CN101236746A - 防止磁头体之隧道磁电阻阻抗降低的方法及磁头制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种防止磁头体之隧道磁电阻阻抗降低的方法，包括下列步骤：将由一组含有隧道磁电阻元件的磁头体构成的磁条定位于托盘上；将所述托盘装入处理室，并将处理室抽空为预定压强；向所述处理室引入包含氧气的处理气体，并将该处理气体离子化，从而形成第一蚀刻手段；将磁头体暴露于所述第一蚀刻手段中，使隧道磁电阻元件表面形成氧化层；将所述处理室排空，再向所述处理室引入氩气，并将该氩气离子化，从而形成第二蚀刻手段；将磁头体暴露于所述第二蚀刻手段中，蚀刻所述氧化层而使其厚度降低。本发明同时公开了一种磁头制造方法。

Description

防止磁头体之隧道磁电阻阻抗降低的方法及磁头制造方法
所属技术领域
本发明涉及一种磁头制造方法，尤其涉及一种在磁头制造过程中防止磁头体之隧道磁电阻(TMR，tunnel magneto-resistance)的磁阻阻抗(MRR，magneto-resistance resistance)降低的方法。
背景技术
一种常见的信息存储装置是磁盘驱动装置。该磁盘驱动装置利用磁介质存储资料，并借助可移动读/写头定位在磁介质上来选择性地从磁介质上读取或写入资料。
图1a所示为典型的磁盘驱动装置2。磁盘201安装在使该磁盘201旋转的主轴马达202上。一个音圈驱动马达臂204支撑磁头折片组合(head gimbalassembly，HGA)200。所述磁头折片组合200包括具有读/写头的磁头203及用于支撑该磁头203的悬臂件213。音圈马达(voice coil motor，VCM)209控制所述音圈驱动马达臂204的移动，从而控制磁头203在磁盘201表面的磁轨间移动。运转时，因为空气动力的作用，磁头203与旋转的磁盘201间产生升力，该升力使音圈驱动马达臂204在磁盘201表面上保持一定的飞行高度。
图1b为图1a所示磁头的立体图，图1c为图1b所示磁头的俯视图。如图所示，所述磁头203具有前缘(leading edge)219及与该前缘219相对的后缘(trailing edge)218。所述后缘218上设有四个电连接触点215，这些电连接触点215将磁头203与悬臂件213电连接起来(如图1a所示)。所述后缘218上还设置有极尖(pole tip)216。该极尖216的中心位置设有用于对磁盘201进行读/写操作的磁性读/写头(未标号)。所述极尖216通过适当方法如沉积法形成于所述后缘218上。另外，所述磁头213的与前缘219及后缘218垂直的表面上形成有空气承载面图案217。
如图1d所示，所述极尖216具有层状结构，从上到下依次包括第二感应写头极116、与该第二感应写头极116隔开的第一感应写头极118、第二屏蔽层111及第一屏蔽层113。上述元件均支撑于陶瓷基底122上。所述极尖216用于实现数据读写操作。磁阻元件(MR element)112及位于该磁阻元件112两侧并与该磁阻元件112电连接的石墨层(lead layer)114位于所述第一、第二屏蔽层113、111之间。请参图1e，所述第二感应写头极116与第一感应写头极118之间设有铜圈117，以帮助写操作。另外，由硅层12及位于该硅层12之上的类金刚石碳层(DLC，diamond-like carbon)13组成的保护层(overcoat)115(如图1f所示)覆盖于极尖及陶瓷基底122的表面，以保护磁头。
