CN101159156B - 用来微调光学存储装置的写入策略参数的方法及其系统 - Google Patents

Abstract

本发明提供了一种用来微调光学存储装置的写入策略参数的方法及其系统，该方法包含以下步骤：检测多个长度，每一长度对应于光学存储装置所存取的光学存储媒体上的一凹坑或一平面；进行对应于多个数据集类型的计算，以及产生分别对应于这些数据集类型的多个数据到时钟边沿偏差；并使用这些数据到时钟边沿偏差来微调分别对应于这些数据集类型的写入策略参数。本发明提供的用来微调光学存储装置的写入策略参数的方法及其系统，通过依据数据到时钟边沿偏差来微调写入策略参数，而不需要特定外部装置的协助，也不需要耗费工程师或研究员过多的时间，就可以微调光学存储装置的写入策略参数。

Description

用来微调光学存储装置的写入策略参数的方法及其系统

技术领域

本发明是关于光学存储装置的写入策略微调(write strategy tuning)，特别是关于利用数据到时钟边沿偏差(data-to-clock edge deviation)来微调(tune)写入策略参数的方法及系统。

背景技术

由于多媒体应用持续发展，存储大量数字数据的需求也快速地成长。因此，存储容量高且体积小巧的光学存储媒体，例如压缩光盘(Compact Disc，CD)或多功能数码光盘(Digital Versatile Disc，DVD)，就非常流行，且光学存储装置，例如：光驱(CD drive)或多功能数码光驱(DVD drive)，已成为个人计算机的标准配置，用来进行以上的多媒体应用。

以上述的光驱为例，当光驱被控制以将数据写入可记录式压缩光盘(CD-Recordable disc，CD-R disc)时，光驱中的激光二极管的写入功率(writing power)通常是被设为特定值，且与数据对应的写入脉冲(writepulse)被用于在可记录式压缩光盘的凹槽(groove)上将数据记录成多个凹坑(pit)与平面(land)。写入功率的特定值可通过最佳功率校正(optimalpower calibration，OPC)程序来获得。另一方面，通过写入策略微调(writestrategy tuning)程序，也称为刻录策略微调(recording strategy tuning)程序，改变用来控制写入脉冲的宽度的写入策略参数，可增加可记录式压缩光盘上所形成的凹坑与平面的长度的精确度。可参考可记录式压缩光盘规格的相关文件，例如：橘皮书第一部(Orange Book Part I)，以获得更多信息。

依据相关技术，特定装置(例如示波器)可被用于写入策略微调程序。通常，在预先的试验性写入程序之后，依据示波器上所显示的多个再生波形(reproduced waveform)的眼图(eye pattern)来控制写入脉冲宽度的一组新的写入策略参数通常是由工程师或研究员基于经验来决定的。但是，因为同样的程序必须针对各种可应用的媒体以及不同的记录速度而重复地进行，重复进行的程序至少包括写入测试数据、检查示波器上所显示的再生波形的眼图、以及通过经验根据眼图来决定一组新的写入策略参数，因此使用此方法会耗费工程师或研究员许多时间。由于通过检查眼图来决定这些写入策略参数并不是自动运作，因此上述写入策略微调程序相当耗时。另外，由于通过经验根据该眼图来决定一组新的写入策略参数并不是定量的，因此上述的写入策略微调程序是不明确的(indefinite)。在某些状况下，含糊不清的眼图会干扰写入策略微调程序甚至会使写入策略微调程序失效。

特定仪器，例如：时间间距分析仪(time interval analyzer，TIA)或抖动计量器(jitter meter)，可能有助于取得用来决定一组新的写入策略参数的信息。但是，仍然需要进行类似的例行工作，且如果时间间距分析仪或抖动计量器是仅简单地被耦接以供测量之用而不设置额外的控制系统，则仍然存在与手动微调程序所造成的缺点相同的缺点。另外，从特定仪器所取得的信息的意义通常是隐含的(implicit)，因此，需要耗费经验丰富的工程师或研究员许多时间。

发明内容

为解决以上技术问题，本发明提供了一种用来微调光学存储装置的写入策略参数的方法及其系统。

本发明提供了一种用来微调光学存储装置的写入策略参数的方法，包含以下步骤：检测多个长度，每一长度对应于光学存储装置所存取的光学存储媒体上的一凹坑(pit)或一平面(land)；进行对应于多个数据集类型(dataset type)的计算，以及产生分别对应于数据集类型的多个数据到时钟边沿偏差(data-to-clock edge deviation)，其中数据集类型包含至少一凹坑平面凹坑(pit-land-pit)数据集类型或至少一平面凹坑平面(land-pit-land)数据集类型。以及使用数据到时钟边沿偏差以微调写入策略参数，其中写入策略参数分别对应于数据集类型。

本发明另提供了一种用来微调光学存储装置的写入策略参数的系统，包含检测器、计算模块与控制器，其中计算模块耦接于检测器，控制器耦接于计算模块。检测器测量多个长度，每一长度对应于通过光学存储装置所存取的光学存储媒体上的一凹坑或一平面。计算模块进行对应各种数据集类型的计算，并产生分别对应于这些数据集类型的数据到时钟边沿偏差，其中数据集类型包含至少一凹坑平面凹坑数据集类型或至少一平面凹坑平面数据集类型。控制器利用这些数据到时钟边沿偏差以微调分别对应于这些数据集类型的写入策略参数。

本发明另提供了一种用来微调光学存储装置的写入策略参数的方法，包含：检测多个长度，每一长度对应于通过光学存储装置所存取的光学存储媒体上的一凹坑或一平面；进行对应于多个数据集类型的计算以及产生分别对应于数据集类型的多个数据到时钟边沿偏差。进行对应于数据集类型的计算并产生分别对应于数据集类型的数据到时钟边沿偏差的步骤进一步包含：取得(derive)数据到时钟边沿偏差大于第一门限值(threshold)的数据集类型；在数据到时钟边沿偏差大于第一门限值的数据集类型中，取得数据集发生次数多于第二门限值所指示的次数的数据集类型；以及计算对应于数据集发生次数多于第二门限值所指示的次数的数据集类型的写入策略参数的调整量。以及利用调整量以微调写入策略参数。

本发明提供的用来微调光学存储装置的写入策略参数的方法及其系统，通过依据数据到时钟边沿偏差来微调写入策略参数，而不需要特定外部装置的协助，也不需要耗费工程师或研究员过多时间，就可以微调光学存储装置的写入策略参数。

