CN100527333C - 具有同轴多圆环柱型阴极阵列结构的平板显示器及其制作工艺 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种同轴多圆环柱型阴极阵列结构的平板显示器及其制作制作，包括由阴极玻璃面板、阳极玻璃面板和四周玻璃围框所构成的密封真空腔；在阳极玻璃面板上有阳极导电层以及制备在阳极导电层上面的荧光粉层；位于阳极玻璃面板和阴极玻璃面板之间的支撑墙结构以及消气剂附属元件，在阴极玻璃面板上有控制栅极、碳纳米管以及同轴多圆环柱型阴极阵列结构；能够进一步的缩短栅极-阴极之间的距离，降低整体器件的工作电压；增大了碳纳米管的发射面积，有利于进一步提高器件的显示亮度，具有制作过程稳定可靠、制作工艺简单、制作成本低廉、结构简单的优点。

Description

具有同轴多圆环柱型阴极阵列结构的平板显示器及其制作工艺

技术领域

本发明属于平板显示技术领域、微电子科学与技术领域、真空科学与技术领域以及纳米科学与技术领域的相互交叉领域，涉及到平板场致发射显示器的器件制作，具体涉及到碳纳米管阴极的平板场致发射显示器的器件制作方面的内容，特别涉及一种具有同轴多圆环柱型阴极阵列结构的碳纳米管场致发射平板显示器及其制作工艺。

背景技术

碳纳米管具有小的尖端曲率半径，高的纵横比率，极高的机械强度以及良好的物理化学特性，早已引起了众多研究者们的高度关注。在外加电压的作用下，碳纳米管不需要额外的能量就能够发射出大量的电子，也就是独特的场致发射现象。利用这一原理，科研人员将碳纳米管作为阴极材料而进行了场致发射平板显示器件的研制，在最近的几年中得到了飞跃的进展。碳纳米管场致发射显示器将阴极射线管的高图像质量，液晶显示器的超薄型以及等离子体显示器的大面积性等优点集于一身，具有高清晰度、高亮度以及高分辨率等特点，其应用越来越广泛，已经成为了平板显示领域的热门话题。

在碳纳米管阴极发射大量电子的过程中，受到阴极具体形状的影响，并不是所有的碳纳米管阴极都能够均匀稳定的发射出大量电子的，这源于不同位置的碳纳米管顶端所形成的电场强度是有所不同的。一般情况下，位于边缘位置处的碳纳米管所发射的电子相对比较多一些，而位于阴极中央位置的碳纳米管阴极所发射的电子相对要少一些，也就是边缘位置发射大量电子的现象。那么在器件制作的过程中，如何充分有效的利用这一现象，来更好的提高器件质量呢，这是需要考虑的问题。另外，碳纳米管阴极的电子发射需要受到栅极的强有力控制，栅极与阴极之间的距离越短，在碳纳米管顶端所形成的电场强度也就越大，碳纳米管也就能够发射出更多的电子，但是同时也受到栅极-阴极之间绝缘材料的绝缘性能的限制，不能够引起二者之间的电学击穿。那么如何在确保栅极-阴极之间绝缘等级的前提下来尽可能缩短距离从而降低整体器件的工作电压呢，这也是值得研究的问题。

此外，在三极结构的平板场致发射显示器件当中，在确保栅极结构对碳纳米管阴极具有良好控制作用的前提下，还需要尽可能的降低总体器件成本，进行稳定可靠、成本低廉、性能优良、高质量的器件制作。

发明内容

本发明的目的在于克服上述平板显示器件中存在的缺点和不足而提供一种成本低廉、制作过程稳定可靠、制作成功率高、结构简单的具有同轴多圆环柱型阴极阵列结构的平板显示器及其制作工艺。

