CN101183210A - 检测系统和方法 - Google Patents

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CN101183210A CNA2007101655886A CN200710165588A CN101183210A CN 101183210 A CN101183210 A CN 101183210A CN A2007101655886 A CNA2007101655886 A CN A2007101655886A CN 200710165588 A CN200710165588 A CN 200710165588A CN 101183210 A CN101183210 A CN 101183210A
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弗朗西斯·古德温
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Abstract

本申请公开了检测系统和方法。优选的实施例包括检测系统，检测系统包括用于光罩的支撑件和包括透镜系统的显微镜。透镜系统包括至少一个透镜，至少一个透镜包括至少一个菲涅耳元件，其中，至少一个菲涅耳元件是非圆形的。

Description

检测系统和方法
技术领域
本发明总体涉及半导体器件的制造，更具体地涉及用于图案化半导体器件的材料层的用于光罩的检测(inspection)系统和方法。
背景技术
一般地，半导体器件用于诸如计算机、移动电话、个人计算装置、及许多其它应用的多种电子应用中。例如，在过去仅包括机械组件的家用的、工业的、及自动的装置现在具有需要半导体器件的电子部件。
通过在半导体工件、晶片、或衬底上沉积许多不同类型的材料层并利用光刻图案化多种材料层来制造半导体器件。材料层通常包括被图案化及蚀刻以形成集成电路(ICs)的导体、半导体、及绝缘材料的薄膜。例如，有多种形成在单模(single die)或芯片(chip)上的晶体管、存储器件、开关、导线、二极管、电容器、逻辑电路、及其它电子组件。
光学光刻涉及使光投射或传送经过掩模或光罩上的由不透光或半透明的区域和透光的或透明的区域组成的图案。许多年来，在半导体工业方面，诸如接触式印刷、接近式印刷、及投影印刷的光学光刻技术被用于图案化集成电路的材料层。透镜投影系统和传输光刻掩模被用于图案化，其中，光经过光刻掩模以侵入(impinge upon)沉积在半导体晶片或工件上的感光材料层。发展之后，感光材料层被用作图案化下层材料层的掩模。例如，在诸如超紫外线(EUV)光刻系统的一些光刻系统中，反射透镜和掩模被用于图案化沉积在衬底上的感光材料层。
在EUV光刻中，需要不时地检测被用于图案化半导体器件的材料层的EUV光刻掩模或光罩。
在该技术领域中需要一种用于光刻光罩的改进的检测系统和方法。
发明内容
通过提供了用于光刻光罩的检测系统和方法的本发明的优选实施例总体解决或围绕这些和其它问题，并总体上实现了技术优势。
根据本发明的优选实施例，检测系统包括用于光罩的支撑件(support)和包括透镜系统的显微镜。该透镜系统包括至少一个透镜，透镜包括至少一个菲涅耳(Fresnel)元件，其中，至少一个菲涅耳元件是非圆形的。
为了可以更好的理解以下本发明的详细描述，上述已经相当宽地概括论述了本发明的实施例的特征和技术优点。以下将描述本发明的实施例的其它特征和优点，它们形成了本发明的权利要求的主题。本领域技术人员应该理解，被公开的内容和特定实施例可以很容易地用作用于改进或设计用于实现本发明的同样目的的其它结构和处理的基础。本领域技术人员还应该认识到，等价的结构并不背离所附权利要求中提出的本发明的精神和范围。
附图说明
为了更彻底地理解本发明及其优点，现在将参考结合附图的以下描述，在附图中：
图1示出了根据本发明实施例的包括透镜(透镜包括多个菲涅耳元件)的光学系统，其中，菲涅耳元件是非圆形的；
图2示出了根据本发明实施例的包括多个菲涅耳元件(菲涅耳元件包括关于两个轴不对称的卵形(oval))的透镜的正视图；
图3示出了图2所示的透镜的透视图；
图4示出了根据本发明另一个实施例的包括关于两个轴不对称的菲涅耳元件的多个透镜的正视图，其中，菲涅耳元件包括矩形形状；
图5示出了根据本发明的优选实施例的用于包括物镜(物镜包括多个关于两个轴不对称的菲涅耳元件)的光刻光罩的检测系统；
图6示出了图5所示的接近光罩的上表面和检测系统的透镜系统的物镜的区域的更详细视图；
图7示出了根据本发明的另一个优选实施例的用于包括聚光透镜(聚光透镜包括多个关于两个轴不对称的菲涅耳元件)的光刻光罩的检测系统；以及
图8示出了根据本发明的实施例的检测系统的透镜的透视图，其中，菲涅耳元件包括多个线性栅格。
不同附图中的相应的数字和符号除非另外指明，通常指代相应的部件。绘制附图以清楚地示出优选实施例的相关方面，并且不必按比例绘制。
具体实施方式
以下详细描述所提出的优选实施例的制造和使用。但是，应该理解，本发明的实施例提供了能够在较宽种类的特定背景下实施的许多可应用的发明思想。所描述的特定实施例仅是制造和使用本发明的特定方式的示例，并不限制本发明的范围。
EUV光刻光罩显微镜通常用于检测EUV光刻光罩。当检测光刻掩模或光罩时，EUV光刻光罩显微镜利用透镜系统投射EUV光刻光罩显微镜的照明源的图像。传统EUV光刻光罩显微镜的光学路径中所用的透镜具有圆形形状。需要较大的透镜来投射源的图像到被检测的EUV光刻光罩上。但是，例如，由于制造较大透镜的成本较大，限制了透镜的大小，尤其是透镜系统的物镜的大小。
因此，例如，EUV光刻光罩显微镜的透镜系统中的透镜可能在检测过程中不足以全部将照明源投射或分解(resolve)到EUV光刻光罩上。图像焦点可能离物镜太远，支撑被检测的EUV光刻光罩的台的移动可能不足以在单次通过或扫描中捕获源的整个图像和检测全部EUV光刻光罩。因此，可能需要利用传统的EUV光刻光罩显微镜分别检测EUV光刻光罩的区域，这增加了检测EUV光刻光罩所需的时间量并降低了吞吐量。
因此，在本领域需要用于检测EUV光刻光罩的改进的EUV光刻光罩显微镜及改进的检测方法。
过去，以其发明者Augustin-Jean Fresnel命名的菲涅耳透镜经常被用作灯塔(lighthouse)中的透镜。菲涅耳透镜朝着光路的中心聚焦光，使得从光源发射的光在更远的距离也可见。例如，菲涅耳透镜也被用在诸如用于剧院及电影的照明仪器和大型汽车或旅游汽车(RVs)的窗子上的放大镜的其它应用中。
本发明的实施例通过利用EUV光刻光罩显微镜的光学路径中的包括多个非圆形(non-circular)的菲涅耳元件或区域的菲涅耳透镜实现技术优势。例如，菲涅耳透镜用于在被检测的EUV光刻光罩上使EUV光刻光罩显微镜的源成像。在EUV光刻光罩显微镜中应用具有非圆形菲涅耳元件的菲涅耳透镜有利地增大了EUV光刻光罩显微镜的检测区域。
将参考特定上下文中(即，被应用在用于EUV光刻系统中的EUV光刻光罩的检测系统中)的优选实施例描述本发明。例如，本发明的实施例具有用于EUV光刻光罩的检测系统中的和其它类型的产品或测试光刻光罩中的有用应用。例如，本发明的实施例还可以用在诸如显微镜、照相机、望远镜、或双目镜的其它光学系统中，将在下文中进一步描述。
首先参考图1，光学系统100包括透镜系统102，透镜系统包括一个或多个透镜。例如，在一些实施例中，光学系统100优选地包括EUV光刻光罩显微镜，并且可选地可以包括诸如其它类型的显微镜或望远镜的其它光学系统。
光学系统100的透镜系统102优选地包括用在用于放大图像(例如，物体或特征)的光学仪器中的透镜系统。例如，透镜系统102可以包括用在光学显微镜、望远镜、或其它类型的图像放大装置中的透镜系统。透镜系统102可以包括用在用于多种应用(诸如半导体光刻试验科学、生物学、以及医学和生物医学科学或研究中)的显微镜中的透镜系统，但透镜系统102还可以包括用在用于其他应用的显微镜中的透镜系统。例如，透镜系统102可以包括用于利用了明场、暗场、或莱因伯格照明(Rheinberg illumination)的显微镜的透镜系统。
透镜系统102还可以包括用在诸如空间应用、天文观测、用于个人使用的改进距离观看、或其它应用的多种应用中的望远镜的部分。例如，透镜系统102可以包括望远镜的折射透镜或反射透镜。例如，透镜系统102还可以包括用于诸如便携式望远镜、或双目镜、或安装在步枪或其它武器上的瞄准镜(scope)的多种用途的放大取景器(viewer)中使用的透镜系统。
光学系统100包括设置在透镜系统102的一侧的取景器110和透镜系统102的另一侧待观察的目标114。例如，取景器110可以包括光学系统100中的照相机、数字照相机、电荷耦合器件(CCD)、计算机、处理器、或定位器(location)，其中，操作者(例如，人)可以通过透镜系统100观看目标114，但是取景器110也可以包括其它器件。
待观看的目标114可以包括诸如光或EUV光照明源的照明源(未示出)，但也可以使用其它源。例如，目标114可以包括天空中的星体或目标，其中，透镜系统102例如包括望远镜的反射镜。目标114可以包括待观看的目标，例如，离透镜系统102距离很远的目标，例如，当光学系统100包括望远镜、双目镜、或瞄准镜时，目标114可以不包括照明源。
优选地，根据本发明的实施例，光学系统100包括设置在光学路径116中的透镜160，该透镜包括至少一个非圆形的菲涅耳元件。透镜160的至少一个菲涅耳元件相对于第二轴可以关于第一轴非对称，或者可以包括多个线性或纵向延展(lengthwise-extending)的栅格，在下文中将进一步描述。优选地，在本发明的一些实施例中，如图1所示，将透镜160沿着光学路径116设置在透镜系统102中。例如，透镜系统102可以包括透镜160，该透镜包括至少一个非圆形的菲涅耳元件。在其它实施例中，如图1中的图(phantom)，包括至少一个非圆形的菲涅耳元件的透镜160可以从透镜系统102分离。
本发明的实施例包括显微镜、望远镜、双目镜、照相机、及其它光学系统100，该光学系统包括至少一个非圆形的菲涅耳元件160。例如，在一些实施例中，光学系统100可以包括如图2所示的卵形或椭圆形的透镜160。在其它的实施例中，光学系统100可以包括如图4所示的矩形透镜260。例如，光学系统100可以可选地包括如图8所示的透镜560，该透镜包括多个设置一个轴上并在该轴上纵向延伸的线性栅格。
在优选实施例中，例如，光学系统100包括透镜260，诸如如图4所示的设置在光学系统100的光学路径116中的透镜260。透镜260包括至少一个菲涅耳元件262a、262b、262c、及262d，透镜260的至少一个菲涅耳元件262a、262b、262c、及262d为矩形形状。例如，光学系统100可以包括显微镜、望远镜、照相机、或双目镜、或其它光学系统或装置。透镜260包括多个同心的矩形菲涅耳元件262a、262b、262c、及262d，每个逐渐变大的菲涅耳元件262a、262b、262c、及262d均包括第二宽度，例如，菲涅耳元件262b的宽度d2小于较小的相邻菲涅耳元件的第一宽度，例如，菲涅耳元件262a的宽度d1小于菲涅耳元件262b。
图2示出了根据本发明的优选实施例的包括多个菲涅耳元件162a、162b、162c、及162d(多个菲涅耳元件包括关于透镜160的两个轴x和y不对称的卵形或椭圆形形状)的透镜160的正视图。图3示出了如图2所示的透镜160的透视图。5个菲涅耳元件162a、162b、162c、162d、及162e在图3中示出，4个菲涅耳元件162a、162b、162c、及162d在图2中示出；可选地，根据本发明的实施例，根据透镜160所应用的光学系统，透镜160可以包括更小或更大数目的菲涅耳元件。
根据本发明的优选实施例的菲涅耳元件162a、162b、162c、162d、及162e包括多个由不透明或光学光吸收材料166形成的同心椭圆或环形孔。菲涅耳元件162a、162b、162c、162d、及162e包括用于产生相长的(constructive)和相消的(destructive)的光干涉的菲涅耳区域。如所示出的，被图案化为卵形环的不透明或光吸收材料166可以粘合或结合到透明或光反光材料168上。例如，菲涅耳元件162a、162b、162c、162d、及162e优选地包括菲涅耳透镜，菲涅耳透镜包括形成在其它基本上不透明或光吸收光罩160上的透明或光反射卵形或椭圆形环。例如，作为实例，不透明或光吸收光罩166优选地包括铬(Cr)，并且透明或反光材料168优选地包括石英或玻璃，但是其它材料也可以用于透镜160。
透镜160包括至少一个具有第一轴x和第二轴y的菲涅耳透镜。例如，第二轴y优选地基本上垂直于第一轴x。如所示出的，菲涅耳透镜160包括至少一个在附近设置的菲涅耳元件162a、162b、162c、162d、及162e，例如，菲涅耳元件162a、162b、162c、162d、及162e包括第一轴x和第二轴y。如所示出的，至少一个菲涅耳元件162a、162b、162c、162d、及162e优选地相对于第一轴x在第二轴y上被拉伸。
例如，参考图2，至少一个菲涅耳元件162a、162b、162c、及162d中的每一个优选地包括第一轴x上的第一半径xn和第二轴y上的第二半径yn，其中，n＝1、2、3、等...，并且其中，第二半径yn小于低于半径xn。例如，菲涅耳元件162a包括第一轴x上的第一半径x1和第二轴y上的第二半径y1，其中，第一半径x1大于第二半径y1。同样，如所示出的，菲涅耳元件162b、162c、及162d包括分别在第一轴x上的第一半径x2、x3、及x4和分别在第二轴y上的第二半径y2、y3、及y4，其中，各个菲涅耳元件162b、162c、及162d的第一半径x2、x3、及x4大于各个菲涅耳元件162b、162c、及162d的第二半径y2、y3、及y4。
如图2所示，各个菲涅耳元件162a、162b、162c、及162d优选地包括分别用于各个菲涅耳元件162a、162b、162c、及162d的恒定宽度或厚度d1、d2、d3、及d4，其中，对于每个菲涅耳元件162a、162b、162c、及162d，菲涅耳元件162a、162b、162c、及162d的宽度d1、d2、d3、d4从第一轴x和第二轴y的原点164向四周逐渐变小。例如，对于每个菲涅耳元件162a、162b、162c、及162d，半径不是恒定的，但是每个菲涅耳元件162a、162b、162c、及162d的宽度d1、d2、d3、及d4分别优选为恒定的。
例如，在一些实施例中，透镜160优选地包括第一菲涅耳元件162a，第一菲涅耳元件具有第一最小半径y1、第一最大半径x1、及第一厚度d1。透镜160优选地包括第二菲涅耳元件162b，第二菲涅耳元件具有第二最小半径y2、第二最大半径x2、及第二厚度d2。第二菲涅耳元件的162b的第二厚度d2优选地小于第一菲涅耳元件的162a的第一厚度d1。优选地，例如菲涅耳元件162a、162b、162c、及162d离原点164越远，菲涅耳元件162a、162b、162c、及162d的厚度d1、d2、d3、及d4越小。
进一步地，第二菲涅耳元件162b的第二最小半径y2优选地大于第一菲涅耳元件162a的第一最小半径y1，第二菲涅耳元件162b的第二最大半径x2优选地大于第一菲涅耳元件162a的第一最大半径x1。因此，第二菲涅耳元件162b和第一菲涅耳元件162a关于轴x和y的原点同心。
同样的，其它的菲涅耳元件162c和162d优选地还关于轴x和y的原点164与第一菲涅耳元件162a和第二菲涅耳元件162b同心。例如，透镜160可以包括至少一个第三菲涅耳元件162c和162d或多个第三菲涅耳元件。每个第三菲涅耳元件162c和162d优选地具有第三最小半径y3或y4、第三最大半径x3或x4、及第三厚度d3或d4。第三菲涅耳元件162c或162d的第三厚度d3或d4优选地小于第二菲涅耳元件162b的第二厚度d2。第三菲涅耳元件162c或162d的第三最小半径y3或y4优选地大于第二菲涅耳元件162b的第二最小半径y2。例如，第三菲涅耳元件162c或162d的第三最大半径x3或x4优选地大于第二菲涅耳元件162b的第二最大半径x2。
在将菲涅耳透镜160应用在光学系统100的过程中，例如，由菲涅耳透镜160来挡住(block)光的偶数或奇数衍射级别。例如，系统中的光的衍射级别可以包括零级(0)和一级(-1和+1)。通过阻挡光的偶数或奇数衍射级别，仅得到剩余级别的相长干涉，这导致了焦距中的离散梯级(step)。可以利用菲涅耳透镜160的同心菲涅耳元件162a、162b、162c、及162d的设计的最小和最大半径来对这些离散长度进行调整(tailor)。因此，如图5所示，例如，菲涅耳透镜160可以被设计为用作EUV光刻光罩显微镜380的透镜系统382中的透镜360。
菲涅耳透镜360(以及图2所示的透镜160、图4所示的透镜260、图7所示的透镜460、及图8所示的透镜560)能够在光罩314和用于在测试的情况下支撑光罩314的台或支撑件312的运动限制范围内，使EUV光刻光罩显微镜380的照明器308的源成像到EUV光罩314上。例如，在显微镜380被用于在方向384上检测光罩314时，移动用于光罩314的支撑件312，同时透镜系统382保持静止。
再次参考图3，一个实施例中的菲涅耳透镜160包括不对称卵形衍射栅格，该栅格由可变的不透明或光吸收以及透明或光反射菲涅耳区域或元件162a、162b、162c、162d、及162e组成。例如，菲涅耳透镜160的每个透明或反射环具有与相邻的透明或反射环不同的宽度(见图2的宽度d1、d2、d3、及d4)。以波长λ对菲涅耳透镜160进行光侵入(impinge)，衍射波被聚焦到多个聚焦点。在平面波照射下，菲涅耳透镜160衍射入射波并将这些波聚焦到不同的位置或不同的焦点。
在图3中，例如，光的一级衍射波被聚焦到初级或一级焦点P’。有利地，由于菲涅耳透镜160的影响，焦点P’可以包括比焦距P短的焦距。如图5所示，菲涅耳透镜160可以放置在光学系统的光学路径中，并且可以用于缩短焦平面P，使源的图像的焦平面P到达位于焦点P’的待检测的光罩314的水平。
图3还示出了如在焦点P’的图像平面中所示的检测区域170可以沿着轴(例如，轴x’)增大。因为透镜160是非对称的，与y’轴相比，检测区域170沿着x’轴增大。因为可以检测光罩的更大区域并且可以更快地检测光罩，所以这是有利的。因此，根据本发明的实施例可以提高诸如图5所示的EUV光刻显微镜380的检测工具或系统的吞吐量。
图4示出了透镜260的正视图，该透镜包括多个关于轴x和y非对称的菲涅耳元件262a、262b、262c、及262d，其中，菲涅耳元件262a、262b、262c、及262d包括矩形形状。注意图4中使用了与之前图中使用相同的标号，并且为了避免重复，以下不详细描述所有的元件。另外，类似的材料和器件x62、x64、x66、x68、等...优选地被用于如之前图所示出的多个元件，其中，图1到图3中，x＝1，图4中，x＝2。
该实施例中的透镜260包括多个同心的矩形菲涅耳元件262a、262b、262c、及262d，每个逐渐变大的菲涅耳元件262b、262c、262d均包括小于较小的相邻菲涅耳元件的第一宽度(例如，元件262a的d1)的第二宽度(例如，元件262b的d2)。卵形透镜260包括矩形菲涅耳元件262a、262b、262c、及262d，该矩形菲涅耳元件可以应用在诸如图5和图7所示的显微镜的EUV光刻光罩显微镜中。卵形透镜260还可以应用在诸如图1所示的光学系统100的其它类型光学系统中。例如，本发明的实施例还包括卵形光学系统100，该光学系统包括卵形透镜260。
图5示出了根据本发明的优选实施例的用于光刻光罩314的检测系统380，包括物镜360，该物镜包括多个非圆形的菲涅耳元件。检测系统380优选地包括用于检测EUV光刻光罩314的EUV光罩显微镜。为了检测光罩，待检测的光罩314被放置在用于光罩314的支撑件312上。用于光罩314的支撑件312可以包括用于例如利用一个或多个电机(未示出)在x、y、及z方向上移动的台或其它支撑结构。EUV光罩显微镜的透镜系统382通常是静止的，支撑件312相对于透镜系统382移动，同时例如在方向384上检测光罩314。
透镜系统382包括接近用于光罩314的支撑件312的物镜360和在透镜系统382的相对端的物镜360对面的聚光透镜304。透镜系统382还可以包括透镜支撑板(未示出)，物镜360和聚光透镜304安装在支撑件板上。在图5所示的实施例中，物镜360优选地包括菲涅耳透镜，菲涅耳透镜具有至少一个非圆形菲涅耳元件(未示出；见图2、图3、图4、及图8所示的透镜160、260、及560)。
如图6中更详细的视图所示，优选地，以比物镜360到光罩314之间的间隔更远的距离d5定位聚光透镜304使其远离光罩314。例如，聚光透镜304与光罩314之间的间隔为大约1英尺(foot)或更大的距离d5，并且物镜360与光罩314之间的间隔为大约10mm或更小的距离d6，但是距离d5和距离d6可选地可以包括其它尺寸。例如，在一些实施例中，距离d6可以包括几厘米。在透镜系统382中，物镜360和聚光透镜304优选地间隔例如大约1英尺或更大的距离。
再次参考图5，EUV光罩显微镜380包括接近透镜系统382的EUV光源308。例如，EUV光源308在此还被称为能量源。能量源308优选地用于产生具有大约13.5nm的波长的光子，但是在一些实施例中，例如，还可以使用其它能量的波长。
由聚光透镜304和物镜360组成的透镜系统382被设置在EUV光源308和用于EUV光刻光罩314的支撑件312之间。EUV光罩显微镜380还包括接近透镜系统382的能量收集器(collector)310，例如，该收集器可以接近EUV光源308。EUV光源308用于利用EUV光来照射设置在支撑件312上的光罩314，能量收集器310可以包括照相机、电荷耦合器件(CCD)、或用于捕捉来自EUV光源308的、被EUV光刻光罩314反射的EUV光或能量的其它装置。
根据本发明的实施例，为了检测光罩314，可以例如由操作者(未示出)通过空腔(chamber)的负荷闭锁(load lock)来将EUV光刻光罩314加载到用于光罩314的支撑件上。EUV光刻光罩显微镜380的透镜系统382和台312可以包括在例如空腔(未示出)中，例如，对腔增压和/或包括真空。操作者拿起光罩314并通过负荷闭锁将光罩314放置在支撑件312上。
例如，在一些实施例中，光罩314优选地包括EUV光刻光罩，并且优选地包括一个或多个诸如布拉格(Bragg)反射镜的反光材料。例如，可选地，光罩314可以包括透射材料(transmissive material)、交替式相移材料(alternating phase shifting material)、衰减材料(attenuating material)、或其一种或多种反光材料的结合。例如，光罩314可以包括光刻掩模，光刻掩模包括不透明或光吸收区域和透明或光反射区域。例如，本发明的实施例还可以应用在用于交替式相移掩模的检测方法和系统中，应用在与包括不透明或光吸收区域和透明或光反射区域的结合中，以及应用在其它类型的光刻掩模中。
光罩314可以包括基本上透明的材料，该透明材料包括具有厚度为约1/4″的石英玻璃，带有粘合到石英玻璃上的具有约30nm的厚度的诸如铬的不透明材料。可选地，光罩314可以包括约70nm的诸如硅化钼(MoSi)、或双层的钽和硅氧化物(Ta/SiO2)的半透明材料。例如，该光罩314还可以由形成反射表面的硅和钼的多层组成，并可以包括氮化钽(TaN)的吸收材料。例如，可选地，光罩314可以包括其它透明或光反光材料和不透明或光吸收材料。光罩314可以包括基本为正方形的衬底，并且可以包括具有约6英寸边长的正方形，可选地，光罩314可以包括其他形状和尺寸。
EUV光刻光罩显微镜380利用例如环形照明(但还可以利用其它类型的照明)通过包括聚光透镜306和卵形物镜360的透镜系统382投射来自EUV光源308的EUV光或其它能量，以使EUV光聚焦到光罩314上。在检测处理过程中，EUV光从光罩314经过透镜系统382朝向吸收EUV光的能量收集器310或照相机被反射。照相机310收集EUV光并存储检测过程中获取的信息。
如所示出的，在检测处理过程中，可以通过台312在方向384上移动光罩314。优选地，将光罩314设置于台312上，使得具有拉长的半径的轴x或菲涅耳透镜360的菲涅耳元件的部分平行于移动方向384。例如，在图2和图3中，图5所示的光罩314优选地在方向384上移动，使得在与相对于图2和图3所示的菲涅耳透镜160被拉长的轴x平行的扫描方向194上扫描被测试的光罩314。同样地，优选地在方向384上移动图5所示的光罩314，使得在与相对于图4所示的菲涅耳透镜260被拉长的轴x平行的扫描方向294上扫描被测试的光罩314。
例如，照相机310捕捉从光罩314反射的光源308的源的图像。例如，检测系统380可以包括用于处理和存储(未示出)由能量收集器或照相机310收集的信息的计算机、软件、操作界面、及其它硬件和系统(未示出)。
图7示出了根据本发明的另一个优选实施例的用于光刻光罩414的检测系统480，检测系统包括聚光透镜460，该聚光透镜包括多个非圆形的菲涅耳元件。再次，使用与之前的图中描述的多个元件相同的标号，并且为了避免重复，在此不再详细描述图7所示的各个参考标号。在该实施例中，例如，透镜系统482的聚光透镜460优选地包括具有至少一个非圆形的菲涅耳元件的菲涅耳透镜，并且物镜406不包括菲涅耳透镜。
可选地，根据本发明的又一个实施例，聚光透镜460和物镜406均可以优选地包括非对称或非圆形的菲涅耳透镜，该菲涅耳透镜具有多个对称和/或非圆形的菲涅耳元件(未示出)。
图8示出了根据本发明的实施例的诸如图5和图7分别示出的检测系统380或480的检测系统的透镜560的透视图，其中，菲涅耳元件596a、596b、596c、及596d包括多个线性栅格。线性栅格沿着一个轴(例如，y轴)纵向延伸，并关于透镜560的中心轴(y，图8中未示出)的一侧逐渐变小；例如，菲涅耳元件596a具有大于菲涅耳元件596b的宽度d2的宽度d1。菲涅耳元件596c具有小于菲涅耳元件596b的宽度d2的宽度d3，菲涅耳元件596d具有小于菲涅耳元件596c的宽度d3的宽度d4。
在该实施例中，再次参考图5，优选地，将光罩314设置在台312上，使得垂直于光罩314的移动方向384设置包括菲涅耳透镜360的菲涅耳元件的栅格。例如，在图8中，优选地，在方向384上移动图5所示的光罩314，使得在扫描方向594上扫描被测试的光罩314，该扫描方向垂直于图8所示的菲涅耳透镜560的纵向线性栅格596a、596b、596c、及596d。有利地，例如，将该实施例中的透镜560被限制为仅沿着一个轴，并可以使该透镜大到足以覆盖光罩314的全部宽度。
注意在图8中示出了经过透镜560的光的衍射级别。在590示出了0级，在592是出了+/-一级(+1和-1)。
本发明的实施例还包括制造半导体器件(未示出)的方法。例如，根据本发明的优选实施例，制造半导体器件的方法包括：提供用于光刻光罩314或414的检测系统380或480(见图5和图7)，该检测系统380或480包括用于光刻光罩314或414的支撑件312或412。检测系统380或480包括显微镜，该显微镜包括：能量源308或408；透镜系统382或482，设置在用于光刻光罩314或414和能量源308或408的支撑件312或412之间；以及能量收集器310或410，接近透镜系统382或482。透镜系统382或482包括至少包括一个菲涅耳元件的透镜160、260、360、460、或560(见图1至图8)，其中，至少一个菲涅耳元件是非圆形的。
制造半导体器件的方法包括：在用于检测系统的光刻光罩的支撑件312或412上设置光刻光罩314或414；利用检测系统380或480检测光刻光罩314或414；以及利用光刻光罩314或414使半导体器件感光(affecting)。在利用此描述的新的检测系统380或480来检测光刻光罩314或414之后，该方法可以进一步包括例如：清洁光刻光罩314或414；重新放置光刻光罩314或414；改变光刻光罩314或414；或改变用于利用光刻光罩314或414使半导体器件感光的光刻系统(未示出)的参数。
利用由在此描述的新的检测系统380或480和检测方法检测的光刻光罩314或414使半导体器件感光可以包括例如：提供工件，该工件包括设置于其上的材料层和设置于材料层之上的感光材料层；以及利用光刻光罩314或414制造感光材料层的图案。利用光刻光罩314或414使半导体器件感光可以包括：将感光材料层用作掩模以改变工件的材料层，并移除感光材料层。
改变工件的材料层可以包括例如：移除至少一部分材料层，在该材料层之上沉积第二材料层，或向材料层中注入物质，但是可选地，可以以其它方式改变工件的材料层。半导体器件的材料层可以包括例如导电材料、绝缘材料、半导电材料、或者多层或其结合。
本发明的实施例还包括利用在此描述的检测系统100、240、或360的新的检测方法。例如，根据一个实施例，检测方法优选地包括：提供用于光刻光罩314或414的检测系统380或480，该检测系统380或480包括先前描述的图5、图6、及图7所示的用于光刻光罩314或414的支撑件312或412和其它元件。该检测系统380或480优选地包括透镜系统382或482，透镜系统包括透镜160、260、360、460、及560，透镜包括至少一个菲涅耳元件，至少一个菲涅耳元件为非圆形的。
该检测方法包括：将光刻光罩314或414设置在用于检测系统380或480的光刻光罩的支撑件312上，并检测光刻光罩314或414。透镜160或260可以包括第一轴(在该实施例中，为y轴)和第二轴(x)，其中，至少一个菲涅耳元件相对于透镜160或260的第一轴(y)在第二轴(x)上被拉长。检测光刻光罩314或414可以包括例如：在检测光刻光罩314和414时，在平行于第二轴(x)的方向194或294上移动透镜160或260。
在另一个实施例中，透镜560(见图8)包括第一轴(垂直的)和垂直于第一轴的第二轴，其中，至少一个菲涅耳元件596a、596b、596c、及596d包括多个线性栅格，该线性栅格在平行于透镜560的第一轴(在该实施例中为y轴)的方向上、在与透镜560交叉的纵向上延伸。在该实施例中，检测光刻光罩314或414优选地包括例如：在检测光刻光罩314或414时，在平行于第二轴(x)的方向上移动透镜560。
本发明的实施例还包括例如利用在此描述的新的检测系统380及480和方法检测的光刻光罩314或414图案化的半导体器件。利用在此描述的检测系统380及480和方法检测的光刻光罩314或414图案化的半导体器件的特征可以包括例如：晶体管栅极、导线(conductive line)、通孔(via)、电容板、及其它特征。本发明的实施例可以用于例如图案化存储器件、逻辑电路、和/或电源电路的特征，但还可以利用在此描述的新的检测系统380及480和方法检测的新的光刻光罩314或414制造其它类型的IC。
例如，当本发明的实施例被用于对使用超紫外线(EUV)光(例如，在约13.5nm的波长)的光刻系统中所使用的光罩314和414进行检测时，本发明的实施例是尤其有利的。例如，当本发明的实施例被用于对深紫外线(DUV)光刻系统、浸入式光刻系统(immersion lithography)、或其它使用用于照明的可见光的光刻系统中所使用的光罩314和414进行检测时，本发明的实施例也是有利的。例如，本发明的实施例可以用于对光刻系统、步进式电动机(stepper)、扫描器、步进和扫描(step-and-scan)曝光工具、或其它曝光工具中所使用的光罩314和414进行检测。例如，在此描述的实施例可用于对利用折射及反射光学并具有高和低的数值孔径(NA)的光刻系统中所使用的光罩314和414进行检测。
本发明的实施例的优点包括：提供用于对光刻光罩314和414进行测试和检测的新的检测系统380和480和方法。例如，新的检测系统380和480可以用于确定是否需要清洁或替换光刻光罩314或414，或确定用于清洁光刻光罩314和414的清洁处理的有效性。
本发明的其它实施例的优点包括例如：提供包括形状为矩形的菲涅耳元件262a、262b、262c、及262d的新的透镜260(见图4)，并提供包括新的矩形菲涅耳元件的光学系统100(见图1)，其中，新的矩形菲涅耳元件包括透镜260。
在图2、图3、及图4所示的实施例中，透镜160和260包括与另一个轴(y轴)相比沿着一个轴(x轴)延伸或拉长的非圆形的菲涅耳元件。例如，可以在检测系统380或480中沿着多个轴中的一个轴实现并安装菲涅耳元件的延长，使得透镜160和260有利地不阻碍被检测的光罩314或414的照明的光学路径。
具有非圆形菲涅耳元件的新的非对称透镜160、260、360、460、及560提供了更快速地对EUV光刻光罩314和414进行检测而不损失分辨率的能力。通过本发明的新的实施例实现了用于光刻光罩314和414的检测系统380和480的增大的吞吐量。
尽管已经详细描述了本发明的实施例和它们的优点，但是应该理解，在不背离由所附权利要求限定的本发明的精神和范围的情况下，在此可以进行各种变化、替换、及改变。例如，本领域技术人员容易想到，可以改变在此描述的许多特征、功能、处理、及材料，同时又处于本发明的范围之内。而且，本申请的范围不局限于说明书中描述的物质、手段、方法、及步骤的处理、设备、制造、布局的特定实施例。作为本领域的普通技术人员将从本发明的公开中容易理解，根据本发明可以使用与在此描述的相应实施例实现基本上相同的功能或达到基本上相同的结果的现有或以后将被开发的物质、手段、方法、或步骤的处理、设备、制造、布局。因此，所附权利要求用于将这种处理、设备、制造、布局涵盖在其范围内。

Claims (27)

1.一种检测系统，包括：
用于光罩的支撑件；以及
显微镜，包括透镜系统，所述透镜系统包括包含至少一个菲涅耳元件的至少一个透镜，其中，所述透镜系统的所述至少一个透镜的所述至少一个菲涅耳元件是非圆形的。
2.根据权利要求1所述的检测系统，其中，所述至少一个菲涅耳元件包括第一轴和第二轴，其中，所述至少一个菲涅耳元件在所述第二轴上被拉长。
3.根据权利要求2所述的检测系统，其中，所述至少一个菲涅耳元件包括所述第一轴上的第一半径和所述第二轴上的第二半径，其中，所述第二半径大于所述第一半径。
4.根据权利要求2所述的检测系统，进一步包括：在所述检测系统被用于检测设置在用于所述光罩的所述支撑件上的所述光罩时，用于在平行于所述第二轴的方向上相对于所述至少一个透镜移动用于所述光罩的所述支撑件的装置。
5.根据权利要求1所述的检测系统，其中，所述透镜系统包括菲涅耳透镜，所述菲涅耳透镜包括所述至少一个菲涅耳元件，其中，所述菲涅耳透镜包括所述显微镜的所述透镜系统的物镜或聚光透镜。
6.根据权利要求1所述的检测系统，其中，所述至少一个菲涅耳元件包括卵形形状或矩形形状，或者其中，所述至少一个菲涅耳元件包括多个线性栅格。
7.一种检测系统，包括：
用于超紫外线(EUV)光刻光罩的支撑件；以及
EUV光罩显微镜，所述EUV光罩显微镜包括EUV光源、设置在所述EUV光源和用于所述EUV光刻光罩的所述支撑件之间的透镜系统、以及接近所述透镜系统的能量收集器，所述EUV光罩显微镜的所述透镜系统包括透镜，所述透镜包括至少一个菲涅耳元件，其中，所述透镜的所述至少一个菲涅耳元件是非圆形的。
8.根据权利要求7所述的检测系统，其中，所述透镜包括具有第一轴和第二轴的至少一个菲涅耳透镜，所述至少一个菲涅耳元件被设置在所述第一轴和所述第二轴上，并且其中，相对于所述第一轴，所述至少一个菲涅耳元件沿着所述第二轴被拉长。
9.根据权利要求7所述的检测系统，其中，所述透镜包括具有第一最小半径、第一最大半径、以及第一厚度的第一菲涅耳元件；
其中，所述透镜包括具有第二最小半径、第二最大半径、以及第二厚度的第二菲涅耳元件；其中，所述第二厚度小于所述第一厚度；其中，所述第二最小半径大于所述第一最小半径；并且其中，所述第二最大半径大于所述第一最大半径。
10.根据权利要求9所述的检测系统，其中，所述透镜包括具有第三最小半径、第三最大半径、以及第三厚度的至少一个第三菲涅耳元件；其中，所述第三厚度小于所述第二厚度；其中，所述第三最小半径大于所述第二最小半径；并且其中，所述第三最大半径大于所述第二最大半径。
11.根据权利要求7所述的检测系统，其中，所述透镜包括透明或反光材料以及设置在所述透明或反光材料之上的不透明或吸收材料，其中，所述至少一个菲涅耳元件包括所述透镜的所述不透明或吸收材料中的图案。
12.一种透镜，包括：
至少一个菲涅耳元件，所述透镜的所述至少一个菲涅耳元件具有矩形形状。
13.根据权利要求12所述的透镜，其中，所述透镜包括不透明或光吸收材料以及设置在所述不透明或光吸收材料之上的透明或反光材料，并且其中，所述至少一个菲涅耳元件包括所述不透明或光吸收材料中的图案。
14.一种包括根据权利要求12所述的透镜的光学系统，所述透镜设置在所述光学系统的光学路径中。
15.根据权利要求14所述的光学系统，其中，所述光学系统包括显微镜、望远镜、照相机、或双目镜。
16.根据权利要求14所述的光学系统，其中，所述透镜包括多个同心的矩形菲涅耳元件，每个连续变大的菲涅耳元件均包括小于较小的相邻菲涅耳元件的第一宽度的第二宽度。
17.一种制造半导体器件的方法，该方法包括：
提供用于光刻光罩的检测系统，所述检测系统包括用于所述光刻光罩的支撑件，所述检测系统包括：包括能量源的显微镜、设置在用于所述光刻光罩的所述支撑件和所述能量源之间的所述透镜系统、以及接近所述透镜系统的所述能量收集器，所述透镜系统包括包含至少一个菲涅耳元件的透镜，所述至少一个菲涅耳元件是非圆形的；
将光刻光罩设置在用于所述检测系统的所述光刻光罩的所述支撑件上；
利用所述检测系统检测所述光刻光罩；以及
利用所述光刻光罩使所述半导体器件感光。
18.根据权利要求17所述的方法，利用所述检测系统检测所述光刻光罩之后，进一步包括：清洁所述光刻光罩；替换所述光刻光罩；改变所述光刻光罩；或改变用于利用所述光刻光罩使所述半导体器件感光的光刻系统的参数。
19.根据权利要求17所述的方法，其中，
利用所述光刻光罩使所述半导体器件感光包括：提供工件，所述工件包括设置于其上的材料层和设置于所述材料层之上的感光材料层；以及
利用所述光刻光罩图案化所述感光材料层。
20.根据权利要求17所述的方法，其中，利用所述光刻光罩使所述半导体器件感光包括：将所述感光材料层用作掩模以改变所述工件的所述材料层，并移除所述感光材料层。
21.根据权利要求20所述的方法，其中，改变所述工件的所述材料层包括：移除所述材料层的至少一部分，在所述材料层之上沉积第二材料层，或向所述材料层注入物质。
22.根据权利要求20所述的方法，其中，提供所述工件包括：提供包括材料层的工件，所述材料层包括导电材料、绝缘材料、半导体材料、或其多层或结合。
23.一种根据权利要求20所述的方法制造的半导体器件。
24.一种检测方法，包括：
提供用于光刻光罩的检测系统，所述检测系统包括用于所述光刻光罩的支撑件，所述检测系统包括：包括能量源的显微镜、设置在用于所述光刻光罩的所述支撑件和所述能量源之间的所述透镜系统、以及接近所述透镜系统的所述能量收集器，所述透镜系统包括包含至少一个菲涅耳元件的透镜，所述至少一个菲涅耳元件是非圆形的；
将光刻光罩设置在用于所述检测系统的所述光刻光罩的所述支撑件上；以及
利用所述显微镜检测所述光刻光罩。
25.根据权利要求24所述的方法，其中，利用所述显微镜检测所述光刻光罩包括：利用所述能量源照射所述光刻光罩，并对由所述能量收集器收集的能量进行分析。
26.根据权利要求24所述的方法，其中，所述透镜包括第一轴和第二轴，其中，所述至少一个菲涅耳元件相对于所述透镜的所述第一轴在所述第二轴上被拉长，并且其中，利用所述显微镜检测所述光刻光罩包括：在检测所述光刻光罩时，在平行于所述第二轴的方向上移动所述透镜。
27.根据权利要求24所述的方法，其中，所述透镜包括第一轴和第二轴，其中，所述至少一个菲涅耳元件包括多个线性栅格，所述多个线性栅格在平行于所述透镜的所述第一轴的方向上延伸，并且其中，利用所述显微镜检测所述光刻光罩包括：在检测所述光刻光罩时，在平行于所述第二轴的方向上移动所述透镜。
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2013152516A1 (zh) * 2012-04-10 2013-10-17 中国科学院微电子研究所 极紫外光刻掩模缺陷检测系统
CN103424985A (zh) * 2012-05-18 2013-12-04 中国科学院微电子研究所 极紫外光刻掩模缺陷检测系统
CN106767431A (zh) * 2016-12-09 2017-05-31 西安交通大学 一种波长扫描共焦微位移测量装置及方法
CN111795649A (zh) * 2020-06-05 2020-10-20 中国工程物理研究院应用电子学研究所 一种非接触测量光学晶体包边厚度的装置和方法
CN113740948A (zh) * 2021-07-20 2021-12-03 暨南大学 平面衍射透镜、平面衍射透镜制造方法及光学成像系统

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8018815B2 (en) * 2008-08-15 2011-09-13 The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration Micro-Fresnel zone plate optical devices using densely accumulated ray points
US8094306B2 (en) * 2008-08-15 2012-01-10 The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration Micro ring grating spectrometer with adjustable aperture
US8174695B2 (en) * 2008-08-15 2012-05-08 The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration Arrayed micro-ring spectrometer system and method of use
WO2010148293A2 (en) 2009-06-19 2010-12-23 Kla-Tencor Corporation Euv high throughput inspection system for defect detection on patterned euv masks, mask blanks, and wafers
KR102547422B1 (ko) 2018-02-01 2023-06-22 삼성전자주식회사 이미징 장치, 이를 포함하는 이미징 시스템, 이미징 장치 및 시스템을 이용한 이미징 방법, 이미징 장치 및 시스템을 이용한 반도체 장치의 제조 방법
US10777058B2 (en) 2018-09-22 2020-09-15 Fedex Corporate Services, Inc. Systems, apparatus, and methods for detecting an environmental anomaly and initiating an enhanced automatic response using elements of a wireless node network using ID nodes and environmental threshold conditions per ID node

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3175802D1 (en) * 1981-05-07 1987-02-12 Isovolta Process for the production of condensation products of phenols with ketones, especially of diphenols
US5153419A (en) * 1985-04-22 1992-10-06 Canon Kabushiki Kaisha Device for detecting position of a light source with source position adjusting means
WO1986006502A1 (en) * 1985-04-30 1986-11-06 Institut Obschei Fiziki Akademii Nauk Sssr Method and optical phase element for focusing monochromatic radiation
JP3091255B2 (ja) * 1991-05-24 2000-09-25 オリンパス光学工業株式会社 多焦点カメラ
EP0585041B1 (en) * 1992-08-19 2000-11-02 Canon Kabushiki Kaisha Registration method usable with a projection optical system, exposure apparatus therefor and method of manufacturing a semiconductor device by using such exposure apparatus
JP2000306977A (ja) * 1999-04-26 2000-11-02 Sendai Nikon:Kk 搬送方法及び搬送装置、並びに露光装置
US6882477B1 (en) * 1999-11-10 2005-04-19 Massachusetts Institute Of Technology Method and system for interference lithography utilizing phase-locked scanning beams

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2013152516A1 (zh) * 2012-04-10 2013-10-17 中国科学院微电子研究所 极紫外光刻掩模缺陷检测系统
CN103365073A (zh) * 2012-04-10 2013-10-23 中国科学院微电子研究所 极紫外光刻掩模缺陷检测系统
CN103365073B (zh) * 2012-04-10 2015-07-01 中国科学院微电子研究所 极紫外光刻掩模缺陷检测系统
US9546964B2 (en) 2012-04-10 2017-01-17 The Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences Defect detection system for extreme ultraviolet lithography mask
CN103424985A (zh) * 2012-05-18 2013-12-04 中国科学院微电子研究所 极紫外光刻掩模缺陷检测系统
CN106767431A (zh) * 2016-12-09 2017-05-31 西安交通大学 一种波长扫描共焦微位移测量装置及方法
CN106767431B (zh) * 2016-12-09 2019-04-16 西安交通大学 一种波长扫描共焦微位移测量装置及方法
CN111795649A (zh) * 2020-06-05 2020-10-20 中国工程物理研究院应用电子学研究所 一种非接触测量光学晶体包边厚度的装置和方法
CN111795649B (zh) * 2020-06-05 2021-08-10 中国工程物理研究院应用电子学研究所 一种非接触测量光学晶体包边厚度的装置和方法
CN113740948A (zh) * 2021-07-20 2021-12-03 暨南大学 平面衍射透镜、平面衍射透镜制造方法及光学成像系统

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