CN101202280A - 一种scr静电保护器件及其制造方法 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 11
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 6
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims abstract description 45
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims abstract description 45
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract description 6
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 abstract description 4
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 abstract 2
- 238000007599 discharging Methods 0.000 abstract 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 7
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 208000027418 Wounds and injury Diseases 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 208000014674 injury Diseases 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
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- H01L29/861—Diodes
- H01L29/87—Thyristor diodes, e.g. Shockley diodes, break-over diodes
Abstract
本发明公开了一种SCR静电保护器件及其制造方法，该结构仍由P阱(4)中的P型注入区(2)、P阱(4)中的N型注入区(1)、N阱(3)中的P型注入区(2)、N阱(3)中的N型注入区(1)组成，但在上述P阱(4)中的N型注入区加入一个边缘的N阱注入区(6)。本发明由于在传统的可控硅结构的基础上增加了边缘N阱区(N阱注入区)，可以有效地降低可控硅的开启电压，而不影响其保护能力。本发明既无需增加新的工艺条件，同时又使得用于ESD放电的寄生NPN与PNP更容易开启，可以充分发挥其ESD能力。
Description
技术领域
本发明涉及一种半导体静电保护技术，尤其涉及一种SCR(SiliconControlled Rectifier，可控硅整流器)静电保护器件及其制造方法。
背景技术
目前半导体静电保护中广泛使用SCR作为静电放电(ESD，Electrostatic Discharge)保护器件。如图1所示，是常用的SCR的结构示意图，由P阱中的P型注入区、P阱中的N型注入区、N阱中的P型注入区、N阱中的N型注入区组成了P-N-P-N四层半导体结构。图3是上述常用SCR的等效电路，如图3所示，会形成寄生NPN和寄生PNP三极管的耦合，当有静电到来到达一定电压时会形成如图4所示的触发，从而形成放电保护。在ESD的防护能力上，这种结构能在较小的布局面积下，提供较高的ESD防护能力，其开启电压相当于N阱注入区与P型衬底区的接面击穿电压。由于N阱注入具有较低的掺杂浓度，因此其击穿电压可高达30-50V(依具体工艺而定)，具有如此高的击穿电压，使得其要保护的内部电路有可能早于其开启就被ESD静电电荷打坏。因此如何适当降低SCR静电保护器件的开启电压成为一个问题。
发明内容
本发明要解决的技术问题是提供一种SCR静电保护器件及其制造方法，可解决可控硅整流器的开启电压太高而导致保护能力不能得到充分发挥的问题。
为解决上述技术问题，本发明提出了一种SCR静电保护结构，也由P阱中的P型注入区、P阱中的N型注入区、N阱中的P型注入区、N阱中的N型注入区组成，但在上述P阱中的N型注入区加入一个边缘的N阱注入区。为制造上述的静电保护器件，可利用常规工艺在上述P阱中的N型注入区加入一个边缘的N阱注入区。
本发明由于在传统的可控硅结构的基础上增加了边缘N阱区(N阱注入区)，可以有效地降低可控硅的开启电压，而不影响其保护能力。本发明既无需增加新的工艺条件，同时又使得用于ESD放电的寄生NPN与PNP更容易开启，可以充分发挥其ESD能力。
附图说明
图l是常用的SCR的结构示意图；
图2是本发明一个具体实施例的结构示意图；
图3是图1所示常用SCR的等效电路图；
图4是常用SCR进行静电保护时的触发示意图，V是电压，I为电流；
附图标记：1为N型注入区，2为P型注入区，3为N阱注入区，4为P阱注入区，5为P型衬底，6为边缘N阱区(N阱注入区)。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施例对本发明作进一步详细的说明。
首先简述本发明的原理：由于NPN三极管的开启点是由NPN的基极与发射极的PN结正向导通决定的，而N阱与P阱的漏电形成的衬底电流与衬底电阻R1决定PN结正向导通的主要因素，当考虑把图1所示在P阱中的N型注入区域加入一个边缘的N阱注入区后，图3所示的衬底电阻R1会增大，从而会使得SCR结构更容易触发，因而能够得到更好的静电保护效果。
实施例：
如图2所示，是本发明一个具体实施例的结构示意图，其中：1为N型注入区，2为P型注入区，3为N阱注入区，4为P阱注入区，5为P型衬底，6为边缘N阱区(N阱注入区)。本实施例中SCR仍然包括了P-N-P-N四层半导体结构，但考虑到上述的发明原理，本实施例在图1所示的P阱(PWell)中的N型(N+)注入区域加入一个边缘N阱注入区(Nwell)后，图3所示的衬底电阻R1电阻会增大，从而会使得实施例中SCR结构更容易触发，且不影响其保护能力。因而相对传统的SCR结构而言，能够得到更好的静电保护效果。需指出，要制造本发明的SCR，仅需利用常规工艺在P阱中的N型注入区加入一个边缘的N阱注入区，而无需增加新的工艺条件。
必须指出，根据试验数据，本发明的SCR静电保护器件，可应用于触发电压为10-100V的半导体静电保护电路中。
综上所述，本发明在传统的可控硅结构的基础上增加了边缘N阱区，可以有效地降低可控硅的开启电压，而不影响其ESD保护能力。本发明无需增加新的工艺条件，可以应用于保护内部电路免受静电伤害。
Claims (3)
1.一种SCR静电保护器件，由P阱中的P型注入区、P阱中的N型注入区、N阱中的P型注入区、N阱中的N型注入区组成，其特征在于，在所述P阱中的N型注入区加入一个边缘的N阱注入区。
2.根据权利要求2所述的SCR静电保护器件，其特征在于，可应用于触发电压为10-100V的半导体静电保护电路中。
3.一种制造权利要求1所述的静电保护器件的方法，其特征在于，利用常规工艺在所述P阱中的N型注入区加入一个边缘的N阱注入区。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN 200610119399 CN101202280A (zh) | 2006-12-11 | 2006-12-11 | 一种scr静电保护器件及其制造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN 200610119399 CN101202280A (zh) | 2006-12-11 | 2006-12-11 | 一种scr静电保护器件及其制造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN101202280A true CN101202280A (zh) | 2008-06-18 |
Family
ID=39517338
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN 200610119399 Pending CN101202280A (zh) | 2006-12-11 | 2006-12-11 | 一种scr静电保护器件及其制造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN101202280A (zh) |
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-
2006
- 2006-12-11 CN CN 200610119399 patent/CN101202280A/zh active Pending
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| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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