平台冷却单元230。

接下来请参阅图5所示，该图是为本发明缺陷修补装置的第三实施例示意图。在本实施例中，在该修补材料22与该电磁波发射单元20之间更可以设置一光罩结构26，以对不同的线路图案进行修补，增加可修补图案的多样性。虽然在图5中是将光罩结构26与图2A的缺陷修补装置实施例结合，但实际上亦可与图3的实施例结合，或者是其它单独或者是组合实施。

请参阅图6所示，该图是为本发明缺陷修补装置的第四实施例示意图。在本实施例中，在该修补材料22与该电磁波发射单元20之间更可以设置一光形调整单元27(beam shaper)。该光形调整单元27可以视需求选择聚焦该电磁波光束、增大该电磁波光束的面积或者是调整该电磁波光束的线形，以配合不同的线路图案进行修补，增加可修补图案的多样性。该光形调整单元27是为现有技术的商品，在此不作赘述。虽然在图6中是将光形调整单元27与图2A的实施例结合，但实际上亦可与图3的实施例结合，或者是其它单独或者是组合实施本发明的流体冷却单元的实施例(如：图4A至图4C)相组合。

接下来说明转移时的靶材结构，该靶材结构是由前述的承载板211以及修补材料22所构成。在前述的实施例中，靶材结构的修补材料22是皆为相同性质的材。请参阅图7所示，该图是为本发明的靶材结构第一实施例示意图，在本实施例中，该靶材结构的承载板213是为矩形承载板，而其上具有复数种修补材料22a，该复数种修补材料22a是成矩形数组排列于该承载板213上。该复数种修补材料22a的组成可以相同或者是不相同，例如在图7中的a位置上的修补材料与b位置上的修补材料可为相同结构或者是不相同结构。

接下来说明修补材料的几种实施例。以位置a的修补材料为例，其是可为如图8A的状态，该修补材料是为单一的金属材料层220，该金属材料层220的材料可以选择为钨、金、银、铜、银胶以及钼其中之一。另为如图8B所示，该图是为修补材料的另一实施例，在本实施例中，该修补材料具有一缓冲层221以及一金属材料层220。该缓冲层221是形成于该承载板213上，而该金属材料层220则形成于该缓冲层221上。该金属材料层220的材料选择如前所述。在本实施例中，该缓冲层221不转移至缺陷线路上，该缓冲层221的目的在于吸收电磁波光源的能量并传导部分的电磁波能量给该金属材料层220。如此一来，一方面可以避免该金属材料层220因受热而氧化，进而影响导电的特性；另一方面也可以通过由该缓冲层221与金属材料层220之间的低黏着性，以使得金属材料层220容易从缓冲层221转移至缺陷线路上。该缓冲层221是可选择为高分子材料，在本实施例中，该高分子材料是选择为聚二甲基硅氧烷(Polydimethylsiloxane，PDMS)。

如图8C所示，在本实施例中，该修补材料具有一金属材料层220以及一导电黏着层222。该金属材料层220，其是形成于该承载板213上。该导电黏着层222，其是形成于该金属材料层220上。该金属材料层220的材料选择如前所述，而该导电黏着层222主要目的是为加强金属材料层220于转移后与缺陷线路之间的黏着性。该导电黏着层222的材料是可选择同时具有导电性以及黏着性的材料，在本实施例中是使用银胶。另外如图8D所示，更可以在图8C的结构上于该金属材料层220与该承载板213之间形成一层缓冲层221。该缓冲层221的目的如前所述，在此不做赘述。