本发明的目的是这样实现的：一种具有同轴多圆环柱型阴极阵列结构的平板显示器，包括由阴极玻璃面板、阳极玻璃面板和四周玻璃围框所构成的密封真空腔；在阳极玻璃面板上有阳极导电层以及制备在阳极导电层上面的荧光粉层；位于阳极玻璃面板和阴极玻璃面板之间的支撑墙结构以及消气剂附属元件，在阴极玻璃面板上有控制栅极、碳纳米管以及同轴多圆环柱型阴极阵列结构；所述的同轴多圆环柱型阴极阵列结构的衬底材料为玻璃，也就是阴极玻璃面板；阴极玻璃面板上的刻蚀后的金属层形成阴极引线层；阴极玻璃面板上的刻蚀后的二氧化硅层形成隔离层；隔离层中存在一个圆形孔，暴露出底部的阴极引线层；隔离层上面的刻蚀后的金属层形成栅极引线层；栅极引线层上面的刻蚀后的二氧化硅层形成栅极覆盖层；隔离层圆形孔中阴极引线层上面的刻蚀后的二氧化硅层形成基底一层；基底一层为一个圆盘形状，其中心轴与圆形孔的中心轴重合，其圆盘直径要小于圆形孔的直径，在其周围要暴露出底部的阴极引线层；基底一层上面的刻蚀后的二氧化硅层形成基底二层；基底二层与基底一层的形状相类似，也是一个圆盘形状，其中心轴与基底一层的中心轴相重合，其圆盘直径要小于基底一层的直径，这样，在基底一层的上表面的基底二层的周围就形成了一个圆环柱型平面；基底二层上面的刻蚀后的二氧化硅层形成基底三层；基底三层与基底二层的形状相类似，为一个圆盘形状，其中心轴与基底二层的中心轴相重合，其圆盘直径要小于基底二层的直径，这样，在基底二层的上表而的基底三层的周围也形成了一个圆环柱型平面；基底一层、基底二层和基底三层表而的刻蚀后的金属层形成阴极导电层；阴极导电层要覆盖基底三层、基底二层以及基底一层的上表面暴露出的部分和侧面，并和底部的阴极引线层相互连通；基底一层上面的圆环柱型表面上，基底二层上面的圆环柱型表面上以及基底三层的上顶面上的刻蚀后的金属层形成过渡层，碳纳米管制备在过渡层的上面。

所述的同轴多圆环柱型阴极阵列结构的固定位置为安装固定在阴极玻璃面板上，且栅极和阴极结构是集成到一起的，栅极位于碳纳米管阴极的上方，控制着碳纳米管的电子发射，阴极引线层为金属金、银、铝、铬、钼、锡、镍、钴之一；栅极引线层为金属金、银、镍、钴、铬、铝之一，栅极引线层和阴极引线层是相互垂直分布的，阴极导电层为金属金、银、镍、钼、铬、铝、钴之一，过渡层为金属铁、钴、镍、钼、铬之一。

一种具有集成化双平栅阵列结构的平板显示器的制作工艺，其特征在于，其制作工艺如下：

1)阴极玻璃面板的制作：对整体平板玻璃进行划割，制作出阴极玻璃面板；

2)阴极引线层的制作：在阴极玻璃面板上制备出一个金属层，刻蚀后形成阴极引线层；

3)隔离层的制作：在阴极玻璃面板上制备出一个二氧化硅层，刻蚀后形成隔离层；隔离层中存在一个圆形孔，暴露出底部的阴极引线层；

4)栅极引线层的制作：在隔离层的上面制备出一个金属层，刻蚀后形成栅极引线层；栅极引线层和阴极引线层是相互垂直分布的；

5)栅极覆盖层的制作：在栅极引线层的上面制备出一个二氧化硅层，刻蚀后形成栅极覆盖层；

6)基底一层的制作：在隔离层圆形孔中阴极引线层的上面制备出一个二氧化硅层，刻蚀后形成基底一层；基底一层为一个圆盘形状，其中心轴与圆形孔的中心轴重合，其圆盘直径要小于圆形孔的直径，在其周围要暴露出底部的阴极引线层；

7)基底二层的制作：在基底一层的上面制备出一个二氧化硅层，刻蚀后形成基底二层；基底二层与基底一层的形状相类似，也是一个圆盘形状，其中心轴与基底一层的中心轴相重合，其圆盘直径要小于基底一层的直径，这样，在基底一层的上表面的基底二层的周围就形成了一个圆环柱型平面；