在上述磁头结构中，一般使用巨磁阻(GMR，giant magneto-resistive)元件作为读元件，以便实现数据读操作。然而，随着硬盘驱动装置(HDD，hard diskdrive)对记录密度要求的不断增加，目前所用的巨磁阻元件已经达到极限，因此，一种新的磁阻元件，如隧道磁电阻元件(tunnel magneto-resistive，TMR)，已经代替了巨磁阻元件，从而可以达到比使用巨磁阻元件更高的记录密度。
参照图1f，传统的隧道磁电阻元件10包括两个金属层(metal layer)11及夹设于该两个金属层11之间的阻挡层(barrier layer)14。上述由硅层12及位于硅层12上的类金刚石碳层13组成的保护层115同时覆盖于所述金属层11及阻挡层14的表面，以保护隧道磁电阻元件10。
在磁头制造过程中，隧道磁电阻元件的磁阻电阻值必须控制在预定的数值以上以便使得磁头保持良好的飞行动态性能。例如，在磁头研磨时，隧道磁电阻元件的磁阻高度必须加以精确地研磨以将其调整到设计值，因为磁阻高度对磁阻阻抗的影响很大，从而进一步影响磁头的动态性能。还有一个例子，在磁头的真空处理中，磁阻高度也应该一直保持在一个常数，以使磁阻阻抗不变。
然而，在传统的隧道磁电阻元件的结构中，因为金属层直接与保护层中的硅层接触，上述金属层的金属材料很容易扩散到硅层里，该扩散到硅层内的金属材料自发形成电传导路径。该电传导路径将上述两个金属层电性连接起来，这样在隧道磁电阻元件的电路上形成一个分支电路。该分支电路导致隧道磁电阻元件的磁阻阻抗降低，从而降低磁头的动态性能及硬盘驱动装置的读写性能。实验证明，在真空处理中，在隧道磁电阻元件的表面覆盖保护层后，磁阻阻抗大约降低4％，有时甚至剧降10％，这对磁头的动态性能具有致命的影响。
因此，亟待一种改良的设计来克服现有技术的缺陷。
发明内容
本发明之一目的在于提供一种防止磁头体之隧道磁电阻的磁阻阻抗降低的方法，其有效防止磁头体之隧道磁电阻的磁阻阻抗降低，从而改善磁头的动态性能及数据读写性能。
本发明之另一目的在于提供一种磁头制造方法，其可以防止磁头体之隧道磁电阻阻抗降低，从而改善了磁头的动态性能及数据读写性能。
为了实现上述目的，本发明提供的防止磁头体之隧道磁电阻阻抗降低的方法包括下列步骤：(a)将由一组含有隧道磁电阻元件的磁头体构成的磁条定位于托盘上；(b)将所述托盘装入处理室，并将处理室抽空为预定压强；(c)向所述处理室引入包含氧气的处理气体，并将该处理气体离子化，从而形成第一蚀刻手段；(d)将磁头体暴露于所述第一蚀刻手段中，使隧道磁电阻元件表面形成氧化层；(e)将所述处理室排空，再向所述处理室引入氩气，并将该氩气离子化，从而形成第二蚀刻手段；及(f)将磁头体暴露于所述第二蚀刻手段中，蚀刻所述氧化层而使其厚度降低。
所述氧化层在步骤(f)中被蚀刻形成的厚度为1-4nm，最好为1.5nm。实验证明此厚度的氧气层可以有效地防止金属材料扩散，从而改善磁头的动态性能及磁盘驱动装置的读写性能；同时，此厚度的氧化层对磁头读写信号造成的阻挡影响很小，从而对磁头的数据读写性能的影响很小，这样可以使磁头保持良好的数据读写性能。
在本发明的一个实施例中，所述步骤(c)中所用的处理气体为氧气；在本发明的另一个实施例中，所述步骤(c)中所用的处理气体为氧气与惰性气体的混合气体。
另外，所述第一及第二蚀刻手段可以为等离子体或离子束。所述等离子体可以借助直接电容耦合、电感耦合或电子回旋共振产生。
