CN100514164C - 阵列基板、制造其的方法、彩色滤光片基板以及显示装置 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种阵列基板、一种制造所述阵列基板的方法、一种彩色滤光片基板以及一种显示装置中，所述阵列基板包括形成在一个像素区域中的开关元件以及被电连接到所述开关元件的像素电极部件。所述像素电极部件具有在所述像素区域中沿互不相同方向延伸的多个图案化开口。所述彩色滤光片基板包括具有凹入的公共电极部件，所述凹入形成于部分地相应于所述像素区域的区域中，以界定液晶的多个畴。借助于所述多个畴，所述显示装置的视角被增加，以提高图像显示质量。

Description

阵列基板、制造其的方法、彩色滤光片基板以及显示装置

技术领域

本发明涉及一种阵列基板、一种制造该阵列基板的方法、一种彩色滤光片基板以及一种显示装置。更具体而言，本发明涉及一种能够形成多畴的阵列基板、一种制造该阵列基板的方法、一种彩色滤光片基板以及一种显示装置。

背景技术

一般地，一个液晶显示(LCD)装置包括一个阵列基板、一个彩色滤光片基板以及一个液晶层。该阵列基板具有一个转换像素的薄膜晶体管(TFT)，该彩色滤光片基板具有一个公共电极。该液晶层形成在该阵列基板和该彩色滤光片基板之间。该LCD装置利用该液晶层来显示图像，该液晶层响应于施加在该液晶层上的电压来控制通过该液晶层的光的透射率。

由于LCD装置利用通过液晶层的光来显示图像，LCD装置具有比其它类型显示装置更窄的视角。近来，为了增大视角，针对LCD装置已经开发了垂直排列(VA)模式。

以VA模式工作的LCD装置包括两个相互面对的基板和一个设置在该两个基板之间的一个液晶层。该液晶层包括许多具有负型介电常数各向异性(negative type dielectric constant anisotropy)的液晶分子。因而，该液晶层的液晶分子垂直地排列。

在VA模式下，当未向液晶层施加电压时，该液晶层的液晶分子相对于基板表面垂直排列。从而，该LCD装置显示黑色图像。当向液晶层施加一个白色电压时，液晶分子平行于基板表面而排列。从而，该LCD装置显示白色图像。当向液晶层施加低于该白色电压的电压时，液晶分子相对于基板表面呈一个角度而排列。利用该有角度的排列，该LCD装置显示具有灰度等级的图像。

一个在图案化垂直排列(PVA)模式下工作的LCD装置包括一个具有图案化公共电极部件的彩色滤光片基板和一个具有图案化像素电极部件的阵列基板。

小屏幕LCD装置和中屏幕LCD装置的缺点在于这些LCD装置具有更窄的视角或灰度反转。为了解决或补偿这些缺点，常使小屏幕和中屏幕LCD装置工作在PVA模式下。

具有PVA模式的小屏幕和中屏幕LCD装置是通过一个将形成在阵列基板和彩色滤光片基板上的氧化锡铟图案化的工艺来制造的。特别地，该彩色滤光器基板是通过一个光刻工艺、一个显影工艺、一个蚀刻工艺和一个剥离工艺来制造的。为了排列液晶分子，利用一个广为所知的研磨工艺来使用一个排列层。该排列工艺可能很困难，尤其对于小屏幕和中屏幕LCD装置。人们迫切需要一种无需利用研磨工艺而排列液晶分子的方法。

发明内容

本发明提供一种能够形成多畴的阵列基板。

本发明还提供一种适于制造上述阵列基板的方法。

本发明提供一种能够形成多畴的彩色滤光片基板。

本发明提供一种能够形成多畴的显示装置。

在本发明的一个方面中，阵列基板包括基板，该基板具有像素区域、形成在该像素区域中的开关元件、和电连接到该开关元件的像素电极部件。该像素电极部件具有沿互不相同方向延伸的多个图案化开口。

在根据本发明的另一方面制造阵列基板的方法中，在基板的单元像素区域中形成栅线、源线以及电连接到该栅线和源线的开关元件。像素电极部件被电连接到该开关元件。该像素电极部件具有沿互不相同方向延伸的多个图案化开口，从而在该单元像素区域中确定多个多畴。

在本发明的又一个方面中，彩色滤光片基板与具有多个像素电极的阵列基板相结合。液晶层被夹在该彩色滤光片基板和该阵列基板之间。该彩色滤光片基板包括具有像素区域的基底基板和形成在该基底基板上的公共电极部件。该公共电极部件具有形成在该像素区域中的凹入以对应于该像素区域在该液晶层中形成多个畴。

在本发明的再一个方面中，显示装置包括具有公共电极部件的上基板、液晶层和与该上基板相结合的下基板。该液晶层被夹设在该上基板和该下基板之间。该下基板包括面对该公共电极部件的像素电极部件。该像素电极部件具有沿互不相同方向延伸的多个图案化开口，从而形成多个多畴。

