CN100590532C - 光刻的曝光方法及曝光系统 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种光刻的曝光方法，包括步骤：利用检测片检测杂散光在衬底上的分布情况；确定待曝光场在所述衬底上的位置；根据所述检测片检测得到的杂散光的分布情况及所述位置，计算所述待曝光场的杂散光平均值；根据所述待曝光场的杂散光平均值确定所述待曝光场的曝光参数；按照所述曝光参数对所述待曝光场进行曝光；移至所述衬底上的下一个待曝光场，重复上述确定待曝光场位置、计算杂散光平均值、确定曝光参数及曝光的步骤，直至所述衬底上的各曝光场均完成曝光。本发明还公开了一种可以实现本发明的曝光方法的曝光系统，采用本发明的曝光方法或曝光系统，可以弥补杂散光对形成的图形的尺寸的影响，提高图形尺寸的准确性及一致性。

Description

光刻的曝光方法及曝光系统

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种光刻的曝光方法及曝光系统。

背景技术

半导体芯片的制作分为多层，且每一层的制作都需要进行图形限定，以形成特定结构，如，形成接触孔结构或金属连线结构等，这些特定结构的图形限定通常是由光刻工艺实现的。所谓光刻，是一个利用光刻掩膜版将设计的结构图形转移到晶片上的工艺过程。在半导体制造过程中，光刻工艺处于中心的地位，是集成电路生产中最重要的工艺步骤，如何将设计的图形准确地反映于光刻掩膜版上，再转移至半导体晶片上，是半导体制作中关注的重点问题之一。

光刻过程中，影响图形转移质量的因素很多，如，在曝光时产生的杂散光就会对图形转移质量产生一定的影响。曝光机的光学成像系统的像面通常不仅仅接收成像光线，也会接收到非成像光线。该部分到达光学系统像面的非成像光线就称为杂散光。杂散光的存在不仅会降低成像对比度，还会引起图形尺寸的变化。杂散光的大小会受到投影光刻系统的结构、材料及污染等多种因素的影响，另外，即使在同一投影光刻系统中，对不同的光刻掩膜版产生的杂散光也会不同。

光刻形成的图形尺寸较大时，对图形的形成质量往往要求较低，其能够容忍的图形偏差通常较大，此时，即使存在一定的杂散光导致图形的尺寸发生了些许偏差，如偏差了几十纳米，也不会对产品的形成质量造成太大的影响。因此，对于大尺寸的光刻图形，通常并不需要对曝光时杂散光对图形质量的影响多加考虑。

然而，随着超大规模集成电路的迅速发展，芯片的集成度越来越高，器件的特征尺寸(CD，Critical Dimension)越来越小，在光刻过程中所允许的图形尺寸偏差也相应地减小，尤其在特征尺寸达到90nm及以下的工艺中，通常要求将图形的尺寸偏差限制在几个纳米之内，这就对光刻技术提出了更为严格的要求。此时，图形尺寸较大时能够容忍的因杂散光带来的图形尺寸的偏差已不能容忍，必须要对其加以修正。

图1为说明现有的杂散光对图形尺寸的影响的示意图，如图1所示，图中横坐标代表了杂散光的相对强度，纵坐标代表了图形尺寸的变化。在理想情况下，形成的各种图形的尺寸均应为65nm(即杂散光为0时)。然而，如图1中所示，由于杂散光的存在，实际得到的曝光后的图形尺寸会发生一定的偏差，且随着杂散光的增强，不同图形的尺寸会发生不同的变化。图1中的101表示了线端间的槽图形(butting gap)的CD随着杂散光的增强而逐渐增大的变化情况；102、103和104分别表示了密集的条形图形(dense line)、暗场条形图形(dark field line)和条形线端图形(buttingline)的CD随着杂散光的增强而逐渐减小的变化情况。可以看到，各种图形的CD随着杂散光的增强而产生了不同的变化，逐渐偏离了正常值。其中，当杂散光强度较大时，图形尺寸的偏差量甚至可以达到15nm左右，这对于小尺寸器件而言是无法容忍的。

另外，杂散光在一个衬底上的分布往往是不均匀的，这样，在同一衬底的不同区域，即使是相同的图形，因杂散光而造成的图形尺寸的偏差情况也会各不相同，这导致了在同一衬底上形成的图形的一致性较差。