如图8E所示，在本实施例中，该修补材料更具有：一中介层224以及一金属材料层220。该中介层224，其是形成于该承载板213上。该金属材料层220，其是形成于该中介层224上。该中介层224是为可吸收电磁波能量的材料，以保护该金属材料层220免于直接受到该电磁波光源的影响而产生热影响区，以避免该金属材料层220因受热而氧化，进而影响导电的特性。该金属材料层220的材料如前所述，而该该中介层224的材料是为钛，但不以此为限。另外，在该中介层224与该承载板213之间形成一层缓冲层221，如图8F的结构。该缓冲层221的目的如前所述，在此不做赘述。或者是在图8E的结构下，于该金属材料层220上更形成一层导电黏着层222，以形成如图8G的结构。另外也可以在图8G的结构下，在该中介层224与该承载板213之间形成一层缓冲层221。至于前述的缓冲层221以及导电黏着层222的结构以及目的如前所述在此不做赘述。

另外，除了图8的矩形结构承载板外，如图9所示，该承载板也可以为圆形的承载板214。在本实施例中，该复数种修补材料22b是成环形数组分布于承载板214上。至于修补材料22b的种类与结构如前所述。

惟以上所述，仅为本发明的实施例，当不能以的限制本发明范围。即大凡依本发明申请专利范围所做的均等变化及修饰，仍将不失本发明的要义所在，亦不脱离本发明的精神和范围，故都应视为本发明的进一步实施状况。

综合上述，本发明提供的缺陷修补装置及靶材结构，其是具有避免装置与待修补的基板在转移修补材料的过程中受到热损坏以及避免修补材料受热而氧化。另外，更可以根据需求改变修补图案。因此可以满足业界的需求，进而提高该产业的竞争力以及带动周遭产业的发展，诚已符合发明专利法所规定申请发明所需具备的要件，故依法呈提发明专利的申请。

Claims (67)

1. 一种缺陷修补装置，其特征在于包括：

一电磁波发射单元；

一平台，其是可提供承载待修补的一基板，该基板上具有一缺陷线路；

一承载单元，其是设置于该电磁波发射单元与该平台之间，该承载单元是承载有一修补材料，该修补材料可接收该电磁波发射单元所提供的电磁波，以转移至该缺陷线路上；以及

一流体冷却单元，其是可吸收在转移修补材料时所产生的热，以提供冷却。

2. 如权利要求1所述的缺陷修补装置，其特征在于：该缺陷线路是为线缺陷及开路缺陷或前述的组成其中之一。

3. 如权利要求1所述的缺陷修补装置，其特征在于：该流体冷却单元是为一保护气帘单元，其是设置于该承载单元的周围且具有多数个气流通道，以提供一循环气流于该基板以及该修补材料上。