附图说明

图1为依据本发明一实施例用来微调光学存储装置的写入策略参数的系统的方框图。

图2为依据本发明一实施例利用数据到时钟边沿偏差来进行长度补偿的示意图。

图3为依据本发明一实施例利用数据到时钟边沿偏差来进行长度补偿的示意图。

图4为依据本发明一实施例用来微调光学存储装置的写入策略参数的方法的流程图。

图5为依据本发明不同实施例的通过利用长度偏差统计来分别微调写入策略参数的示意图。

图6为依据本发明不同实施例的通过利用长度偏差统计来分别微调写入策略参数的示意图。

图7为依据本发明一实施例用来微调光学存储装置的写入策略参数的系统的示意图。

图8为依据本发明一实施例用来微调光学存储装置的写入策略参数的系统的示意图。

图9为在再生信号上的多个取样点的示意图。

图10为图8所示的实施例的一变化实施例的示意图。

图11为依据本发明一实施例统计计算的详细实施的流程图。

图12为依据本发明一实施例在微调写入策略参数之前的取样数相对于数据到时钟边沿长度的曲线的示意图。

图13为依据本发明一实施例在微调写入策略参数之后的取样数相对于数据到时钟边沿长度的曲线的示意图。

具体实施方式

本发明提供了用来微调(tune)光学存储装置的写入策略参数(writestrategy parameter)的系统。这些系统可以是用来微调写入策略参数的电路，该电路可以设置于光学存储装置中。这些系统的一些实施例也可以在实质上(substantially)为光学存储装置本身。为了简明起见，在以下的说明中是采用将该系统实施于电路中。但是，其它实施方式也可应用于这些详细的实施例。

请参考图1，图1为依据本发明第一实施例的用来微调光学存储装置100的写入策略参数的系统100C的方框图，其中系统100C是设置在光学存储装置100中的电路。光学存储装置100可对光学存储媒体102进行数据存取。为了简明起见，本实施例采用可记录式压缩光盘(CD-Recordable disc，CD-Rdisc)作为光学存储媒体102，并采用光驱(CD drive)作为光学存储装置100来进行说明。任何所属技术领域中的技术人员应该可以理解，其它种类的光学存储媒体，例如：DVD-R规格、DVD-RW规格、DVD+R规格、DVD-RW规格、或DVD-RAM规格的多功能数码光盘，以及其对应的光学存储装置，例如：多功能数码光驱(DVD drive)，都可应用本发明达到类似的功能和效果。

如图1所示，在光学存储装置100的读取模式中，光学存储装置100的光学读取头(optical pickup)110从光学存储媒体102读取数据，以产生原始射频信号(raw radio frequency signal，raw RF signal)111。光学存储装置100的波形均衡器(waveform equalizer)112等化原始射频信号111以产生再生信号(reproduced signal)，在本实施例中再生信号是射频信号113。另外，光学存储装置100的分切器(slicer)114分切(slice)射频信号113以产生分切信号115。因为光学读取头110、波形均衡器112、以及分切器114的运作原理是任何所属技术领域中的技术人员所能理解的，所以在此不再详细描述。

在图1所示的光学存储装置100中，调变器160、写入脉冲(write pulse)产生器162、与发射源驱动器(radiation source driver)164会依据写入策略参数共同驱动光学读取头110；根据分切信号115，系统100C通过控制信号151来微调写入策略参数。调变器160耦接于光学存储装置100的编码器(未显示)，用来调变编码器所输出的编码数据以产生调变信号161，调变信号161载有(carry)八转十四调变(eight-to-fourteen modulation，EFM)信息。写入脉冲产生器162根据上述写入策略参数，产生对应于调变信号161携载的八转十四调变信息的写入脉冲，并输出由写入脉冲信号163携载的写入脉冲。另外，发射源驱动器164根据写入脉冲信号163来产生驱动信号165以驱动光学读取头110。调变器160、写入脉冲产生器162与发射源驱动器164的运作原理是任何所属技术领域中的技术人员所能理解的，所以在此不再详细描述。

依据本实施例，系统100C包含：锁相环(phase-locked loop，PLL)120、检测器(例如：图1所示的八转十四调变长度检测器130)、计算模块140、以及控制器(例如：图1所示的写入脉冲控制器150)。计算模块140包含类型依附分类器(pattern dependency classifier)142与数据到时钟边沿偏差计算器(data-to-clock edge deviation calculator)144。锁相环120依据分切信号115通过锁定分切信号115的信道比特率(1/T)(channel bit rate)来产生一个八转十四调变数据时钟(EFM data clock)CLK，其中八转十四调变数据时钟CLK的周期是被视为1T。八转十四调变长度检测器130依据八转十四调变数据时钟CLK来获取分切信号115携载的八转十四调变信息，并检测多个长度，其中每一长度对应于记录在光学存储媒体102上的一个凹坑(pit)或一个平面(land)。典型的分切信号115为方波，其上升沿(risingedge)与下降沿(falling edge)之间的间距(interval)以及下降沿与上升沿之间的间距均可有各种不同长度。在本实施例中，八转十四调变长度检测器130测量分切信号115的上升沿与下降沿之间的间距及分切信号115的下降沿与上升沿之间的间距，来作为上述的长度，其中每一间距对应于一个凹坑或一个平面。因此，长度包含对应于多个凹坑的多个凹坑长度P，以及对应于多个平面的多个平面长度L。每个凹坑长度P代表沿着光学存储媒体102上的凹槽(groove)所记录的一个凹坑，每个平面长度L代表沿着凹槽所记录的一个平面。需要注意的是，本发明的另一实施例的分切信号115可载有加强型八转十四调变(EFM plus，EFM+)信息(例如：应用DVD-R规格的实施例)或其它兼容于八转十四调变/加强型八转十四调变的变化规格的信息。