本发明提供的磁头制造方法包括下列步骤：(1)将由一组含有隧道磁电阻元件的磁头体构成的磁条定位于托盘上；(2)将所述托盘装入处理室，并将处理室抽空为预定压强；(3)向所述处理室引入包含氧气的处理气体，并将该处理气体离子化，从而形成第一蚀刻手段；(4)将磁头体暴露于所述第一蚀刻手段中，使隧道磁电阻元件表面形成氧化层；(5)将所述处理室排空，再向所述处理室引入氩气，并将该氩气离子化，从而形成第二蚀刻手段；(6)将磁头体暴露于所述第二蚀刻手段中，蚀刻所述氧化层而使其厚度降低；(7)在磁头体的隧道磁电阻元件表面形成硅层；(8)在硅层上形成类金刚石碳层；(9)将磁条切割成单个磁头。
与现有技术相比，本发明方法形成的氧化层具有阻挡层的功能，使隧道磁电阻元件的金属层与硅层电性地隔离，从而阻止金属层的金属材料扩散到硅层中，这样，隧道磁电阻元件与硅层间不会形成分支电路，从而使隧道磁电阻元件的磁阻阻抗在整个磁头制造过程中始终保持不变，因此大大改善磁头的动态性能及读写性能。
为使本发明更加容易理解，下面将结合附图和实施例对本发明作进一步详细的描述。
附图说明
图1a为传统磁盘驱动装置的立体图。
图1b为图1a所示磁头的立体图。
图1c为图1b所示磁头的俯视图。
图1d为图1c所示磁头的部分放大图。
图1e为图1c所示结构沿A-A线的局部放大剖视图。
图1f为传统隧道磁电阻(TMR，tunnel magneto-resistance)元件的结构图。
图2a为本发明一个实施例所述防止磁头体之隧道磁电阻阻抗降低的方法流程图。
图2b为本发明之磁头的表面形成氧化层的隧道磁电阻元件的结构。
图3a是传统技术中在一组磁头的隧道磁电阻元件上形成保护层前后的隧道磁电阻阻抗变化情况。
图3b是应用本发明方法的一组磁头的隧道磁电阻元件上形成保护层前后的隧道磁电阻阻抗变化情况。
图4a是本发明一个实施例所述用于本发明方法的设备结构示意图。
图4b是本发明另一个实施例所述用于本发明方法的设备结构示意图。
图5是本发明一个实施例所述磁头制造方法流程图。
具体实施方式
以下结合附图对本发明的实施例进行说明。本发明提供一种防止磁头体之隧道磁电阻(TMR，tunnel magnetic-resistance)阻抗降低的方法，其包括以下步骤：(a)将由一组含有隧道磁电阻元件的磁头体构成的磁条定位于托盘上；(b)将所述托盘装入处理室，并将处理室抽空为预定压强；(c)向所述处理室引入包含氧气的处理气体，并将该处理气体离子化，从而形成第一蚀刻手段；(d)将磁头体暴露于所述第一蚀刻手段中，使隧道磁电阻元件表面形成氧化层；(e)将所述处理室排空，再向所述处理室引入氩气，并将该氩气离子化，从而形成第二蚀刻手段；及(f)将磁头体暴露于所述第二蚀刻手段中，蚀刻所述氧化层而使其厚度降低。所述氧化层使隧道磁电阻元件的金属层与保护层中的硅层互相电性地隔离，从而阻止金属层的金属材料在硅层中的扩散，这样，隧道磁电阻元件与硅层之间不会形成分支电路，从而使隧道磁电阻元件的磁阻阻抗在磁头的整个制造过程中保持不变，大大改善了磁头的动态性能及磁盘驱动装置的读写性能。此外，上述步骤(f)可以降低所形成的氧化层的厚度，从而可以有效地减小氧化层对磁头读写信号的阻挡影响，进而提高磁头的数据读写性能。
图2a展示了本发明防止磁头体之隧道磁电阻阻抗降低方法的一种实施方式。如图所示，该方法包括以下步骤：首先，将由一组含有隧道磁电阻元件的磁头体构成的磁条定位于托盘上(步骤301)；然后，将所述托盘装入处理室，并将处理室抽空为预定压强(步骤302)；向所述处理室引入包含氧气的处理气体，并将该处理气体离子化，从而形成第一蚀刻手段(步骤303)；然后，将磁头体暴露于所述第一蚀刻手段中，使隧道磁电阻元件表面形成氧化层(步骤304)；接着，将所述处理室排空，再向所述处理室引入氩气，并将该氩气离子化，从而形成第二蚀刻手段(步骤305)；最后，将磁头体暴露于所述第二蚀刻手段中，使氧化层被蚀刻而厚度降低(步骤306)。