8)基底三层的制作：在基底二层的上面制备出一个二氧化硅层，刻蚀后形成基底三层；基底三层与基底二层的形状相类似，为一个圆盘形状，其中心轴与基底二层的中心轴相重合，其圆盘直径要小于基底二层的直径，这样，在基底二层的上表面的基底三层的周围也形成了一个圆环柱型平面；

9)阴极导电层的制作：在基底一层、基底二层和基底三层的表面制备出一个金属钼层，刻蚀后形成阴极导电层；阴极导电层要覆盖基底三层、基底二层以及基底一层的上表面暴露出的部分和侧面，并和底部的阴极引线层相互连通；

10)过渡层的制作：在基底一层上面的圆环柱型表面上，基底二层上面的圆环柱型表面上以及基底三层的上顶面上制出一个金属层，刻蚀后形成过渡层；

11)同轴多圆环柱型阴极阵列结构的表面清洁处理：对同轴多圆环柱型阴极阵列结构的表面进行清洁处理，除掉杂质和灰尘；

12)碳纳米管的制备：将碳纳米管制备在过渡层的上面；

13)阳极玻璃面板的制作：对整体平板钠钙玻璃进行划割，制作出阳极玻璃面板；

14)阳极导电层的制作：在阳极玻璃面板上蒸镀一层锡铟氧化物膜层；刻蚀后形成阳极导电层；

15)绝缘浆料层的制作：在阳极导电层的非显示区域印刷绝缘浆料层；

16)荧光粉层的制作：在阳极导电层上面的显示区域印刷荧光粉层；

17)器件装配：将阴极玻璃面板、阳极玻璃面板、支撑墙结构和四周玻璃围框装配到一起，并将消气剂[18]放入到空腔当中，用低熔点玻璃粉固定；

18)成品制作：对已经装配好的器件进行封装工艺形成成品件。

所述步骤15为在阳极导电层的非显示区域印刷绝缘浆料层，用于防止寄生电子发射；经过烘烤，烘烤温度：150℃，保持时间：5分钟，之后，放置在烧结炉中进行高温烧结，烧结温度：580℃，保持时间：10分钟。

所述步骤16为在阳极导电层上面的显示区域印刷荧光粉层；在烘箱当中进行烘烤，烘烤温度：120℃，保持时间：10分钟。

所述步骤18为对已经装配好的器件进行如下的封装工艺：将样品器件放入烘箱当中进行烘烤；放入烧结炉当中进行高温烧结；在排气台上进行器件排气、封离，在烤消机上对器件内部的消气剂进行烤消，最后加装管脚形成成品件。

本发明具有如下的积极效果：

首先，在所述的同轴多圆环柱型阴极阵列结构中，碳纳米管阴极的基底不是一个平面，而是由三个圆盘形状的基底所构成的一个立体结构，并将碳纳米管制备在位于圆盘基底边缘的过渡层的上面，这样，由于碳纳米管阴极就位于高度不同的过渡层上，呈现一个弧形接近于栅极，能够同时缩短各个阴极与栅极之间的距离，从而降低了整体器件的工作电压；

其次，在所述的同轴多圆环柱型阴极阵列结构中，对于碳纳米管阴极的基底进行了优化处理，一方面将过渡层制作成了圆环形状，并将碳纳米管制备在过渡层的上面，这样，由于圆环形状内外边缘位置的碳纳米管都能够同时发射出大量的电，从而充分利用了边缘位置发射大量电子的现象；另一方面，将过渡层制作了高度不同的三个平面上，且其中心轴都是相互重合的，这样也就进一步增大了碳纳米管阴极的有效发射面积，有利于进一步提高器件的显示亮度；

第三，在所述的同轴多圆环柱型阴极阵列结构中，在栅极引线层的上面制备了栅极覆盖层，避免了其它杂质对于栅极结构的影响，同时也避免了栅极-阴极二者之间短路现象的发生，提高了整体器件的制作成功率；另外，在所述的同轴多圆环柱型阴极阵列结构中，还将栅极和阴极结构高度集成到一起；