为了消除杂散光对光刻工艺的影响，于2005年8月17日公开的公开号为CN1655064A的中国专利申请提出了一种杂散光原位检测方法，其可以区分杂散光的来源，以便针对杂散光的来源采取措施消除杂散光。但采用该检测方法所用的检测系统较为复杂，需要有四个可以精确定位的狭缝刀口，特殊的掩膜版，能量传感器等，且该方法还需要采用额外的方法来消除杂散光，实现较为复杂，成本较高。

另外，于2005年7月20日公开的公开号为CN1641485A的中国专利申请也提出了一种消除杂散光对光刻图形尺寸的影响的方法，该方法在检测得到杂散光对图形尺寸的偏差后，通过调整光刻掩膜版上图形尺寸或改变显影条件等方法来修正因杂散光引起的图形尺寸的偏差，但是该方法未考虑到在整个衬底的不同区域杂散光的分布不同的问题，因此，不能在整个衬底范围内改善图形尺寸因杂散光而出现偏差的现象，形成的图形在准确性及一致性方面对于现有半导体制造技术而言仍不能满足要求。

发明内容

本发明提供一种光刻的曝光方法及曝光系统，可以在整个衬底范围内改善曝光时图形尺寸受杂散光影响出现偏差的现象。

本发明提供的一种光刻的曝光方法，包括步骤：

利用检测片检测杂散光在衬底上的分布情况；

确定待曝光场在所述衬底上的位置；

根据所述检测片检测得到的杂散光的分布情况及所述位置，计算所述待曝光场的杂散光平均值；

根据所述待曝光场的杂散光平均值确定所述待曝光场的曝光参数；

按照所述曝光参数对所述待曝光场进行曝光；

移至所述衬底上的下一个待曝光场，重复上述确定待曝光场位置、计算杂散光平均值、确定曝光参数及曝光的步骤，直至所述衬底上的各曝光场均完成曝光。

其中，根据所述杂散光平均值确定每个待曝光场的曝光参数，包括步骤：

根据所述杂散光平均值确定所述待曝光场的图形偏差量；

根据所述待曝光场的所述图形偏差量确定所述待曝光场的曝光参数。

其中，计算待曝光场的杂散光平均值后，还包括步骤：

判断所述待曝光场内的图形是否为简单图形：如果是，可以直接根据所述杂散光平均值确定所述待曝光场的曝光参数；如果否，则综合考虑所述待曝光场内的各图形的尺寸受杂散光和曝光参数的影响，及对各图形的尺寸变化的容忍度后再确定所述待曝光场的曝光参数。

其中，所述简单图形为图形尺寸受杂散光及曝光参数影响相同的图形。

其中，所述曝光参数包括曝光剂量和/或曝光时间。

本发明具有相同或相应技术特征的一种曝光系统，包括曝光装置、检测片、存储单元、第一计算单元及第二计算单元；其中的检测片用于检测杂散光的分布情况；存储单元用于存储由检测片检测得到的杂散光的分布情况及各待曝光场在衬底上的位置；第一计算单元用于根据所述存储单元内存储的杂散光分布情况及各所述待曝光场的位置，分别计算各所述待曝光场的杂散光平均值；第二计算单元用于根据所述第一计算单元计算得到的各所述待曝光场的杂散光平均值分别确定各所述待曝光场的曝光参数；曝光装置，用于按所述第二计算单元计算得到的曝光参数分别对各所述待曝光场进行曝光。

其中，所述第二计算单元在确定各所述待曝光场的曝光参数时，先根据所述杂散光平均值确定各所述待曝光场的图形偏差量；再根据各所述待曝光场的所述图形偏差量确定各所述待曝光场的曝光参数。

该曝光系统中还可以包括判断单元，所述判断单元用于判断所述待曝光场的图形是否为简单图形：如果是，所述第二计算单元可以直接根据所述杂散光平均值确定所述待曝光场的曝光参数；如果否，则所述第二计算单元综合考虑所述待曝光场的各图形的尺寸受杂散光和曝光参数的影响，及对各图形的尺寸变化的容忍度后再确定所述待曝光场的曝光参数。

其中，所述简单图形为图形尺寸受杂散光及曝光参数影响相同的图形。

其中，所述第二计算单元根据预先存放的所述杂散光平均值对图形尺寸的第一影响表及所述曝光参数对图形尺寸的第二影响表确定所述待曝光场的曝光参数。

其中，所述曝光参数包括曝光剂量和/或曝光时间。

与现有技术相比，本发明具有以下优点：

本发明的光刻的曝光方法，先利用检测片得到杂散光在整个衬底上的分布情况，再分别计算各曝光场具有的杂散光的平均值，然后，在考虑到该种强度的杂散光对图形尺寸的影响后，反向调整对形成的图形尺寸同样有影响的曝光参数，以弥补图形尺寸因杂散光而出现的偏差，提高了图形尺寸的准确性及一致性。

