CN100540756C - 用n型氧化锌制备p型氧化锌薄膜的方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及半导体材料p型氧化锌薄膜的制备方法,特别是一种用n型氧化锌制备p型氧化锌薄膜的方法,由以下工艺步骤实现:a.将已准备好的n型氧化锌薄膜放入等离子体增强的化学气相沉积生长室;b.打开机械泵抽真空,使真空度小于50Pa;c.衬底加热到预定的温度100~200℃;d.通入氨气,打开射频电源,输入功率为10~30瓦,进行0.5~2h的氨等离子体氮化处理,即实现氧化锌薄膜从n型到p型的转变。本发明是利用等离子体化学气相沉积直接对n型氧化锌薄膜进行后处理,使其发生从n型到p型的转变。其优点是制备工艺简单、材料生长温度低、可以在常压下操作、可重复性比较高、得到的p型比较稳定。
Description
技术领域
本发明涉及半导体材料p型氧化锌薄膜的制备方法,特别是一种通过对n型氧化锌薄膜的后处理使其转变为p型氧化锌薄膜的方法。
背景技术
氧化锌(ZnO)是一种宽禁带、直接带隙II-VI半导体材料,具有宽的带隙能量(3.37eV)及较大的激子束缚能(60meV),是一种具有很大潜在应用价值的紫外半导体光电器件材料。
目前针对氧化锌的研究工作已经在全世界范围内广泛开展起来,然而为了实现氧化锌材料作为紫外激光器件的实用化,必须实现氧化锌的电注入,而解决这一关键问题是获得低阻的n型和p型氧化锌材料。由于ZnO本身的性质,使得在不掺杂的情况下就可以很容易地获得n型ZnO材料。而由于ZnO的自补偿效应,使得p型ZnO很难通过本征缺陷获得,大多是通过外来元素的掺杂来实现。所以,要实现电激励的ZnO紫外光发射或者受激激光,获得低阻的p型ZnO材料是至关重要的一个方面。
发明内容
本发明的目的是提供一种用n型氧化锌制备p型氧化锌薄膜的方法,以克服现有技术制备p型氧化锌薄膜存在的工艺复杂、可重复性比较低,获得的p型氧化锌不稳定等缺陷。
本发明用n型氧化锌制备p型氧化锌薄膜的方法,由以下工艺步骤实现:
a.将已准备好的n型氧化锌薄膜放入等离子体增强的化学气相沉积(PECVD)生长室;
b.打开机械泵抽真空,使真空度小于50Pa;
c.衬底加热到预定的温度100~200℃;
d.通入氨气,打开射频电源,输入功率为10~30瓦,进行0.5~2h的氨等离子体氮化处理,即可实现氧化锌薄膜从n型到p型的转变。
本发明与现有技术的差别在于,本发明是利用等离子体化学气相沉积直接对n型氧化锌薄膜进行后处理,使其发生从n型到p型的转变。其优点是制备工艺简单、材料生长温度低、可以在常压下操作、可重复性比较高、得到的p型比较稳定。
具体实施方式
实施例1
对分子束外延方法在富锌缺氧条件下生长的ZnO薄膜进行后处理。
首先,将由分子束外延方法在富锌缺氧条件下生长的n型ZnO薄膜放入等离子体增强的化学气相沉积(PECVD)设备的生长室,然后打开机械泵抽真空,使真空度小于50Pa,再将衬底加热到预定的温度100℃,衬底温度由铂-铑热偶探测显示,再通入氨气,打开射频电源,调节输入功率为10瓦,对样品进行0.5h的氨等离子体氮化处理。即获得p型ZnO薄膜,其载流子浓度为1.8×1016cm-3。
实施例2
对分子束外延方法在富锌缺氧条件下生长的ZnO薄膜进行后处理。
首先,将由分子束外延方法在富锌缺氧条件下生长的n型ZnO薄膜放入等离子体增强的化学气相沉积(PECVD)设备的生长室,然后打开机械泵抽真空,使真空度小于50Pa,再将衬底加热到预定的温度150℃,衬底温度由铂-铑热偶探测显示,再通入氨气,打开射频电源,调节输入功率为20瓦,对样品进行1h的氨等离子体氮化处理。即获得p型ZnO薄膜,其载流子浓度为1.6×1016cm-3。
实施例3
对分子束外延方法在富锌缺氧条件下生长的ZnO薄膜进行后处理。
首先,将由分子束外延方法在富锌缺氧条件下生长的n型ZnO薄膜放入等离子体增强的化学气相沉积(PECVD)设备的生长室,然后打开机械泵抽真空,使真空度小于50Pa,再将衬底加热到预定的温度200℃,衬底温度由铂-铑热偶探测显示,再通入氨气,打开射频电源,调节输入功率为30瓦,对样品进行2h的氨等离子体氮化处理。即获得p型ZnO薄膜,其载流子浓度为2.2×1016cm-3。
实施例4
本实施例只增加了后退火的步骤,对本发明样品进行后处理。
其他条件同实施例1,对处理得到的样品在N2气氛下700℃退火2h,得到的样品导电类型为p型,载流子浓度为3.7×1017cm-3。
实施例5
本实施例对用电化学方法生长的n型ZnO薄膜进行后处理。
其它条件同实施例1,只是样品换为用电化学方法生长的n型ZnO薄膜。时间为1h,输入功率仍为10W。得到的样品导电类型为p型,载流子浓度为3.7×1016cm-3。
Claims (1)
1.一种用n型氧化锌薄膜制备p型氧化锌薄膜的方法,其特征在于由以下工艺步骤实现:
a.将已准备好的n型氧化锌薄膜衬底放入等离子体增强的化学气相沉积生长室;
b.打开机械泵抽真空,使真空度小于50Pa;
c.衬底加热到预定的温度100~200℃;
d.通入氨气,打开射频电源,输入功率为10~30瓦,进行0.5~2h的氨等离子体氮化处理,即实现氧化锌薄膜从n型到p型的转变。
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Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1377992A (zh) * | 2002-01-14 | 2002-11-06 | 浙江大学 | 一种制备p型氧化锌薄膜的方法 |
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CN1377992A (zh) * | 2002-01-14 | 2002-11-06 | 浙江大学 | 一种制备p型氧化锌薄膜的方法 |
CN1388567A (zh) * | 2002-05-31 | 2003-01-01 | 南京大学 | 利用溶胶-凝胶(Sol-Gel)法制备p型ZnO薄膜 |
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用等离子体辅助分子束外延生长氧化锌单晶薄膜. 梁红伟,颜建锋等.发光学报,第25卷第2期. 2004 * |
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