4. 如权利要求3所述的缺陷修补装置，其特征在于：该循环气流是可选择为惰性气体。

5. 如申请专利范围第4项所述的缺陷修补装置，其中该惰性气体是可选择为氦气以及氖气其中之一。

6. 如权利要求1所述的缺陷修补装置，其特征在于：该流体冷却单元是为一承载单元冷却装置，其是设置于该承载单元上，该承载单元冷却装置可以提供一冷却气流。

7. 如权利要求6所述的缺陷修补装置，其特征在于：该气流是选择为惰性气体。

8. 如权利要求7所述的缺陷修补装置，其特征在于：该惰性气体是选择为氦气以及氖气其中之一。

9. 如权利要求1所述的缺陷修补装置，其特征在于：该流体冷却单元是设置于该平台内，该流体冷却单元具有循环回路以提供一流体进行循环。

10. 如权利要求9所述的缺陷修补装置，其特征在于：该流体是可选择为液体或者是气体其中之一。

11. 如权利要求1所述的缺陷修补装置，其特征在于：该流体冷却单元更具有：

一保护气帘单元，其是设置于该承载单元的周围且具有多数个气流通道，以提供一循环气流于该基板以及该修补材料上；以及

一承载单元冷却装置，其是设置于该承载单元上，该承载单元冷却装置可以提供一冷却气流。

12. 如权利要求11所述的缺陷修补装置，其特征在于：该循环气流是可选择为惰性气体。

13. 如权利要求12所述的缺陷修补装置，其特征在于：该惰性气体是可选择为氦气以及氖气其中之一。

14. 如权利要求11所述的缺陷修补装置，其特征在于：该冷却气流是可选择为惰性气体。

15. 如权利要求14所述的缺陷修补装置，其特征在于：该惰性气体是可选择为氦气以及氖气其中之一。

16. 如权利要求1所述的缺陷修补装置，其特征在于：该流体冷却单元更具有：

一保护气帘单元，其是设置于该承载单元的周围且具有多数个气流通道，以提供一循环气流于该基板以及该修补材料上；

一承载单元冷却装置，其是设置于该承载单元上，该承载单元冷却装置可以提供一冷却气流；以及

一平台冷却单元，其是设置于该平台内，该平台冷却单元具有循环回路以提供一流体进行循环。

17. 如权利要求16所述的缺陷修补装置，其特征在于：该循环气流是可选择为惰性气体。

18. 如权利要求17所述的缺陷修补装置，其特征在于：该惰性气体是可选择为氦气以及氖气其中之一。

19. 如权利要求16所述的缺陷修补装置，其特征在于：该冷却气流是可选择为惰性气体。

20. 如权利要求19所述的缺陷修补装置，其特征在于：该惰性气体是可选择为氦气以及氖气其中之一。

21. 如权利要求16所述的缺陷修补装置，其特征在于：该流体是可选择为液体或者是气体其中之一。

22. 如权利要求1所述的缺陷修补装置，其特征在于：该流体冷却单元更具有：

一保护气帘单元，其是设置于该承载单元的周围且具有多数个气流通道，以提供一循环气流于该基板以及该修补材料上；以及

一平台冷却单元，其是设置于该平台内，该平台冷却单元具有循环回路以提供一流体进行循环。

23. 如权利要求22所述的缺陷修补装置，其特征在于：该循环气流是可选择为惰性气体。

24. 如权利要求23所述的缺陷修补装置，其特征在于：该惰性气体是可选择为氦气以及氖气其中之一。

25. 如权利要求22所述的缺陷修补装置，其特征在于：该流体是可选择为液体或者是气体其中之一。

26. 如权利要求1所述的缺陷修补装置，其特征在于：该流体冷却单元更具有：

一承载单元冷却装置，其是设置于该承载单元上，该承载单元冷却装置可以提供一冷却气流；以及

一平台冷却单元，其是设置于该平台内，该平台冷却单元具有循环回路以提供一流体进行循环。

27. 如权利要求26所述的缺陷修补装置，其特征在于：该冷却气流是可选择为惰性气体。

28. 如权利要求27所述的缺陷修补装置，其特征在于：该惰性气体是选择为氦气以及氖气其中之一。

29. 如权利要求26所述的缺陷修补装置，其特征在于：该流体是选择为液体或者是气体其中之一。

30. 如权利要求1所述的缺陷修补装置，其特征在于：该修补材料与该电磁波发射单元相对应的面上设置有一光罩结构。

31. 如权利要求1所述的缺陷修补装置，其特征在于：该修补材料与该电磁波发射单元之间设置有一光形调整单元。

32. 如权利要求31所述的缺陷修补装置，其特征在于：该光形调整单元可以聚焦该电磁波光束、增大该电磁波光束的面积或者是调整该电磁波光束的线形。

