CN101162872A - 识别电源适配器的控制电路与方法 - Google Patents

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Abstract

一种可识别电源适配器的控制电路,包括一适配器端和一系统端,该适配器端包括将高电压降为低电压的一降压电路和将交流电转换为直流电的一整流电路,该适配器端具有正极输出端与负极输出端,该正极输出端上连接有一分压电路,该系统端包括一开关电路,该正极输出端与开关电路连接,该分压电路设有一控制输出端,该控制输出端与开关电路连接以控制该开关电路的开启与关闭,从而识别该电源适配器是否匹配。

Description

识别电源适配器的控制电路与方法
技术领域
本发明是涉及一种识别电源适配器的控制电路与方法,特别是涉及一种可识别插接于电子产品的电源适配器是否匹配的控制电路及其识别方法。
背景技术
各类电子产品,例如笔记本电脑(Notebook Computer)、桌上型电脑(Desktop Computer)和电视(Television)在使用时均需要直流电做为电子产品的电源。常用的一种交流电源适配器(AC adaptor)可将一般的交流市电转换成电子产品所需的直流电,以提供电子产品所需电源,同时现代的各种电子产品如移动电话(Mobile telephone)、个人数字助理(personal digitalassistor,PDA)、数字静态/动态相机(digital still/dynamic camera),在为使用的电池进行充电时,也需要搭配电源适配器使用。如图1所示,现有电源适配器其内部结构一般包括降压电路10和整流电路20两大部分,将经降压与整流的低压直流电输入至电子产品,使其工作,该电源适配器具有两个输出端,即正极输出端1和负极输出端2。
近年来,以笔记型电脑为例,由于计算机技术的突飞猛进,也使得中央处理单元(CPU)与视频图形阵列(Video GraphicsArray,VGA)的效能得以不断提升,此外各种新功能的加入,则促使笔记型电脑对电功率的需求也相对地增加。目前在市场上,有些电源适配器的不法制造商为了追求利润,擅自假冒品牌、冒用包装、以次充好等非法手段扰乱市场秩序,由此可知目前市面上电源适配器类型的多样化与复杂程度。
电源适配器类型的多样化与复杂化,很容易导致电子产品与不相匹配的电源适配器的混用,从而影响电子产品的系统稳定性与安全性能,若使产品长时间工作在非正常的工作状态下,电子产品的使用寿命也会大大缩短。而且以次充好、假冒品牌的不正当市场行为,严重侵害原电子产品及正规电源适配器制造商的利益。
因此,若电子产品的系统端可以识别所使用的电源适配器的类型的话,电子产品的使用者则可以免于用错电源适配器而造成损害电子产品,同时,也可以更好地维护市场秩序。
发明内容
有鉴于此,实有必要提供一种识别电源适配器的控制电路及方法。
一种识别电源适配器的控制电路,包括一适配器端和一系统端,该适配器端包括将高电压降为低电压的一降压电路和将交流电转换为直流电的一整流电路,该适配器端具有正极输出端与负极输出端,该正极输出端上连接有一分压电路,该系统端包括一开关电路,该正极输出端与开关电路连接,该分压电路设有一控制输出端,该控制输出端与开关电路连接以控制该开关电路的开启与关闭。
一种识别电源适配器的方法,包括如下步骤:通过一转换电路将输入至电源适配器的高压交流电转换成低压直流电,并将该低压直流电接入至一开关电路中;将该低压直流电分压以形成一控制电压;将该控制电压输入至上述开关电路,以控制该开关电路的开启与关闭。
与现有技术相比,通过增加一控制输出端及一开关电路,并利用该控制输出端实现对该开关电路的控制,以识别所使用得电源适配器与电子产品是否相匹配,使现有市场的各类假冒的电源适配器无法实现正常供电,达到拒绝假冒产品的目的。