图2b是隧道磁电阻元件20的结构示意图，其上具有一层用本发明方法形成的氧化层。如图所示，该隧道磁电阻元件20包括两个金属层21、夹设于两个金属层21之间的阻挡层28、覆盖于所述隧道磁电阻元件20表面的氧化层25、覆盖于该氧化层25上的硅层22及覆盖于该硅层22上的类金刚石碳(DLC，diamond like carbon)层24。更具体地说，所述氧化层25同时覆盖于两个金属层21及阻挡层28上。所述硅层22与类金刚石碳层24的组合也称为保护层(overcoat)。
上述步骤306中利用第二蚀刻手段对氧化层进行蚀刻的目的是减小其厚度。因为上述步骤304中形成的氧化层的过程难以精确地控制，进而使得所形成的氧化层厚度无法达到理想值。通常情况下，该步骤中形成的氧化层厚度远远大于理想值。在磁头的飞行高度不变的情况下，较厚的氧化层将导致磁头的读/写元件与磁盘间的距离变大，这样，磁头相对于磁轨的读写信号将变弱，相应地，磁头的读写性能会变差。所以，必须降低氧化层的厚度，以避免或减弱氧化层对磁头性能的消极影响。
经过上述方法而最终形成的氧化层25的厚度在1.5至4纳米(nm)之间，最好是1.5纳米。实验证明此厚度的氧气层可以有效地防止金属材料扩散，从而改善磁头的动态性能及磁盘驱动装置的读写性能；同时，此厚度的氧化层对磁头读写信号造成的阻挡影响很小，从而对磁头的数据读写性能的影响很小，进而使磁头可以保持良好的数据读写性能。
在上述实施例中，所述步骤303中的处理气体可以是氧气，也可以是氧气与惰性气体如氩气、氖气、氙气、氦气等气体的混合气体。另外，所述第一、第二蚀刻手段可以包括等离子体或离子束。所述等离子体通过直接电容耦合(direct capacitance coupling)、电感耦合(inductively coupling)或电子回旋共振(Electron Cyclotron Resonance，ECR)的方法形成。
在上述步骤304中，所述第一蚀刻手段将金属层21表面氧化而形成氧化层25。当保护层(即硅层22与类金刚石碳层24的组合)覆盖于隧道磁电阻元件20表面时，所述金属层21与保护层中的硅层22之间不存在直接接触，因此可以阻止金属层21的金属材料扩散到硅层22内，从而阻止在隧道磁电阻元件与硅层之间形成分支电路，最终避免或减弱了隧道磁电阻元件的磁阻阻抗降低，这样确保了磁头的动态性能及磁盘驱动装置的读写性能。这种有益效果将在下面结合附图3a-3b进一步阐释。
图3a是传统技术中在一组磁头的隧道磁电阻元件上形成保护层前后的隧道磁电阻阻抗变化情况；图3b是在应用本发明方法的一组磁头的隧道磁电阻元件上形成保护层前后的隧道磁电阻阻抗变化情况。图中，横坐标表示在形成保护层之前相应隧道磁电阻元件的电阻值(单位：欧姆)，而纵坐标表示形成保护层之后的相应电阻值(单位：欧姆)，对角线(斜率为1)作为判断电阻值增减的分界线。位于对角线上的点表示形成保护层前后的电阻值相同，位于对角线上方的点表示形成保护层后的电阻值大于形成之前的电阻值，而位于对角线下方的点表示形成保护层后的电阻值小于形成之前的电阻值。从图3a可以看出，部分测试点位于对角线下方，说明被测试的一组传统磁头中有部分磁头的隧道磁电阻阻抗在形成保护层后的数值小于形成保护层之前的数值，即阻抗变小了，这种阻抗减小导致磁头的数据读写性能变差；对比之下，在图3b中，几乎不存在位于相应对角线下方的测试点，说明被测试的一组磁头在形成保护层之后，其隧道磁电阻元件的电阻值没有明显的降低，这是因为保护层与隧道磁电阻元件被本发明方法形成的氧化层互相电性隔离，因此没有隧道磁电阻元件的金属材料向硅层扩散的问题。