在所述的同轴多圆环柱型阴极阵列结构中，并没有采用特殊的结构制作材料，也没有采用特殊的器件制作工艺，这在很大程度上就进一步降低了整体平板显示器件的制作成本，简化了器件的制作过程，能够进行大面积的器件制作，有利于进行商业化的大规模生产。

附图说明

图1给出了同轴多圆环柱型阴极阵列结构的纵向结构示意图；

图2给出了同轴多圆环柱型阴极阵列结构的横向结构示意图；

图3给出了带有同轴多圆环柱型阴极阵列结构的平面显示器的结构示意图。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本发明进行进一步说明，但本发明并不局限于这些实施例。

所述的一种带有同轴多圆环柱型阴极阵列结构的平板显示器，包括由阴极玻璃面板1、阳极玻璃面板12和四周玻璃围框17所构成的密封真空腔；在阳极玻璃面板上有阳极导电层13以及制备在阳极导电层上面的荧光粉层15；位于阳极玻璃面板和阴极玻璃面板之间的支撑墙结构16以及消气剂附属元件18。在阴极玻璃面板上有控制栅极4、碳纳米管11以及同轴多圆环柱型阴极阵列结构。

所述的同轴多圆环柱型阴极阵列结构包括阴极玻璃面板1、阴极引线层2、隔离层3、栅极引线层4、栅极覆盖层5、基底一层6、基底二层7、基底三层8、阴极导电层9、过渡层10和碳纳米管11部分。

所述的同轴多圆环柱型阴极阵列结构的衬底材料为玻璃，如钠钙玻璃、硼硅玻璃，也就是阴极玻璃面板1；阴极玻璃面板上的刻蚀后的金属层形成阴极引线层2；阴极玻璃面板上的刻蚀后的二氧化硅层形成隔离层3；隔离层中存在一个圆形孔，暴露出底部的阴极引线层；隔离层上面的刻蚀后的金属层形成栅极引线层4；栅极引线层上面的刻蚀后的二氧化硅层形成栅极覆盖层5；隔离层圆形孔中阴极引线层上面的刻蚀后的二氧化硅层形成基底一层6；基底一层为一个圆盘形状，其中心轴与圆形孔的中心轴重合，其圆盘直径要小于圆形孔的直径，在其周围要暴露出底部的阴极引线层；基底一层上面的刻蚀后的二氧化硅层形成基底二层7；基底二层与基底一层的形状相类似，也是一个圆盘形状，其中心轴与基底一层的中心轴相重合，其圆盘直径要小于基底一层的直径，这样，在基底一层的上表面的基底二层的周围就形成了一个圆环柱型平面；基底二层上面的刻蚀后的二氧化硅层形成基底三层8；基底三层与基底二层的形状相类似，为一个圆盘形状，其中心轴与基底二层的中心轴相重合，其圆盘直径要小于基底二层的直径，这样，在基底二层的上表面的基底三层的周围也形成了一个圆环柱型平面；基底一层、基底二层和基底三层表面的刻蚀后的金属层形成阴极导电层9；阴极导电层要覆盖基底三层、基底二层以及基底一层的上表面暴露出的部分和侧面，并和底部的阴极引线层相互连通；基底一层上面的圆环柱型表而上，基底二层上面的圆环柱型表面上以及基底三层的上顶面上的刻蚀后的金属层形成过渡层10，碳纳米管11制备在过渡层的上面。

所述的同轴多圆环柱型阴极阵列结构的固定位置为安装固定在阴极玻璃面板上，且栅极和阴极结构是集成到一起的，栅极位于碳纳米管阴极的上方，控制着碳纳米管的电子发射。阴极引线层可以为金属金、银、铝、铬、钼、锡、镍、钴之一；栅极引线层可以为金属金、银、镍、钴、铬、铝之一；栅极引线层和阴极引线层是相互垂直分布的；阴极导电层可以为金属金、银、镍、钼、铬、铝、钴之一。过渡层可以为金属铁、钴、镍、钼、铬之一。

