CN101237018A - 同轴电缆结构纳米热电材料及其制备方法 - Google Patents
同轴电缆结构纳米热电材料及其制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN101237018A CN101237018A CNA2008100598804A CN200810059880A CN101237018A CN 101237018 A CN101237018 A CN 101237018A CN A2008100598804 A CNA2008100598804 A CN A2008100598804A CN 200810059880 A CN200810059880 A CN 200810059880A CN 101237018 A CN101237018 A CN 101237018A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- inner core
- nano
- thermoelectric
- coaxial cable
- cable structure
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract 4
- 239000002305 electric material Substances 0.000 title claims description 18
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims abstract description 48
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 41
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 32
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 claims abstract description 28
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 25
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 claims abstract description 20
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 claims abstract description 14
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims abstract description 14
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims abstract description 14
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims abstract description 14
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical compound [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 12
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims abstract description 10
- 238000005406 washing Methods 0.000 claims abstract description 8
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- 239000011591 potassium Substances 0.000 claims abstract description 6
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims abstract 5
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 30
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims description 6
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000012752 auxiliary agent Substances 0.000 claims description 5
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 3
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 2
- 229910002651 NO3 Inorganic materials 0.000 claims description 2
- NHNBFGGVMKEFGY-UHFFFAOYSA-N Nitrate Chemical compound [O-][N+]([O-])=O NHNBFGGVMKEFGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L Sulfate Chemical compound [O-]S([O-])(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 2
- 125000000896 monocarboxylic acid group Chemical group 0.000 claims description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 abstract description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 abstract description 2
- GVGUFUZHNYFZLC-UHFFFAOYSA-N dodecyl benzenesulfonate;sodium Chemical compound [Na].CCCCCCCCCCCCOS(=O)(=O)C1=CC=CC=C1 GVGUFUZHNYFZLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 abstract 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 abstract 1
- 229940080264 sodium dodecylbenzenesulfonate Drugs 0.000 abstract 1
- 239000011162 core material Substances 0.000 description 27
- 239000011858 nanopowder Substances 0.000 description 15
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 11
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 10
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N iron Substances [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910000033 sodium borohydride Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000012279 sodium borohydride Substances 0.000 description 8
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 8
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 8
- 238000013019 agitation Methods 0.000 description 5
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 5
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 5
- 230000003750 conditioning effect Effects 0.000 description 5
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 5
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 5
- XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-N dimethylselenoniopropionate Natural products CCC(O)=O XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- BPMFZUMJYQTVII-UHFFFAOYSA-N guanidinoacetic acid Chemical compound NC(=N)NCC(O)=O BPMFZUMJYQTVII-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011133 lead Substances 0.000 description 4
- WBJXZTQXFVDYIZ-UHFFFAOYSA-N [Sb].[N+](=O)(O)[O-] Chemical compound [Sb].[N+](=O)(O)[O-] WBJXZTQXFVDYIZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- FAPDDOBMIUGHIN-UHFFFAOYSA-K antimony trichloride Chemical compound Cl[Sb](Cl)Cl FAPDDOBMIUGHIN-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 3