针对在磁头的隧道磁电阻元件表面形成保护层的工艺，业界一般用化学气相沉积法(chemical vapor deposition，CVD)、离子束沉积法(ion beamdeposition，IBD)和滤波阴极电弧法(filtered cathodic arc，FCA)。一般情况下，形成上述保护层的工艺通常包括三步：预清洗、镀硅层及镀类金刚石碳层。
更具体地，预先加工过的磁头通常被放置在空气中清洗，然后将其装入被抽成真空的真空室中。这些磁头的待处理表面(通常指磁头上用于形成空气承载面的表面)在空气中清洗时通常会吸收水分、二氧化碳及清洗磁头用的有机溶剂。在预清洗步骤中，用氧气或氧气与惰性气体如氩气的混合气体对上述磁头进行等离子蚀刻或离子束蚀刻，从而去除掉待处理表面的污染。经过蚀刻处理，有极少量材料从磁头表面上被去除，磁头表面的粗糙度没有发生显著变化。即，磁头的表面粗糙度(Ra)仍然保持在0.3纳米(nm)左右。
预清洗后，在磁头被处理的表面上镀上一层支持层(adhesion layer)。所述支持层最好用硅材料来形成，因为硅材料可使类金刚石碳层容易地镀到磁头表面。另外，在镀类金刚石碳层时，甲烷或者乙烯在化学气相沉积工艺和离子束沉积工艺作为前驱体(precursor)，而纯石墨柱(graphite cylinder)被用作滤波阴极电弧的靶材(target)。
本发明的防止磁头体之隧道磁电阻阻抗降低的方法是在上述预清洗过程中进行的，并可在多种设备中完成，下面对这几种设备及相应的过程分别进行描述。
图4a展示了一种用于本发明方法的设备结构示意图。以阵列形式排列的磁头(亦称为磁条)固定于一个托盘上。所述托盘通过装/卸端口31而装入设备30的真空传送室32中。接下来，所述真空传送室32被抽成具有预定压力的真空。然后，所述托盘被转移到等离子蚀刻室33中。
接下来进行等离子蚀刻工艺。所述装有托盘的等离子蚀刻室33被抽成具有一定压力的真空状态。处理气体例如氧气或者氧气与惰性气体的混合气体，经过质量流量控制器(mass flow controller，MFC)阀门(图未示)而被引入到上述等离子蚀刻室33中。在引入后，这些处理气体被离子化(即产生等离子的过程)。有几种方式可以产生等离子体，例如可以利用射频电压产生直接电容耦合或电感耦合等方法产生等离子体。当然，也可以用一些新近发展的方法，例如用电子回旋共振方法产生等离子体。然后，形成于上述等离子蚀刻室33内的等离子体对磁头表面进行第一次蚀刻，从而去掉磁头表面的污染并在磁头表面(即磁头的隧道磁电阻元件表面，更具体地，隧道磁电阻的金属层上)形成氧化层。
经过预定时间后，所述等离子被关闭。然后所述等离子蚀刻室33再次被排空，然后将氩气经过质量流量控制器阀门引入等离子蚀刻室33中。接着，借助适当方法如上述射频电压产生直接电容耦合、电感耦合或电子回旋共振等方法产生等离子体。这些等离子体对上述氧化层进行第二次蚀刻，从而适当减小了该氧化层的厚度。经过预定的蚀刻时间后，所述等离子体再次被关闭。该蚀刻时间取决于对磁头磁电阻元件的氧化层厚度的期望蚀刻量。