依据第一实施例，在可记录式压缩光盘的理想状况下，由分切信号115中获取的凹坑长度与平面长度均为时钟周期T的倍数，且这些凹坑长度与平面长度的分布范围是从3T至11T。也就是说，凹坑的长度P或平面的长度L可为3T、4T、...或11T。所以，用来测量这些凹坑长度与平面长度的参考信号(例如：上述的八转十四调变数据时钟CLK)的合理周期应小于或等于T。依据本实施例，输入到八转十四调变长度检测器130的参考信号是八转十四调变数据时钟CLK，所以参考信号的周期是为T。在可记录式压缩光盘的实际状况下，由八转十四调变长度检测器130的输出信号131携载的长度L与P通常并不是T的整数倍。计算模块140可分别对多个数据集类型(dataset type)作计算，并产生分别对应于这些数据集类型的数据到时钟边沿偏差(data-to-clock edge deviation)，其中这些数据到时钟边沿偏差是由数据到时钟边沿偏差计算器144的输出信号145携载，数据集类型至少包含一个凹坑平面凹坑(pit-land-pit)数据集类型或至少包含一个平面凹坑平面(land-pit-land)数据集类型。每一数据集类型对应于至少一个特定目标凹坑长度(例如：3T、4T、...、11T)与一个特定目标平面长度(例如：3T、4T、...、11T)与另一特定目标凹坑长度(例如：3T、4T、...、11T)的组合，或至少一个特定目标平面长度与至少一个特定目标凹坑长度与另一特定目标平面长度的组合。

类型依附分类器142将多个数据集分类为各数据集类型。在本实施例中，每一数据集，即(P1，L，P2)或(L1，P，L2)，包含有两个长度，其中数据集(P1，L，P2)是指对应于一个平面的长度与两个分别与其相邻的(adjacent)凹坑的长度，而数据集(L1，P，L2)是指对应于一个凹坑的长度与两个分别与其相邻的平面的长度。在此，如(P_nT，L_mT，P_lT)或(L_nT，P_mT，L_lT)的标示法是用来表示上述数据集类型，其中nT、mT或lT是以时钟周期T为单位来表示长度；在本实施例中，n＝3、4、...、或11，m＝3、4、...、或11，且l＝3、4、...、或11。数据集类型(L_nT，P_mT，L_lT)中的每一者，例如：n＝n0、m＝m0、且l＝l0的数据集类型(L_n0*T，P_m0*T，L_l0*T)，是被用于对应于目标平面长度为n0*T的平面、与紧随该平面之后且目标凹坑长度为m0*T的凹坑、以及紧随该凹坑之后且目标平面长度为l0*T的平面的多个数据集(L1，P，L2)进行分类。相似地，数据集类型(P_nT，L_mT，P_lT)中的每一个，例如：n＝n0、m＝m0、且l＝l0的数据集类型(P_n0*T，L_m0*T，P_l0*T)，是被用于分类对应于目标凹坑长度为n0*T的凹坑、与紧随该凹坑之后且目标平面长度为m0*T的平面、以及紧随该平面之后且目标凹坑长度为l0*T的多个数据集(P1，L，P2)。需要注意的是，多个数据集类型(L_nT，P_mT，L_lT)中的每一个，例如：数据集类型(L_n0*T，P_m0*T，L_l0*T)，是对应于特定目标平面长度n0*T、特定目标凹坑长度m0*T、与特定目标平面长度l0*T的组合(n0*T，m0*T，l0*T)。多个数据集类型(P_nT，L_mT，P_lT)中的每一个，例如：数据集类型(P_n0*T，L_m0*T，P_l0*T)，对应于特定目标凹坑长度n0*T、特定目标平面长度m0*T、与特定目标凹坑长度l0*T的组合(n0*T，m0*T，l0*T)。由于n、m与l各有九个可能的值(3到11)，所以对数据集类型(L_nT，P_mT，L_lT)来说有(9*9*9)个组合，而对数据集类型(P_nT，L_mT，P_lT)来说也有(9*9*9)个组合，因此数据集类型的总数是为(9*9*9*2)＝1458。

在实际操作上可以选择某些组合；写入策略参数可依据这些所选择的组合来调整，而不是依据所有可能的组合来调整。

另外，如果数据集(L1，P，L2)中长度L1、P、与L2满足下列条件，则类型依附分类器142可将这些数据集(L1，P，L2)分类进数据集类型(L_n0*T，P_m0*T，L_l0*T)：

(n0-0.5)*T≤L1≤(n0+0.5)*T；

(m0-0.5)*T≤P≤(m0+0.5)*T；且

(l0-0.5)*T≤L2≤(l0+0.5)*T。

相似地，如果数据集(P1，L，P2)中的长度P1、L与P2满足下列条件，则类型依附分类器142可将这些数据集(P1，L，P2)分类进数据集类型(P_n0*T，L_m0*T，P_l0*T)：

(n0-0.5)*T≤P1≤(n0+0.5)*T；

(m0-0.5)*T≤L≤(m0+0.5)*T；且

(l0-0.5)*T≤P2≤(l0+0.5)*T。

数据到时钟边沿偏差计算器144可如下列说明来计算分别对应于数据集类型(L_nT，P_mT，L_lT)与(P_nT，L_mT，P_lT)的数据到时钟边沿偏差。数据到时钟边沿偏差计算器144计算多个数据到时钟边沿长度(data-to-clock edge length)，其中每一个数据到时钟边沿长度为上述的参考信号(在本实施例中即八转十四调变数据时钟CLK)的上升沿或下降沿以及分切信号115的转变边沿(transition edge)之间的间距。另外，数据到时钟边沿偏差计算器144计算多个差值，以产生分别对应于各个数据集类型(L_nT，P_mT，L_lT)与(P_nT，L_mT，P_lT)的数据到时钟边沿偏差。上述差值中的每一个为一个数据到时钟边沿长度与一个目标数据到时钟边沿长度之间的差值，其中目标数据到时钟边沿长度为对应于特定数据集类型(L_n0*T，P_m0*T，L_l0*T)或(P_n0*T，L_m0*T，P_l0*T)的预定值。

以图2所示的情况为例来进行进一步的说明。图2为依据第一实施例的利用数据到时钟边沿偏差来进行长度补偿的示意图，其中凹坑A对应于目标长度P_4T(即凹坑的目标长度为4T)。如图2所示，Ttopr与Tlast分别表示用来控制凹坑的开始位置与结束位置的写入策略参数。在图2所示的情况中，凹坑A被视为凹坑PT，其结束位置在此情况中并不完美；换句话说，在凹坑PT的结束位置上可测量到边沿偏差。位于凹坑PT之前的先前平面(previous land)PL有目标长度L_4T(即平面的目标长度为4T)，位于先前平面PL之前的先前凹坑(previous pit)PP有目标长度P_3T。另外，位于凹坑PT之后的后续平面(following land)FL有目标长度L_5T，位于后续平面FL之后的后续凹坑(following pit)FP有目标长度P_4T。在此，类型(PP，PL，PT)与(PT，FL，FP)对应于上述的至少一个凹坑平面凹坑数据集类型，以及类型(PL，PT，FL)对应于上述的至少一个平面凹坑平面数据集类型。