- JHXKRIRFYBPWGE-UHFFFAOYSA-K bismuth chloride Chemical compound Cl[Bi](Cl)Cl JHXKRIRFYBPWGE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 3
- 229910018989 CoSb Inorganic materials 0.000 description 2
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 2
- UFMZWBIQTDUYBN-UHFFFAOYSA-N cobalt dinitrate Chemical compound [Co+2].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O UFMZWBIQTDUYBN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001981 cobalt nitrate Inorganic materials 0.000 description 2
- 235000019260 propionic acid Nutrition 0.000 description 2
- IUVKMZGDUIUOCP-BTNSXGMBSA-N quinbolone Chemical compound O([C@H]1CC[C@H]2[C@H]3[C@@H]([C@]4(C=CC(=O)C=C4CC3)C)CC[C@@]21C)C1=CCCC1 IUVKMZGDUIUOCP-BTNSXGMBSA-N 0.000 description 2
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 2
- 239000003643 water by type Substances 0.000 description 2
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical class OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005679 Peltier effect Effects 0.000 description 1
- 230000005678 Seebeck effect Effects 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000380 bismuth sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000536 complexating effect Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- BEQZMQXCOWIHRY-UHFFFAOYSA-H dibismuth;trisulfate Chemical compound [Bi+3].[Bi+3].[O-]S([O-])(=O)=O.[O-]S([O-])(=O)=O.[O-]S([O-])(=O)=O BEQZMQXCOWIHRY-UHFFFAOYSA-H 0.000 description 1
- 238000004821 distillation Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- RUTXIHLAWFEWGM-UHFFFAOYSA-H iron(3+) sulfate Chemical compound [Fe+3].[Fe+3].[O-]S([O-])(=O)=O.[O-]S([O-])(=O)=O.[O-]S([O-])(=O)=O RUTXIHLAWFEWGM-UHFFFAOYSA-H 0.000 description 1
- 229910000360 iron(III) sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 238000005057 refrigeration Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000004575 stone Substances 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
Abstract
本发明涉及一种纳米热电材料。本发明包括线状纳米内芯和同轴设置的外套,二者采用不同的热电材料。制备该结构纳米热电材料的方法是:将原料加入反应容器中,加入蒸馏水、硼氢化钾、氢氧化钠和对十二烷基苯磺酸钠,制得纳米内芯;将纳米内芯洗涤、干燥,分散在溶剂中,进行表面处理;将纳米内芯加入高压反应釜中,再加入原料、硼氢化钾和氢氧化钠,加入蒸馏水,制得同轴电缆结构纳米热电材料。本发明的原料为Bi、Sb、Zn、Pb、Co、Fe、Sn的可溶性盐、碲粉和硒粉中的二种或二种以上。本发明相对于传统结构的热电材料,由于其独特的微观结构,以及界面积增加,可以增强声子输运降低热电材料的传热系数,提高热电优值,从而提高材料的热电转换效率。
Description
技术领域
本发明属于半导体热电材料技术领域,涉及热电材料,具体的是一种同轴电缆结构纳米热电材料,及其该结构热电材料的制备方法。
背景技术