本发明的曝光系统，包括检测片、存储单元、第一计算单元、第二计算单元及曝光装置；其工作时，先利用检测片得到杂散光在整个衬底上的分布情况，并将其存储于存储单元内；再利用第一计算单元计算得到各曝光场具有的杂散光的平均值，利用第二计算单元根据各曝光场的杂散光平均值计算得到对应的各曝光场的曝光参数，接着，再利用曝光装置按上述得到的各曝光场的曝光参数分别对各曝光场进行曝光。采用本发明的曝光系统，可以弥补杂散光对形成的图形的尺寸的影响，提高图形尺寸的准确性及一致性。

附图说明

图1为说明现有的杂散光对图形尺寸的影响的示意图；

图2为说明本发明具体实施例中的曝光方法的示意图；

图3为本发明具体实施例的曝光方法的流程图；

图4说明为本发明具体实施例中的曝光剂量对图形尺寸的影响的示意图；

图5为说明采用本发明的曝光方法后杂散光对图形尺寸的影响的示意图；

图6为本发明具体实施例中的曝光系统的示意图。

具体实施方式

为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施方式做详细的说明。

本发明的处理方法可以被广泛地应用于各个领域中，并且可利用许多适当的材料制作，下面是通过具体的实施例来加以说明，当然本发明并不局限于该具体实施例，本领域内的普通技术人员所熟知的一般的替换无疑地涵盖在本发明的保护范围内。

其次，本发明利用示意图进行了详细描述，在详述本发明实施例时，为了便于说明，各示意图会不依一般比例作局部放大，不应以此作为对本发明的限定，此外，在实际的制作中，应包含长度、宽度及深度的三维空间尺寸。

本发明的光刻的曝光方法，先利用检测片检测得到杂散光在衬底上的分布情况；确定待曝光场在待曝光衬底上的位置；然后，根据检测得到的杂散光的分布情况及待曝光场的位置，计算得到待曝光场的杂散光平均值；接着，可以根据所述待曝光场的杂散光平均值确定所述待曝光场的曝光参数；再按该曝光参数对所述待曝光场进行曝光；对衬底上的各曝光场依次重复上述确定曝光场位置、计算杂散光平均值、确定曝光参数及曝光的步骤，直至所述衬底上的各曝光场均完成曝光。采用本发明的曝光方法可以弥补光刻(曝光)后形成的图形尺寸因杂散光而出现的偏差，提高了图形尺寸的准确性及一致性。

图2为说明本发明具体实施例的曝光方法的示意图，如图2所示，图中201代表衬底，202代表各个曝光场。一个衬底需要依次对多个曝光场进行多次曝光，而该衬底上的杂散光的分布相对于各曝光场而言可能各有不同。现有的曝光方法中各曝光场所用的曝光参数是相同的，其是在统一确定了曝光参数后，再按图中211箭头所示依次对各曝光场进行曝光的。现有的曝光方法，没有考虑到同一衬底上的各曝光场受到的杂散光的不同，因此，采用现有的曝光方法得到的图形尺寸会有不同情况的偏差，这导致了同一衬底上图形尺寸的一致性较差。而本发明的曝光方法中，根据整个衬底201上的杂散光分布情况，按照图中211箭头所示的顺序，由第一个曝光场202-1开始，针对每一个曝光场202的杂散光的分布，分别对各个曝光场进行了单独的曝光参数设置，克服了上述现有曝光方法中的缺陷，使每一曝光场的图形尺寸都更为准确，同一衬底上图形尺寸的不一致性也得到了相应的提高。

图3为本发明具体实施例的曝光方法的流程图，下面结合图3对本发明的具体实施例进行详细介绍。

首先，利用检测片对杂散光在衬底上的分布情况进行检测(S301)。该检测片上具有专门用于检测杂散光分布的检测图形，通过对整个衬底的检测图形的尺寸变化情况进行监测，利用转化公式可以得到杂散光在整个衬底上的分布情况。现有技术中对于该检测图形、检测方法及转化公式的介绍有很多，对于本领域的普通技术人员而言这是易于理解及得到的，在此不再赘述。