接下来，所述托盘被转移到镀硅室34内。在该镀硅室34内，硅材料被溅镀(sputter-coated)到磁头表面(具体地讲为上述氧化层)上。然后，所述托盘被转移到a-C:H(含氢的类金刚石碳)或者ta-C(无氢的四面体的类金刚石碳(tetrahedral carbon))镀室35中。在那里，磁头表面被镀上类金刚石碳层，从而最终在磁头表面(磁头的隧道磁电阻元件表面)形成由硅层及类金刚石碳层构成的保护层，用于避免或减弱外界环境对磁头的侵蚀影响。
影响等离子蚀刻工艺的关键因素包括处理气体的类型、处理室的压力、蚀刻电压和蚀刻时间。本发明用于等离子蚀刻工艺的第一次蚀刻气体根据Al2O3和TiC(形成磁头陶瓷基底的主要材料)的比例可为氧气、或者氧气和惰性气体的混合气体。而第二次蚀刻时的处理气体为纯氩气。所述两次蚀刻时处理气体的流动速率可以通过质量流量控制器来控制以便达到期望压力。
用于本发明方法的电源可根据所述设备进行调整，该电源可在等离子蚀刻工艺中用于产生等离子并对磁头提供偏压。在本发明的一个实施例中，所述磁头被施加一个300V的直流自偏压。形成偏压的目的是对等离子提供动能，从而实现物理蚀刻。
在本发明的另一个实施例中利用离子束蚀刻代替上述等离子蚀刻。执行离子束蚀刻的设备如图4b所示。其过程如下：首先，将承载磁条的托盘置入一个真空处理室(未标号)中，并用产品保持装置46将所述托盘固定，所述产品保持装置46可在0到90度之间倾斜。然后，所述真空处理室被抽真空至预定压力。
接下来，把处理气体，例如氧气，或者氧气和惰性气体的混合气体，引入到第一离子源41中。所述第一离子源41借助第一闸门(shutter)47而与产品保持装置46分隔开。然后，所述处理气体被离子化成具有一定能量的离子。
当上述离子稳定后，所述产品保持装置46被倾斜至预定角度(面向第一闸门47)，第一闸门47被打开，从而允许离子轰击固定在托盘上的磁头，以便对磁头进行第一次预清洗(蚀刻)并在磁头表面(即隧道磁电阻元件表面)形成氧化层。在上述蚀刻过程中，所述真空处理室的内部压力始终维持在0.03-0.05Pa之间。
经过一段时间后，所述第一闸门47被关闭，第一离子源41的电源也被关闭。所述真空处理室被抽空(即将上述处理气体及蚀刻中产生的气体排走)，此时将第一离子源41中引入的气体更换为氩气。然后，所述氩气被离子化而形成具有一定能量的离子。接下来，所述第一闸门47再次被打开，从而允许离子对磁头进行第二次预清洗(蚀刻)，预清洗的结果是减小了上述氧化层的厚度。
经过一段时间后，所述第一闸门47再次被关闭，第一离子源41的电源也被关闭。接下来，所述处理室再次被抽成具有预定压力的真空。所述托盘倾斜至另一个预定方向。然后，将第二离子源44内的轰击气体例如氩气离子化成为氩离子。接着，打开第三闸门43及第二闸门45，利用高能量的氩离子轰击硅靶材42，使得硅靶材42的硅原子脱离硅靶材42并溅射到所述磁头表面，从而在磁头表面形成硅层。
然后，再次关闭所述第三闸门43及第二闸门45。所述托盘被再次倾斜到与第一离子源41对应的位置，但是这次离子源41所用的处理气体更换为C2H4，目的是镀C:H层。类似地，在该过程中，所述处理气体被离子化并积淀到磁头表面。这一阶段所用的处理时间取决于镀层的期望厚度和沉积速率。
图5展示了本发明一个实施例所述的磁头制造方法流程。该制造方法将上述防止隧道磁电阻阻抗降低的流程与磁条切割流程结合在一起，从而实现具有可避免或减弱隧道磁电阻阻抗降低性能的磁头制造。首先，将由一组含有隧道磁电阻元件的磁头体构成的磁条定位于托盘上(步骤501)；其次，将所述托盘装入处理室，并将处理室抽空为预定压强(步骤502)；向所述处理室引入包含氧气的处理气体，并将该处理气体离子化，从而形成第一蚀刻手段(步骤503)；将磁头体暴露于所述第一蚀刻手段中，使隧道磁电阻元件表面形成氧化层(步骤504)；将所述处理室排空，再向所述处理室引入氩气，并将该氩气离子化，从而形成第二蚀刻手段(步骤505)；然后，将磁头体暴露于所述第二蚀刻手段中，蚀刻所述氧化层而使其厚度降低(步骤506)；接下来，在磁头体的隧道磁电阻元件表面形成硅层(步骤507)；然后，在硅层上形成类金刚石碳层(步骤508)；最后再将上述磁条切割成单个磁头(步骤509)。