一种具有集成化双平栅阵列结构的平板显示器的制作工艺，制作工艺如下：

1)阴极玻璃面板1的制作：对整体平板钠钙玻璃进行划割，制作出阴极玻璃面板；

2)阴极引线层2的制作：在阴极玻璃面板上制备出一个金属铬层，刻蚀后形成阴极引线层；

3)隔离层3的制作：在阴极玻璃面板上制备出一个二氧化硅层，刻蚀后形成隔离层；隔离层中存在一个圆形孔，暴露出底部的阴极引线层；

4)栅极引线层4的制作：在隔离层的上面制备出一个金属钴层，刻蚀后形成栅极引线层；栅极引线层和阴极引线层是相互垂直分布的；

5)栅极覆盖层5的制作：在栅极引线层的上面制备出一个二氧化硅层，刻蚀后形成栅极覆盖层；

6)基底一层6的制作：在隔离层圆形孔中阴极引线层的上面制备出一个二氧化硅层，刻蚀后形成基底一层；

7)基底二层7的制作：在基底一层的上面制备出一个二氧化硅层，刻蚀后形成基底二层；

8)基底三层8的制作：在基底二层的上面制备出一个二氧化硅层，刻蚀后形成基底三层；

9)阴极导电层9的制作：在基底一层、基底二层和基底三层表面制备出一个金属钼层，刻蚀后形成阴极导电层；阴极导电层要覆盖基底三层、基底二层以及基底一层的上表面暴露出的部分和侧面，并和底部的阴极引线层相互连通；

10)过渡层10的制作：在基底一层上面的圆环柱型表面上，基底二层上面的圆环柱型表面上以及基底三层的上顶面上制备出一个金属钴层，刻蚀后形成过渡层；

11)同轴多圆环柱型阴极阵列结构的表面清洁处理：对同轴多圆环柱型阴极阵列结构的表面进行清洁处理，除掉杂质和灰尘；

12)碳纳米管11的制备：将碳纳米管制备在过渡层的上面；

13)阳极玻璃面板12的制作：对整体平板钠钙玻璃进行划割，制作出阳极玻璃面板；

14)阳极导电层13的制作：在阳极玻璃面板上蒸镀一层锡铟氧化物膜层；刻蚀后形成阳极导电层；

15)绝缘浆料层14的制作：在阳极导电层的非显示区域印刷绝缘浆料层；

16)荧光粉层15的制作：在阳极导电层上面的显示区域印刷荧光粉层；

17)器件装配：将阴极玻璃面板、阳极玻璃面板、支撑墙结构[16]和四周玻璃围框[17]装配到一起，并将消气剂[18]放入到空腔当中，用低熔点玻璃粉固定。在玻璃面板的四周涂抹好低熔点玻璃粉，用夹子固定；

18)成品制作：对已经装配好的器件进行封装工艺形成成品件。

所述步骤6为在隔离层圆形孔中阴极引线层的上面制备出一个二氧化硅层，刻蚀后形成基底一层；基底一层为一个圆盘形状，其中心轴与圆形孔的中心轴重合，其圆盘直径要小于圆形孔的直径，在其周围要暴露出底部的阴极引线层；

所述步骤7为在基底一层的上面制备出一个二氧化硅层，刻蚀后形成基底二层；基底二层与基底一层的形状相类似，也是一个圆盘形状，其中心轴与基底一层的中心轴相重合，其圆盘直径要小于基底一层的直径，这样，在基底一层的上表面的基底二层的周围就形成了一个圆环柱型平面；

所述步骤8为在基底二层的上面制备出一个二氧化硅层，刻蚀后形成基底三层；基底三层与基底二层的形状相类似，为一个圆盘形状，其中心轴与基底二层的中心轴相重合，其圆盘直径要小于基底二层的直径，这样，在基底二层的上表面的基底三层的周围也形成了一个圆环柱型平面；

所述步骤15为在阳极导电层的非显示区域印刷绝缘浆料层，用于防止寄生电子发射；经过烘烤(烘烤温度：150℃，保持时间：5分钟)之后，放置在烧结炉中进行高温烧结(烧结温度：580℃，保持时间：10分钟)；

