CN101253421B - 形成倾斜微透镜的工艺方法 - Google Patents

形成倾斜微透镜的工艺方法 Download PDF

Info

Publication number
CN101253421B
CN101253421B CN2006800314159A CN200680031415A CN101253421B CN 101253421 B CN101253421 B CN 101253421B CN 2006800314159 A CN2006800314159 A CN 2006800314159A CN 200680031415 A CN200680031415 A CN 200680031415A CN 101253421 B CN101253421 B CN 101253421B
Authority
CN
China
Prior art keywords
wedge
flowable materials
lenticule
pixel
bands
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CN2006800314159A
Other languages
English (en)
Other versions
CN101253421A (zh
Inventor
乌尔里希·C·伯蒂格
李劲
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Aptina Imaging Corp
Original Assignee
Micron Technology Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Micron Technology Inc filed Critical Micron Technology Inc
Publication of CN101253421A publication Critical patent/CN101253421A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN101253421B publication Critical patent/CN101253421B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14625—Optical elements or arrangements associated with the device
    • H01L27/14627—Microlenses
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B3/00—Simple or compound lenses
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
    • G01J1/02—Details
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
    • G01J1/02—Details
    • G01J1/0204—Compact construction
    • G01J1/0209—Monolithic
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
    • G01J1/02—Details
    • G01J1/04—Optical or mechanical part supplementary adjustable parts
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
    • G01J1/02—Details
    • G01J1/04—Optical or mechanical part supplementary adjustable parts
    • G01J1/0407—Optical elements not provided otherwise, e.g. manifolds, windows, holograms, gratings
    • G01J1/0411—Optical elements not provided otherwise, e.g. manifolds, windows, holograms, gratings using focussing or collimating elements, i.e. lenses or mirrors; Aberration correction
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B3/00—Simple or compound lenses
    • G02B3/0006—Arrays
    • G02B3/0012—Arrays characterised by the manufacturing method
    • G02B3/0018—Reflow, i.e. characterized by the step of melting microstructures to form curved surfaces, e.g. manufacturing of moulds and surfaces for transfer etching
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B3/00—Simple or compound lenses
    • G02B3/0006—Arrays
    • G02B3/0037—Arrays characterized by the distribution or form of lenses
    • G02B3/0043—Inhomogeneous or irregular arrays, e.g. varying shape, size, height
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N23/00—Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N23/00—Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof
    • H04N23/50—Constructional details
    • H04N23/55—Optical parts specially adapted for electronic image sensors; Mounting thereof

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
  • Viewfinders (AREA)
  • Micromachines (AREA)

Abstract

本发明揭示一种微透镜结构，其包含经形成以支撑并使微透镜(75、85)倾斜的楔形物(55、65)。所述楔形物(55、65)通过对经图案化的可流动材料层进行加热而产生。可部分地通过所执行的图案化的类型来控制给予楔形物的倾斜度数和方向。