以上所揭露的仅为本发明的较佳实施例而已，当然不能以此来限定本发明之权利范围，因此依本发明申请专利范围所作的等同变化，仍属于本发明所涵盖的范围。

Claims (13)

1. 一种防止磁头体之隧道磁电阻阻抗降低的方法，包括如下步骤：
(a)将由一组含有隧道磁电阻元件的磁头体构成的磁条定位于托盘上；
(b)将所述托盘装入处理室，并将处理室抽空为预定压强；
(c)向所述处理室引入包含氧气的处理气体，并将该处理气体离子化，从而形成第一蚀刻手段；
(d)将磁头体暴露于所述第一蚀刻手段中，使隧道磁电阻元件表面形成氧化层；
(e)将所述处理室排空，再向所述处理室引入氩气，并将该氩气离子化，从而形成第二蚀刻手段；及
(f)将磁头体暴露于所述第二蚀刻手段中，蚀刻所述氧化层而使其厚度降低。
2. 如权利要求1所述的防止磁头体之隧道磁电阻阻抗降低的方法，其特征在于：所述氧化层在步骤(f)中被蚀刻后所形成的厚度为1-4nm。
3. 如权利要求2所述的防止磁头体之隧道磁电阻阻抗降低的方法，其特征在于：所述氧化层在步骤(f)中被蚀刻所形成的厚度为1.5nm。
4. 如权利要求1所述的防止磁头体之隧道磁电阻阻抗降低的方法，其特征在于：所述步骤(c)中的处理气体为氧气。
5. 如权利要求1所述的防止磁头体之隧道磁电阻阻抗降低的方法，其特征在于：所述步骤(c)中的处理气体为氧气与惰性气体的混合气体。
6. 如权利要求1所述的防止磁头体之隧道磁电阻阻抗降低的方法，其特征在于：所述第一、第二蚀刻手段包括等离子体或离子束。
7. 如权利要求6所述的防止磁头体之隧道磁电阻阻抗降低的方法，其特征在于：所述等离子体通过直接电容耦合、电感耦合或电子回旋共振的方法形成。
8. 一种磁头制造方法，包括如下步骤：
(1)将由一组含有隧道磁电阻元件的磁头体构成的磁条定位于托盘上；
(2)将所述托盘装入处理室，并将处理室抽空为预定压强；
(3)向所述处理室引入包含氧气的处理气体，并将该处理气体离子化，从而形成第一蚀刻手段；
(4)将磁头体暴露于所述第一蚀刻手段中，使隧道磁电阻元件表面形成氧化层；
(5)将所述处理室排空，再向所述处理室引入氩气，并将该氩气离子化，从而形成第二蚀刻手段；
(6)将磁头体暴露于所述第二蚀刻手段中，蚀刻所述氧化层而使其厚度降低；
(7)在磁头体的隧道磁电阻元件表面形成硅层；
(8)在硅层上形成类金刚石碳层；及
(9)将磁条切割成单个磁头。
9. 如权利要求8所述的磁头制造方法，其特征在于：所述氧化层在步骤(6)中被蚀刻所形成的厚度为1-4nm。
10. 如权利要求8所述的磁头制造方法，其特征在于：所述步骤(3)中的处理气体为氧气。
11. 如权利要求8所述的磁头制造方法，其特征在于：所述步骤(3)中的处理气体为氧气与惰性气体的混合气体。
12. 如权利要求8所述的磁头制造方法，其特征在于：所述第一、第二蚀刻手段包括等离子体或离子束。
13. 如权利要求12所述的磁头制造方法，其特征在于：所述等离子体通过直接电容耦合、电感耦合或电子回旋共振的方法形成。
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