依据计算模块140所进行、且分别对应于类型(PP，PL，PT)、(PL，PT，FL)、与(PT，FL，FP)的数据集类型的计算(尤其为统计方面的计算)，统计结果可被获取以指出类型(PP，PL，PT)、(PL，PT，FL)、与(PT，FL，FP)中的一个主导着(dominate)凹坑PT的不完美结束的现象，例如，类型(PT，FL，FP)主导着凹坑PT的不完美结束的现象，则相对应的写入策略参数Tlast(n，m，l)(其代表用来控制对应于数据集类型(P_nT，L_mT，P_lT)的凹坑的结束位置的写入策略参数)应被微调，以调整凹坑PT的不完美的结束，其中依据图2所示的情况，(n，m，l)＝(4，5，4)。

需要注意的是，数据到时钟边沿偏差计算器144可计算数据到时钟边沿长度d1。在本实施例中，数据到时钟边沿长度d1是为分切信号115的下降沿的时间点D(即对应于凹坑A的结束位置的时间点)、以及八转十四调变数据时钟CLK中随后的上升沿(例如：时间点d)之间的间距。请注意，时间点D实质上是为射频信号113的值跨越(cross)某一预定值(例如：对应于分切器114的分切等级的值)时的同一时间点。数据到时钟边沿偏差计算器144通过检测分切信号115的等级由高至低的转变来检测时间点D。同样的方法可以被应用于计算对应数据集类型(P_4T，L_5T，P_4T)的数据到时钟边沿长度。此外，数据到时钟边沿偏差计算器144计算多个差值以产生对应于数据集类型的数据到时钟边沿偏差。在某些实施例中，数据到时钟边沿偏差计算器144通过统计分析多个对应于特定数据集类型的差值，来产生特定数据集类型的数据到时钟边沿偏差。统计分析可为对这些差值进行平均运算，或找出这些差值中出现频率最高的值(most frequent value)。上述差值中的每一个可以是数据到时钟边沿长度与目标数据到时钟边沿长度(例如：图2所示的情况中为0.5T)之间的差值。因为对应于凹坑A的结束位置的时间点在理想状况下应该是时间点Do，所以对应于数据集类型(P_4T，L_5T，P_4T)的目标数据到时钟边沿长度是为0.5T。

以图3所示的情况为例来进行进一步的说明。图3为依据本发明第一实施例的利用数据到时钟边沿偏差来进行长度补偿的示意图，其中凹坑B也对应于目标长度P_4T。在图3所示的情况中，凹坑B被视为凹坑PT，凹坑PT的开始位置在此情况中并不完美；换句话说，在凹坑PT的开始位置上可测量到边沿偏差。

相似地，依据计算模块140所进行、且分别对应于类型(PP，PL，PT)、(PL，PT，FL)、与(PT，FL，FP)的数据集类型的计算，统计结果可被获取以指出类型(PP，PL，PT)、(PL，PT，FL)、与(PT，FL，FP)中的一个主导着凹坑PT的不完美开始的现象，例如，类型(PP，PL，PT)主导着凹坑PT的不完美开始的现象，则相对应的写入策略参数Ttopr(n，m，l)(其代表用来控制对应于数据集类型(P_nT，L_mT，P_lT)的凹坑的开始位置的写入策略参数)应被微调，以调整凹坑PT的不完美开始，其中依据图3所示的情况，(n，m，l)＝(3，4，4)。

需要注意的是，数据到时钟边沿偏差计算器144计算数据到时钟边沿长度d2。在本实施例中，数据到时钟边沿长度d2为分切信号115的上升沿的时间点E(即对应于凹坑B的开始位置的时间点)以及在八转十四调变数据时钟CLK中随后的上升沿(例如：时间点e所指之处)之间的间距。请注意，时间点E实质上是为射频信号113的值跨越预定值(例如：对应于分切器114的分切等级的值)时的同一时间点。数据到时钟边沿偏差计算器144通过检测分切信号115的等级由低至高的转变来检测时间点E。同样的方法可以被应用于计算对应于数据集类型(P_3T，L_4T，P_4T)的数据到时钟边沿长度。另外，数据到时钟边沿偏差计算器144计算多个差值以产生对应于数据集类型的数据到时钟边沿偏差，其中上述差值中的每一个为一个数据到时钟边沿长度与一个目标数据到时钟边沿长度之间的差值。在图3所示的情况中，因为对应于凹坑B的开始位置的时间点在理想状况下应该是时间点Eo，所以对应于数据集类型(P_3T，L_4T，P_4T)的目标数据到时钟边沿长度被决定为0.5T。

需要注意的是，因为从数据到时钟边沿偏差计算器144传输到写入脉冲控制器150的信号是数字的，所以如果有需要，类型依附分类器142产生的分类信息可通过数据到时钟边沿偏差计算器144被传送至写入脉冲控制器150。相似地，因为从类型依附分类器142传输至数据到时钟边沿偏差计算器144的信号是数字的，因此如果有需要，八转十四调变长度检测器130所产生的检测结果可通过类型依附分类器142被传送至数据到时钟边沿偏差计算器144。在第一实施例的一个变化例中，写入脉冲控制器150可通过直接连接而耦接至类型依附分类器142，且数据到时钟边沿偏差计算器144也可通过直接连接而耦接至八转十四调变长度检测器130。

在第一实施例的一个变化例中，被用于计算差值以产生对应于特定数据集类型(L_n0*T，P_m0*T，L_l0*T)的数据到时钟边沿偏差的目标数据到时钟边沿长度，可以是对应于特定数据集类型(L_n0*T，P_m0*T，L_l0*T)的多个数据到时钟边沿长度的平均值。相似地，被用于计算差值以产生对应于特定数据集类型(P_n0*T，L_m0*T，P_l0*T)的数据到时钟边沿偏差的目标数据到时钟边沿长度，可以是对应于特定数据集类型(P_n0*T，L_m0*T，P_l0*T)的多个数据到时钟边沿长度的平均值。在第一实施例的另一变化例中，被用于计算差值以产生对应于特定数据集类型(L_n0*T，P_m0*T，L_l0*T)或(P_n0*T，L_m0*T，P_l0*T)的数据到时钟边沿偏差的目标数据到时钟边沿长度，可以是对应于特定数据集类型(L_n0*T，P_m0*T，L_l0*T)的多个数据到时钟边沿长度以及对应于特定数据集类型(P_n0*T，L_m0*T，P_l0*T)的多个数据到时钟边沿长度的平均值。