Description

形成倾斜微透镜的工艺方法
技术领域
本发明涉及用于图像捕捉或显示系统的微透镜结构的制造，且更具体来说，涉及用于制造固态成像器系统的微透镜阵列的结构和方法。
背景技术
包含电荷耦合装置(CCD)和CMOS传感器的固态成像器通常用于光成像应用中。固态成像器包含焦平面像素阵列。每一像素均包含用于将光能转换为电信号的光伏装置。所述光伏装置可为光电门、光电导体或具有用于累积光生电荷的掺杂区的光电二极管。
微透镜通常放置在相应阵列中，位于成像器像素上。微透镜用于将光聚焦到例如初始的电荷累积区上。常规的技术通过光致抗蚀剂材料形成微透镜，所述光致抗蚀剂材料被图案化为分别提供在像素上方的正方形或圆形。接着在制造期间加热经图案化的光致抗蚀剂材料以使微透镜成形并固化。
通过从较大的光收集区域收集光并将其聚焦在像素的较小光敏区域上，微透镜的使用显著改进了成像装置的光敏性和效率。总的光收集区域与像素的光敏区域的比率称为“填充因数”。
微透镜阵列的使用在成像器应用中具有增加的重要性。成像器应用正需求具有较小尺寸和较大分辨率的成像器阵列。随着像素尺寸减小和像素密度增加，例如像素之间的串扰的问题变得更加明显。而且尺寸减小的像素具有较小的电荷累积区域。像素的减小的尺寸导致由信号处理电路读出并处理的累积电荷较少。
随着成像器阵列和像素光敏区域的尺寸减小，越来越难以提供能够将入射光射线聚焦到光敏区上的微透镜。这个问题部分是由于越来越难以构造足够小的对于成像器装置工艺具有最佳的焦点特征且针对在光通过各个装置层时引入的光学偏差进行最佳调节的微透镜。而且，难以校正由光敏区域上方的多个区产生的可能的失真，这导致邻近像素之间的串扰增加。当离轴光以钝角照射到微透镜时可引起串扰。离轴光通过平面化区和滤色器，错过了预期到达的光敏区并照射到邻近的光敏区。
通过加热和熔化微透镜材料进行微透镜成形和制造也随着微透镜结构在尺寸上减小而变得越来越难。先前的控制微透镜成形和制造的方法不能提供充分的控制以确保光学特性，例如焦点特征、微透镜的半径或为了针对较小微透镜设计而提供所要的焦点作用所需的其它参数。因此，具有较小尺寸微透镜的成像器难以实现较高的色彩保真度和信噪比。
发明内容
本发明的各种示范性实施例提供多种用于调节像素阵列的微透镜的形状、半径和/或高度的结构和方法。实施例使用了在微透镜形成期间影响体积和表面力参数的结构。示范性实施例是针对包含楔形物的微透镜结构，所述楔形物经形成以支撑并倾斜微透镜而实现所需的聚焦特性。通过对可流动材料层的加热而产生楔形物。所述可流动材料经图案化以使得在材料的回流期间形成楔形物。可由可流动材料中完成的图案化的类型来控制给予楔形物的倾斜的度数和方向。
在一个示范性实施例中，一系列平行条带(每个条带连续变小)用作楔形物。当经图案化的可流动材料回流时，在一端的较大条带将变为楔形物的较厚部分。另一端的较小条带将变为楔形物的较窄部分。每个微透镜可被相同地图案化。或者，配对和其它分组可经图案化以形成最终的楔形物配置。
附图说明
从下文参看附图提供的对示范性实施例的详细描述中将更明白本发明的上述和其它优点和特征，其中：
图1以平面图说明根据本发明示范性实施例的用于图案化光致抗蚀剂材料的标线板；
图2说明在图1的标线板已在上面图案化的衬底上形成的光致抗蚀剂材料的横截面图；
图3是根据本发明示范性实施例的图2的光致抗蚀剂条带在显影之后的横截面图；
图4是根据本发明示范性实施例的在回流之后形成的固态抗蚀剂楔形物的横截面图；
图5是根据本发明示范性实施例的由楔形物支撑的微透镜的横截面图；
图6是根据本发明示范性实施例的具有经显影以形成互补图案的抗蚀剂条带的一对邻近的微透镜支撑区域的平面图；
图7a是由根据图6实施例的一对邻近的微透镜支撑区域支撑的一对邻近的微透镜的横截面图；
图7b是由根据图6另一实施例的共用一个像素的一对邻近的微透镜支撑区域支撑的一对邻近的微透镜的横截面图；
图8是根据本发明示范性实施例的具有经显影以形成互补图案的抗蚀剂条带的四个邻近的微透镜支撑区域的平面图；
图9是使用具有根据本发明实施例构造的微透镜的像素的成像装置的示意图；以及
图10说明包含图9的成像装置的处理系统的示意图。
具体实施方式
在以下具体实施方式中，参考附图，所述附图形成本发明的一部分并以说明的方式展示其中可实施本发明的特定实施例。以充分的细节描述这些实施例，以使所属领域的技术人员能够实施本发明，且应了解，在不脱离本发明精神与范围的情况下，可利用其它实施例并做出结构、逻辑和电气改变。所描述的处理步骤的进程是本发明实施例的示范，然而步骤的顺序不限于本文陈述的顺序且可如此项技术中已知进行改变，除非必须以某种次序进行的步骤。