根据以上所述，该阵列基板的像素电极部件具有突起，且该彩色滤光片基板的公共电极部件具有凹入，由此形成该液晶层的多个畴。

附图说明

通过参照以下详细描述，并在结合附图考虑时，本发明的上述及其它优点将变得显而易见，其中：

图1为平面图，显示本发明一个实施例中的液晶显示(LCD)装置；

图2为沿图1中I-I’线剖切的横截面图；

图3A和3B为横截面视图，显示图1中所示LCD装置的LCD板的操作；

图4A至4D为平面图，显示一种制造如图1所示LCD装置中的阵列基板的方法；

图5A为横截面视图，显示图1中所示LCD装置的操作；

图5B为曲线图，显示施加在图1所示LCD装置中的液晶层上的电压；

图6为平面图，显示根据本发明另一个实施例的阵列基板；

图7为沿图6中II-II’线剖切的横截面视图；

图8A至8D为横截面视图，显示一种制造如图6中所示的阵列基板的方法；

图9A为横截面视图，显示具有图6中所示阵列基板的LCD装置的工作；

图9B为曲线图，显示施加在具有图6中所示阵列基板的LCD装置的液晶层上的电压；

图10为平面图，显示根据本发明另一个实施例的一个阵列基板；

图11为沿图10中所示III-III’线所取的横截面视图；

图12为横截面视图，显示根据另一个实施例的一个LCD装置；

图13A至13F为平面图，显示一种制造如图10中所示的阵列基板的方法；

图14为平面图，显示根据本发明另一个实施例的阵列基板；

图15为平面图，显示根据本发明另一个实施例的阵列基板；

图16为平面图，显示根据本发明另一个实施例的阵列基板；

图17为平面图，显示根据本发明另一个实施例的阵列基板；

图18为平面图，显示根据本发明另一个实施例的LCD装置；

图19为沿图18中IV-IV′线剖切的横截面视图；

图20为横截面视图，显示图18中所示LCD装置的操作；

图21为平面图，显示根据本发明另一个实施例的LCD装置；

图22为沿图21中V-V’线剖切的横截面视图；

图23为横截面视图，显示图21中所示LCD装置的操作；

图24为平面图，显示根据本发明另一个实施例的LCD装置；

图25为沿图24中VI-VI’线剖切的横截面视图；

图26为横截面视图，显示图24中所示LCD装置的操作；

图27为平面图，显示根据本发明另一个实施例的LCD装置；

图28为沿图27中VII-VII’线所剖切的横截面视图；以及

图29为横截面视图，显示图27中所示LCD装置的操作。

具体实施方式

下文参照其中示出了本发明的各实施例的附图对本发明进行更完整地描述。然而，本发明可被体现在很多不同形式中，而不应被解释为局限于这里提出的实施例。更确切地说，提供这些实施例，从而使本公开将更充分和完整，并将向那些本领域中的技术人员全面地传达本发明的范围。在附图中，为清晰起见，层和区域的尺寸和相对尺寸可能被夸大。

可以理解当元件或层称为在另一元件或层“上”、“连接到”或“耦合到”另一元件或层时，它可以直接在另一元件或层上或直接连接或耦合到另一元件或层上，或可以存在中间的元件或层。相反，当元件称为“直接”在另一元件“上”或“直接连接到”或“直接耦合到”另一元件或层时，则没有中间元件或层存在。通篇相似的标记指示相似的元件。这里所用的术语“和/或”包括相关列举项目的一个或更多的任何和所有组合。

可以理解虽然术语第一、第二和第三可以用于此来描述各种元件、组分、区域、层和/或部分，这些元件、组分、区域、层和/或部分应不受这些术语限制。这些术语只用于区分一个元件、组分、区域、层或部分与另一元件、组分、区域、层或部分。因此，以下讨论的第一元件、组分、区域、层或部分可以称为第二元件、组分、区域、层或部分，而不背离本发明的教导。

在这里使用空间相对术语，诸如“下”、“底”、“上”、“顶”、“下面”、“上面”等，来方便地描述一个元件或特征和另一(诸)元件或(诸)特征如图中所示的关系。可以理解空间相对的术语旨在包含除了在图中所绘的方向之外在图中物体的不同方向。例如，如果在图中的物体被翻转，被描述为在其它元件的“下”或“下面”的元件则应取向在所述其它元件的“上”或“上面”。因此，示范性术语“下”可以包含“下”和“上”两个方向，依据图的具体取向。该器件可以另外取向(旋转90度或以其它的角度)且这里使用的空间相对的描述据此解释。

这里所使用的术语是只为了说明特别的实施例的目的且不旨在限制本发明。如这里所用，单数形式也旨在包括复数形式，除非内容清楚地指示另外的意思。进一步理解当在此说明书中使用时术语“包括”和/或“包含”说明所述特征、数字、步骤、操作、元件和/或组分的存在，但是不排出存在或添加一个或更多其它特征、数字、步骤、操作、元件、组分和/或其组。

参考横截面(和/或平面图)图示在这里描述了本发明的实施例，该图示是本发明的理想实施例的示意图。因此，可以预期由于例如制造技术和/或公差引起的图示的形状的变化。因此，本发明的实施例不应解释为限于这里所示的特别的区域形状，而是包括由于例如制造引起的形状的偏离。例如，示出或描述为矩形的注入区域将通常具有圆或曲线特征和/或在其边缘具有注入剂浓度的梯度而不是从注入到非注入区域的二元变化。相似地，由注入形成的埋覆区可以造成埋覆区和通过其产生注入的表面之间的区域中的一些注入。因此，图中示出的区域本质上是示意性的且且它们的形状不旨在示出装置的区域的精确的形状且不旨在限制本发明的范围。

除非另有界定，这里使用的所有术语(包括技术和科学术语)具有本发明属于的领域的一般技术人员共同理解的相同的意思。还可以理解诸如那些在共同使用的字典中的术语应解释为具有一种与在相关技术的背景中的它们的意思一致的意思，而不应解释为理想化或过度正式的意义，除非在这里明确地如此界定。

在下文中，将参照附图来详细解释本发明。

图1为平面图，显示根据本发明一个实施例的液晶显示(LCD)装置。图2为沿图1中所示I-I’线剖切的横截面视图。特别地，该LCD装置具有透射型阵列基板。

参照图1和2，该LCD装置包括阵列基板100、液晶层200和彩色滤光片基板300。彩色滤光片基板300与阵列基板100相结合，从而液晶层200被夹设在彩色滤光片基板300和阵列基板100之间。

阵列基板100包括第二透明基板105、多个栅线110、多个栅电极112、下存储图案111和栅电极绝缘层113。栅线110位于第二透明基板105上，且沿第一方向延伸，如图1中所示。栅电极112被电连接到栅线110。在每个单元像素区中每个下存储图案111与每个栅线110间隔开来。栅电极绝缘层113包括绝缘材料，以覆盖栅线110和栅电极112。可用作栅电极绝缘层113的绝缘材料包括氮化硅、氧化硅等。

阵列基板100还可包括半导体层114、欧姆接触层115、多个源线120、多个源电极122和多个漏电极124。半导体层114位于每个栅电极112之上的栅电极绝缘层113上。欧姆接触层115位于半导体层114上。源线120沿着基本上垂直于第一方向的第二方向延伸。单元像素区由相邻的栅线和源线110、120界定。源电极122被电连接到源线120上。每个漏电极124与每个源电极122间隔开来。每个栅电极112、半导体层114、欧姆接触层115、每个源电极122以及每个漏电极124形成薄膜晶体管(TFT)。

每个栅线和源线110和120可具有单层结构或多层结构。当每个栅线和源线110和120具有单层结构时，每个栅线和源线110和120包括铝、铝合金等。当每个栅线和源线110和120具有双层结构时，每个栅线和源线110和120包括下层和上层。每个栅线和源线110和120的下层的材料(金属或金属合金)包括铬、钼、钼合金等。每个栅线和源线110和120的上层的材料(金属或金属合金)包括铝、铝合金等。

阵列基板100还可包括钝化层130和钝化层130上的有机绝缘层132。漏电极124通过钝化层130和有机绝缘层132的接触孔CNT部分地被暴露。该钝化层130和有机绝缘层132覆盖于源电极和漏电极122和124之间的半导体层114和欧姆接触层115，以保护半导体层114和欧姆接触层115。像素电极部件140通过钝化层130和有机绝缘层132与TFT电绝缘。钝化层130和有机绝缘层132控制液晶层200的厚度。在某些实施例中，钝化层130可被省去。