在检测得到衬底上的杂散光的分布情况后，将待曝光衬底放置于曝光机内，确定待曝光场在待曝光衬底上的位置(S302)。如图2所示，衬底上具有多个曝光场，每个曝光场会轮流放置于曝光机的曝光区下进行曝光处理，由于本发明是根据每个曝光场内的杂散光分布情况分别对各个曝光场进行曝光参数设置的，这就需要在设置曝光参数前先确定正要进行曝光处理的待曝光场在衬底上的位置情况(本发明中将衬底上位于曝光机的曝光区下正要进行曝光的曝光场称为待曝光场)，这样才能确定该待曝光场内的杂散光分布情况，并进一步得到该待曝光场内的杂散光平均值。

确定位置后，根据检测得到的杂散光的分布情况及待曝光场的位置，计算得到该待曝光场的杂散光平均值(S303)。对于整个衬底而言，杂散光在其上的分布是不均匀的，如果直接将各个曝光场的杂散光视为相同，按整个衬底的杂散光的平均值统一对各曝光场进行调整的话，必然会导致整个衬底上不同区域的图形尺寸不一致，这对于尺寸要求严格的小尺寸图形而言是不能容忍的。为此，本发明采用了针对各曝光场分别计算杂散光平均值的方法，进一步提高了图形尺寸的准确性及一致性。

另外，由图1可以看到，即使杂散光强度相同，对于不同的图形，其尺寸的变化量也会不同，因此，本实施例中，为了能够在曝光后得到更为准确的图形尺寸，在计算得到该待曝光场的杂散光平均值后，可以先进行一步图形的判断，判断在该待曝光场内的图形是否为简单图形(S304)。在本发明的其它实施例中，也可以不对此进行判断，而直接进入后面的S306步骤。

本实施例中所谓的简单图形为图形尺寸受杂散光及曝光参数的影响相同的图形。如果在待曝光场内的图形均为相同的图形，如均为密集的条形图形，或均为线端间的槽图形，则其的CD受杂散光及曝光参数的影响相同，可以直接进入后面的S306步骤确定曝光参数，但如果在该待曝光场内的图形类型并不相同，如既有密集的条形图形，又有线端间的槽图形，其在相同杂散光及曝光参数的影响下CD的变化是不相同的，则此时需要综合考虑各图形的CD变化情况及对各图形的尺寸变化的容忍度情况(通常可根据其对器件性能的影响判定)(S305)，得到一个折衷的结果，然后，再进入后面的S306步骤来确定曝光参数。

接着，根据待曝光场的杂散光平均值(对于复杂图形还可以事先对各图形受到杂散光的不同影响及由器件性能决定的对各图形CD变化的容忍度进行折衷的考虑)，确定所述待曝光场的曝光参数(S306)。其具体的操作步骤可以是先根据待曝光场内的杂散光平均值确定其内图形尺寸的偏差量；再根据该图形尺寸偏差量确定该待曝光场所适用的曝光参数。

由前面的图1可以看到，杂散光会影响到图形的尺寸，使得曝光后得到的图形尺寸发生偏差。同样地，曝光参数(如曝光剂量、曝光时间等)的改变也可以使曝光后形成的图形的尺寸发生变化。

图4为说明本发明具体实施例中的曝光剂量对图形尺寸的影响的示意图，如图4所示，图中横坐标代表了曝光剂量的大小，纵坐标代表了图形尺寸的变化。不考虑杂散光的影响，在曝光剂量为24.5mJ/cm2时，形成的各种图形的尺寸为65nm，随着曝光剂量的减小，图形的尺寸也发生了相应的变化。且随着曝光剂量的减小，不同图形的尺寸发生的变化不同。图4中的401表示了线端间的槽图形(butting gap)的CD随着曝光剂量的增强而逐渐减小的变化情况；402、403和404分别表示了密集的条形图形(dense line)、暗场条形图形(dark field line)和条形线端图形(butting line)的CD随着曝光剂量的增强而逐渐增大的变化情况。可以看到，各种图形的CD随着杂散光的增强和曝光剂量的减小而产生了正好相反的变化趋势。