本文使用的术语“像素”是指光电元件单位单元，其含有光电传感器装置和相关联的结构以用于将光子转换为电信号。术语“流”、“流动”或“回流”是指经加热并熔化的材料的形状上的改变，进而产生材料流或由加热或其它类似过程引起的材料的形状改变。“流”是初始熔化且“回流”是先前流动的材料的后续熔化。
另外，尽管参考例如CMOS成像器的基于半导体的成像器描述本发明，但应了解，本发明可应用于需要高质量微透镜以获得优化性能的任何微电子或微光学装置。可采用本发明的额外的示范性微光学装置包含其它固态成像装置，例如CCD和其它，以及其中像素发光的显示装置。
现参看图式，其中相同元件由相同参考标号指示，图1说明根据本发明示范性实施例的用于图案化可流动材料(例如，光致抗蚀剂材料)的标线板10。所述标线板可由例如铬材料形成。标线板上的条纹11的大小发生变化。在所示的示例中，标线板条纹11展示为从左到右在大小上减小，使得条纹宽度在垂直于条纹纵轴的方向上减小。标线板在条纹11之间具有宽度在约0.3微米到约0.5微米的开口12。标线板10放置在衬底5上，，衬底5的光致抗蚀剂材料层20位于像素的光敏区6上，如图2所示。光致抗蚀剂材料是光敏透明材料20。举例来说，其可为与用于形成微透镜的材料相同的材料。在另一实施例中，所述材料可经选择以控制极化的相位。
参看图3，在光致抗蚀剂材料20的显影之后，光致抗蚀剂条带31、32、33、34、35、36、37的形成保留在衬底5上。光致抗蚀剂条带31、32、...37具有数十分之一微米级的宽度W1、W2、...W7。宽度W1、W2、...W7在垂直于条带纵轴的方向上减小。
参看图4，光致抗蚀剂条带31、32、...37经受回流条件以产生楔形物15。比较图3与图4可见，光致抗蚀剂条带31-37一起流动以产生楔形物15。楔形物15的左侧较厚，该处光致抗蚀剂条带31、32、33较宽。楔形物15的右侧较薄，该处光致抗蚀剂条带35、36、37较窄。换句话说，楔形物15在具有最厚光致抗蚀剂条带31的侧上具有第一厚度D1，且在具有最薄光致抗蚀剂条带37的侧上具有第二厚度D2，其中D1大于D2。因此，楔形物15具有成角度“α”的倾斜上表面，该角度由楔形物15的上表面14的凸块的切线与衬底5的水平表面4描述。角度α可设计为任何所需的角度，但在示范性实施例中通常小于约10度。
如图4所示，楔形物15可能不具有完全平滑的上表面14。楔形物可通过例如光刻的平滑工艺经平滑化而具有平坦表面。楔形物经平滑化的程度可取决于所选择的光刻工具分辨率程度以及可流动楔形物材料的流动特性。以下论述仅出于示范性目的而描述不具有平滑表面的楔形物，然而应注意，所述楔形物也可具有平滑表面。
参看图5，楔形物15为形成在楔形物15上并由楔形物15支撑的倾斜微透镜25提供支撑表面。由于楔形物15的倾斜，微透镜25倾斜，使得其定向允许其焦点移动到目标位置，例如光敏元件6。这允许微透镜与光敏元件6偏心地放置。微透镜可位于光敏元件正上方但不位于其中心，或者微透镜可邻近于光敏元件，然而，楔形物的倾斜角度允许微透镜将入射光引导到光敏元件。在根据此实施例形成的微透镜阵列中，全部微透镜可具有拥有相同倾斜角度以使得楔形物在相同方向上倾斜的楔形物。
如下文更详细地描述，通过使用光致抗蚀剂25形成具有不同宽度的图案结构并使所述图案化结构流动以形成楔形物来支撑并倾斜微透镜，而控制微透镜阵列的焦点特征。用于图案化所述结构的标线板具有一系列平行条带，每一条带连续小于前一条带，使得由较小条带形成的结构形成楔形物的较薄侧。例如烘焙和封装的后续处理根据标准的业界惯例来进行。
在另一实施例中，可提供两个倾斜微透镜作为双向共用像素布局的一部分。通过提供两个倾斜的微透镜，可以所需方式移动所述两个微透镜中每一者的焦点。换句话说，并不是使一个微透镜位于一个像素上方的中心，可能有一个以上微透镜位于单一像素上方或邻近于单一像素，每一微透镜可将入射光聚焦到所述像素。因此，两个微透镜可形成于仅一个光敏元件上。或者，可将两个目标装置放置地更靠近在一起，从而允许在微透镜下方别处有更多的用于逻辑电路的像素区域。参看图6，两个标线板50、60经定向以使得较宽的标线板条纹38、39彼此邻近。