热电材料是一种利用固体内部载流子运动实现热能和电能直接相互转换的功能材料,即利用Seebeck效应实现热能直接转换成电能,相反利用Peltier效应使热量从低温端到高温端的转移实现制冷。由于具有无传动部件、无燥声运行、无污染、精确可靠等优异性能,由热电材料构建的热电转换装置是理想的电源和制冷器,广泛用于己于人石石油化工、检测仪器、航空航天、家用电器等许多领域。
与传统的冰箱或发电机相比,热电材料的热电转换效率偏低(小于10%),这也是热电材料发展的最大瓶颈。热电材料的热电转换效率取决于无量纲的热电优值ZT:ZT=S2σT/K,S为Seebeck系数,T为绝对温度,σ为电导率,K为热导率。传统热电材料的热电优值ZT均小于1。一直以来,科学家们尝试各式新的途径提高热电材料的热电优值,解决热电转换效率低这一长期困惑的问题,其中发展新型结构的热电材料是一个重要的手段。
发明内容
本发明的目的就是提供一种新型结构的热电材料,可以有效解决热电转换效率低这一问题,同时提供该结构热电材料的制备方法。
本发明的同轴电缆结构纳米热电材料包括线状纳米内芯和包覆在纳米内芯外的外套,纳米内芯和外套紧密配合,同轴设置;纳米内芯和外套采用不同的热电材料。
所述的纳米内芯的材料为Sb2Te3或Bi2Te3,以及用Sn、Se、Pb、Zn、Co、Fe取代或部分取代Sb、Bi和Te的热电材料。
所述的外套的材料为Sb2Te3或Bi2Te3,以及用Sn、Se、Pb、Zn、Co、Fe取代或部分取代Sb、Bi和Te的热电材料。
本发明的同轴电缆结构纳米热电材料的制备方法具体步骤是:
a.将Bi、Sb、Zn、Pb、Co、Fe、Sn的可溶性盐、碲粉和硒粉中的二种或二种以上加入反应容器中,然后加入蒸馏水、硼氢化钾、氢氧化钠和表面活性剂对十二烷基苯磺酸钠,在50℃~100℃条件下反应12~48小时,制得同轴电缆结构热电材料的纳米内芯;
b.将所得的纳米内芯先后用乙醇和蒸馏水洗涤并干燥,将干燥后的纳米内芯分散在溶剂中,加入表面处理助剂后常温下搅拌进行表面处理;
c.将经过表面处理后的纳米内芯加入高压反应釜中,再将Bi、Sb、Zn、Pb、Co、Fe、Sn的可溶性盐、碲粉和硒粉中的二种或二种以上加入反应容器中,然后加入硼氢化钾和氢氧化钠,加入蒸馏水至反应釜容积的70%~90%,在120℃~200℃条件下反应12~48小时,获得同轴电缆结构纳米热电材料。
其中步骤a和c中所述的Bi、Sb、Zn、Pb、Co、Fe、Sn的可溶性盐为硝酸盐、硫酸盐或氯化物。
其中步骤b中所述的溶剂为水、甲醇、乙醇、丙酮、甲苯中的一种或几种的混合物。
其中步骤b中所述的表面处理助剂为一端带有-SH基团、另一端带有-COOH基团的官能团化合物,其浓度为0.1wt%~20wt%。这些官能团化合物表面处理助剂的端基,能够与热电材料的内芯和外套中的铋、锑、锌、铅、钴、铁、锡等元素进行络合,从而实现内芯与外套的连接。
本发明的同轴电缆结构纳米热电材料,其中内芯和外套均为热电材料。相对于传统结构的热电材料,同轴电缆结构热电材料由于其独特的微观结构,以及界面积增加,可以显著增强声子输运降低热电材料的传热系数,提高热电优值,从而提高材料的热电转换效率。
附图说明
图1为本发明同轴电缆结构纳米热电材料的结构示意图。
具体实施方式
如图1所示,同轴电缆结构纳米热电材料包括线装纳米内芯1和包覆在纳米内芯1外的外套2,纳米内芯1和外套2紧密配合,同轴设置;纳米内芯1和外套2采用不同的热电材料。
纳米内芯1的材料为Sb2Te3或Bi2Te3,以及用Sn、Se、Pb、Zn、Co、Fe取代或部分取代Sb、Bi和Te的热电材料。
外套2的材料为Sb2Te3或Bi2Te3,以及用Sn、Se、Pb、Zn、Co、Fe取代或部分取代Sb、Bi和Te的热电材料。
本发明中制备方法具体为:
实施例1:
1)在反应容器中,依次加入0.1克碲粉、0.12克氯化铋、200毫升蒸馏水、0.5克对十二烷基苯磺酸钠、1.5克氢氧化钠、1克硼氢化钠。搅拌并使反应釜温度控制在50℃,保温48h,获Bi2Te3纳米内芯材料;
2)将Bi2Te3纳米粉体取出,然后分别用乙醇和蒸馏水洗涤后干燥;
3)将洗净的Bi2Te3纳米粉体放入200毫升烧杯中,加入100毫升水,并用磁力搅拌。然后加入0.1克表面处理试剂疏基乙酸,常温下搅拌5h进行表面处理。
4)将经过表面处理剂处理后的Bi2Te3纳米粉体分别用乙醇和蒸馏水洗净干燥,然后加入高压反应釜中,再依次加入0.1克碲粉、0.12克氯化锑、1.5克氢氧化钠、1克硼氢化钠。加入蒸馏水至反应釜容积的70%,进行溶剂热反应并使反应釜温度控制在120℃,保温48h,获Bi2Te3为内芯,Sb2Te3为外套的同轴电缆结构纳米热电材料。
实施例2:
1)在反应容器中,依次加入0.1克碲粉、0.12克氯化锑、200毫升蒸馏水、0.5克对十二烷基苯磺酸钠、1.5克氢氧化钠、1克硼氢化钠。搅拌并使反应釜温度控制在100℃,保温12h,获Sb2Te3纳米内芯材料;
2)将Sb2Te3纳米粉体取出,然后分别用乙醇和蒸馏水洗涤后干燥;
3)将洗净的Sb2Te3纳米粉体放入200毫升烧杯中,加入100毫升乙醇,并用磁力搅拌。然后加入20克表面处理试剂疏基丙酸,常温下搅拌5h进行表面处理。
4)将经过表面处理剂处理后的Sb2Te3纳米粉体分别用乙醇和蒸馏水洗净干燥,然后加入高压反应釜中,再依次加入0.1克碲粉、0.12克氯化铋、1.5克氢氧化钠、1克硼氢化钠。加入蒸馏水至反应釜容积的90%,进行溶剂热反应并使反应釜温度控制在200℃,保温12h,获Sb2Te3为内芯,Bi2Te3为外套的同轴电缆结构纳米热电材料。
实施例3:
1)在反应容器中,依次加入0.1克硒粉、0.12克硝酸锑、200毫升蒸馏水、0.5克对十二烷基苯磺酸钠、1.5克氢氧化钠、1克硼氢化钠。搅拌并使反应釜温度控制在80℃,保温18h,获Sb2Se3纳米内芯材料;