需要注意的是，上述写入策略参数，例如：Ttopr(n，m，l)与Tlast(n，m，l)，都可以被自动地微调，这是由于本发明不再需要特定装置(例如：上述的示波器)。另外，在没有外部装置的协助下，写入脉冲控制器150可依据计算模块140所产生的数据到时钟边沿偏差来微调写入策略参数，所以依据本发明，写入策略参数可以在系统或芯片上被自动地微调。通过依据数据到时钟边沿偏差来微调写入策略参数，促使对应于被写到光学存储媒体102上的最新数据(其是利用最近更新的写入策略参数而写上的)的凹坑长度或平面长度可接近或达到T的目标倍数。

图4为依据本发明一实施例用来微调光学存储装置的写入策略参数的方法910的流程图。方法910从步骤910S开始并可通过图1所示的系统100C来实施。

在步骤912中，在光学存储装置100中的微处理单元(micro-processingunit，MPU)所执行的固件编码的控制下，光学存储装置100利用对应于光学存储装置100的特定转速的写入策略参数的初始值，将数据写到光学存储媒体102上。

在步骤914中，光学存储装置100读取被写到光学存储媒体102上的数据以产生分切信号115。

在步骤916中，系统100C的八转十四调变长度检测器130通过测量分切信号115来检测凹坑的长度P与平面的长度L。

在步骤918中，计算模块140计算对应于数据集类型(L_nT，P_mT，L_lT)与(P_nT，L_mT，P_lT)的数据到时钟边沿偏差，其数据集类型如前面所述，包含至少一凹坑平面凹坑数据集类型或至少一平面凹坑平面数据集类型，其中在本实施例中，n＝3、4、...、或11，m＝3、4、...、或11，且l＝3、4、...、或11。

在步骤920中，执行固件编码的微处理单元决定是否需要微调写入策略参数。如果任一数据到时钟边沿偏差大于一特定门限值，则执行固件编码的微处理单元决定需要微调写入策略参数，步骤922将被执行；否则，进入步骤910E，结束该流程。在某些情况下，如果写入策略参数的初始值被确信为是不完美的，则微处理单元可决定直接进入步骤922而不进行步骤920的检查。虽然如步骤920与922中所描述的写入策略参数为多个写入策略参数，且简化如图2所示，但其并不是对本发明的限定。如果仅需微调一个写入策略参数，则步骤920与922可被描述为利用一个写入策略参数类型。类似的选择一个或多个写入策略参数类型的实施选择的重复说明将不再详细描述。

如果执行固件编码的微处理单元决定进入步骤922，则系统100C如前面所述，利用数据到时钟边沿偏差来微调写入策略参数。

在步骤924中，在执行固件编码的微处理单元的控制下，光学存储装置100利用微调后的写入策略参数值(即执行步骤922后的写入策略参数值)，将数据写到光学存储媒体102上。

请注意，依据本发明应用于上述多功能数码光盘(例如：DVD-R规格或DVD+R规格的多功能数码光盘)的另一实施例中，数据集类型(L_nT，P_mT，L_lT)与(P_nT，L_mT，P_lT)的总数量可通过下式获得：

10*10*10*2＝2000；

这是由于对于DVD-R规格或DVD+R规格的多功能数码光盘来说，n＝3、4、...、11、或14，m＝3、4、...、11、或14，且l＝3、4、...、11、或14。

相似地，在实际操作上可以选择某些组合；以便写入策略参数可依据所选择的组合来调整，而不是依据所有可能的组合来调整。

图5为依据本发明不同的实施例通过利用长度偏差统计来分别微调写入策略参数的示意图，其中图5所示的写入策略参数可应用于写入DVD-R规格的压缩光盘，且在图5中，用于多脉冲的写入策略的写入策略参数与用于单一脉冲的写入策略的写入策略参数是分别以理想串行数字信号(idealserial digital signal)来表示。写入策略参数Ttop1、Ttop2、Tlast1、Tlast2、Ttopr、Todf、Todr与Tlast分别对应于某些边沿延迟(或边沿位移)，且写入策略参数Tmp则对应于某一脉冲宽度。另外，写入策略参数，例如图5所示的过驱动功率(overdrive power，OD power)、写入功率(write power)、以及偏压功率(bias power)分别对应于某些功率等级。

图6为依据本发明不同的实施例通过利用长度偏差统计来分别微调写入策略参数的示意图，其中图6所示的写入策略参数可应用于写入DVD-RW规格压缩光盘，且用于第一写入策略(即图6中所示的“写入策略1”)的写入策略参数与用于第二写入策略(即图6中所示的“写入策略2”)的写入策略参数是分别以理想串行数字信号表示于图6中。写入策略参数Ttop1、Ttop2、Tlast1、Tlast2、与Tcool分别对应于某些边沿延迟(或边沿位移)，且写入策略参数Tmp则对应于某一脉冲宽度。另外，写入策略参数，例如图6所示的写入功率、擦除功率(erase power)、与偏压功率分别对应于某些功率等级。

图7为依据本发明的第二实施例的用来微调光学存储装置200的写入策略参数的系统200C的示意图。本实施例与第一实施例相似，其差异说明如下。在第二实施例中，输入至八转十四调变长度检测器130的参考信号为振荡器220所产生的参考时钟CLK2。参考时钟CLK2的频率并不需要与八转十四调变数据时钟CLK的频率相等。

图8为依据本发明的第三实施例的用来微调光学存储装置300的写入策略参数的系统300C的示意图。本实施例与第一实施例相似，其差异说明如下。系统300C包含取样电路(sampling circuit)，耦接于波形均衡器112以接收再生信号(例如：射频信号113)。取样电路是被用于取样再生信号以产生数字信号；在本实施例中，数字信号为数字射频信号315。如图8所示，取样电路包含模数转换器(analog-to-digital converter，ADC)314与锁相环320。模数转换器314依据参考时钟CLK3对射频信号113进行模数转换，以产生数字射频信号315，且锁相环320依据数字射频信号315来产生参考时钟CLK3。

系统300C进一步包含八转十四调变长度检测器330、计算模块340、与写入脉冲控制器350，其中计算模块340包含类型依附分类器342与数据到时钟边沿偏差计算器344。在此，被使用于检测长度的信号为数字射频信号315，而不是分切信号115。八转十四调变长度检测器330通过观测(observe)数字射频信号315的值来检测时间点之间的间距，并产生间距的长度，其中每一间距对应于一个凹坑或一个平面。这些间距的边界可通过预定值来决定；预定值可以是数字射频信号315携载的最大值与最小值之间的中间值，例如：最大值与最小值的平均值。中间值相当于前面各实施例所述的分切信号。

图9为于再生信号(例如：射频信号113)的多个取样点(其是以

的记号来标示)的示意图，其中特定取样点的值与预定值(例如：上述中间值)之间的差值d3可作为用来指出数据到时钟边沿偏差d4的指标(indication)。依据图9所示的射频信号的波形，大部分跨越预定值的取样点中都会完美地对准八转十四调变数据时钟的下降沿，所以大部分数据到时钟边沿偏差的值为零。上述特定取样点的值是指在特定取样时间被取样的数值，而该数值是由数字射频信号315携载。取样点的值与预定值之间的差值(例如：上述差值d3)可表示数据到时钟边沿偏差(例如：上述数据到时钟边沿偏差d4)，且取得对应的长度与数据到时钟边沿偏差。计算模块340可通过计算预定值(例如：上述中间值)以及当数字射频信号315的值跨越预定值的时间点附近的数字射频信号315的值之间的差值，来估算出数据到时钟边沿偏差。

在此，类型依附分类器342与类型依附分类器142具有相同的功能，而八转十四调变长度检测器330则可输出由输出信号331携载的长度L与P，其中输出信号331与输出信号131相似。本实施例的数据到时钟边沿偏差计算器344通过使用上述接近于直线的关系，来计算数据到时钟边沿偏差。另外，写入脉冲控制器350具有与写入脉冲控制器150相同的功能，而计算模块340则可输出由输出信号345携载的数据到时钟边沿偏差，其中输出信号345与输出信号145相似。

图10为图8所示的实施例的一变化实施例的示意图，其中使用了内插器(interpolator)416，耦接于模数转换器314与锁相环320之间。锁相环320依据内插器416所产生的内插信号(interpolated signal)417来产生参考信号CLK4，而内插器416则依据数字射频信号315与参考信号CLK4来进行内插运算(interpolation operation)。在本变化实施例中，八转十四调变长度检测器330的输入可被内插信号417所替换。内插器416的运作原理是任何所属技术领域中的技术人员所能理解的，所以在此不再详细描述。

图11为依据本发明一实施例的统计计算的详细实施的方法930的流程图，其中图11所示的详细实施的方法开始于步骤930S，并可被应用于图4所示的实施例，尤其是步骤918、920、与922。

在步骤932中，进行对应于类型(PP，PL，PT)、(PL，PT，FL)、及/或(PT，FL，FP)的多个数据集类型的统计计算，并取得数据到时钟边沿偏差大于门限值Th_A(例如：Th_A＝0.3T)的数据集类型。

在步骤934中，在数据到时钟边沿偏差大于门限值Th_A的数据集类型当中，取得数据集发生次数多于Th_B(即门限值Th_B所指定的次数)的数据集类型，其中门限值Th_B为正整数，例如：Th_B＝256。

在步骤936中，计算对应于数据集发生次数多于Th_B的数据集类型的写入策略参数的调整量。并于步骤930E中结束。

需要注意的是，依据本发明的某些实施例，可进行统计计算以决定对应长度L及/或P的分布曲线。分布曲线的某些特征的信息，例如：分布曲线的形状、半高宽(half height width)、及被门限值Th_A与Th_B所切割的区域，可用于决定是否微调写入策略参数以及决定写入策略参数的调整量。

图12与图13为依据本发明的一实施例的分别在微调写入策略参数之前与之后的取样数(sample count)相对于数据到时钟边沿长度的曲线示意图。如图12所示，关于对应于(PT，FL)＝(4T，5T)的组合「PT(4T)+FL(5T)」，其曲线以某一值为中心(例如：零)。另外，对应于(PL，PT，FL)＝(3T，4T，5T)的组合「PL(3T)+PT(4T)+FL(5T)」的曲线是以该某一值减掉S2为中心，而对应于(PL，PT，FL)＝(4T，4T，5T)的组合「PL(4T)+PT(4T)+FL(5T)」的曲线是以该某一值加上S1为中心，且对应于(PL，PT，FL)＝(5T，4T，5T)的组合「PL(5T)+PT(4T)+FL(5T)」的曲线也以某一值为中心。因此，依据本实施例，微调写入策略参数，当如图12所示的三个较低曲线被集中在同一处以使它们以同一值或彼此相近的值为中心，则可窄化(narrow)如图12所不的较高曲线。因此，如图13所示差距S1与S2被缩小了。

需要注意的是，本发明可通过使用具有多个组件组合而成的硬件、或通过使用执行软件或固件程序的计算机来实施。

虽然本发明已以较佳实施例揭露如上，然其并非用以限定本发明，任何所属技术领域中的技术人员，在不脱离本发明的范围内，可以做一些改动，因此本发明的保护范围应与权利要求所界定的范围为准。

Claims (35)

1.一种用来微调光学存储装置的写入策略参数的方法，其特征在于，所述方法包含以下步骤：

检测多个长度，每一长度对应于通过所述光学存储装置所存取的光学存储媒体上的一凹坑或一平面；

进行对应于多个数据集类型的计算，以及产生分别对应于所述多个数据集类型的多个数据到时钟边沿偏差，其中所述多个数据集类型至少包含凹坑平面凹坑数据集类型或至少包含平面凹坑平面数据集类型；以及

使用所述多个数据到时钟边沿偏差来微调所述多个写入策略参数，其中所述多个写入策略参数分别对应于所述多个数据集类型。

2.如权利要求1所述的用来微调光学存储装置的写入策略参数的方法，其特征在于，检测所述多个长度的步骤进一步包含：

依据存取所述光学存储媒体的所述光学存储装置所产生的再生信号来检测所述多个长度。

3.如权利要求2所述的用来微调光学存储装置的写入策略参数的方法，其特征在于，检测所述多个长度的步骤进一步包含：

分切所述再生信号以产生分切信号；以及

检测所述分切信号的多个上升沿与多个下降沿之间的多个间距或所述分切信号的多个下降沿与多个上升沿之间的多个间距，来作为所述多个长度，其中每一间距对应于一凹坑或一平面。