所得的楔形物的较厚部分彼此邻近，使得两个楔形物55、65均将支撑倾斜远离其邻近侧的微透镜，如图7a和7b中所示。参看图7a，两个倾斜微透镜75、85用于移动其焦点，使得两个目标光敏装置56、66可在衬底上放置地更靠近在一起。参看图7b，两个倾斜的微透镜用于将焦点移动到共用光敏元件156。在图7b说明的实例中，楔形物165具有大于楔形物155的角度α的角度β。由于微透镜185不位于光敏元件156正上方，因此其必须倾斜更多(角度β必须大于角度α)，以便将入射光引导到光敏元件156。
有利的是，通过控制相对于成像器光敏元件的倾斜程度，允许在光敏元件设计中有更多自由，且可将倾斜的微透镜的焦点移动到像素内放置光敏元件的地方。
参看图8，其展示另一实施例，其中四个标线板90、100、110、120经对角定向以使得较宽的标线板条纹91、92、93、94比其它标线板条纹更靠近四个标线板90、100、110、120的中心。在此实施例中，由标线板90、100、110、120形成的楔形物将产生作为四向共用像素布局的一部分而提供的四个倾斜的微透镜。通过提供四个倾斜的微透镜，可以所需方式移动四个微透镜中每一者的焦点。因此，四个微透镜可形成在单一共用光敏元件上。所得的支撑每一微透镜的楔形物将具有不同角度，所述角度分别经选择以将入射光从其各自位置引导到共用光敏元件。或者，四个微透镜每一者可形成于一个光敏元件上，但四个目标装置(例如，光敏装置)可放置地更靠近在一起，从而在需要时允许更多的用于逻辑电路的像素区域。
倾斜微透镜的定向，例如尺寸、形状、焦距和其它焦点特征由一个或一个以上微透镜和成像器设计参数决定，所述参数包含：(1)楔形物下方微透镜聚光处的光电传感器的距离、宽度或大小；(2)加热期间用于形成微透镜的微透镜材料的粘度；(3)楔形物的尺寸和材料；(4)加热期间由影响微透镜材料流动行为的微透镜结构导致的微透镜材料的流动行为的改变；(5)对楔形物或微透镜材料的预加热或预流动处理的效应；(6)在微透镜材料的加热完成之后微透镜结构的近似定向；以及(7)楔形物材料的可能改变微透镜材料的流动特性的效应。
图9说明可利用具有根据本发明构造的倾斜微透镜的像素的示范性成像装置200。成像装置200具有成像器像素阵列201，其包括具有如上所述构造的微透镜的像素。由行驱动器202响应于行地址解码器203而选择性启动行线。列驱动器204和列地址解码器205也包含在成像装置200中。成像装置200由控制地址解码器203、205的定时和控制电路206操作。控制电路206还控制行驱动器电路202和列驱动电路204。
与列驱动器204相关联的取样与保持电路207读取针对选定像素的像素重设信号Vrst和像素图像信号Vsig。差分放大器208针对每个像素产生差分信号(Vrst-Vsig)，并且模拟到数字转换器209(ADC)将所述信号数字化。模拟到数字转换器209将数字化的像素信号供应到形成并输出数字图像的图像处理器210。
图10展示系统900，其为经修改以包含本发明成像装置200(图9)的典型处理器系统。基于处理器的系统900是具有可包含图像传感器装置的数字电路的系统的示范。不欲加以限制，此系统可包含计算机系统、静态或视频相机系统、扫描仪、机器视觉、车辆导航、视频电话、监视系统、自动对焦系统、星体跟踪系统、运动检测系统、图像稳定化系统以及数据压缩系统。
例如相机系统的基于处理器的系统900通常包括经由总线993与输入/输出(I/O)装置991通信的中央处理单元(CPU)995，例如微处理器。成像装置传感器200也经由总线993与CPU 995通信。基于处理器的系统900还包含随机存取存储器(RAM)992，且可包含例如快闪存储器的可移除存储器994，其也经由总线993与CPU 995通信。图像传感器800可与具有或不具有存储器存储装置的处理器(例如，CPU、数字信号处理器或微处理器)组合在单一集成电路上或集成在与处理器不同的芯片上。
尽管以上论述描述了由使用标线板直接图案化的条带形成的楔形物，但应注意，所述条带及其形成并不限于此实施例。其它材料和方法可用于形成经流动以形成楔形物的所述系列的条带。举例来说，条带可由微透镜形成材料形成，且可使用蚀刻工艺或光刻形成。
由于本发明，所属领域的技术人员将明白本发明的方法的各种应用。尽管上文已描述特定优点和实施例，但所属领域的技术人员将认识到，在不脱离本发明精神或范围的情况下可做出替代、添加、删除、修改和/或其它改变。因此，本发明并非由上述描述限制，而是仅由所附权利要求书的范围限制。