附图说明
下面参照附图,结合实施例对本发明作进一步描述。
图1是现有电源适配器的电路功能方块图。
图2是本发明识别电源适配器的控制电路的电路功能方块图。
图3是本发明一实施例中识别电源适配器的控制电路的电路图。
图4是本发明另一实施例中识别电源适配器的控制电路的电路图。
图5是本发明又一实施例中识别电源适配器的控制电路的电路图。
具体实施方式
下面参照附图结合实施例对本发明作进一步说明。
本发明提供一种识别电源适配器的控制电路与方法,图2是本发明识别电源适配器的控制电路的电路功能方块图,该控制电路可应用于笔记本电脑、桌上型电脑、手机、电视机或其他电子产品,包括一适配器端150和一系统端100。
该适配器端150包括降压电路10、整流电路20及分压电路30,系统端100包括与适配器端150连接的开关电路40及接受供电的系统50。由于电力网提供给用户的是高压交流电,而各种电子产品一般需要用低压直流电,因而适配器端150把电力网所提供的高压交流电降压、整流转换成所需要的低压直流电以供给系统端100。适配器端150的降压电路10把高压交流电降为低电压,整流电路20把经降压的低压交流电转换为大小和方向稳定的低压直流电,该降压电路10和整流电路20组成转换电路且均采用现有设计,在此不作赘述。
适配器端150除了具有常规的电压输出端1与电压输出端2之外,还设置有控制输出端3,该电压输出端1为来自整流电路20的正极端,该电压输出端2为来自整流电路20的负极端,该控制输出端3来自分压电路30,用于控制开关电路40的开与关。分压电路30将整流后的低压直流电,即将适配器端150的电压输出端1的输出电压,分成第一电压和第二电压两个不同值的输出电压,详如后述。该电压输出端1和控制输出端3再连接至系统端100的开关电路40。若该适配器端150通过电压输出端1和控制输出端3使开关电路40导通,则适配器端150的电压输出端1与系统端100连通形成供电通路向连接在开关电路40上的系统50供电,否则开关电路40处于断开状态,适配器端150的电压输出端1与系统50之间的连接为开路,使得系统50无法获得供电,以此判断所使用的电源适配器与电子产品是否匹配,其中,该系统50可为如上所述的各类电子产品如笔记本电脑、电视机等。
图3是本发明一实施例中识别电源适配器的控制电路的电路图,分压电路30是由两个不同阻值的分压电阻R1、R2串联连接在电压输出端1和地极(GND)之间形成的串联回路,控制输出端3接在电阻R1和R2之间,根据串联电路的分压特性,控制输出端3的输出电压的大小为电阻R2两端分配的电压大小,电压输出端1的输出电压的大小为电阻R1和R2两端分配的电压的总和,即电压输出端1的输出电压与控制输出端3的输出电压的比值等于电阻R1和R2的总和与电阻R2的比值。当电源适配器插接在电子产品上向系统端100供电时,分压电路30与开关电路40通过电压输出端1和控制输出端3电连接,控制输出端3的输出电压即是开关电路40所需的开启电压,电压输出端1的输出电压即是电子产品所需的供电电压,因此,电阻R1和R2的总和与电阻R2的比值应不大于电子产品所需供电电压与开关电路40所需开启电压的比值,从而可以确定在不同实施例中分压电阻R1和R2的大小。
该开关电路40由金属-氧化物-半导体场效应管(Meial-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor,MOSFET,简称MOS场效应管)Q1、Q2和电阻R3连接组成。其中Q2的栅极G与适配器端150的控制输出端3相连,源极S接地,漏极D与Q1的栅极G相连,Q1的源极S与适配器端150的电压输出端1相连,漏极D则连接至系统50,电阻R3连接在Q1的源极S和Q2的漏极D(Q1的栅极G)之间。Q2为正电压导通的N沟道增强型MOS场效应管,在外加栅极G、源极S之间电压等于或大于Q2的阀值电压(VT)时,Q2导通。Q1为负电压导通的P沟道增强型MOS场效应管,其与N沟道增强型MOS场效应管的区别在于,Q1的阀值电压为负数,当外加栅极G与源极S之间的电压为负电压且绝对值大于其阀值电压的绝对值时,Q1才会导通,本实施例中,假定其绝对值与Q2的阀值电压相等。