阵列基板100还可包括像素电极部件140，像素电极部件140通过接触孔CNT电连接到TFT的漏电极124上。像素电极部件140具有多个沿不同方向排列的图案化开口。像素电极部件140部分地与下存储图案111重叠，以界定存储电容器电容Cst。

具体而言，像素电极部件140包括第一连接电极141、第一子电极142、第二连接电极143、第二子电极144、第三连接电极145和第三子电极146。第一连接电极141被电连接到TFT的漏电极124。第一子电极142被电连接到第一连接电极141，并具有带圆角的四边形形状。第二连接电极143被电连接到第一子电极142上，并具有比第一子电极142更小的宽度。第二子电极144被电连接到第二连接电极143上，并具有带圆角的四边形形状。第三连接电极145被电连接到第二子电极144上，并具有比第二子电极144更小的宽度。第三子电极146被电连接到第三连接电极145上，并具有带圆角的四边形形状。

第二、第三子电极142、144和146中的每一个具有相对于每个第一、第二、第三子电极142、144和146的中心沿径向排列的多个直线形图案化的开口142a、144a和146a。在图1的LCD装置中，第一、第二、第三子电极142、144和146中的每一个具有十六个直线形图案化的开口。

彩色滤光片基板300包括第一透明基板305、第一透明基板305上的彩色滤光层310和彩色滤光层310上的公共电极部件320。彩色滤光片基板300与阵列基板100相结合，从而使液晶层200被夹设于彩色滤光片基板300与阵列基板100之间。在图1和2的LCD装置中，液晶层200处于垂直排列(VA)模式下。

一般地，采用研磨工艺利用排列层来沿所需方位排列液晶。然而，由于形成在第一、第二、第三子电极142、144和146中的每一个上形成的十六个畴的存在，使得不需要研磨工艺和排列层。

根据图1和图2中的LCD装置，阵列基板包括具有三个子电极的像素电极部件，且每个子电极包括沿径向排列的图案化开口。公共电极部件可能不具有任何图案化开口。从而，像素电极部件上的液晶层200在单元像素区中具有多个畴。

图3A和3B为横截面视图，显示图1中所示LCD装置的LCD板的工作。具体而言，图3A和3B示出了单元像素区中液晶层200的一种排列。多个畴由位于第一连接电极141、第一子电极142和第二连接电极143之间的开口142a来界定。

当未向像素电极部件140施加电压时，液晶层200的液晶垂直排列。当向像素电极部件140施加电压时，该液晶层200的液晶排列将改变。在电压施加的初始阶段中，液晶相对于由像素电极部件140形成的电场倾斜。该电场可为旋错(disclination)的。

在该电压施加的初始阶段之后，液晶被倾斜，以使液晶在第一、第二和第三子电极中每一个的中部附近集中以显示一个图像。

也就是说，图案化开口142a仅形成在阵列基板100上，以形成多个畴图1至3B的LCD装置具有比在VA模式下工作的常规LCD装置更大的透光率。此外，存储电容可形成于单元像素区的周围区域。

图4A至4D为平面图，显示一种制造如图1中所示LCD装置的一个阵列基板的方法。

参见图4A，在第二透明基板105上沉积一种金属或金属合金。栅线110、下存储图案111和栅电极112的材料(金属或金属合金)的例子可包括铝、铝合金、银、银合金、铜、铜合金、钼、钼合金、铬、钽、钛等。

沉积的金属或金属合金层被图案化，以形成栅线110、下存储图案111和栅电极112。栅线110沿第一方向延伸，且沿第二方向排列。下存储图案111基本上平行于栅线110，且具有四边形开口。栅电极112被电连接到栅线110。

在具有栅电极112的第二透明基板105上沉积氮化硅，以形成栅绝缘层113。氮化硅可通过等离子体增强化学气相沉积方法来沉积。栅绝缘层113可形成在第二透明基板105的整个表面上。或者，栅绝缘层113可部分地覆盖栅线110和栅电极112。

参见图4B，在栅绝缘层113上沉积非晶硅。将N+杂质注入沉积的非晶硅层上，以形成非晶硅层和N+非晶硅层。非晶硅层和N+非晶硅层被图案化，以相应于栅电极112在栅绝缘层113上形成有源层115。

在具有有源层115的栅绝缘层113上沉积金属或金属合金。源线120、源电极122和漏电极124的材料(金属或金属合金)的例子包括铝、铝合金、银、银合金、铜、铜合金、钼、钼合金、铬、钽、钛等。沉积的金属或金属合金层被图案化，以形成源线120、源电极122和漏电极124。源电极122被电连接到源线120上。每个漏电极124与每个源电极122相互隔开

参见图4C，在具有源电极122的栅绝缘层113上沉积无机绝缘材料，以形成钝化层130。在钝化层130上涂布具有光致抗蚀剂的有机绝缘材料，以形成有机绝缘层132。部分地去除钝化层130和有机绝缘层132，以在单元像素区中形成接触孔CNT。每个漏电极124通过接触孔CNT被部分地暴露。单元像素区由相邻的栅线和源线110和120来界定。

参见图4D，在有机绝缘层132上沉积透明导电材料。沉积的透明导电材料被图案化，以形成像素电极部件140，像素电极部件140通过接触孔CNT被电连接到漏电极124。

具体而言，像素电极部件140包括第一连接电极141、第一子电极142、第二连接电极143、第二子电极144、第三连接电极145和第三子电极146。第一连接电极141被电连接到TFT的漏电极124。第一子电极142被电连接到第一连接电极141，并具有带圆角的四边形形状。第二连接电极143被电连接到第一子电极142，并具有比第一子电极142更小的宽度。第二子电极144被电连接到第二连接电极143，并具有带圆角的四边形形状。第三连接电极145被电连接到第二子电极144，并具有比第二子电极144更小的宽度。第三子电极146被电连接到第三连接电极145，并具有带圆角的四边形形状。

可用于像素电极部件140的透明导电材料的例子包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锡(TO)、氧化锌(ZO)、氧化铟锌锡(ITZO)等。在图4D中，该透明导电材料被沉积在有机绝缘层132的整个表面上，且沉积的透明导电材料层被部分地蚀刻，以形成像素电极部件140。或者，该透明导电材料可被部分地沉积在有机绝缘层132上，以直接形成像素电极部件140。在图4D中，将像素电极部件140与栅线和源线110和120间隔开来。在其它实施例中，像素电极部件140可通过预定距离部分地覆盖栅线和/或源线110和120。