Claims (8)

1.一种制造微透镜结构的方法，其包括：
在衬底中形成多个像素；
在所述多个像素上方的所述衬底上形成可流动材料层；
图案化所述可流动材料以形成各自具有一宽度的多个可流动材料条带，其中所述条带宽度在垂直于所述条带的纵轴的方向上减小；
使所述经图案化的可流动材料流动以形成楔形物；以及
在所述楔形物上形成微透镜。
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述使所述经图案化的可流动材料流动以形成楔形物的步骤进一步包括形成具有凸起上表面的楔形物。
3.根据权利要求2所述的方法，其进一步包括以下步骤：将所述凸起上表面平滑化以形成具有平滑上表面的楔形物。
4.根据权利要求1所述的方法，其中所述图案化所述可流动材料的步骤进一步包括将所述多个可流动材料条带定位成邻近于共同像素上方的至少其它多个可流动材料条带。
5.根据权利要求1所述的方法，其中所述图案化所述可流动材料的步骤进一步包括将所述多个可流动材料条带定位在各个像素上方。
6.根据权利要求1所述的方法，其中所述图案化所述可流动材料的步骤进一步包括将所述多个可流动材料条带定位成邻近于各个像素。
7.一种制造微透镜阵列结构的方法，其包括：
在衬底上形成光致抗蚀剂材料层；
图案化所述光致抗蚀剂材料以产生多个一系列逐渐变小的光致抗蚀剂材料条带，以使所述光致抗蚀剂材料流动以形成多个楔形物；以及
在每个楔形物上形成微透镜。
8.一种制造微透镜阵列结构的方法，其包括：
在衬底上形成多个依次变窄的光致抗蚀剂材料条带；
使所述多个光致抗蚀剂材料条带流动，以形成多个楔形物；以及
在每个楔形物上形成微透镜。
CN2006800314159A 2005-06-28 2006-06-19 形成倾斜微透镜的工艺方法 Expired - Fee Related CN101253421B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US11/167,596 2005-06-28
US11/167,596 US7470556B2 (en) 2005-06-28 2005-06-28 Process for creating tilted microlens
PCT/US2006/023939 WO2007002059A1 (en) 2005-06-28 2006-06-19 Process for creating tilted microlens

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101253421A CN101253421A (zh) 2008-08-27
CN101253421B true CN101253421B (zh) 2012-04-11

Family

ID=37037067

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2006800314159A Expired - Fee Related CN101253421B (zh) 2005-06-28 2006-06-19 形成倾斜微透镜的工艺方法