所述步骤16为在阳极导电层上面的显示区域印刷荧光粉层；在烘箱当中进行烘烤(烘烤温度：120℃，保持时间：10分钟)；

所述步骤18为对已经装配好的器件进行如下的封装工艺：将样品器件放入烘箱当中进行烘烤；放入烧结炉当中进行高温烧结；在排气台上进行器件排气、封离，在烤消机上对器件内部的消气剂进行烤消，最后加装管脚形成成品件。

Claims (6)

1、一种具有同轴多圆环柱型阴极阵列结构的平板显示器，包括由阴极玻璃面板[1]、阳极玻璃面板[12]和四周玻璃围框[17]所构成的密封真空腔；在阳极玻璃面板上有阳极导电层[13]以及制备在阳极导电层上面的荧光粉层[15]；位于阳极玻璃面板和阴极玻璃面板之间的支撑墙结构[16]以及消气剂附属元件[18]，其特征在于：在阴极玻璃面板上有控制栅极[4]、碳纳米管[11]以及同轴多圆环柱型阴极阵列结构；所述的同轴多圆环柱型阴极阵列结构的衬底材料为玻璃，也就是阴极玻璃面板[1]；阴极玻璃面板上的刻蚀后的金属层形成阴极引线层[2]；阴极玻璃面板上的刻蚀后的二氧化硅层形成隔离层[3]；隔离层中存在一个圆形孔，暴露出底部的阴极引线层；隔离层上面的刻蚀后的金属层形成栅极引线层[4]；栅极引线层上面的刻蚀后的二氧化硅层形成栅极覆盖层[5]；隔离层圆形孔中阴极引线层上面的刻蚀后的二氧化硅层形成基底一层[6]；基底一层为一个圆盘形状，其中心轴与圆形孔的中心轴重合，其圆盘直径要小于圆形孔的直径，在其周围要暴露出底部的阴极引线层；基底一层上面的刻蚀后的二氧化硅层形成基底二层[7]；基底二层与基底一层的形状相类似，也是一个圆盘形状，其中心轴与基底一层的中心轴相重合，其圆盘直径要小于基底一层的直径，这样，在基底一层的上表面的基底二层的周围就形成了一个圆环柱型平面；基底二层上面的刻蚀后的二氧化硅层形成基底三层[8]；基底三层与基底二层的形状相类似，为一个圆盘形状，其中心轴与基底二层的中心轴相重合，其圆盘直径要小于基底二层的直径，这样，在基底二层的上表面的基底三层的周围也形成了一个圆环柱型平面；基底一层、基底二层和基底三层表面的刻蚀后的金属层形成阴极导电层[9]；阴极导电层要覆盖基底三层、基底二层以及基底一层三者的上表面暴露出的部分和侧面，并和底部的阴极引线层相互连通；基底一层上面的圆环柱型表面上，基底二层上面的圆环柱型表面上以及基底三层的上顶面上的刻蚀后的金属层形成过渡层[10]，碳纳米管[11]制备在过渡层的上面。

2、根据权利要求1所述的具有同轴多圆环柱型阴极阵列结构的平板显示器，其特征在于：所述的同轴多圆环柱型阴极阵列结构的固定位置为安装固定在阴极玻璃面板上，且栅极和阴极结构是集成到一起的，栅极位于碳纳米管阴极的上方，控制着碳纳米管的电子发射，阴极引线层为金属金、银、铝、铬、钼、锡、镍、钴之一；栅极引线层为金属金、银、镍、钴、铬、铝之一，栅极引线层和阴极引线层是相互垂直分布的，阴极导电层为金属金、银、镍、钼、铬、铝、钴之一，过渡层为金属铁、钴、镍、钼、铬之一。