然后，在像素电极部件140的第一、第二、第三子电极142、144和146上形成沿径向排列的、直线形图案化的开口142a、144a和146a。第一、第二、第三子电极142、144和146中每一个上的直线形图案化的开口142a、144a和146a的数量为十六个。直线形图案化的开口142a、144a和146a形成一个扭曲的电场，以形成具有这些畴的多畴。直线形图案化的开口142a、144a和146a通过用于形成像素电极部件140的图案化工艺来形成。或者，直线形图案化的开口142a、144a和146a可通过与形成像素电极部件140的图案化工艺不同的图案化工艺来形成。

图5A为横截面视图，显示图1中所示LCD装置的操作。图5B为曲线图，显示施加在图1中所示LCD装置的液晶层上的电压。

参见图5A，彩色滤光片基板300包括第一透明基板305和第一透明基板305上的公共电极部件320。阵列基板100包括第二透明基板105和具有直线形图案化开口142a的像素电极部件140。

在操作中，第一畴区DA1由与第一连接电极141相邻的直线形图案化开口142a界定。第二畴区DA2由与第一子电极142左侧相邻的直线形图案化开口142a界定。第三畴区DA3由与第一子电极142右侧相邻的直线形图案化开口142a界定。第四畴区DA4由与第二连接电极143左侧相邻的直线形图案化开口142a界定。第五畴区DA5由与第二连接电极143右侧相邻的直线形图案化开口142a界定。施加在对应于第一、第二、第三、第四、第五畴区DA1、DA2、DA3、DA4和DA5的液晶层上的电压水平是变化的，从而使第一、第二、第三、第四、第五畴区DA1、DA2、DA3、DA4和DA5中的液晶排列不一定相同。

图6为一个平面图，显示根据本发明另一个实施例的阵列基板。图7为沿图6中所示II-II’线所剖切的横截面视图。除了存在一个突出电极以外，图6和图7的阵列基板与图1至图2中的阵列基板基本相同。

参见图6和图7，LCD装置包括阵列基板400、液晶层200和彩色滤光片基板300。彩色滤光片基板300与阵列基板400相结合，从而使液晶层200被夹设于彩色滤光片基板300与阵列基板400之间。

阵列基板400包括第二透明基板405、多个栅线410、多个栅电极412、下存储图案411和栅电极绝缘层413。栅线410位于第二透明基板405上，且沿第一方向延伸，如图6中所示。栅电极412被电连接到栅线410。在每个单元像素区中每个下存储图案411与每个栅线410间隔开来。栅电极绝缘层413包括绝缘材料以覆盖栅线410和栅电极412。可用于栅电极绝缘层413的绝缘材料的例子包括氮化硅、氧化硅等。

阵列基板400还可包括半导体层414、欧姆接触层415、多个源线420、多个源电极422和多个漏电极424。在每个栅电极412上，半导体层414位于栅电极绝缘层413上。欧姆接触层415位于半导体层414上。源线420沿着基本上垂直于第一方向的第二方向延伸。单元像素区由相邻的栅线和源线410、420界定。源电极422被电连接到源线420上。每个漏电极424与每个源电极422间隔开来。每个栅电极412、半导体层414、欧姆接触层415、每个源电极422以及每个漏电极424形成薄膜晶体管(TFT)。

每个栅线和源线410和420可具有单层结构或多层结构。当每个栅线和源线410和420具有单层结构时，每个栅线和源线410和420包括铝、铝合金等。当每个栅线和源线410和420具有双层结构时，每个栅线和源线410和420包括下层和上层。每个栅线和源线410和420的下层的材料(金属或金属合金)的例子包括铬、钼、钼合金等。每个栅线和源线410和420的上层的材料(金属或金属合金)的例子包括铝、铝合金等。

阵列基板400还可包括钝化层430和钝化层430上的有机绝缘层432。漏电极424通过钝化层430和有机绝缘层432的接触孔CNT部分地被暴露。钝化层430和有机绝缘层432覆盖位于源电极和漏电极422和424之间的半导体层414和欧姆接触层415，以保护半导体层414和欧姆接触层415。像素电极部件440通过钝化层430和有机绝缘层432与TFT电绝缘。钝化层430和有机绝缘层432控制液晶层200的厚度。在某些实施例中，钝化层430可被省去。

阵列基板400还可包括像素电极部件440，像素电极部件440通过接触孔CNT电连接到TFT的漏电极424。像素电极部件440具有多个沿不同方向排列的图案化开口。像素电极部件440部分地与下存储图案411重叠，以界定存储电容器电容Cst。

具体而言，像素电极部件440包括第一连接电极441、第一子电极442、第二连接电极443、第二子电极444、第三连接电极445和第三子电极446。第一连接电极441被电连接到TFT的漏电极424。第一子电极442被电连接到第一连接电极441，并具有带圆角的四边形形状。第二连接电极443被电连接到第一子电极442，并具有比第一子电极442更小的宽度。第二子电极444被电连接到第二连接电极443，并具有带圆角的四边形形状。第三连接电极445被电连接到第二子电极444，并具有比第二子电极444更小的宽度。第三子电极446被电连接到第三连接电极445，并具有带圆角的四边形形状。

第二、第三子电极442、444和446中的每一个具有相对于每个第一、第二、第三子电极442、444和446的中心沿径向排列的多个直线形图案化的开口442a、444a和446a。在图6的LCD装置中，第一、第二、第三子电极442、444和446中的每一个具有十六个直线形图案化的开口。第一、第二、第三子电极442、444和446包括第一突起电极部分442b、第二突起电极部分444b和第三突起电极部分446b。在图6的阵列基板中，第一、第二、第三突起电极部分442b、444b和446b中的每一个具有圆形形状。然而，这并不是对本发明的限制，且在其它实施例中，第一、第二、第三突起电极部分442b、444b和446b中的每一个可具有四边形形状、八边形形状等。

彩色滤光片基板300包括第一透明基板305、第一透明基板305上的彩色滤光层310和彩色滤光层310上的公共电极部件320。彩色滤光片基板300与阵列基板400相结合，从而使液晶层200被夹设于彩色滤光片基板300与阵列基板400之间。在图6和7的LCD装置中，液晶层200处于垂直排列(VA)模式下。

十六个畴形成于第一、第二、第三子电极442、444和446中的每一个上。如上所述，多个畴的存在使研磨工艺和排列层可被省去。

图8A至8D为横截面视图，显示一种制造如图6中所示的一个阵列基板的方法。

参见图8A，在第二透明基板405上沉积金属或金属合金。栅线410、下存储图案411和栅电极412的材料(金属或金属合金)的例子可包括铝、铝合金、银、银合金、铜、铜合金、钼、钼合金、铬、钽、钛等。沉积的金属或金属合金层被图案化，以形成栅线410、下存储图案411和栅电极412。栅线410沿第一方向延伸，且沿第二方向排列。下存储图案411基本上平行于栅线410，且具有四边形开口。栅电极412被电连接到栅线410上。