Country Status (8)

Country Link
US (2) US7470556B2 (zh)
EP (1) EP1896879A1 (zh)
JP (1) JP2008547064A (zh)
KR (1) KR20080017494A (zh)
CN (1) CN101253421B (zh)
SG (1) SG163528A1 (zh)
TW (1) TWI302990B (zh)
WO (1) WO2007002059A1 (zh)

Families Citing this family (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7470556B2 (en) * 2005-06-28 2008-12-30 Aptina Imaging Corporation Process for creating tilted microlens
JP5068271B2 (ja) * 2006-02-17 2012-11-07 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー マイクロリソグラフィ照明システム、及びこの種の照明システムを含む投影露光装置
US7920024B2 (en) * 2006-04-17 2011-04-05 Aptina Imaging Corporation Apparatus and methods providing dynamic biasing of cascode transistors in class AB amplifiers
DE102006040657B4 (de) * 2006-08-30 2016-05-12 Robert Bosch Gmbh Bilderfassungssystem für Anwendungen in Fahrzeugen
US7965444B2 (en) * 2006-08-31 2011-06-21 Micron Technology, Inc. Method and apparatus to improve filter characteristics of optical filters
US20080165257A1 (en) * 2007-01-05 2008-07-10 Micron Technology, Inc. Configurable pixel array system and method
US7978411B2 (en) 2007-05-08 2011-07-12 Micron Technology, Inc. Tetraform microlenses and method of forming the same
US7812869B2 (en) * 2007-05-11 2010-10-12 Aptina Imaging Corporation Configurable pixel array system and method
US7646551B2 (en) * 2007-12-05 2010-01-12 Aptina Imaging Corporation Microlenses with patterned holes to produce a desired focus location
US8670123B2 (en) * 2009-06-24 2014-03-11 Koninklijke Philips N.V. Optical biosensor with focusing optics
JP5699609B2 (ja) 2011-01-06 2015-04-15 ソニー株式会社 画像処理装置および画像処理方法
JP5716465B2 (ja) 2011-03-09 2015-05-13 ソニー株式会社 撮像装置
FR2974188A1 (fr) * 2011-04-18 2012-10-19 St Microelectronics Sa Dispositif elementaire d'acquisition ou de restitution d'image
JP2013081087A (ja) * 2011-10-04 2013-05-02 Sony Corp 撮像装置
US8922900B2 (en) * 2013-01-22 2014-12-30 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. Optical element structure and optical element fabricating process for the same
US20160181309A1 (en) * 2014-12-22 2016-06-23 Canon Kabushiki Kaisha Microlens and method of manufacturing microlens
CN104570171B (zh) * 2014-12-25 2017-09-22 中国科学院苏州生物医学工程技术研究所 复眼透镜及包括该复眼透镜的光学系统
CN111016519A (zh) * 2018-10-10 2020-04-17 浙江锦美材料科技有限公司 装饰膜
TWI714445B (zh) * 2020-01-22 2020-12-21 力晶積成電子製造股份有限公司 微透鏡結構及其製造方法
US20220352232A1 (en) * 2021-04-28 2022-11-03 Stmicroelectronics Ltd. Micro lens arrays and methods of formation thereof
CN113299735B (zh) * 2021-05-12 2022-08-05 浙江大学 一种带有斜坡的半导体器件终端结构及其制造方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5694246A (en) * 1994-01-03 1997-12-02 Omron Corporation Method of manufacturing lens array
CN1393711A (zh) * 2001-06-29 2003-01-29 朗迅科技公司 具有会聚光束的微机电系统开关