4.如权利要求3所述的用来微调光学存储装置的写入策略参数的方法，其特征在于，进行对应于所述多个数据集类型的计算以及产生分别对应于所述多个数据集类型的所述多个数据到时钟边沿偏差的步骤进一步包含：

计算多个数据到时钟边沿长度，每一数据到时钟边沿长度为第一参考时钟的上升沿或下降沿以及所述分切信号的上升沿或下降沿之间的间距；以及

计算多个差值以产生分别对应于所述多个数据集类型的所述多个数据到时钟边沿偏差，每一差值为数据到时钟边沿长度与目标数据到时钟边沿长度之间的差值，其中所述目标数据到时钟边沿长度为对应于特定数据集类型的预定值、或为对应于所述特定数据集类型的多个数据到时钟边沿长度的平均值。

5.如权利要求4所述的用来微调光学存储装置的写入策略参数的方法，其特征在于，所述方法进一步包含：

依据所述分切信号来产生所述第一参考时钟。

6.如权利要求5所述的用来微调光学存储装置的写入策略参数的方法，其特征在于，依据所述分切信号来产生所述第一参考时钟的步骤进一步包含：

利用锁相环来产生所述第一参考时钟，

且检测所述多个长度的步骤进一步包含：

依据所述第一参考时钟来检测所述多个长度。

7.如权利要求5所述的用来微调光学存储装置的写入策略参数的方法，其特征在于，依据所述分切信号来产生所述第一参考时钟的步骤进一步包含：

利用锁相环来产生所述第一参考时钟，

且检测所述多个长度的步骤进一步包含：

使用振荡器来产生第二参考时钟；以及

依据所述第二参考时钟来检测所述多个长度。

8.如权利要求2所述的用来微调光学存储装置的写入策略参数的方法，其特征在于，检测所述多个长度的步骤进一步包含：

对所述再生信号进行取样以产生数字信号；以及

当所述数字信号的值跨越预定值时，检测多个时间点之间的间距，以产生所述多个长度，其中每一间距对应于一凹坑或一平面。

9.如权利要求8所述的用来微调光学存储装置的写入策略参数的方法，其特征在于，进行对应于所述多个数据集类型的计算以及产生分别对应于所述多个数据集类型的所述多个数据到时钟边沿偏差的步骤进一步包含：

当所述数字信号的值跨越所述预定值时，计算所述多个时间点附近的所述数字信号的值与所述预定值之间的多个差值，以产生所述多个数据到时钟边沿偏差。

10.如权利要求8所述的用来微调光学存储装置的写入策略参数的方法，其特征在于，对所述再生信号进行取样的步骤进一步包含：

依据参考时钟来对所述再生信号进行模数转换，以产生所述数字信号；以及

使用锁相环，依据所述数字信号来产生所述参考时钟。

11.如权利要求1所述的用来微调光学存储装置的写入策略参数的方法，其特征在于，所述方法进一步包含：

在系统或芯片上自动地微调所述多个写入策略参数。

12.如权利要求1所述的用来微调光学存储装置的写入策略参数的方法，其特征在于，进行对应于所述多个数据集类型的计算以及产生分别对应于所述多个数据集类型的所述多个数据到时钟边沿偏差的步骤进一步包含：

将多个数据集分类为所述多个数据集类型，每一数据集包含分别对应于一凹坑与两个相邻平面的长度或分别对应于一平面与两个相邻凹坑的长度；以及

计算分别对应于所述多个数据集类型的所述多个数据到时钟边沿偏差。

13.如权利要求1所述的用来微调光学存储装置的写入策略参数的方法，其特征在于，在进行对应于所述多个数据集类型的计算以及产生分别对应于所述多个数据集类型的所述多个数据到时钟边沿偏差的步骤中，每一数据集类型对应于特定目标凹坑长度与多个特定目标平面长度的组合、或特定目标平面长度与多个特定目标凹坑长度的组合。

14.如权利要求1所述的用来微调光学存储装置的写入策略参数的方法，其特征在于，进行对应于所述多个数据集类型的计算以及产生分别对应于所述多个数据集类型的所述多个数据到时钟边沿偏差的步骤进一步包含：

取得所述多个数据到时钟边沿偏差大于第一门限值的数据集类型；

在数据到时钟边沿偏差大于所述第一门限值的所述多个数据集类型中，取得所述多个数据集发生次数多于第二门限值所指示的次数的数据集类型；以及

计算对应于数据集发生次数多于所述第二门限值所指示的次数的所述多个数据集类型的所述多个写入策略参数的调整量；

其中所述多个调整量被用于微调所述多个写入策略参数。

15.一种用来微调光学存储装置的写入策略参数的系统，其特征在于，所述系统包含：

检测器，用来检测多个长度，每一长度对应于通过所述光学存储装置所存取的光学存储媒体上的一凹坑或一平面；

计算模块，耦接于所述检测器，用以进行对应于多个数据集类型的计算，以及产生分别对应于所述多个数据集类型的多个数据到时钟边沿偏差，其中所述多个数据集类型至少包含凹坑平面凹坑数据集类型或至少包含平面凹坑平面数据集类型；以及

控制器，耦接于所述计算模块，所述控制器利用所述多个数据到时钟边沿偏差以微调分别对应于所述多个数据集类型的所述多个写入策略参数。

16.如权利要求15所述的用来微调光学存储装置的写入策略参数的系统，其特征在于，所述检测器依据存取所述光学存储媒体的所述光学存储装置所产生的再生信号来检测所述多个长度。

17.如权利要求16所述的用来微调光学存储装置的写入策略参数的系统，其特征在于，所述系统进一步包含：

分切器，用来分切所述再生信号以产生分切信号；

其中所述检测器检测所述分切信号的多个上升沿与多个下降沿之间的多个间距或所述分切信号的所述多个下降沿与所述多个上升沿之间的多个间距，来作为所述多个长度，且每一间距对应于一凹坑或一平面。

18.如权利要求17所述的用来微调光学存储装置的写入策略参数的系统，其特征在于，所述计算模块计算多个数据到时钟边沿长度以及多个差值，以产生分别对应于所述多个数据集类型的所述多个数据到时钟边沿偏差，其中每一数据到时钟边沿长度为第一参考时钟的上升沿或下降沿以及所述分切信号的上升沿或下降沿之间的间距，以及每一差值为数据到时钟边沿长度与目标数据到时钟边沿长度之间的差值，其中所述目标数据到时钟边沿长度为对应于特定数据集类型的预定值、或为对应于所述特定数据集类型的多个数据到时钟边沿长度的平均值。