在具有栅电极412的第二透明基板405上沉积氮化硅，以形成栅绝缘层413。氮化硅可通过一种等离子体增强化学气相沉积方法来沉积。栅绝缘层413可形成在第二透明基板405的整个表面上。或者，栅绝缘层413可部分地覆盖栅线410和栅电极412。

参见图8B，在栅绝缘层413上沉积非晶硅。将N+杂质注入沉积的非晶硅层上，以形成非晶硅层和N+非晶硅层。非晶硅层和N+非晶硅层被图案化，以相应于栅电极412在栅绝缘层413上形成有源层415。

在具有有源层415的栅绝缘层413上沉积金属或金属合金。源线420、源电极422和漏电极424的材料(金属或金属合金)的例子包括铝、铝合金、银、银合金、铜、铜合金、钼、钼合金、铬、钽、钛等。沉积的金属或金属合金层被图案化，以形成源线420、源电极422和漏电极424。源电极422被电连接到源线420上。每个漏电极424与每个源电极422相互隔开。

参见图8C，在具有源电极422的栅绝缘层413上沉积无机绝缘材料，以形成钝化层430。在钝化层430上涂布具有光致抗蚀剂的有机绝缘材料以形成有机绝缘层432。部分地去除钝化层430和有机绝缘层432，以在单元像素区中形成接触孔CNT，以及第一突起433、第二突起435和第三突起437。每个漏电极424通过接触孔CNT被部分地暴露。该单元像素区由相邻的栅线和源线410和420来界定。

参见图8D，在具有第一、第二和第三突起433、435和437的有机绝缘层432上沉积透明导电材料。沉积的透明导电材料被图案化，以形成像素电极部件440，像素电极部件440通过接触孔CNT被电连接到漏电极424上。具体而言，像素电极部件440包括第一连接电极441、第一子电极442、第二连接电极443、第二子电极444、第三连接电极445和第三子电极446。第一连接电极441被电连接到TFT的漏电极424。第一子电极442被电连接到第一连接电极441，并具有带圆角的四边形形状。第二连接电极443被电连接到第一子电极442，并具有比第一子电极442更小的宽度。第二子电极444被电连接到第二连接电极443，并具有带圆角的四边形形状。第三连接电极445被电连接到第二子电极444，并具有比第二子电极444更小的宽度。第三子电极446被电连接到第三连接电极445，并具有带圆角的四边形形状。

可用于像素电极部件440的透明导电材料的例子包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锡(TO)、氧化锌(ZO)、氧化铟锌锡(1TZO)等。在图8D中，该透明导电材料被沉积在具有第一、第二和第三突起433、435和437的有机绝缘层432的整个表面上，且沉积的透明导电材料层被部分地蚀刻，以形成像素电极部件440。或者，该透明导电材料可被部分地沉积在有机绝缘层432上，以直接形成像素电极部件440。在图8D中，将像素电极部件440与栅线和源线410和420间隔开来。在其它实施例中，像素电极部件440可通过预定距离部分地覆盖栅线和/或源线410和420。

然后，在像素电极部件440的第一、第二、第三子电极442、444和446上形成沿径向排列的、直线形图案化的开口442a、444a和446a。第一、第二、第三子电极442、444和446中每一个上的直线形图案化的开口442a、444a和446a的数量为十六个。直线形图案化的开口442a、444a和446a形成一个扭曲的电场，以形成多畴。此外，第一、第二、第三突起电极部分442b、444b和446b也形成一个扭曲电场，以形成多个畴。直线形图案化的开口442a、444a和446a通过用于形成像素电极部件440的图案化工艺来形成。或者，直线形图案化的开口442a、444a和446a可通过与形成像素电极部件440的图案化工艺不同的图案化工艺来形成。

图9A为横截面视图，显示具有图6中所示阵列基板的LCD装置的操作。图9B为曲线图，显示施加在具有图6中所示阵列基板的LCD装置的液晶层上的电压。具体而言，彩色滤光片基板300包括具有平面形状的公共电极部件320。阵列基板400包括具有直线形图案化开口442a和突起电极部分442b的像素电极部件440。

参见图9A，彩色滤光片基板300包括第一透明基板305和第一透明基板305上的公共电极部件320。阵列基板400包括第二透明基板405，以及具有直线形图案化开口442a和突起电极部分442b的像素电极部件440。

在操作中，第一畴区DA1由与第一连接电极441相邻的直线形图案化开口442a界定。第二畴区DA2由与第一子电极442左侧相邻的直线形图案化开口442a界定。第三畴区DA3由与第一子电极442右侧相邻的直线形图案化开口442a界定。突起电极部分442b位于第二和第三畴区DA2和DA3之间。施加在对应于第一、第二和第三畴区DA1、DA2和DA3的液晶层上的电压水平是变化的，从而使第一、第二和第三畴区DA1、DA2和DA3中的液晶排列不一定相同。

图10为平面图，显示根据本发明另一个实施例的一个阵列基板。图11为沿图10中所示III-III’线所取的横截面视图。图10和图11的阵列基板为透射-反射型阵列基板。

参见图10和图11，LCD装置包括阵列基板500、液晶层200和彩色滤光片基板300。彩色滤光片基板300与阵列基板500相结合，从而使液晶层200被夹设于彩色滤光片基板300与阵列基板500之间。

阵列基板500包括第二透明基板505、多个栅线510、多个栅电极512、下存储图案511和栅电极绝缘层513。栅线510位于第二透明基板505上，且沿第一方向延伸。栅电极512被电连接到栅线510。在每个单元像素区中，每个下存储图案511与每个栅线510间隔开来。栅电极绝缘层513包括绝缘材料以覆盖栅线510和栅电极512。可用于栅电极绝缘层513的绝缘材料的例子包括氮化硅、氧化硅等。

阵列基板500还可包括半导体层514、欧姆接触层515、多个源线520、多个源电极522和多个漏电极524。在每个栅电极512之上，半导体层514位于栅电极绝缘层513上。欧姆接触层515位于半导体层514上。源线520沿着基本上垂直于第一方向的第二方向延伸。单元像素区由相邻的栅线和源线510、520界定。源电极522被电连接到源线520上。每个漏电极524与每个源电极522间隔开来。每个栅电极512、该半导体层514、该欧姆接触层515、每个源电极522以及每个漏电极524形成薄膜晶体管(TFT)。

每个栅线和源线510和520可具有单层结构或多层结构。当每个栅线和源线510和520具有单层结构时，每个栅线和源线510和520包括铝、铝合金等。当每个栅线和源线510和520具有双层结构时，每个栅线和源线510和520包括一个下层和一个上层。每个栅线和源线510和520的下层的材料(金属或金属合金)的例子包括铬、钼、钼合金等。每个栅线和源线510和520的上层的材料(金属或金属合金)的例子包括铝、铝合金等。

阵列基板500还可包括钝化层530和位于钝化层530上的有机绝缘层532。漏电极524通过钝化层530和有机绝缘层532的接触孔CNT部分地被暴露。钝化层530和有机绝缘层532覆盖位于源电极和漏电极522和524之间的半导体层514和欧姆接触层515，以保护半导体层514和欧姆接触层515。像素电极部件540通过钝化层530和有机绝缘层532与TFT电绝缘。钝化层530和有机绝缘层532控制液晶层200的厚度。在某些实施例中，钝化层530可被省去。

阵列基板500还可包括像素电极部件540，像素电极部件540通过接触孔CNT电连接到TFT的漏电极524。像素电极部件540具有多个沿不同方向排列的图案化开口。像素电极部件540部分地与下存储图案511重叠，以界定存储电容器电容Cst。

具体而言，像素电极部件540包括第一连接电极541、第一子电极542、第二连接电极543、第二子电极544、第三连接电极545和第三子电极546。第一连接电极541被电连接到TFT的漏电极524。第一子电极542被电连接到第一连接电极541上，并具有带圆角的四边形形状。第二连接电极543被电连接到第一子电极542，并具有比第一子电极542更小的宽度。第二子电极544被电连接到第二连接电极543，并具有带圆角的四边形形状。第三连接电极545被电连接到第二子电极544，并具有比第二子电极544更小的宽度。第三子电极546被电连接到第三连接电极545，并具有带圆角的四边形形状。

第二、第三子电极542、544和546中的每一个具有相对于每个第一、第二、第三子电极542、544和546的中心沿径向排列的多个直线形图案化的开口542a、544a和546a。在图10的LCD装置中，第一、第二、第三子电极542、544和546中的每一个具有十六个直线形图案化的开口。

阵列基板500还可包括绝缘中间层534和反射层550。绝缘中间层534覆盖有机绝缘层532和像素电极部件540。反射层550位于与部分的像素电极部件540和源线520相对应的绝缘中间层534上。

在图10和图11中，第一、第二、第三突起542b、544b和546b位于有机绝缘层532上。

图12为横截面视图，显示根据另一个实施例的LCD装置。

参见图12，第一部分532a和第二部分532b可被界定于每个第一、第二、第三子电极542、544和546上，且突起可形成于第一部分532a或第二部分532b上。

参见图10和图11，彩色滤光片基板300包括第一透明基板305、位于第一透明基板305上的彩色滤光层310和位于彩色滤光层310上的公共电极部件320。彩色滤光片基板300与阵列基板500相结合，从而使液晶层200被夹设于彩色滤光片基板300与阵列基板500之间。在图10和11的LCD装置中，液晶层200处于垂直排列(VA)模式下。

十六个畴形成于第一、第二、第三子电极542、544和546中的每一个上面。如上所述，多个畴的存在使研磨工艺和排列层可被省去。

此外，在邻近单元像素区之间的界面处形成反射层550，因而LCD装置可在反射-透射模式下操作。通过反射层550，辐射入难于控制液晶的区域中的光被反射，从而提高了LCD装置的图像显示质量。

图13A至13F为平面图，显示一种制造如图10中所示的阵列基板的方法。

参见图13A，在第二透明基板505上沉积金属或金属合金。栅线510、下存储图案511和栅电极512的材料(金属或金属合金)的例子可包括铝、铝合金、银、银合金、铜、铜合金、钼、钼合金、铬、钽、钛等。沉积的金属或金属合金层被图案化，以形成栅线510、下存储图案511和栅电极512。栅线510沿第一方向延伸，且沿第二方向排列。下存储图案511基本上平行于栅线510，且具有四边形开口。栅电极512被电连接到栅线510上。

在具有栅电极512的第二透明基板505上沉积氮化硅，以形成栅绝缘层513。氮化硅可通过一种等离子体增强化学气相沉积方法来沉积。栅绝缘层513可形成在第二透明基板505的整个表面上。或者，栅绝缘层513可部分地覆盖栅线510和栅电极512。

参见图13B，在栅绝缘层513上沉积非晶硅。将N+杂质注入沉积的非晶硅层上，以形成非晶硅层和N+非晶硅层。非晶硅层和N+非晶硅层被图案化，以相应于栅电极512在栅绝缘层513上形成有源层515。

在具有有源层515的栅绝缘层513上沉积金属或金属合金。源线520、源电极522和漏电极524的材料(金属或金属合金)的例子包括铝、铝合金、银、银合金、铜、铜合金、钼、钼合金、铬、钽、钛等。沉积的金属或金属合金层被图案化，以形成源线520、源电极522和漏电极524。源电极522被电连接到源线520上。每个漏电极524与每个源电极522相互隔开。

参见图13C，在具有源电极522的栅绝缘层513上沉积无机绝缘材料，以形成钝化层530。在钝化层530上涂布具有光致抗蚀剂的有机绝缘材料，以形成有机绝缘层532。部分地去除钝化层530和有机绝缘层532，以在单元像素区中形成接触孔CNT，以及第一突起531、第二突起533和第三突起537。每个漏电极524通过接触孔CNT被部分地暴露。单元像素区由相邻的栅线和源线510和520来界定。

参见图13D，在具有如图13C所示的第一、第二和第三突起531、533和537的有机绝缘层532上沉积透明导电材料。沉积的透明导电材料被图案化，以形成像素电极部件540，像素电极部件540通过接触孔CNT被电连接到漏电极524。具体而言，像素电极部件540包括第一连接电极541、第一子电极542、第二连接电极543、第二子电极544、第三连接电极545和第三子电极546。第一连接电极541被电连接到TFT的漏电极524。第一子电极542被电连接到第一连接电极541，并具有带圆角的四边形形状。第二连接电极543被电连接到第一子电极542，并具有比第一子电极542更小的宽度。第二子电极544被电连接到第二连接电极543，并具有带圆角的四边形形状。第三连接电极545被电连接到第二子电极544，并具有比第二子电极544更小的宽度。第三子电极546被电连接到第三连接电极545，并具有带圆角的四边形形状。

可用于像素电极部件540的透明导电材料的例子包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锡(TO)、氧化锌(ZO)、氧化铟锌锡(ITZO)等。在图13D中，透明导电材料被沉积在具有第一、第二和第三突起531、533和537的有机绝缘层532的整个表面上，且沉积的透明导电材料层被部分地蚀刻，以形成像素电极部件540。或者，透明导电材料可被部分地沉积在有机绝缘层532上，以直接形成像素电极部件540。在图13D中，将像素电极部件540与栅线和源线510和520间隔开来。在其它实施例中，像素电极部件540可通过预定距离部分地覆盖栅线和/或源线510和520。

参见图13E，然后，在像素电极部件540的第一、第二、第三子电极542、544和546上形成沿径向排列的、直线形图案化的开口542a、544a和546a。

第二、第三子电极542、544和546中每一个上的直线形图案化的开口542a、544a和546a的数量为十六个。直线形图案化的开口542a、544a和546a形成一个扭曲的电场，以形成多畴。此外，第一、第二、第三突起电极部分542b、544b和546b也形成一个扭曲电场，以形成多个畴。直线形图案化的开口542a、544a和546a通过用于形成像素电极部件540的图案化工艺来形成。或者，直线形图案化的开口542a、544a和546a可通过与形成像素电极部件540的图案化工艺不同的图案化工艺来形成。

参见图13F，在像素电极部件540上形成图11中所示的绝缘中间层534，然后，在像素电极部件540上形成反射层550，以覆盖第一连接电极541和第一子电极542。

图14为平面图，显示根据本发明另一个实施例的阵列基板。除了图案化开口的形状之外，图14的阵列基板与图1至图2相同。在图14中，图案化开口为曲线形，且以旋涡形图案排列。

参见图14，阵列基板包括第二透明基板605、多个栅线610、多个栅电极612、下存储图案611和栅电极绝缘层613。栅线610位于第二透明基板605上，且沿第一方向延伸，如如图14中所示。栅电极612被电连接到栅线610。每个下存储图案611与每个单元像素区中的每个栅线610间隔开来。栅电极绝缘层613包括绝缘材料，以覆盖栅线610和栅电极612。

阵列基板还可包括半导体层614、欧姆接触层615、多个源线620、多个源电极622和多个漏电极624。在每个栅电极612之上，半导体层614位于栅电极绝缘层613上。欧姆接触层615位于半导体层614上。源线620沿着基本上垂直于第一方向的第二方向延伸。单元像素区由相邻的栅线和源线610、620界定。源电极622被电连接到源线620。每个漏电极624与每个源电极622间隔开来。每个栅电极612、半导体层614、欧姆接触层615、每个源电极622以及每个漏电极624形成薄膜晶体管(TFT)。

阵列基板还可包括像素电极部件640，像素电极部件640通过接触孔CNT电连接到TFT的漏电极624。像素电极部件640具有多个沿不同方向排列的图案化开口。像素电极部件640部分地与下存储图案611重叠，以界定存储电容器电容Cst。

具体而言，像素电极部件640包括第一连接电极641、第一子电极642、第二连接电极643、第二子电极644、第三连接电极645和第三子电极646。第一连接电极641被电连接到TFT的漏电极624。第一子电极642被电连接到第一连接电极641，并具有带圆角的四边形形状。第二连接电极643被电连接到第一子电极642，并具有比第一子电极642更小的宽度。第二子电极644被电连接到第二连接电极643，并具有带圆角的四边形形状。第三连接电极645被电连接到第二子电极644，并具有比第二子电极644更小的宽度。第三子电极646被电连接到第三连接电极645，并具有带圆角的四边形形状。

第二、第三子电极642、644和646中的每一个具有相对于每个第一、第二、第三子电极642、644和646的中心沿径向排列(例如，形成一个旋涡图案)的多个直线形图案化的开口642a、644a和646a。在图14的LCD装置中，第一、第二、第三子电极642、644和646中的每一个具有十六个曲线形图案化的开口。

在第一、第二、第三子电极642、644和646中的每一个上形成十六个畴。使研磨工艺和排列层可被省去。

图15为平面图，显示根据本发明另一个实施例的阵列基板。除了像素电极部件之外，图15的阵列基板与图1至图2中的实施例相似。在图15中，图案化开口被排列在具有圆形的子电极上，且具有漩涡形状。

参见图15，阵列基板包括第二透明基板705、多个栅线710、多个栅电极712、下存储图案711和栅电极绝缘层713。栅线710位于第二透明基板705上，且沿第一方向延伸，如所示。栅电极712被电连接到栅线710。每个下存储图案711与每个单元像素区中的每个栅线710间隔开来。栅电极绝缘层713包括绝缘材料，以覆盖栅线710和栅电极712。

阵列基板700还可包括半导体层714、欧姆接触层715、多个源线720、多个源电极722和多个漏电极724。半导体层714位于相应于每个栅电极712的栅电极绝缘层713上。欧姆接触层715位于半导体层714上。源线720沿着基本上垂直于第一方向的第二方向延伸。单元像素区由相邻的栅线和源线710、720界定。源电极722被电连接到源线720。每个漏电极724与每个源电极722间隔开来。每个栅电极712、半导体层714、欧姆接触层715、每个源电极722以及每个漏电极724形成薄膜晶体管(TFT)。

阵列基板还可包括像素电极部件740，像素电极部件740通过接触孔CNT电连接到TFT的漏电极724。像素电极部件740具有多个沿不同方向排列的图案化开口。像素电极部件740部分地与下存储图案711重叠，以界定存储电容器电容Cst。

具体而言，像素电极部件740包括第一连接电极741、第一子电极742、第二连接电极743、第二子电极744、第三连接电极745和第三子电极746。第一连接电极741被电连接到TFT的漏电极724。第一子电极742被电连接到第一连接电极741，并具有圆形形状。第二连接电极743被电连接到第一子电极742，并具有比第一子电极742更小的宽度。第二子电极744被电连接到第二连接电极743，并具有圆形形状。第三连接电极745被电连接到第二子电极744，并具有比第二子电极744更小的宽度。第三子电极746被电连接到第三连接电极745，并具有圆形形状。

第二、第三子电极742、744和746中的每一个具有相对于每个第一、第二、第三子电极742、744和746的中心沿径向排列的多个直线形图案化的开口742a、744a和746a。在图15的LCD装置中，第一、第二、第三子电极742、744和746中的每一个具有十六个曲线形图案化的开口。

在第一、第二、第三子电极742、744和746中的每一个上形成十六个畴，使研磨工艺和排列层可被省去。

图16为平面图，显示根据本发明另一个实施例的阵列基板。除了像素电极部件之外，图16的阵列基板与图1至图2中的阵列基板相同。在图16中，图案化开口包括直线形和曲线形的组合。

参见图16，阵列基板包括第二透明基板805、多个栅线810、多个栅电极812、下存储图案811和栅电极绝缘层813。栅线810位于第二透明基板805上，且沿第一方向延伸。栅电极812被电连接到栅线810。每个下存储图案811与每个单元像素区中的每个栅线810间隔开来。栅电极绝缘层813包括绝缘材料，以覆盖栅线810和栅电极812。