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19545484C2 (de) * 1995-12-06 2002-06-20 Deutsche Telekom Ag Bildaufnahmeeinrichtung
US6417022B1 (en) * 2000-04-12 2002-07-09 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Method for making long focal length micro-lens for color filters
JP4126976B2 (ja) * 2001-07-23 2008-07-30 セイコーエプソン株式会社 吐出装置及びその制御方法、吐出方法、マイクロレンズアレイの製造方法、並びに電気光学装置の製造方法
JP4096565B2 (ja) * 2002-01-28 2008-06-04 富士ゼロックス株式会社 マイクロレンズアレーの製造方法、それに用いる電解液および製造装置
JP4073695B2 (ja) 2002-03-28 2008-04-09 クレハエラストマー株式会社 表示画面用光学フィルター
JP2004029402A (ja) 2002-06-26 2004-01-29 Toppan Printing Co Ltd 遮光層を有するマイクロレンズアレイシート
US6638786B2 (en) * 2002-10-25 2003-10-28 Hua Wei Semiconductor (Shanghai ) Co., Ltd. Image sensor having large micro-lenses at the peripheral regions
EP1494477A1 (en) 2003-07-01 2005-01-05 Thomson Licensing S.A. Videophone comprising a combined display and detector
US7165843B2 (en) * 2004-02-03 2007-01-23 Aurora Systems, Inc. Optical system with angular compensator
US20060215054A1 (en) 2005-03-23 2006-09-28 Eastman Kodak Company Wide angle camera with prism array
US7470556B2 (en) * 2005-06-28 2008-12-30 Aptina Imaging Corporation Process for creating tilted microlens

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5694246A (en) * 1994-01-03 1997-12-02 Omron Corporation Method of manufacturing lens array
CN1393711A (zh) * 2001-06-29 2003-01-29 朗迅科技公司 具有会聚光束的微机电系统开关

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
JP特表2000-502223A 2000.02.22

Also Published As

Publication number Publication date
US7470556B2 (en) 2008-12-30
KR20080017494A (ko) 2008-02-26
US20060289956A1 (en) 2006-12-28
JP2008547064A (ja) 2008-12-25
EP1896879A1 (en) 2008-03-12
CN101253421A (zh) 2008-08-27
SG163528A1 (en) 2010-08-30
WO2007002059A1 (en) 2007-01-04
TW200706913A (en) 2007-02-16
US7688514B2 (en) 2010-03-30
TWI302990B (en) 2008-11-11
US20090109541A1 (en) 2009-04-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101253421B (zh) 形成倾斜微透镜的工艺方法
US7428103B2 (en) Gapless microlens array and method of fabrication
US7476562B2 (en) Gapless microlens array and method of fabrication
KR100947717B1 (ko) 간극이 없는 마이크로렌즈 어레이 및 제조 방법
JP5283371B2 (ja) 固体撮像素子
US7280279B2 (en) Apparatus and method for manufacturing tilted microlenses
US20060023312A1 (en) Ellipsoidal gapless microlens array and method of fabrication
US7612319B2 (en) Method and apparatus providing a microlens for an image sensor
CN207338378U (zh) 图像传感器
CN101681916A (zh) 形成于较大透镜阵列上的用于对像素群组内经移位的光电二极管位置进行调整的微透镜
US20130208172A1 (en) Imaging apparatus and imaging system
TW201436186A (zh) 固體攝像裝置及其製造方法、以及電子機器
US7646551B2 (en) Microlenses with patterned holes to produce a desired focus location
JPH06163866A (ja) 固体撮像装置およびその製造方法
US7884397B2 (en) Solid-state image sensor and method for producing the same
US6995911B2 (en) Micro-lenses and structures for increasing area coverage and controlling shape of micro-lenses
JP2010223989A (ja) マイクロレンズ装置、マイクロレンズの形成方法、固体撮像素子およびその製造方法、表示装置およびその製造方法、並びに電子情報機器
JPH1070258A (ja) 固体撮像素子およびその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
ASS Succession or assignment of patent right

Owner name: APTINA IMAGING CORP.

Free format text: FORMER OWNER: MICRON TECHNOLOGY INC.

Effective date: 20100414

C41 Transfer of patent application or patent right or utility model
COR Change of bibliographic data

Free format text: CORRECT: ADDRESS; FROM: IDAHO,U.S.A. TO: CAYMAN ISLANDS

TA01 Transfer of patent application right

Effective date of registration: 20100414

Address after: Cayman Islands

Applicant after: APTINA IMAGING Corp.

Address before: Idaho

Applicant before: Micron Technology, Inc.

C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20120411

CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee