CN101206370A - 显示装置及其制造方法 - Google Patents
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Abstract
一种显示装置，其包含一基板、一电极阵列、一低温多晶硅行集成驱动回路以及一低温多晶硅列集成驱动回路。基板具有一表面；电极阵列形成于基板的表面；低温多晶硅行集成驱动回路形成于基板的表面，并与电极阵列电性连接；低温多晶硅列集成驱动回路形成于基板的表面，并与电极阵列电性连接。另外，本发明亦揭露一种显示装置的制造方法。本发明可以简化制程及缩小产品尺寸，从而更加适于实用。
Description
技术领域
本发明关于一种显示装置及其制造方法，特别关于一种具有低温多晶硅集成驱动回路的显示装置及其制造方法。
背景技术
随着资讯时代的来临，由于人们与外界资讯沟通的需求增加，具有传播资讯的显示装置已成为现代人不可或缺的电子产品之一。显示装置由起始的阴极射线管(Cathode Ray Tube，CRT)显示装置发展至现今更轻薄的液晶显示装置(Liquid Crystal Display，LCD)，而广泛应用于通讯、资讯及消费性电子等产品上。
一般来说，请参照图1所示，现有之显示装置1包含一玻璃基板11、一画素阵列12及多数个驱动回路晶片13。画素阵列12以薄膜制程技术设置于玻璃基板11上，而驱动回路晶片13以封装技术制作而成，然后再以玻璃覆晶(chip on glass，COG)制程技术结合于玻璃基板11上，并与画素阵列12电性连接以驱动画素阵列12产生一影像画面。
然而，由于画素阵列12以薄膜制程技术设置于玻璃基板11，而驱动回路晶片13以封装技术制作而成之后再以玻璃覆晶(chip on glass，COG)制程技术结合于玻璃基板11，导致制程上的繁复。其中，驱动回路晶片13又区分为扫瞄线驱动回路晶片及资料线驱动回路晶片，而依据其回路复杂度的不同，亦需要不同的制程技术来分别制作，更增加了显示装置1的制程复杂度。
另外，基板11大小的设计，除了必须提供画素阵列12及驱动回路晶片13设置空间外，还需规划出多数个预留空间111以提供驱动回路晶片13于玻璃覆晶制造过程所使用(例如热压头净空之用)，导致基板11的尺寸无法有效的减少。
再者，请参照图2所示，一般来说，由于驱动回路晶片13的厚度D1由晶片封装设计而决定，而且厚度D1不易减少，所以导致显示装置1整体的厚度D0无法有效地降低。
因此，如何提供一种能够简化制程及缩小产品尺寸的显示装置及其制造方法，实属当前重要课题之一。
发明内容
本发明的目的在于，克服现有的技术存在的缺陷，而提供一种新的显示装置及其制造方法，所要解决的技术问题是使其可以简化制程及缩小产品尺寸，从而更加适于实用。
本发明的目的及解决其技术问题是采用以下技术方案来实现的。依据本发明提出的一种显示装置，其特征在于，包含：一基板，具有一表面；一电极阵列，形成于基板的表面；一低温多晶硅行集成驱动回路(也称作“低温多晶硅行集积驱动回路”)，形成于基板的表面，并与电极阵列电性连接；以及一低温多晶硅列集成驱动回路(也称作“低温多晶硅列集积驱动回路”)，形成于基板的表面，并与电极阵列电性连接。
本发明的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。
前述的显示装置，其中所述的低温多晶硅列集成驱动回路具有一第一位移暂存器，其依序产生一第一脉波讯号。
前述的显示装置，其中所述的低温多晶硅行集成驱动回路具有一第二位移暂存器，其依序产生一第二脉波讯号。
前述的显示装置，其中所述的低温多晶硅行集成驱动回路更具有一缓冲器，其与第二位移暂存器电性连接，并依据第二脉波讯号，将一序列资料转换为一并列资料输出。
前述的显示装置，其中所述的基板为一玻璃基板、一塑胶基板或一不锈钢基板。
前述的显示装置，其更包含一软性电路板，其与低温多晶硅行集成驱动回路或低温多晶硅列集成驱动回路电性连接。
前述的显示装置，其更包含：一薄膜，其与低温多晶硅行集成驱动回路或低温多晶硅列集成驱动回路电性连接；以及一控制晶片，其设置于该薄膜上。
前述的显示装置，其更包含：一对向电极单元，与电极阵列相对而设；以及一光电显示单元，设置于对向电极单元与电极阵列之间。