适配器端150通过电压输出端1向系统端100提供电子产品所需要的低压直流电,以下以一笔记本电脑作为系统50的实例作介绍,假设该笔记本电脑所需电压为18V直流电,即该适配器端150的电压输出端1的输出电压应为18V。开关电路40中Q2为正电压导通的增强型MOS场效应管,假设Q2的阀值电压为4V,因而Q2的外加栅极G与源极S之间的电压,即控制输出端3的输出电压需不小于4V,才能将开关电路40打开,根据分压电路30中电阻R1和R2比值与输出电压比值的关系,从而确定分压电路30中分压电阻R1可为75K(千欧),R2为25K(千欧),使得控制输出端3上输出电压为4.5V。由于控制输出端3的输出电压大于Q2的阀值电压,Q2导通,Q2的漏极D与源极S之间形成通路。由于Q2的源极S接地,Q2的漏极D与源极S两极均变为低电平,然而Q2的漏极D的输出电压即为Q1的外加栅极G电压,从而Q1的外加栅极G与源极S之间的电压为R3两端的电压为-18V,其绝对值大于Q1的阀值电压,Q1亦导通,Q1的漏极D与源极S之间形成通路,适配器端150的电压输出端1可向笔记本电脑的系统50供电。若该电源适配器不是相匹配的,由于无分压电路30获得合适的分压值,没有输出电压大于Q2的阀值电压的控制输出端3,Q2不导通,即Q2视为断开,由于Q1为负电压导通的P沟道增强型MOS场效应管,Q2断开的情况下,无电流通过R3,即Q1的栅极G、源极S之间的电压为零,所以Q1亦不导通,因而,适配器端150的电压输出端1无法向笔记本电脑供电。
与现有的电源适配器相比较,本发明的系统端100增加了两个作为开关的MOS场效应管Q1、Q2和一个电阻R3形成的开关电路40,适配器端150增加了一个由两个电阻R1和R2串联形成的分压电路30以控制该开关电路40的导通,从而判断所用的电源适配器是否与电子产品相匹配,该控制电路简单,增加的电子元件少且成本低廉。因为MOS场效应管具有输入阻抗高、噪声低、热稳定性好、抗辐射能力强、功耗小、制造工艺简单和便于集成化等优点,故该两个作为开关的电子元件Q1、Q2采用的是MOS场效应管。
如图4所示,为本发明的另一实施例,当该控制电路应用于系统端100所需电压更高的情况时,开关电路40a由两个作为开关的MOS场效应管Q1、Q2和两个电阻R3、R4组成,电阻R4串联在R3(Q1的栅极G)和Q2的漏极D之间,本实施例中,电阻R3、R4均为高电阻且阻值相等,以节省电能并控制Q1的栅极G、源极S之间的电压,Q2在控制输出端3的作用下导通后,电阻R3、R4组成另一串联分压电路,Q1的栅极G与源极S之间的电压为电阻R3两端的电压,以避免Q1的栅极G与源极S之间的负电压过大而击穿损坏。
如图5所示,为本发明的又一实施例,该开关电路40b仅由作为开关的P沟道增强型MOS场效应管Q1组成,Q1的栅极G直接与控制输出端3相连,调节分压电路30中电阻R1、R2的大小,使得Q1的栅极G与源极S之间的电压的绝对值(即R1两端分配的电压)不小于Q1的阀值电压的绝对值。本实施例中,仍假定系统50所需电压为18V,Q1的阀值电压为-4V,则可选择电阻R1的大小为25K,电阻R2的大小为75K,从而电压输出端1与控制输出端3的输出电压差为4.5V,大于Q1的阀值电压的绝对值4V,Q1开启,适配器端100的电压输出端1与系统端100连通形成供电通路向连接在开关电路40上的系统50供电。

Claims (14)