33. 如权利要求1所述的缺陷修补装置，其特征在于：该电磁波发射单元是选择为一全波段激光源以及紫外光波激光其中之一。

34. 如权利要求1所述的缺陷修补装置，其特征在于：该修补材料是为一金属材料。

35. 如权利要求1所述的缺陷修补装置，其特征在于：该金属材料是选择钨、金、银、铜、银胶以及钼材料其中之一。

36. 如权利要求1所述的缺陷修补装置，其特征在于：承载单元是具有：

一固定单元；以及

一靶材结构，其是具有一承载板以提供承载该修补材料。

37. 如权利要求36所述的缺陷修补装置，其特征在于：该固定单元是利用真空吸附或者是夹持方式固定该承载板。

38. 如权利要求36所述的缺陷修补装置，其特征在于：该承载板上更具有复数种的修补材料。

39. 如权利要求38所述的缺陷修补装置，其特征在于：该复数种修补材料可选择环形数组以及矩形数组其中之一而排列于该承载板上。

40. 一种靶材结构，其特征在于包括：

一承载板；以及

复数种修补材料，其是形成于该承载板之一面上。

41. 如权利要求40所述的靶材结构，其特征在于：该复数种修补材料可选择环形数组以及矩形数组其中之一而排列于该承载板上。

42. 如权利要求40所述的靶材结构，其特征在于：其中的一种修补材料是具有一金属材料层。

43. 如权利要求42所述的靶材结构，其特征在于：该金属材料层的材料是选择为钨、金、银、铜、银胶以及钼其中之一。

44. 如权利要求42所述的靶材结构，其特征在于：该承载板与该金属材料层间具有一层缓冲材料。

45. 如权利要求44所述的靶材结构，其特征在于：该缓冲材料是为一高分子材料。

46. 如权利要求46所述的靶材结构，其特征在于：该高分子材料是为聚二甲基硅氧烷。

47. 如权利要求40所述的靶材结构，其特征在于：其中的一种修补材料更具有：

一中介层，其是形成于该承载板上；以及

一金属材料层，其是形成于该中介层上。

48. 如权利要求47所述的靶材结构，其特征在于：该金属材料层的材料是选择为钨、金、银、铜、银胶以及钼其中之一。

49. 如权利要求47所述的靶材结构，其特征在于：该中介层的材是可吸收电磁波光源的能量或防止该金属材料层氧化。

50. 如权利要求47所述的靶材结构，其特征在于：该中介层的材料是为钛。

51. 如权利要求47所述的靶材结构，其特征在于：该中介层与该承载板间更具有一层缓冲层。

52. 如权利要求51所述的靶材结构，其特征在于：该缓冲材料是为一高分子材料。

53. 如权利要求52所述的靶材结构，其特征在于：该高分子材料是为聚二甲基硅氧烷。

54. 如权利要求40所述的靶材结构，其特征在于：其中的一种修补材料具有：

一中介层，其是形成于该承载板上；

一金属材料层，其是形成于该中介层上；以及

一导电黏着层，其是形成于该金属材料层上。

55. 如权利要求54所述的靶材结构，其特征在于：该金属材料层的材料是选择为钨、金、银、铜、银胶以及钼其中之一。

56. 如权利要求54所述的靶材结构，其特征在于：该导电黏着层是可为一银胶。

57. 如权利要求54所述的靶材结构，其特征在于：该中介层的材是可吸收电磁波光源的能量或防止该金属材料层氧化。

58. 如权利要求54所述的靶材结构，其特征在于：该中介层的材料是为钛。

59. 如权利要求54所述的靶材结构，其特征在于：该中介层与该承载板间具有一缓冲层。

60. 如权利要求59所述的靶材结构，其特征在于：该缓冲层是为一高分子材料。

61. 如权利要求60所述的靶材结构，其特征在于：该高分子材料是为聚二甲基硅氧烷。

62. 如权利要求40所述的靶材结构，其特征在于：其中的一种修补材料具有：

一金属材料层，其是形成于该承载板上；以及

一导电黏着层，其是形成于该金属材料层上。

63. 如权利要求62所述的靶材结构，其特征在于：该金属材料层的材料是选择为钨、金、银、铜、银胶以及钼其中之一。

64. 如权利要求62所述的靶材结构，其特征在于：该导电黏着层是为一银胶。

65. 如权利要求62所述的靶材结构，其特征在于：该金属材料层与该承载板间更具有一缓冲层。

66. 如权利要求65所述的靶材结构，其特征在于：该缓冲层是可为一高分子材料。

67. 如权利要求66所述的靶材结构，其特征在于：该高分子材料是为聚二甲基硅氧烷。

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