下面结合图1和图4作进一步的说明：当检测片检测得到待曝光场内存在的杂散光的平均强度为1％时，由图1可以知道该杂散光会使得密集的条形图形的线宽变窄2nm左右，此时，为了令该密集的条形图形在存在杂散光的情况下线宽仍能接近于设计值——65nm，可以将该曝光场的曝光剂量由24.5mJ/cm²减小至24.1mJ/cm²，如图4所示，该曝光剂量的变化可以使密集的条形图形的线宽变大2nm左右，这正好弥补了因杂散光导致的图形线宽的偏差，使得曝光后得到的图形尺寸仍可以维持在与设计值基本相符的程度。

确定曝光参数后，按照该确定的曝光参数对该待曝光场进行曝光(S307)。图5为说明采用本发明的曝光方法后杂散光对图形尺寸的影响的示意图，如图5所示，图中横坐标代表了杂散光的相对强度，纵坐标代表了图形尺寸的变化。图中的501表示了线端间的槽图形(buttinggap)的CD随着杂散光的增强而逐渐减小的变化情况；502、503和504分别表示了密集的条形图形(dense line)、暗场条形图形(dark field line)和条形线端图形(butting line)的CD随着杂散光的增强而逐渐增大的变化情况。

可以看到，采用本发明的曝光方法后，杂散光对各种图形尺寸的影响都已缩小至较小的范围，如当杂散光的相对强度达到5％时，各图形尺寸的偏差均在0.5nm之内，这大大提高了图形尺寸的准确度及一致性。另外，由于杂散光对图形尺寸的影响变小，在一定程度上可以降低对光刻工艺的其他工艺条件的要求，即可以得到较大的工艺窗口，这对要求严格的光刻工艺而言非常可贵。

在对待曝光场进行曝光后，判断其是否已为最后一个待曝光场(S308)，如果其已是最后一个需要曝光的待曝光场，结束对该衬底的曝光处理(S310)；如果不是，则移至下一个待曝光场，重复上述确定曝光场位置(s302)、计算杂散光平均值(s303)、判断图形(S304)、确定曝光参数(S306)及曝光(S307)等步骤，直至所述衬底上的各曝光场均完成曝光操作为止。

本实施例中，S302步骤中只确定了待曝光场的位置信息，在本发明的其它实施例中，也可以在该步骤中直接确定所有的曝光场的位置信息，这样，在对第二个以后的曝光场进行处理时，不用再次经过S302步骤，而直接调用该待曝光场的位置信息和相应的杂散光分布信息确定该待曝光场的杂散光平均值(S303)即可。

另外，也可以直接在S302、S303、S304及S306步骤中确定全部曝光场的相关信息，并将按上述步骤确定的全部曝光场的曝光参数存储起来，然后，再在曝光处理的步骤中直接调用已计算并存储好的各曝光场的曝光参数，依次对各曝光场进行曝光处理即可。在本发明具体实施例的启示下，这一应用的延伸对于本领域普通技术人员而言是易于理解和实现的，在此不再赘述。

注意到，实际操作中，不用在每一个待曝光衬底曝光前都进行杂散光的分布检测，但是，为了防止曝光机内因玷污等原因导致其杂散光情况发生了变化，还是需要对杂散光的分布情况进行定期检测。

本发明还提供了一种曝光系统，图6为本发明具体实施例中的曝光系统的示意图，如图6所示，该曝光系统包括检测片601、存储单元602、第一计算单元603、第二计算单元604及曝光装置605。其中的检测片601用于检测杂散光的分布情况；存储单元602用于存储由检测片601检测得到的杂散光的分布情况及各曝光场在衬底上的位置；第一计算单元603用于根据所述存储单元602内存储的杂散光分布情况，分别计算各曝光场的杂散光平均值；第二计算单元604用于根据所述第一计算单元603计算得到的各曝光场的杂散光平均值分别确定各曝光场的曝光参数；曝光装置605用于按所述第二计算单元604计算得到的曝光参数分别对各曝光场进行曝光。

另外，还可以在第二计算单元内预先存放有杂散光平均值对图形CD的第一影响表及曝光参数对图形CD的第二影响表，在确定各所述曝光场的曝光参数时，先根据所述杂散光平均值通过查第一影响表确定各所述曝光场的图形偏差量；再根据各所述曝光场的所述图形偏差量通过查第二影响表确定各所述曝光场的曝光参数。

该曝光系统中还可以包括判断单元，所述判断单元可以位于第一计算单元与第二计算单元之间，用于判断所述曝光场的图形是否为简单图形：如果是，所述第二计算单元可以直接根据所述杂散光平均值确定曝光场的曝光参数；如果否，则所述第二计算单元综合考虑所述曝光场的各图形的尺寸受杂散光和曝光参数的影响及对各图形的尺寸变化的容忍度后再确定曝光参数。