1.一种识别电源适配器的控制电路,包括一适配器端和一系统端,该适配器端包括将高电压降为低电压的一降压电路和将交流电转换为直流电的一整流电路,其特征在于:该适配器端具有正极输出端与负极输出端,该正极输出端上连接有一分压电路,该系统端包括一开关电路,该正极输出端与开关电路连接,该分压电路设有一控制输出端,该控制输出端与开关电路连接以控制该开关电路的开启与关闭。
2.如权利要求1所述的识别电源适配器的控制电路,其特征在于:该分压电路由第一电阻和第二电阻串联形成,所述控制输出端是连接在第一电阻与第二电阻之间。
3.如权利要求1所述的识别电源适配器的控制电路,其特征在于:所述开关电路包括两个金属-氧化物-半导体场效应管和一电阻。
4.如权利要求3所述的识别电源适配器的控制电路,其特征在于:所述的两个晶体管为金属-氧化物-半导体场效应管分别为源极连接在正极输出端的一P沟道增强型场效应管和栅极连接在控制输出端的一N沟道增强型场效应管,该N沟道场效应管的源极接地,该N沟道场效应管的漏极与该P沟道场效应管的栅极连接,该电阻连接在正极输出端与P沟道场效应管的栅极之间。
5.如权利要求1所述的识别电源适配器的控制电路,其特征在于:所述开关电路包括两个金属-氧化物-半导体场效应管和两电阻。
6.如权利要求5所述的识别电源适配器的控制电路,其特征在于:所述的两个金属-氧化物-半导体场效应管分别为源极连接在正极输出端的一P沟道增强型场效应管和栅极连接在控制输出端的一N沟道增强型场效应管,该N沟道场效应管的源极接地,该N沟道场效应管的漏极与该P沟道场效应管的栅极连接,其中一电阻连接在正极输出端与P沟道场效应管的栅极之间,另一电阻连接在P沟道场效应管的栅极与N沟道场效应管的漏极之间。
7.如权利要求1所述的识别电源适配器的控制电路,其特征在于:所述开关电路包括一P沟道增强型MOS场效应管,其源极连接在正极输出端,栅极连接在控制输出端。
8.一种识别电源适配器的方法,包括如下步骤:
通过一转换电路将输入至电源适配器的高压交流电转换成低压直流电,并将该低压直流电接入至一开关电路中;
将该低压直流电分压以形成一控制电压;
将该控制电压输入至上述开关电路,以控制该开关电路的开启与关闭。
9.如权利要求8所述的识别电源适配器的方法,其特征在于:所述分压的步骤是通过由第一电阻和第二电阻串联而形成的分压电路完成,该控制电压是上述两电阻中其中一电阻两端的电压。
10.如权利要求8所述的识别电源适配器的方法,其特征在于:所述开关电路包括两个金属-氧化物-半导体场效应管和一电阻。
11.如权利要求10所述的识别电源适配器的方法,其特征在于:所述的两个晶体管为金属-氧化物-半导体场效应管分别为源极连接在正极输出端的一P沟道增强型场效应管和栅极连接在控制输出端的一N沟道增强型场效应管,该N沟道场效应管的源极接地,该N沟道场效应管的漏极与该P沟道场效应管的栅极连接,该电阻连接在正极输出端与P沟道场效应管的栅极之间。
12.如权利要求8所述的识别电源适配器的方法,其特征在于:所述开关电路包括两个金属-氧化物-半导体场效应管和两电阻。
13.如权利要求12所述的识别电源适配器的方法,其特征在于:所述的两个金属-氧化物-半导体场效应管分别为源极连接在正极输出端的一P沟道增强型场效应管和栅极连接在控制输出端的一N沟道增强型场效应管,该N沟道场效应管的源极接地,该N沟道场效应管的漏极与该P沟道场效应管的栅极连接,其中一电阻连接在正极输出端与P沟道场效应管的栅极之间,另一电阻连接在P沟道场效应管的栅极与N沟道场效应管的漏极之间。
14.如权利要求8所述的识别电源适配器的方法,其特征在于:所述开关电路包括一P沟道增强型MOS场效应管,其源极连接在正极输出端,栅极连接在控制输出端。
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