前述的显示装置，其中所述的对向电极单元的材质为铟锡氧化物、铝锌氧化物、铟锌氧化物或镉锡氧化物。
前述的显示装置，其中所述的光电显示单元包含一电泳性物质或一电湿性物质。
前述的显示装置，其中所述的电极阵列为一主动式电极阵列。
前述的显示装置，其中所述的主动式电极阵列包含一薄膜电晶体。
本发明的目的及解决其技术问题还采用以下技术方案来实现。依据本发明提出的包含：于一基板上同时形成一低温多晶硅行集成驱动回路、一低温多晶硅列集成驱动回路及一电极阵列；以及将一光电显示单元与该电极阵列相对设置。
本发明的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。
前述的显示装置的制造方法，其中所述的低温多晶硅行集成驱动回路及低温多晶硅列集成回路以低温多晶硅薄膜电晶体制程而形成于该基板上。
前述的显示装置的制造方法，其中所述的电极阵列以低温多晶硅薄膜电晶体制程而形成于该基板上。
前述的显示装置的制造方法，其更包含将一对向电极单元与电极阵列相对设置，以使光电显示单元位于对向电极与电极阵列之间。
借由上述技术方案，本发明显示装置及其制造方法至少具有下列优点：
本发明的显示装置及其制造方法以低温多晶硅制程于基板上同时形成低温多晶硅行集成驱动回路、低温多晶硅列集成驱动回路及电极阵列，所以，与现有画素阵列以薄膜制程技术设置于玻璃基板，而驱动回路晶片以封装技术制作而成，然后再以玻璃覆晶制程技术结合于玻璃基板相较之下，本发明的制程步骤较为简化。另外，亦由于本发明的显示装置及其制造方法以低温多晶硅行集成驱动回路及低温多晶硅列集成驱动回路取代了现有的驱动回路晶片，所以不仅本发明的基板可减少因玻璃覆晶制作过程所需的预留空间，进而使显示装置的尺寸减少，而且显示装置的厚度亦相对减少。
上述说明仅是本发明技术方案的概述，为了能够更清楚了解本发明的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本发明的上述和其他目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举较佳实施例，并配合附图，详细说明如下。
附图说明
图1为一示意图，显示现有的显示装置。
图2为一侧视示意图，显示图1中的显示装置。
图3为一示意图，显示依据本发明较佳实施例的显示装置。
图4为一示意图，显示依据本发明较佳实施例的显示装置更包含一软性电路板。
图5为一示意图，显示依据本发明较佳实施例的显示装置更包含一薄膜及一控制晶片，其中控制晶片以软板技术设置于薄膜上。
图6为一示意图，显示依据本发明较佳实施例的显示装置，其中显示装置更包含一对向电极单元及一光电显示单元。
图7为一方块示意图，显示依据本发明较佳实施例的显示装置，其中显示装置为一电泳显示装置。
图8为一侧视示意图，显示图7中的显示装置。
图9为一流程示意图，显示依据本发明较佳实施例的显示装置的制造方法。
1：显示装置 11：玻璃基板
111：预留空间 12：画素阵列
13：驱动回路晶片 2：显示装置
21：基板 211：表面
22：电极阵列 2211-221m：闸极扫瞄线
2221-222n：源极资料线 22311-223nm：薄膜电晶体
22411-224nm：画素电极 23：低温多晶硅行集成驱动回路
231：第二位移暂存器 232：缓冲器
24：低温多晶硅列集成驱动回路 241：第一位移暂存器
25：软性电路板 26：薄膜
27：控制晶片 28：对向电极单元
29：光电显示单元 291：染色粒子
292：介电溶液 293：微型杯结构
C1：闸极时脉 C2：源极时脉
D1、D0、D’0：厚度 I1：序列影像资料
I2：并列影像资料
S10～S20：显示装置的制造方法的流程步骤
S1：第一脉波讯号 S2：第二脉波讯号
具体实施方式
为更进一步阐述本发明为达成预定发明目的所采取的技术手段及功效，以下结合附图及较佳实施例，对依据本发明提出的显示装置及其制造方法其具体实施方式、结构、特征及其功效，详细说明如后。
请参照图3所示，依据本发明较佳实施例的显示装置2包含一基板21、一电极阵列22、一低温多晶硅行集成驱动回路(low temperature poly siliconcolumn integrated circuit)23及一低温多晶硅列集成驱动回路(lowtemperature poly silicon row integrated circuit)24。
