CN101106336A - 电源电路 - Google Patents
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Abstract
本发明公开一种电源电路,其包括二直流电源、一变压器、第一晶体管、第二晶体管和一脉冲反转电路。该脉冲反转电路包括一第三晶体管、一第四晶体管、一偏置电阻和一二极管。该第三晶体管的射极连接到该第二晶体管的栅极,该第三晶体管的基极连接到该第四晶体管的集电极,该第三晶体管的集电极连接到一直流电源。该二极管的正极连接到该第三晶体管的射极,该二极管的负极连接到该第三晶体管的基极。该第四晶体管的集电极串联该偏置电阻后连接到该直流电源,该第四晶体管的射极接地,该第四晶体管的基极接收该方波脉冲信号。
Description
技术领域
本发明涉及一种电源电路。
背景技术
电源电路被广泛用于各种电器的电路中,为不同电路提供工作电源。请参阅图1,是一种现有技术电源电路的电路图。该电源电路100包括一第一直流电源110、一第二直流电源120、一变压器130、一第一晶体管140、一第二晶体管150、一脉冲产生集成电路160和一脉宽调变集成电路170。该变压器130包括一第一初级线圈131、第二初级线圈132和一次级线圈133。该脉宽调变集成电路170包括用于输出方波脉冲的一脉冲输出端171。该脉冲产生集成电路160包括一脉冲接收端161和二脉冲输出端162、163。该第一晶体管130和第二晶体管140都是N沟道增强型MOS场效晶体管。
该第一晶体管140包括一源极S、一漏极D和一栅极G。该第一晶体管140的源极S经由一电阻141接地,漏极D串联该第一初级线圈131后连接到该第一直流电源110,栅极G连接到该脉冲产生集成电路160的一脉冲输出端162。
该第二晶体管150包括一源极S、一漏极D和一栅极G。该第二晶体管的源极S接地,漏极D依次串联该第二初级线圈132和一电容151接地,栅极G连接到该脉冲产生集成电路160的另一脉冲输出端163。
该脉冲产生集成电路160接收该脉宽调变集成电路170产生的方波脉冲,并根据该方波脉冲由二脉冲输出端162、163分别输出二相位相反的方波驱动脉冲。
该第二直流电源120为该脉冲产生集成电路160和该脉宽调变集成电路170提供工作电源。
当该脉冲产生集成电路160的脉冲输出端162输出高电平,脉冲输出端163输出低电平时,该第一晶体管140导通,该第二晶体管150截止。该第一直流电源110、该第一初级线圈131、该第一晶体管140和该电阻141构成第一回路。第一初级线圈131电磁感应饱和之前,通过它的电流线性增加。
当该脉冲产生集成电路160的该脉冲输出端162输出低电平、该脉冲输出端163输出高电平时,该第一晶体管140截止,该第二晶体管150导通。该第二初级线圈132、该第二晶体管150和该电容151构成第二回路并接地。存储在第一初级线圈131内的电磁能量感应到该第二初级线圈132,并通过该第二回路被释放。该次级线圈133感应该第一和第二初级线圈131、132后输出一交流电压。该交流电压经过整流滤波后用于驱动一负载电路。
该电源电路100中,采用的脉冲产生集成电路160成本较高,进而导致该电源电路100的成本也较高。
发明内容
为了解决现有技术中电源电路成本较高的缺点,有必要提供一种成本较低的电源电路。
一种电源电路,其包括一第一直流电源、一第二直流电源、一变压器、一第一晶体管、一第二晶体管、和一脉冲反转电路。该变压器包括一第一初级线圈、第二初级线圈和一次级线圈。该脉冲反转电路包括一第三晶体管、一第四晶体管、一偏置电阻和一二极管。该第一晶体管的源极接地,其漏极串联该第一初级线圈后连接到该第一直流电源,其栅极接收一方波脉冲信号。该第二晶体管的源极接地,其漏极依次串联该第二初级线圈和一电容接地。该第三晶体管的射极连接到该第二晶体管的栅极,该第三晶体管的基极连接到该第四晶体管的集电极,该第三晶体管的集电极连接到该第二直流电源。该二极管的正极连接到该第三晶体管的射极,该二极管的负极连接到该第三晶体管的基极。该第四晶体管的集电极串联该偏置电阻后连接到该第二直流电源,该第四晶体管的射极接地,该第四晶体管的基极接收该方波脉冲信号。该次级线圈感应该第一和第二初级线圈后输出一交流电压。
