CN101221984A - 高速砷化镓基复合沟道应变高电子迁移率晶体管材料 - Google Patents
高速砷化镓基复合沟道应变高电子迁移率晶体管材料 Download PDFInfo
- Publication number
- CN101221984A CN101221984A CNA2007100633752A CN200710063375A CN101221984A CN 101221984 A CN101221984 A CN 101221984A CN A2007100633752 A CNA2007100633752 A CN A2007100633752A CN 200710063375 A CN200710063375 A CN 200710063375A CN 101221984 A CN101221984 A CN 101221984A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- channel
- mhemt
- inp
- gallium arsenide
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 37
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 37
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims abstract description 30
- 239000002131 composite material Substances 0.000 title abstract 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 claims abstract description 20
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 14
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims abstract description 12
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 28
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 13
- 239000003574 free electron Substances 0.000 claims description 6
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims description 6
- 230000005533 two-dimensional electron gas Effects 0.000 claims description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 5
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 4
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 claims description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 3
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 claims description 2
- 238000004800 variational method Methods 0.000 claims description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 abstract 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 230000035800 maturation Effects 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
Abstract
本发明涉及化合物半导体材料技术领域，公开了一种高速砷化镓基复合沟道MHEMT材料，该MHEMT材料由在GaAs衬底上依次外延生长的晶格应变层InxAl1－xAs、沟道下势垒层In0.52Al0.48As、沟道层掺杂InP、沟道层不掺杂InP、沟道层In0.53Ga0.47As、空间隔离层In0.52Al0.48As、平面掺杂层、势垒层In0.52Al0.48As和高掺杂盖帽层In0.53Ga0.47As构成。利用本发明，结合了In0.53Ga0.47As的低场高电子迁移率和高场下InP有高阈值能量以及高饱和速率的特性，解决了常规MHEMT器件源漏击穿电压低的缺点，达到了既提高源漏击穿电压，又保证器件具有优越的毫米波频率特性的目的。
Description
技术领域
本发明涉及化合物半导体材料技术领域，尤其涉及一种高速砷化镓基复合沟道应变高电子迁移率晶体管材料。
背景技术
高电子迁移率晶体管(HEMT)具有高频、高速、高功率增益和低噪声系数的特点，因而大量应用于军事、太空和民用通讯领域。如毫米波雷达、电子战、智能装备、卫星通讯和辐射天文学等。
GaAs基HEMT主要应用于Ka波段以下，而InP基HEMT在更高的W波段仍具有高增益和低噪声性能，但是InP基HEMT的不足之处在于：一是源漏击穿电压低，输出功率小，制约了其在微波功率放大器电路上的应用；二是InP衬底易碎，晶片尺寸小，价格高昂，加工成本高。