2)将Sb2Se3纳米粉体取出,然后分别用乙醇和蒸馏水洗涤后干燥;
3)将洗净的Sb2Se3纳米粉体放入200毫升烧杯中,加入100毫升水,并用磁力搅拌。然后加入10克表面处理试剂双疏基乙二酸,常温下搅拌5h进行表面处理。
4)将经过表面处理剂处理后的Sb2Se3纳米粉体分别用乙醇和蒸馏水洗净干燥,然后加入高压反应釜中,再依次加入0.1克碲粉、0.06克氯化铋、0.06克硫酸铁、1.5克氢氧化钠、1克硼氢化钠。加入蒸馏水至反应釜容积的90%,进行溶剂热反应并使反应釜温度控制在180℃,保温18h,获Sb2Se3为内芯,BiFeTe3为外套的同轴电缆结构纳米热电材料。
实施例4:
1)在反应容器中,依次加入0.1克碲粉、0.12克氯化锑、200毫升蒸馏水、0.5克对十二烷基苯磺酸钠、1.5克氢氧化钠、1克硼氢化钠。搅拌并使反应釜温度控制在100℃,保温12h,获Sb2Te3纳米内芯材料;
2)将Sb2Te3纳米粉体取出,然后分别用乙醇和蒸馏水洗涤后干燥;
3)将洗净的Sb2Te3纳米粉体放入200毫升烧杯中,加入50毫升蒸馏和50毫升丙酮,并用磁力搅拌。然后加入8克表面处理试剂疏基丙酸,常温下搅拌5h进行表面处理。
4)将经过表面处理剂处理后的Sb2Te3纳米粉体分别用乙醇和蒸馏水洗净干燥,然后加入高压反应釜中,再依次加入0.1克硝酸钴、0.25克硝酸锑、1.5克氢氧化钠、2克硼氢化钠。加入蒸馏水至反应釜容积的90%,进行溶剂热反应并使反应釜温度控制在200℃,保温12h,获Sb2Te3为内芯,CoSb3为外套的同轴电缆结构纳米热电材料。
实施例5:
1)在反应容器中,依次加入0.1克碲粉、0.15克硫酸铋、200毫升蒸馏水、0.5克对十二烷基苯磺酸钠、1.5克氢氧化钠、1克硼氢化钠。搅拌并使反应釜温度控制在60℃,保温40h,获Bi2Te3纳米内芯材料;
2)将Bi2Te3纳米粉体取出,然后分别用乙醇和蒸馏水洗涤后干燥;
3)将洗净的Bi2Te3纳米粉体放入200毫升烧杯中,加入100毫升甲苯,并用磁力搅拌。然后加入0.2克表面处理试剂疏基乙酸,常温下搅拌5h进行表面处理。
4)将经过表面处理剂处理后的Bi2Te3纳米粉体分别用乙醇和蒸馏水洗净干燥,然后加入高压反应釜中,再依次加入0.1克硝酸钴、0.25克硝酸锑、1.5克氢氧化钠、2克硼氢化钠。加入蒸馏水至反应釜容积的80%,进行溶剂热反应并使反应釜温度控制在180℃,保温18h,获Bi2Te3为内芯,CoSb3为外套的同轴电缆结构纳米热电材料。
Claims (2)
1、同轴电缆结构纳米热电材料,包括线状纳米内芯和包覆在纳米内芯外的外套,其特征在于纳米内芯和外套紧密配合,同轴设置;纳米内芯和外套采用不同的热电材料;
所述的纳米内芯的材料为Sb2Te3或Bi2Te3,以及用Sn、Se、Pb、Zn、Co、Fe取代或部分取代Sb、Bi和Te的热电材料;
所述的外套的材料为Sb2Te3或Bi2Te3,以及用Sn、Se、Pb、Zn、Co、Fe取代或部分取代Sb、Bi和Te的热电材料。
2、制备如权利要求1所述的同轴电缆结构纳米热电材料的方法,其特征在于该方法包括以下步骤:
a.将Bi、Sb、Zn、Pb、Co、Fe、Sn的可溶性盐、碲粉和硒粉原料中的二种或二种以上加入反应容器中,然后加入蒸馏水、硼氢化钾、氢氧化钠和对十二烷基苯磺酸钠,在50℃~100℃条件下反应12~48小时,制得同轴电缆结构热电材料的纳米内芯;
b.将所得的纳米内芯先后用乙醇和蒸馏水洗涤并干燥,将干燥后的纳米内芯分散在溶剂中,加入表面处理助剂进行表面处理;
c.将经过表面处理后的纳米内芯加入高压封闭反应釜中,再加入Bi、Sb、Zn、Pb、Co、Fe、Sn的可溶性盐、碲粉和硒粉原料中的二种或二种以上,然后加入硼氢化钾和氢氧化钠,加入蒸馏水至反应釜容积的70%~90%,在120℃~200℃条件下反应12~48小时,获得同轴电缆结构纳米热电材料;
步骤a和c中所述的Bi、Sb、Zn、Pb、Co、Fe、Sn的可溶性盐为硝酸盐、硫酸盐或氯化物;
步骤b中所述的溶剂为水、甲醇、乙醇、丙酮、甲苯中的一种或几种的混合物;所述的表面处理助剂为一端带有-SH基团、另一端带有-COOH基团的官能团化合物,其浓度为0.1wt%~20wt%。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CNB2008100598804A CN100546062C (zh) | 2008-02-26 | 2008-02-26 | 同轴电缆结构纳米热电材料的制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CNB2008100598804A CN100546062C (zh) | 2008-02-26 | 2008-02-26 | 同轴电缆结构纳米热电材料的制备方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN101237018A true CN101237018A (zh) | 2008-08-06 |
CN100546062C CN100546062C (zh) | 2009-09-30 |
Family
ID=39920469