一种电源电路,其包括一第一直流电源、一第二直流电源、一变压器、一第一晶体管、一第二晶体管、一脉宽调变集成电路和一脉冲反转电路。该变压器包括一第一初级线圈、第二初级线圈和一次级线圈。该脉宽调变集成电路包括用于输出方波脉冲信号的一脉冲输出端。该脉冲反转电路包括一第三晶体管、一第四晶体管、一偏置电阻和一二极管。该第一晶体管的源极接地,其漏极串联该第一初级线圈后连接到该第一直流电源,其栅极连接到该脉冲输出端。该第二晶体管的源极接地,其漏极依次串联该第二初级线圈和一电容接地。该第三晶体管的射极连接到该第二晶体管的栅极,该第三晶体管的基极连接到该第四晶体管的集电极,该第三晶体管的集电极连接到该第二直流电源。该二极管的正极连接到该第三晶体管的射极,该二极管的负极连接到该第三晶体管的基极。该第四晶体管的集电极串联该偏置电阻后连接到该第二直流电源,该第四晶体管的射极接地,该第四晶体管的基极亦连接到该脉冲输出端。该次级线圈感应该第一和第二初级线圈后输出一交流电压。
相较于现有技术,上述电源电路并无脉冲产生集成电路,采用仅由第三晶体管、第四晶体管、偏置电阻和二极管构成的该脉冲反转电路实现与脉冲产生集成电路相同的功能,因此该电源电路成本较低。
附图说明
图1是一种现有技术电源电路的电路图。
图2是本发明电源电路第一实施方式的电路图。
图3是本发明电源电路第二实施方式的电路图。
具体实施方式
请参阅图2,是本发明电源电路第一实施方式的电路图。该电源电路200包括第一直流电源210、第二直流电源220、一变压器230、一第一晶体管240、一第二晶体管250、一脉冲反转电路260和一脉宽调变集成电路270。该变压器230包括一第一初级线圈231、第二初级线圈232和一次级线圈233。该脉冲反转电路260包括一第三晶体管261、一第四晶体管262、一偏置电阻263和一二极管264。该脉宽调变集成电路270包括用于输出方波脉冲的一脉冲输出端271。该第一、第二直流电源都为12V。该偏置电阻为5.1KΩ。该第一晶体管230和第二晶体管240都是N沟道增强型MOS场效晶体管。该第三晶体管261和第四晶体管262都是NPN双极晶体管。
该第一晶体管240的源极S接地,其漏极D串联该第一初级线圈231后连接到该第一直流电源210,其栅极G连接到该脉冲输出端271。
该第二晶体管250的源极S接地,其漏极D依次串联该第二初级线圈232和一电容251接地。
该第三晶体管261的射极e连接到该第二晶体管250的栅极G,基极b连接到该第四晶体管262的集电极c,集电极c连接到该第二直流电源220。
该第四晶体管262的集电极c串联该偏置电阻263后连接到该第二直流电源220,射极e接地,基极b连接到该脉冲输出端271。
该二极管262的正极连接到该第三晶体管261的射极e,该二极管262的负极连接到该第三晶体管261的基极b。
该电源电路200的工作原理描述如下:
该脉宽调变集成电路270的脉冲输出端271为高电平时,该第一晶体管240导通。该第一直流电源210、该第一初级线圈231、该第一晶体管240构成第一回路。第一初级线圈231电磁感应饱和之前,通过它的电流线性增加。
因该脉冲输出端271为高电平,该第四晶体管262导通,因此该第二晶体管250的栅极G依次经由该二极管264和处于导通状态的该第四晶体管262接地,则第二晶体管250截止。
该脉宽调变集成电路270的脉冲输出端271为低电平时,该第一晶体管240截止。
因该脉冲输出端271为低电平,该第四晶体管262截止。该第三晶体管261的基极b经由该偏置电阻263连接到该第二电源220,因此该第三晶体管261导通。该第二电源220经由处于导通状态的该第三晶体管261提供到该第二晶体管250的栅极G,第二晶体管250导通。该第二初级线圈232、该第二晶体管250和该电容251构成第二回路并接地。存储在第一初级线圈231内的电磁能量感应到该第二初级线圈232,并通过该第二回路被释放。
该次级线圈233感应该第一和第二初级线圈231、232后输出一交流电压。该交流电压经过整流滤波后用于驱动一负载电路(图未示)。该脉冲输出端271输出的方波脉冲的占空比可以控制该交流电压的幅度。
该电源电路200,采用仅由第三晶体管261、第四晶体管262、偏置电阻263和二极管264构成的该脉冲反转电路260实现与脉冲产生集成电路相同的功能,因此该电源电路200成本较低。
请参阅图3,是本发明电源电路第二实施方式的电路图。该电源电路300与电源电路200不同之处在于:该电源电路300其进一步包括一滤波电路380、一限流电阻341、一放电电阻365和一放电电容366。
该滤波电路380包括一滤波电感381和一滤波电容382。该滤波电感381串接于第一电源310与第一初级线圈331之间,该滤波电感381与该第一初级线圈331之间一电路节点经由该滤波电容382接地。该滤波电路380对第一直流电源310进行滤波整流。
第一晶体管340经由该限流电阻341接地。该限流电阻341为0.22Ω。
该放电电阻365与该放电电容366并联,第四晶体管362的基极b经由该放电电阻365和该放电电容366连接到一脉冲输出端371。该放电电阻365和该放电电容366用于加速该第四晶体管362的截止过程,其分别为3.9kΩ、1800pF。
Claims (10)
1.一种电源电路,其包括:
一第一直流电源;
一第二直流电源;
一变压器,其包括一第一初级线圈、第二初级线圈和一次级线圈,该次级线圈感应该第一和第二初级线圈后输出一交流电压;
一第一晶体管,其源极接地,其漏极串联该第一初级线圈后连接到该第一直流电源,其栅极接收一方波脉冲信号;和
一第二晶体管,其源极接地,其漏极依次串联该第二初级线圈和一电容接地;
其特征在于:该电源电路进一步包括一脉冲反转电路,该脉冲反转电路包括一第三晶体管、一第四晶体管、一偏置电阻和一二极管,该第三晶体管的射极连接到该第二晶体管的栅极,该第三晶体管的基极连接到该第四晶体管的集电极,该第三晶体管的集电极连接到该第二直流电源,该二极管的正极连接到该第三晶体管的射极,该二极管的负极连接到该第三晶体管的基极,该第四晶体管的集电极串联该偏置电阻后连接到该第二直流电源,该第四晶体管的射极接地,该第四晶体管的基极接收该方波脉冲信号。
2.如权利要求1所述的电源电路,其特征在于:该电源电路进一步包括一电阻为0.22Ω的限流电阻,该第一晶体管的源极经由该限流电阻接地。
3.如权利要求1所述的电源电路,其特征在于:该电源电路进一步包括一放电电阻和与该放电电阻并联的一放电电容,该第四晶体管的基极经由并联的该放电电阻和该放电电容接收该方波脉冲信号。
4.如权利要求3所述的电源电路,其特征在于:该放电电阻为3.9kΩ,该放电电容为1800pF。
5.如权利要求1所述的电源电路,其特征在于:该电源电路进一步包括一滤波电路,该滤波电路包括一滤波电感和一滤波电容,该滤波电感串接于该第一电源与该第一初级线圈之间,该滤波电感与该第一初级线圈之间一电路节点经由该滤波电容接地。
6.如权利要求1所述的电源电路,其特征在于:该偏置电阻为5.1KΩ。
7.如权利要求1所述的电源电路,其特征在于:该第一和第二直流电源均为12V。
8.如权利要求1所述的电源电路,其特征在于:该第一晶体管和第二晶体管都是N沟道增强型MOS场效晶体管。
9.如权利要求1所述的电源电路,其特征在于:该第三晶体管、第四晶体管都是NPN双极晶体管。
10.一种电源电路,其包括:
一第一直流电源;
一第二直流电源;
一脉宽调变集成电路,其包括一脉冲输出端,用于输出一方波脉冲信号;
一变压器,其包括一第一初级线圈、第二初级线圈和一次级线圈,该次级线圈感应该第一和第二初级线圈后输出一交流电压;
一第一晶体管,其源极接地,其漏极串联该第一初级线圈后连接到该第一直流电源,其栅极连接到该脉冲输出端;和
一第二晶体管,其源极接地,其漏极依次串联该第二初级线圈和一电容接地;
其特征在于:该电源电路进一步包括一脉冲反转电路,该脉冲反转电路包括一第三晶体管、一第四晶体管、一偏置电阻和一二极管,该第三晶体管的射极连接到该第二晶体管的栅极,该第三晶体管的基极连接到该第四晶体管的集电极,该第三晶体管的集电极连接到该第二直流电源,该二极管的正极连接到该第三晶体管的射极,该二极管的负极连接到该第三晶体管的基极,该第四晶体管的集电极串联该偏置电阻后连接到该第二直流电源,该第四晶体管的射极接地,该第四晶体管的基极连接到该脉冲输出端。
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