GaAs基应变高电子迁移率晶体管(MHEMT)结构，即在GaAs衬底上外延InP基HEMT的外延结构。这样，既可以利用GaAs衬底成熟的制备工艺，降低了制备成本；同时也可以获得与InP基HEMT相近的高频、高速性能。
如图1所示，图1为现有技术中常规MHEMT材料的示意图。常规MHEMT材料包括GaAs衬底、应变缓冲层InxAl1-xAs(x从0渐变至0.52)、In0.52Al0.48As、In0.53Ga0.47As沟道层、In0.52Al0.48As空间隔离层、delta掺杂层、In0.52Al0.48As势垒层以及N+In0.53Ga0.47As盖帽层。
但是由于采用常规的InP基HEMT外延结构，器件的源漏击穿电压偏低。在目前的文献报道中，MHEMT典型的源漏击穿电压为5至7伏特，这种低击穿电压导致MHEMT输出功率小，制约了其用于功率放大电路。为改善MHEMT器件的功率性能，进一步提高源漏击穿电压成为需要解决的关键技术。
发明内容
(一)要解决的技术问题
有鉴于此，本发明的主要目的在于提供一种高速砷化镓基复合沟道MHEMT材料，结合了In0.53Ga0.47As的低场高电子迁移率和高场下InP有高阈值能量以及高饱和速率的特性，以解决常规MHEMT器件源漏击穿电压低的缺点，达到既提高源漏击穿电压，又保证具有优越的毫米波频率器件特性的目的。
(二)技术方案
为达到上述目的，本发明的技术方案是这样实现的：
一种高速砷化镓基复合沟道应变高电子迁移率晶体管材料，该应变高电子迁移率晶体管MHEMT材料由在GaAs衬底上依次外延生长的晶格应变层InxAl1-xAs、沟道下势垒层In0.52Al0.48As、沟道层InP、沟道层In0.53Ga0.47As、空间隔离层In0.52Al0.48As、平面掺杂层、势垒层In0.52Al0.48As和高掺杂盖帽层In0.53Ga0.47As构成。
所述晶格应变层InxAl1-xAs采用低温外延生长方法在GaAs衬底上生长，厚度为10000至
In组分x从0渐变至0.52，用于吸收GaAs衬底与后续外延层之间因为晶格失配产生的应力，避免产生晶格驰豫。
所述沟道下势垒层In0.52Al0.48As采用分子束外延技术低温组分渐变方法在晶格应变层InxAl1-xAs上生长，厚度为500至
用于为沟道生长提供一个平整的界面，并利用InP/In0.52Al0.48As异质结把二维电子气2DEG束缚在沟道内。
所述沟道层InP采用分子束外延方法在沟道下势垒层In0.52Al0.48As上生长，厚度为100至用于提高漏源击穿电压；其中掺杂InP层厚度为50至
体掺杂Si剂量为2×1018cm-3，不掺杂InP层厚度为50至
所述沟道层In0.53Ga0.47As采用分子束外延方法在沟道层InP上生长，厚度为30至
用于低场下为二维电子气提供导电沟道。
所述沟道层InP和沟道层In0.53Ga0.47As构成MHEMT的复合沟道。
所述空间隔离层In0.52Al0.48As采用分子束外延方法在沟道层In0.53Ga0.47As上生长，厚度为30至
用于将施主杂质电离中心和2DEG空间隔离，减小电离散射作用，保证沟道内2DEG的高电子迁移率。
所述平面掺杂层采用分子束外延方法在空间隔离层In0.52Al0.48As上生长，厚度为5至
用于提供自由电子；掺杂Si的剂量为2.5×1012cm-2至5×1012cm-2。
所述势垒层In0.52Al0.48As采用分子束外延方法在平面掺杂层上生长，厚度为150至
用于和栅金属形成肖特基接触，使平面掺杂层产生的自由电子向沟道内转移。
所述高掺杂盖帽层In0.53Ga0.47As采用分子束外延方法在势垒层In0.52Al0.48As上生长，厚度为100至
用于为器件制备提供良好的欧姆接触；体掺杂Si的剂量为5×1018cm-3至2×1019cm-3。
(三)有益效果
从上述技术方案可以看出，本发明具有以下有益效果：
1、利用本发明，由于采用了InP和InGaAs复合沟道结构，所以解决了常规MHEMT器件源漏击穿电压低的缺点，达到了既提高源漏击穿电压，也保证具有优越的毫米波频率器件特性的目的。
2、本发明提供的这种高速砷化镓基复合沟道MHEMT材料，MHEMT的沟道由In0.53Ga0.47As和InP构成，In0.53Ga0.47As与InP的导带差ΔEC(In0.53Ga0.47As-InP)为0.2eV。低场下，2DEG主要集中在In0.53Ga0.47As沟道内；在高场下，2DEG主要集中InP沟道内。该复合沟道结构结合了In0.53Ga0.47As的低场高电子迁移率和高场下InP有高阈值能量和高饱和速率的特性，既提高了源漏击穿电压，也保证了优越的毫米波频率特性。利用In0.53Ga0.47As低场高电子迁移率和高场下InP有高阈值能量和高饱和速率的特性，既提高了源漏击穿电压，也保证了优越的毫米波频率特性。
3、本发明提供的这种高速砷化镓基复合沟道MHEMT材料，考虑到外延生长和器件性能两方面的实际要求。在满足外延生长可实现的前提下，提出了复合沟道结构，该结构有利于提高MHEMT器件的源漏击穿电压，改善MHEMT器件的功率性能。
4、本发明提供的这种高速砷化镓基复合沟道MHEMT材料，高掺杂盖帽层In0.53Ga0.47As与栅金属接触为器件制备提供了良好的欧姆接触。
附图说明
图1为现有技术中常规MHEMT材料的示意图；
图2为本发明提供的高速砷化镓基复合沟道MHEMT材料的示意图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明白，以下结合具体实施例，并参照附图，对本发明进一步详细说明。
如图2所示，图2为本发明提供的高速砷化镓基复合沟道MHEMT材料的示意图，该MHEMT材料由在GaAs衬底上依次外延生长的晶格应变层InxAl1-xAs、沟道下势垒层In0.52Al0.48As、沟道层掺杂InP、沟道层不掺杂InP、沟道层In0.53Ga0.47As、空间隔离层In0.52Al0.48As、平面掺杂层、势垒层In0.52Al0.48As和高掺杂盖帽层In0.53Ga0.47As构成。
其中，晶格应变层InxAl1-xAs采用低温外延生长方法在GaAs衬底上生长，生长时保持低温，生长厚度为10000至
优选厚度为
In组分x从0渐变至0.52，用于吸收GaAs衬底与后续外延层之间因为晶格失配产生的应力，避免产生晶格驰豫。
沟道下势垒层In0.52Al0.48As采用分子束外延方法在晶格应变层InxAl1-xAs上生长，厚度为500至
优选厚度为
用于为沟道生长提供一个平整的界面，并利用InP/In0.52Al0.48As异质结把二维电子气(2DEG)束缚在沟道内。
沟道层InP采用分子束外延方法在沟道下势垒层In0.52Al0.48As上生长，厚度为100至(其中掺杂InP层50至
体掺杂Si剂量为2×1018cm-3，不掺杂InP层50至
。)掺杂和不掺杂InP层的优选厚度分别为和
。InP的电离阈值能量是1.69eV，比In0.53Ga0.47As的电离阈值能量(0.92eV)高，在高场下有高饱和速率，耐电压击穿能力更强，用于提高漏源击穿电压。
沟道层In0.53Ga0.47As采用分子束外延方法在沟道层InP上生长，厚度为30至
，优选厚度为
。在低场下有较高的电子迁移率，用于为二维电子气提供导电沟道。
沟道层InP和沟道层In0.53Ga0.47As构成MHEMT的沟道。In0.53Ga0.47As与InP的导带差ΔEC(In0.53Ga0.47As-InP)为0.2eV，低场下，2DEG主要集中在In0.53Ga0.47As沟道内，在高场下，2DEG主要集中InP沟道内。该复合沟道结构结合了In0.53Ga0.47As的低场高电子迁移率和高场下InP有高阈值能量和高饱和速率的特性，既提高了源漏击穿电压，也保证了优越的毫米波频率特性。利用In0.53Ga0.47As低场高电子迁移率和高场下InP有高阈值能量和高饱和速率的特性，既提高了源漏击穿电压，也保证了优越的毫米波频率特性。
In0.53Ga0.47As和InP的具体参数如表1所示：
| InP的电离阈值能量 | 1.69eV |
| In0.53Ga0.47As的电离阈值能量 | 0.92eV |
| 导带差值ΔEC(In0.53Ga0.47As-InP) | 0.2eV |
表1
空间隔离层In0.52Al0.48As采用分子束外延方法在沟道层In0.53Ga0.47As上生长，厚度为30至
，优选厚度为
。用于将施主杂质电离中心和2DEG空间隔离，减小电离散射作用，保证沟道内2DEG的高电子迁移率。
平面掺杂层采用分子束外延方法在空间隔离层In0.52Al0.48As上生长，厚度为5至
，用于提供自由电子；掺杂Si的剂量为2.5×1012cm-2至5×1012cm-2，优选剂量为3×1012cm-2。此处，平面掺杂层的含义是指在一个平面上掺杂，所以其厚度可以忽略不计；平面掺杂和体掺杂相对，体掺杂是指在立体内掺杂，一般厚度较厚，此处选取平面掺杂。
势垒层In0.52Al0.48As采用分子束外延方法在平面掺杂层上生长，厚度为150至
，优选厚度为
。用于和栅金属形成肖特基接触，使平面掺杂层产生的自由电子向沟道内转移。
高掺杂盖帽层In0.53Ga0.47As采用分子束外延方法在势垒层In0.52Al0.48As上生长，厚度为100至
，优选厚度为
。体掺杂Si的剂量为5×1018cm-3至2×1019cm-3，优选剂量为1×1019cm-3。高掺杂盖帽层In0.53Ga0.47As一般为N+-In0.53Ga0.47As，N+-In0.53Ga0.47As与栅金属接触为器件制备提供良好的欧姆接触。
本发明提供的高速砷化镓基复合沟道MHEMT材料的具体参数如表2所示：
表2
以上所述的具体实施例，对本发明的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明，所应理解的是，以上所述仅为本发明的具体实施例而已，并不用于限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种高速砷化镓基复合沟道应变高电子迁移率晶体管材料，其特征在于，该应变高电子迁移率晶体管MHEMT材料由在GaAs衬底上依次外延生长的晶格应变层InxAl1-xAs、沟道下势垒层In0.52Al0.48As、沟道层InP、沟道层In0.53Ga0.47As、空间隔离层In0.52Al0.48As、平面掺杂层、势垒层In0.52Al0.48As和高掺杂盖帽层In0.53Ga0.47As构成。
2.根据权利要求1所述的高速砷化镓基复合沟道MHEMT材料，其特征在于，所述晶格应变层InxAl1-xAs采用低温外延生长方法在GaAs衬底上生长，厚度为10000至20000
，In组分x从0渐变至0.52，用于吸收GaAs衬底与后续外延层之间因为晶格失配产生的应力，避免产生晶格驰豫。
3.根据权利要求1所述的高速砷化镓基复合沟道MHEMT材料，其特征在于，所述沟道下势垒层In0.52Al0.48As采用分子束外延技术低温组分渐变方法在晶格应变层InxAl1-xAs上生长，厚度为500至2000
，用于为沟道生长提供一个平整的界面，并利用InP/In0.52Al0.48As异质结把二维电子气2DEG束缚在沟道内。
4.根据权利要求1所述的高速砷化镓基复合沟道MHEMT材料，其特征在于，所述沟道层InP采用分子束外延方法在沟道下势垒层In0.52Al0.48As上生长，厚度为100至200
，用于提高漏源击穿电压；其中掺杂InP层厚度为50至120
，体掺杂Si剂量为2×1018cm-3，不掺杂InP层厚度为50至80
5.根据权利要求1所述的高速砷化镓基复合沟道MHEMT材料，其特征在于，所述沟道层In0.53Ga0.47As采用分子束外延方法在沟道层InP上生长，厚度为30至60
，用于低场下为二维电子气提供导电沟道。
6.根据权利要求1所述的高速砷化镓基复合沟道MHEMT材料，其特征在于，所述沟道层InP和沟道层In0.53Ga0.47As构成MHEMT的复合沟道。
7.根据权利要求1所述的高速砷化镓基复合沟道MHEMT材料，其特征在于，所述空间隔离层In0.52Al0.48As采用分子束外延方法在沟道层In0.53Ga0.47As上生长，厚度为30至60
，用于将施主杂质电离中心和2DEG空间隔离，减小电离散射作用，保证沟道内2DEG的高电子迁移率。
8.根据权利要求1所述的高速砷化镓基复合沟道MHEMT材料，其特征在于，所述平面掺杂层采用分子束外延方法在空间隔离层In0.52Al0.48As上生长，厚度为5至10
，用于提供自由电子；掺杂Si的剂量为2.5×1012cm-2至5×1012cm-2。
9.根据权利要求1所述的高速砷化镓基复合沟道MHEMT材料，其特征在于，所述势垒层In0.52Al0.48As采用分子束外延方法在平面掺杂层上生长，厚度为150至200，用于和栅金属形成肖特基接触，使平面掺杂层产生的自由电子向沟道内转移。
10.根据权利要求1所述的高速砷化镓基复合沟道MHEMT材料，其特征在于，所述高掺杂盖帽层In0.53Ga0.47As采用分子束外延方法在势垒层In0.52Al0.48As上生长，厚度为100至200
，用于为器件制备提供良好的欧姆接触；体掺杂Si的剂量为5×1018cm-3至2×1019cm-3。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CNB2007100633752A CN100570887C (zh) | 2007-01-10 | 2007-01-10 | 高速砷化镓基复合沟道应变高电子迁移率晶体管材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CNB2007100633752A CN100570887C (zh) | 2007-01-10 | 2007-01-10 | 高速砷化镓基复合沟道应变高电子迁移率晶体管材料 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN101221984A true CN101221984A (zh) | 2008-07-16 |
| CN100570887C CN100570887C (zh) | 2009-12-16 |
Family
ID=39631685
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CNB2007100633752A Active CN100570887C (zh) | 2007-01-10 | 2007-01-10 | 高速砷化镓基复合沟道应变高电子迁移率晶体管材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN100570887C (zh) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102171831A (zh) * | 2008-12-16 | 2011-08-31 | 英特尔公司 | 具有在沟道区之下的Delta掺杂层的Ⅲ-Ⅴ族器件 |
| CN104549208A (zh) * | 2013-10-23 | 2015-04-29 | 中国石油化工股份有限公司 | 一种合成碳酸二甲酯的催化剂及其制备方法和应用 |
| CN105474414A (zh) * | 2013-07-29 | 2016-04-06 | Lg伊诺特有限公司 | 发光器件 |
| CN113823628A (zh) * | 2021-08-27 | 2021-12-21 | 深圳市汇芯通信技术有限公司 | 一种集成芯片及其制作方法 |
| WO2023010583A1 (zh) * | 2021-08-06 | 2023-02-09 | 华为技术有限公司 | 集成电路、功率放大电路及电子设备 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI288435B (en) * | 2000-11-21 | 2007-10-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Semiconductor device and equipment for communication system |
-
2007
- 2007-01-10 CN CNB2007100633752A patent/CN100570887C/zh active Active
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102171831A (zh) * | 2008-12-16 | 2011-08-31 | 英特尔公司 | 具有在沟道区之下的Delta掺杂层的Ⅲ-Ⅴ族器件 |
| CN105474414A (zh) * | 2013-07-29 | 2016-04-06 | Lg伊诺特有限公司 | 发光器件 |
| US10546974B2 (en) | 2013-07-29 | 2020-01-28 | Lg Innotek Co., Ltd. | Light-emitting device |
| CN104549208A (zh) * | 2013-10-23 | 2015-04-29 | 中国石油化工股份有限公司 | 一种合成碳酸二甲酯的催化剂及其制备方法和应用 |
| WO2023010583A1 (zh) * | 2021-08-06 | 2023-02-09 | 华为技术有限公司 | 集成电路、功率放大电路及电子设备 |
| CN113823628A (zh) * | 2021-08-27 | 2021-12-21 | 深圳市汇芯通信技术有限公司 | 一种集成芯片及其制作方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN100570887C (zh) | 2009-12-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7525130B2 (en) | Polarization-doped field effect transistors (POLFETS) and materials and methods for making the same | |
| US8269253B2 (en) | Rare earth enhanced high electron mobility transistor and method for fabricating same | |
| US20050006639A1 (en) | Semiconductor electronic devices and methods | |
| US9640650B2 (en) | Doped gallium nitride high-electron mobility transistor | |
| Mishra et al. | AlInAs-GaInAs HEMT for microwave and millimeter-wave applications | |
| Medjdoub et al. | Beyond 100 ghz aln/gan hemts on silicon substrate | |
| CN100570887C (zh) | 高速砷化镓基复合沟道应变高电子迁移率晶体管材料 | |
| US9202905B1 (en) | Digital alloy layer in a III-nitrade based heterojunction field effect transistor | |
| CN104091812A (zh) | 一种长波长GaAs基MSM和PHEMT单片集成光探测器 | |
| Hao et al. | Research on GaN-based RF devices: high-frequency gate structure design, submicrometer-length gate fabrication, suppressed SCE, low parasitic resistance, minimized current collapse, and lower gate leakage | |
| CN105304706A (zh) | Si基MHEMT外延结构 | |
| CN116741635A (zh) | 基于无掩膜再生长低阻延伸层的hemt器件制备方法 | |
| CN205159336U (zh) | 一种硅基异质集成的mhemt结构 | |
| CN101447485B (zh) | 单片集成GaAs基PHEMT和PIN二极管材料结构 | |
| RU139673U1 (ru) | Полупроводниковая наногетероструктура inalgaas/inalas/inas метаморфного буферного слоя на подложке арсенида галлия | |
| RU135182U1 (ru) | Псевдоморфный гетероструктурный модулировано-легированный полевой транзистор | |
| CN101442070A (zh) | 砷化镓基增强/耗尽型应变高电子迁移率晶体管材料结构 | |
| CN213212169U (zh) | 一种半导体器件的外延结构及半导体器件 | |
| CN100590874C (zh) | 单片集成砷化镓基mhemt和pin二极管材料结构 | |
| Jeon et al. | DC and RF performance of LP-MOCVD grown Al/sub 0.25/Ga/sub 0.75/As/In/sub x/Ga/sub 1-x/As (x= 0.15-0.28) P-HEMT's with Si-delta doped GaAs layer | |
| CN204348720U (zh) | 一种复合沟道mhemt微波振荡器 | |
| CN207250525U (zh) | 一种InP HEMT结构 | |
| CN208738256U (zh) | 一种带有GaAs面掺杂平滑层的GaAs基PHEMT外延材料结构 | |
| CN207269025U (zh) | 一种新型mHEMT器件 | |
| CN204289458U (zh) | 一种抑制背栅效应的砷化镓基赝配高电子迁移率晶体管材料结构 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20220824 Address after: Room 108, floor 1, building 4, No. 2 dacuodeng Hutong, Dongcheng District, Beijing 100010 Patentee after: Beijing Zhongke micro Investment Management Co.,Ltd. Address before: 100029 Beijing city Chaoyang District Beitucheng West Road No. 3 Patentee before: Institute of Microelectronics of the Chinese Academy of Sciences |
|
| TR01 | Transfer of patent right |