3、一种具有同轴多圆环柱型阴极阵列结构的平板显示器的制作工艺，其特征在于，其制作工艺如下：

1)阴极玻璃面板[1]的制作：对整体平板玻璃进行划割，制作出阴极玻璃面板；

2)阴极引线层[2]的制作：在阴极玻璃面板上制备出一个金属层，刻蚀后形成阴极引线层；

3)隔离层[3]的制作：在阴极玻璃面板上制备出一个二氧化硅层，刻蚀后形成隔离层；隔离层中存在一个圆形孔，暴露出底部的阴极引线层；

4)栅极引线层[4]的制作：在隔离层的上面制备出一个金属层，刻蚀后形成栅极引线层；栅极引线层和阴极引线层是相互垂直分布的；

5)栅极覆盖层[5]的制作：在栅极引线层的上面制备出一个二氧化硅层，刻蚀后形成栅极覆盖层；

6)基底一层[6]的制作：在隔离层圆形孔中阴极引线层的上面制备出一个二氧化硅层，刻蚀后形成基底一层；基底一层为一个圆盘形状，其中心轴与圆形孔的中心轴重合，其圆盘直径要小于圆形孔的直径，在其周围要暴露出底部的阴极引线层；

7)基底二层[7]的制作：在基底一层的上面制备出一个二氧化硅层，刻蚀后形成基底二层；基底二层与基底一层的形状相类似，也是一个圆盘形状，其中心轴与基底一层的中心轴相重合，其圆盘直径要小于基底一层的直径，这样，在基底一层的上表面的基底二层的周围就形成了一个圆环柱型平面；

8)基底三层[8]的制作：在基底二层的上面制备出一个二氧化硅层，刻蚀后形成基底三层；基底三层与基底二层的形状相类似，为一个圆盘形状，其中心轴与基底二层的中心轴相重合，其圆盘直径要小于基底二层的直径，这样，在基底二层的上表面的基底三层的周围也形成了一个圆环柱型平面；

9)阴极导电层[9]的制作：在基底一层、基底二层和基底三层的表面制备出一个金属钼层，刻蚀后形成阴极导电层；阴极导电层要覆盖基底三层、基底二层以及基底一层的上表面暴露出的部分和侧面，并和底部的阴极引线层相互连通；

10)过渡层[10]的制作：在基底一层上面的圆环柱型表面上，基底二层上面的圆环柱型表面上以及基底三层的上顶面上制备出一个金属层，刻蚀后形成过渡层；

11)同轴多圆环柱型阴极阵列结构的表面清洁处理：对同轴多圆环柱型阴极阵列结构的表面进行清洁处理，除掉杂质和灰尘；

12)碳纳米管[11]的制备：将碳纳米管制备在过渡层的上面；

13)阳极玻璃面板[12]的制作：对整体平板钠钙玻璃进行划割，制作出阳极玻璃面板；

14)阳极导电层[13]的制作：在阳极玻璃面板上蒸镀一层锡铟氧化物膜层；刻蚀后形成阳极导电层；

15)绝缘浆料层[14]的制作：在阳极导电层的非显示区域印刷绝缘浆料层；

16)荧光粉层[15]的制作：在阳极导电层上面的显示区域印刷荧光粉层；

17)器件装配：将阴极玻璃面板、阳极玻璃面板、支撑墙结构[16]和四周玻璃围框[17]装配到一起，并将消气剂[18]放入到空腔当中，用低熔点玻璃粉固定；

18)成品制作：对已经装配好的器件进行封装工艺形成成品件。

4、根据权利要求3所述的具有同轴多圆环柱型阴极阵列结构的平板显示器，其特征在于：所述步骤15具体为在阳极导电层的非显示区域印刷绝缘浆料层，用于防止寄生电子发射；经过烘烤，烘烤温度：150℃，保持时间：5分钟，之后，放置在烧结炉中进行高温烧结，烧结温度：580℃，保持时间：10分钟。

5、根据权利要求3所述的具有同轴多圆环柱型阴极阵列结构的平板显示器，其特征在于：所述步骤16具体为在阳极导电层上面的显示区域印刷荧光粉层；在烘箱当中进行烘烤，烘烤温度：120℃，保持时间：10分钟。

6、根据权利要求3所述的具有同轴多圆环柱型阴极阵列结构的平板显示器，其特征在于：所述步骤18具体为对已经装配好的器件进行如下的封装工艺：将样品器件放入烘箱当中进行烘烤；放入烧结炉当中进行高温烧结；在排气台上进行器件排气、封离，在烤消机上对器件内部的消气剂进行烤消，最后加装管脚形成成品件。

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