注意到，本发明的曝光系统中，可以直接在存储单元602内存储上全部曝光场在衬底上的位置信息，也可以仅在存储单元602内存储待曝光场的位置信息。另外，也可以选择在对各曝光场进行曝光前，就事先计算好所有的曝光场的曝光参数，并存储于存储单元内。当需要对哪个曝光场进行曝光时，直接将该曝光场的曝光参数调出使用即可。

本发明虽然以较佳实施例公开如上，但其并不是用来限定本发明，任何本领域技术人员在不脱离本发明的精神和范围内，都可以做出可能的变动和修改，因此本发明的保护范围应当以本发明权利要求所界定的范围为准。

Claims (9)

1、一种光刻的曝光方法，其特征在于，包括步骤：

利用检测片检测杂散光在衬底上的分布情况；

确定待曝光场在所述衬底上的位置；

根据所述检测片检测得到的杂散光的分布情况及所述位置，计算所述待曝光场的杂散光平均值；

根据所述待曝光场的杂散光平均值确定所述待曝光场的曝光参数；

按照所述曝光参数对所述待曝光场进行曝光；

移至所述衬底上的下一个待曝光场，重复上述确定待曝光场位置、计算杂散光平均值、确定曝光参数及曝光的步骤，直至所述衬底上的各曝光场均完成曝光。

2、如权利要求1所述的曝光方法，其特征在于：根据所述杂散光平均值确定每个待曝光场的曝光参数，包括步骤：

根据所述杂散光平均值确定所述待曝光场的图形偏差量；

根据所述待曝光场的所述图形偏差量确定所述待曝光场的曝光参数。

3、如权利要求1所述的曝光方法，其特征在于：根据所述待曝光场的杂散光平均值确定所述待曝光场的曝光参数之前，还包括步骤：

判断所述待曝光场内的图形是否为简单图形，所述简单图形为图形尺寸受杂散光及曝光参数影响相同的图形：如果是，可以直接根据所述杂散光平均值确定所述待曝光场的曝光参数；如果否，则综合考虑所述待曝光场内的各图形的尺寸受杂散光和曝光参数的影响，及对各图形的尺寸变化的容忍度后再确定所述待曝光场的曝光参数。

4、如权利要求1所述的曝光方法，其特征在于：所述曝光参数包括曝光剂量和/或曝光时间。

5、一种曝光系统，包括曝光装置，其特征在于：还包括检测片、存储单元、第一计算单元及第二计算单元；其中的检测片用于检测杂散光的分布情况；存储单元用于存储由检测片检测得到的杂散光的分布情况及各待曝光场在衬底上的位置；第一计算单元用于根据所述存储单元内存储的杂散光分布情况及各所述待曝光场的位置，分别计算各所述待曝光场的杂散光平均值；第二计算单元用于根据所述第一计算单元计算得到的各所述待曝光场的杂散光平均值分别确定各所述待曝光场的曝光参数；曝光装置，用于按所述第二计算单元计算得到的曝光参数分别对各所述待曝光场进行曝光。

6、如权利要求5所述的曝光系统，其特征在于：所述第二计算单元在确定各所述待曝光场的曝光参数时，先根据所述杂散光平均值确定各所述待曝光场的图形偏差量；再根据各所述待曝光场的所述图形偏差量确定各所述待曝光场的曝光参数。

7、如权利要求5所述的曝光系统，其特征在于：还包括判断单元，所述判断单元用于判断所述待曝光场的图形是否为简单图形，所述简单图形为图形尺寸受杂散光及曝光参数影响相同的图形：如果是，所述第二计算单元可以直接根据所述杂散光平均值确定所述待曝光场的曝光参数；如果否，则所述第二计算单元综合考虑所述待曝光场的各图形的尺寸受杂散光和曝光参数的影响，及对各图形的尺寸变化的容忍度后再确定所述待曝光场的曝光参数。

8、如权利要求5所述的曝光系统，其特征在于：所述第二计算单元根据预先存放的所述杂散光平均值对图形尺寸的第一影响表及所述曝光参数对图形尺寸的第二影响表确定所述待曝光场的曝光参数。

9、如权利要求5所述的曝光系统，其特征在于：所述曝光参数包括曝光剂量和/或曝光时间。

Images