基板21具有一表面211，其中，基板21可因应实际需求而具有不同的材质，例如基板21可为一玻璃基板、一塑胶基板或一不锈钢基板等，于本实施例中，基板21以玻璃基板为例。
电极阵列22与低温多晶硅行集成驱动回路23及低温多晶硅列集成驱动回路24以低温多晶硅制程同时形成于基板21的表面211。其中，低温多晶硅行集成驱动回路23及低温多晶硅列集成驱动回路24与电极阵列22电性连接以驱动电极阵列22作动，在本实施例中，低温多晶硅制程可为低温多晶硅薄膜电晶体制程。
电极阵列22可依据实际需求设计为一主动式电极阵列，而主动式电极阵列例如但不限于包含一电晶体、一薄膜电晶体或一二极体等元件。当然，电极阵列22亦可设计为被动式电极阵列，而被动式电极阵列例如但不限于包含一电容器。
低温多晶硅行集成驱动回路23为一资料线驱动回路，而低温多晶硅列集成驱动回路24为一扫瞄线驱动回路。
承上，因电极阵列22与低温多晶硅行集成驱动回路23及低温多晶硅列集成驱动回路24以低温多晶硅薄膜电晶体制程同时形成于基板21的表面211，所以，与现有画素阵列12以薄膜制程技术设置于玻璃基板11，而驱动回路晶片13以封装技术制作而成，然后再以玻璃覆晶制程技术结合于玻璃基板，相较之下，本发明的制程步骤较为简化。另外，本发明的基板21亦可减少现有的基板11因玻璃覆晶制作过程所需的预留空间111，进而使显示装置2的尺寸减少。
除此之外，请参照图4所示，显示装置2更可包含一软性电路板(FlexiblePrinted Circuit，FPC)25，其与低温多晶硅行集成驱动回路23或与低温多晶硅列集成驱动回路24电性连接，在本实施例中，软性电路板25与低温多晶硅行集成驱动回路23电性连接以传输影像资料至行集成驱动回路23。当然，软性电路板25亦可同时与低温多晶硅行集成驱动回路23及低温多晶硅列集成驱动回路24电性连接。
另外，请参照图5所示，显示装置2亦可包含一薄膜26以及一控制晶片27，其中，薄膜26与低温多晶硅行集成驱动回路23或与低温多晶硅列集成驱动回路24电性连接，且控制晶片27以软板技术(chip on film，COF)制作于薄膜26上，在本实施例中，薄膜26与低温多晶硅行集成驱动回路23电性连接以透过控制晶片27控制影像资料的传输。当然，薄膜26亦可同时与低温多晶硅行集成驱动回路23及低温多晶硅列集成驱动回路24电性连接。另外，在本实施例中，控制晶片27可为一时序控制器(timecontroller)或一微控制器(microcontroller)。
再者，请参照图6所示，显示装置2更包含一对向电极单元28及一光电显示单元29。
对向电极单元28与电极阵列22相对而设，其中，对向电极单元28可为一电极层或一电极板。另外，由于对向电极单元28须为透明，因此其材质可为铟锡氧化物、铝锌氧化物、铟锌氧化物或镉锡氧化物。
光电显示单元29设置于对向电极单元28与电极阵列22之间。其中，光电显示单元29可以依照设计而以一光电显示元件或一光电显示薄膜的形式呈现。另外，若显示装置2为一电泳(electrophoresis)显示装置时，则光电显示单元29可包含一电泳性物质；若显示装置2为一电湿(electrowetting)显示装置时，则光电显示单元29可包含一电湿性物质。
承上，由于显示装置2以低温多晶硅行集成驱动回路23及低温多晶硅列集成驱动回路24取代了现有的驱动回路晶片13，所以显示装置2的厚度D’0由基板21、光电显示单元29、对向电极单元28的厚度来决定，而不受驱动回路晶片13的厚度D1所限制，进而使显示装置2较显示装置1轻薄。
为了使本发明更加清楚，以下举一实例以说明本发明的显示装置。
请参照图7所示，显示装置2为一电泳显示装置，其中，电极阵列22以低温多晶硅薄膜电晶体制程而形成于基板21上，并由多数条闸极扫瞄线2211-221m、多数条源极资料线2221-222n、多数个薄膜电晶体22311-223nm及多数个画素电极22411-224nm所构成，其中薄膜电晶体22311-223nm分别与闸极扫瞄线2211-221m及源极资料线2221-222n电性连接以作为画素电极22411-224nm的开关。