19.如权利要求18所述的用来微调光学存储装置的写入策略参数的系统，其特征在于，所述系统进一步包含：

锁相环，用以依据所述分切信号来产生所述第一参考时钟；

其中所述检测器与所述计算模块均耦接于所述锁相环，且所述检测器依据所述第一参考时钟来检测所述多个长度。

20.如权利要求18所述的用来微调光学存储装置的写入策略参数的系统，其特征在于，所述系统进一步包含：

锁相环，用以依据所述分切信号来产生所述第一参考时钟；以及

振荡器，用以产生第二参考时钟；

其中所述检测器耦接于所述振荡器且依据所述第二参考时钟来检测所述多个长度，以及所述计算模块耦接于所述锁相环。

21.如权利要求16所述的用来微调光学存储装置的写入策略参数的系统，其特征在于，所述系统进一步包含：

取样电路，用以取样所述再生信号以产生数字信号；

其中所述检测器耦接于所述取样电路，且当所述数字信号的值跨越预定值时，检测多个时间点之间的间距以产生所述多个长度，以及每一间距对应于一凹坑或一平面。

22.如权利要求21所述的用来微调光学存储装置的写入策略参数的系统，其特征在于，当所述数字信号的值跨越所述预定值时，所述计算模块计算所述多个时间点附近的所述数字信号的值与所述预定值之间的差值，以产生所述多个数据到时钟边沿偏差。

23.如权利要求21所述的用来微调光学存储装置的写入策略参数的系统，其特征在于，所述取样电路进一步包含：

模数转换器，用以依据参考时钟来对所述再生信号进行模数转换，以产生所述数字信号；以及

锁相环，耦接于所述模数转换器，用以依据所述数字信号来产生所述参考时钟。

24.如权利要求21所述的用来微调光学存储装置的写入策略参数的系统，其特征在于，所述取样电路进一步包含：

模数转换器，用来对所述再生信号进行模数转换；

内插器，耦接于所述模数转换器，用来依据参考时钟以及通过所述模数转换器所产生的结果来进行内插运算，以产生所述数字信号；以及

锁相环，耦接于所述内插器，用以依据所述数字信号来产生所述参考时钟。

25.如权利要求15所述的用来微调光学存储装置的写入策略参数的系统，其特征在于，所述多个写入策略参数是在系统或芯片上被自动地微调。

26.如权利要求15所述的用来微调光学存储装置的写入策略参数的系统，其特征在于，所述计算模块进一步包含：

类型依附分类器，用来将多个数据集分类为所述多个数据集类型，每一数据集包含分别对应于一凹坑与两个相邻平面的长度、或分别对应于一平面与两个相邻凹坑的长度；以及

数据到时钟边沿偏差计算器，耦接于所述类型依附分类器，用来计算分别对应于所述多个数据集类型的所述多个数据到时钟边沿偏差。

27.如权利要求15所述的用来微调光学存储装置的写入策略参数的系统，其特征在于，在所述计算模块所进行的计算中，每一数据集类型对应于特定目标凹坑长度与多个特定目标平面长度的组合、或特定目标平面长度与多个特定目标凹坑长度的组合。

28.如权利要求15所述的用来微调光学存储装置的写入策略参数的系统，其特征在于，所述系统是所述光学存储装置。

29.如权利要求15所述的用来微调光学存储装置的写入策略参数的系统，其特征在于，所述系统是所述光学存储装置中的电路，或所述系统是耦接于所述光学存储装置的电路。

30.如权利要求15所述的用来微调光学存储装置的写入策略参数的系统，其特征在于，所述计算模块取得所述多个数据到时钟边沿偏差大于第一门限值的数据集类型，并在数据到时钟边沿偏差大于所述第一门限值的所述多个数据集类型中，取得所述多个数据集发生次数多于第二门限值所指示的次数的数据集类型，以及计算对应于数据集发生次数多于所述第二门限值所指示的次数的所述多个数据集类型的所述多个写入策略参数的调整量；其中所述多个调整量被用于微调所述多个写入策略参数。

31.一种用来微调光学存储装置的写入策略参数的方法，其特征在于，所述方法包含以下步骤：

检测多个长度，每一长度对应于通过所述光学存储装置所存取的光学存储媒体上的一凹坑或一平面；

进行对应于多个数据集类型的计算，以及产生分别对应于所述多个数据集类型的多个数据到时钟边沿偏差，其中进行对应于所述多个数据集类型的计算以及产生分别对应于所述多个数据集类型的所述多个数据到时钟边沿偏差的步骤进一步包含：

取得数据到时钟边沿偏差大于第一门限值的数据集类型；

在数据到时钟边沿偏差大于所述第一门限值的所述多个数据集类型中，取得数据集发生次数多于第二门限值所指示的次数的数据集类型；

计算对应于数据集发生次数多于所述第二门限值所指示的次数的所述多个数据集类型的所述多个写入策略参数的调整量；以及

利用所述多个调整量以微调所述多个写入策略参数。

32.如权利要求31所述的用来微调光学存储装置的写入策略参数的方法，其特征在于，检测所述多个长度的步骤进一步包含：

依据存取所述光学存储媒体的所述光学存储装置所产生的再生信号来检测所述多个长度。

33.如权利要求32所述的用来微调光学存储装置的写入策略参数的方法，其特征在于，检测所述多个长度的步骤进一步包含：

分切所述再生信号以产生分切信号；以及

检测所述分切信号的多个上升沿与多个下降沿之间的多个间距或所述分切信号的多个下降沿与多个上升沿之间的多个间距，来作为所述多个长度，其中每一间距对应于一凹坑或一平面。

34.如权利要求32所述的用来微调光学存储装置的写入策略参数的方法，其特征在于，检测所述多个长度的步骤进一步包含：

对所述再生信号进行取样以产生数字信号；以及

当所述数字信号的值跨越预定值时，检测多个时间点之间的间距，以产生所述多个长度，其中每一间距对应于一凹坑或一平面。

35.如权利要求31所述的用来微调光学存储装置的写入策略参数的方法，其特征在于，所述方法进一步包含：

在系统或芯片上自动地微调所述多个写入策略参数。

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