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CNB2008100598804A Expired - Fee Related CN100546062C (zh) | 2008-02-26 | 2008-02-26 | 同轴电缆结构纳米热电材料的制备方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN100546062C (zh) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105382254A (zh) * | 2015-11-05 | 2016-03-09 | 江苏大学 | 一种Bi2Te3-Sb2Te3核壳结构纳米线及其制备方法 |
CN105449093A (zh) * | 2015-12-20 | 2016-03-30 | 华南理工大学 | 一种具有高热电优值的硒锡化合物半导体芯/玻璃包层复合材料热电纤维及其制备方法 |
CN107359239A (zh) * | 2017-06-07 | 2017-11-17 | 同济大学 | 锌铋碲异质相变纳米线材料及其制备方法和应用 |
-
2008
- 2008-02-26 CN CNB2008100598804A patent/CN100546062C/zh not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105382254A (zh) * | 2015-11-05 | 2016-03-09 | 江苏大学 | 一种Bi2Te3-Sb2Te3核壳结构纳米线及其制备方法 |
CN105382254B (zh) * | 2015-11-05 | 2017-08-04 | 江苏大学 | 一种Bi2Te3‑Sb2Te3核壳结构纳米线及其制备方法 |
CN105449093A (zh) * | 2015-12-20 | 2016-03-30 | 华南理工大学 | 一种具有高热电优值的硒锡化合物半导体芯/玻璃包层复合材料热电纤维及其制备方法 |
CN107359239A (zh) * | 2017-06-07 | 2017-11-17 | 同济大学 | 锌铋碲异质相变纳米线材料及其制备方法和应用 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN100546062C (zh) | 2009-09-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN100546062C (zh) | 同轴电缆结构纳米热电材料的制备方法 | |
CN110061121A (zh) | 一种聚乙烯吡咯烷酮/银/碲化银三元柔性复合热电薄膜的制备方法 | |
CN100546063C (zh) | 一种核壳结构纳米热电材料的制备方法 | |
CN100560254C (zh) | 核壳结构纳米热电材料的制备方法 | |
CN107039576A (zh) | 一种柔性织物复合热电材料的制备方法 | |
CN115403070A (zh) | 一种水热合成三硫化二铋-还原氧化石墨烯复合热电材料的方法 | |
CN106033790B (zh) | 一种Cu2-xSe/石墨烯复合材料及其制备方法 | |
CN101723351A (zh) | 一种Bi2Te3/碳纳米管复合材料的制备方法 | |
CN101157482B (zh) | 一种掺杂改性Ca-Co-O体系过渡金属复合氧化物及其制备方法 | |
CN201156551Y (zh) | 一种核壳结构的纳米热电材料 | |
Jing et al. | Interfacial reaction and shear strength of SnAgCu/Ni/Bi 2 Te 3-based TE materials during aging | |
CN105642884A (zh) | 一种具有核-壳结构的Bi-Te基热电材料的制备方法 | |
CN201156550Y (zh) | 一种同轴电缆结构纳米热电材料 | |
CN103755606B (zh) | 一种基于乙烯四硫醇亚铜的有机热电材料及其制备方法 | |
CN103579487B (zh) | 一种低维纳米银/聚苯胺基热电材料及其制备方法 | |
CN106159076A (zh) | 一种Cu2-XSe/石墨烯复合材料的制备方法 | |
CN101492155B (zh) | 一种锑掺杂碲化铋纳米线的制备方法 | |
CN103715349B (zh) | 一种Ni掺杂ZnO织构热电材料的制备方法 | |
CN102070196A (zh) | 一种低温制备二氧化锰纳米棒的方法 | |
CN101525161B (zh) | 一种制备氧化镍一维纳米材料的方法 | |
CN104030255B (zh) | 用于制备热电材料的Cu3Sb1-xMxSe4纳米晶体及其合成方法 | |
CN102134751B (zh) | 一种PbAgTe三元纳米线制备方法 | |
CN104103750A (zh) | 镁硅基硅纳米线复合热电材料的制备方法 | |
CN1240620C (zh) | 方钴矿结构过渡金属三锑化物的制备方法 | |
CN104047059A (zh) | 制备热电材料用的Cu3SbSe4纳米晶体及其合成方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant | ||
C17 | Cessation of patent right | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20090930 Termination date: 20120226 |