低温多晶硅行集成驱动回路23及低温多晶硅列集成驱动回路24亦以低温多晶硅薄膜电晶体制程而形成于基板21上，且低温多晶硅列集成驱动回路24具有一第一位移暂存器241，且低温多晶硅行集成驱动回路23具有一第二位移暂存器231及与第二位移暂存器231电性连接的一缓冲器232。
请参照图8所示，多数个光电显示单元29设置于对向电极单元28与电极阵列22(画素电极22411-224nm)之间。其中，光电显示单元29具有一电泳性物质，而电泳性物质可具有多数个染色粒子(pigment particle)291及一介电溶液(dielectric solvent)292，该等染色粒子291分散于介电溶液292中，在本实施例中，电泳性物质(染色粒子291以及介电溶液292)以容置于一微型杯(micro-cup)结构293中，且光电显示单元29具有多数个微型杯结构293为例说明，但不以此为限，当然，电泳性物质亦可以是集合于一微胶囊结构中(图未显示)。
请同时参照图7及图8所示，当显示装置2显示画面时，第一位移暂存器241操作于闸极时脉C1的频率下，并依序在闸极扫瞄线2211-221m上依序产生一第一脉波讯号S1以开启各闸极扫瞄线2211-221m所对应的薄膜电晶体22411-224nm。
第二位移暂存器231操作于源极时脉C2的频率下，并依序产生一第二脉波讯号S2至缓冲器232，缓冲器232依据第二脉波讯号S2而将一序列影像资料I1转换为一并列影像资料I2以透过源极资料线2221-222n传输至相对应薄膜电晶体22311-223nm，来控制对向电极单元28与电极阵列22(画素电极22411-224nm)之间的电压差。其中，染色粒子291受电压差作用而被驱使移动而可呈现染色粒子291或是介电溶液292的颜色以使微型杯结构293显示不同的颜色。
请参照图9所示，依据本发明较佳实施例的显示装置的制造方法至少包含步骤S10～S20。
步骤S10于一基板上同时形成一低温多晶硅行集成驱动回路、一低温多晶硅列集成驱动回路及一电极阵列。
步骤S20将一光电显示单元与电极阵列相对设置。
在本实施例中，显示装置的制造方法已于本发明较佳实施例的显示装置2(图3～图8)中详述，在此容不赘述。
综上所述，因依据本发明的显示装置及其制造方法以低温多晶硅制程于基板上同时形成低温多晶硅行集成驱动回路、低温多晶硅列集成驱动回路及电极阵列，所以，与现有画素阵列以薄膜制程技术设置于玻璃基板，而驱动回路晶片以封装技术制作而成，然后再以玻璃覆晶制程技术结合于玻璃基板，相较之下，本发明的制程步骤较为简化。另外，亦由于本发明的显示装置及其制造方法以低温多晶硅行集成驱动回路及低温多晶硅列集成驱动回路取代了现有的驱动回路晶片，所以不仅本发明的基板可减少因玻璃覆晶制作过程所需的预留空间，进而使显示装置的尺寸减少，而且显示装置的厚度亦相对减少。
以上所述，仅是本发明的较佳实施例而已，并非对本发明作任何形式上的限制，虽然本发明已以较佳实施例揭露如上，然而并非用以限定本发明，任何熟悉本专业的技术人员，在不脱离本发明技术方案范围内，当可利用上述揭示的技术内容作出些许更动或修饰为等同变化的等效实施例，但凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本发明技术方案的范围内。
Claims (16)
1.一种显示装置，其特征在于，包含：
一基板，具有一表面；
一电极阵列，形成于基板的表面；
一低温多晶硅行集成驱动回路，形成于基板的表面，并与电极阵列电性连接；以及
一低温多晶硅列集成驱动回路，形成于基板的表面，并与电极阵列电性连接。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于其中所述的低温多晶硅列集成驱动回路具有一第一位移暂存器，其依序产生一第一脉波讯号。
3.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于其中所述的低温多晶硅行集成驱动回路具有一第二位移暂存器，其依序产生一第二脉波讯号。
4.根据权利要求3所述的显示装置，其特征在于其中所述的低温多晶硅行集成驱动回路更具有一缓冲器，其与第二位移暂存器电性连接，并依据第二脉波讯号，将一序列资料转换为一并列资料输出。
5.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于其中所述的基板为一玻璃基板、一塑胶基板或一不锈钢基板。
6.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，更包含一软性电路板，其与低温多晶硅行集成驱动回路或低温多晶硅列集成驱动回路电性连接。
7.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，更包含：
一薄膜，其与低温多晶硅行集成驱动回路或低温多晶硅列集成驱动回路电性连接；以及
一控制晶片，其设置于该薄膜上。
8.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，更包含：
一对向电极单元，与电极阵列相对而设；以及
一光电显示单元，设置于对向电极单元与电极阵列之间。
9.根据权利要求8所述的显示装置，其特征在于其中所述的对向电极单元的材质为铟锡氧化物、铝锌氧化物、铟锌氧化物或镉锡氧化物。
10.根据权利要求8所述的显示装置，其特征在于其中所述的光电显示单元包含一电泳性物质或一电湿性物质。
11.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于其中所述的电极阵列为一主动式电极阵列。
12.根据权利要求11所述的显示装置，其特征在于其中所述的主动式电极阵列包含一薄膜电晶体。
13.一种显示装置的制造方法，其特征在于，包含：
于一基板上同时形成一低温多晶硅行集成驱动回路、一低温多晶硅列集成驱动回路及一电极阵列；以及
将一光电显示单元与该电极阵列相对设置。
14.根据权利要求13所述的显示装置的制造方法，其特征在于其中所述的低温多晶硅行集成驱动回路及低温多晶硅列集成回路以低温多晶硅薄膜电晶体制程而形成于该基板上。
15.根据权利要求13所述的显示装置的制造方法，其特征在于其中所述的电极阵列以低温多晶硅薄膜电晶体制程而形成于该基板上。
16.根据权利要求13所述的显示装置的制造方法，其特征在于更包含将一对向电极单元与电极阵列相对设置，以使光电显示单元位于对向电极与电极阵列之间。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| CNA2006101678756A CN101206370A (zh) | 2006-12-20 | 2006-12-20 | 显示装置及其制造方法 |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP3123230A1 (en) * | 2014-03-28 | 2017-02-01 | Amazon Technologies, Inc. | Electrode of an electrowetting device |
-
2006
- 2006-12-20 CN CNA2006101678756A patent/CN101206370A/zh active Pending
Cited By (2)
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|---|---|---|---|---|
| EP3123230A1 (en) * | 2014-03-28 | 2017-02-01 | Amazon Technologies, Inc. | Electrode of an electrowetting device |
| EP3123230B1 (en) * | 2014-03-28 | 2021-05-26 | Amazon Technologies, Inc. | Electrode of an electrowetting device |
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| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
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