阵列基板还可包括半导体层814、欧姆接触层815、多个源线820、多个源电极822和多个漏电极824。半导体层814位于相应于每个栅电极812的栅电极绝缘层813上。欧姆接触层815位于半导体层814上。源线820沿着基本上垂直于第一方向的第二方向延伸。单元像素区由相邻的栅线和源线810、820界定。源电极822被电连接到源线820。每个漏电极824与每个源电极822间隔开来。每个栅电极812、半导体层814、欧姆接触层815、每个源电极822以及每个漏电极824形成薄膜晶体管(TFT)。

阵列基板还可包括像素电极部件840，像素电极部件840通过接触孔CNT电连接到TFT的漏电极824。像素电极部件840具有多个沿不同方向排列的图案化开口。像素电极部件840部分地与下存储图案811重叠，以界定存储电容器电容Cst。

具体而言，像素电极部件840包括第一连接电极841、第一子电极842、第二连接电极843、第二子电极844、第三连接电极845和第三子电极846。第一连接电极841被电连接到TFT的漏电极824。第一子电极842被电连接到第一连接电极841，并具有带圆角的四边形形状。第二连接电极843被电连接到第一子电极842，并具有比第一子电极842更小的宽度。第二子电极844被电连接到第二连接电极843，并具有带圆角的四边形形状。第三连接电极845被电连接到第二子电极844，并具有比第二子电极844更小的宽度。第三子电极846被电连接到第三连接电极845，并具有带圆角的四边形形状。

第二、第三子电极842、844和846中的每一个具有相对于每个第一、第二、第三子电极842、844和846的中心沿径向排列的多个直线形图案化开口842a、844a和846a，以及沿径向排列的多个曲线形图案化开口842b、844b和846b。在图16的阵列基板中，第一、第二、第三子电极842、844和846中的每一个具有八个直线形图案化开口和八个曲线形图案化开口。

在第一、第二、第三子电极842、844和846中的每一个上形成十六个畴，使研磨工艺和排列层可被省去。

图17为平面图，显示根据本发明另一个实施例的阵列基板。除了像素电极部件之外，图17的阵列基板与图1至图2中的阵列基板相同。在图17中，图案化开口被排列在具有圆形形状的子电极上，为直线形和曲线形的组合。

参见图17，阵列基板包括第二透明基板905、多个栅线910、多个栅电极912、下存储图案911和栅电极绝缘层913。栅线910位于第二透明基板905上，且沿第一方向延伸，如图17中所示。栅电极912被电连接到栅线910。每个下存储图案911与每个单元像素区中的每个栅线910间隔开来。栅电极绝缘层913包括绝缘材料，以覆盖栅线910和栅电极912。

阵列基板还可包括半导体层914、欧姆接触层915、多个源线920、多个源电极922和多个漏电极924。半导体层914位于相应于每个栅电极912的栅电极绝缘层913上。欧姆接触层915位于半导体层914上。源线920沿着基本上垂直于第一方向的第二方向延伸。单元像素区由相邻的栅线和源线910、920界定。源电极922被电连接到源线920。每个漏电极924与每个源电极922间隔开来。每个栅电极912、半导体层914、欧姆接触层915、每个源电极922以及每个漏电极924形成薄膜晶体管(TFT)。

阵列基板900还可包括像素电极部件940，像素电极部件940通过接触孔CNT电连接到TFT的漏电极924。像素电极部件940具有多个沿不同方向排列的图案化开口。像素电极部件940部分地与下存储图案911重叠，以界定存储电容器电容Cst。

具体而言，像素电极部件940包括第一连接电极941、第一子电极942、第二连接电极943、第二子电极944、第三连接电极945和第三子电极946。第一连接电极941被电连接到TFT的漏电极924。第一子电极942被电连接到第一连接电极941，并具有圆形形状。第二连接电极943被电连接到第一子电极942，并具有比第一子电极942更小的宽度。第二子电极944被电连接到第二连接电极943，并具有圆形形状。第三连接电极945被电连接到第二子电极944，并具有比第二子电极944更小的宽度。第三子电极946被电连接到第三连接电极945，并具有圆形形状。

第二、第三子电极942、944和946中的每一个具有相对于每个第一、第二、第三子电极942、944和946的中心沿径向排列的多个直线形图案化开口942a、944a和946a，以及沿径向排列的多个曲线形图案化开口942b、944b和946b。在图17的阵列基板中，第一、第二、第三子电极942、944和946中的每一个具有八个直线形图案化开口和八个曲线形图案化开口，并且直线形图案化开口942a、944a和946a与曲线形图案化开口942b、944b和946b以交错方式排列。

在第一、第二、第三子电极942、944和946中的每一个上形成十六个畴。因此，研磨工艺，以及通常放置在阵列基板或彩色滤光片基板上的排列层可被省去。

在图1至图17中，图案化开口形成于阵列基板的像素电极部件上，以形成多个畴。

或者，图案化开口可形成于彩色滤光片基板上，而突起可形成于阵列基板上。

图18为平面图，显示根据本发明另一个实施例的一个LCD装置。图19为沿图18中所示IV-IV’线所剖切的横截面视图。具体而言，LCD装置的阵列基板包括多个图案化开口，且LCD装置的彩色滤光片基板包括凹入。在图18中，LCD装置具有透射型阵列基板。

参见图18和19，LCD装置包括阵列基板100、液晶层200和彩色滤光片基板1300。彩色滤光片基板1300与阵列基板100相结合，从而液晶层200被夹设在彩色滤光片基板1300和阵列基板100之间。图18和图19中的阵列基板与图1和图2中的阵列基板相似。因而，相同的附图标记将被用于指代与图1和图2中所述相同或相似的元件，且将省略任何关于以上元件的进一步说明。

彩色滤光片基板1300包括第一透明基板1305、第一透明基板1305上的彩色滤光层1310，以及彩色滤光层1310上的公共电极部件1320。彩色滤光片基板1300与阵列基板100相结合，从而使液晶层200被夹设于彩色滤光片基板1300与阵列基板100之间。在图18和19中的LCD装置中，液晶层200处于垂直排列(VA)模式下。

彩色滤光层1310具有第一孔1312a、第二孔1312b和第三孔1312c。第一、第二和第三孔1312a、1312b和1312c分别对应于第一、第二和第三子电极142、144和146的中部。

公共电极部件1320位于彩色滤光层1310上以沿着第一、第二和第三孔1312a、1312b和1312c覆盖彩色滤光层1310。凹入形成于设置有公共电极部件1320上，在那里设置有第一、第二和第三孔1312a、1312b和1312c，这是由于无论是否被置于一个孔上方，公共电极部件1320的厚度基本上为恒定。公共电极部件1320的凹入形成一个扭曲的电场，以形成具有多个畴的多畴。

在第一、第二、第三子电极142、144和146中的每一个上形成十六个畴，且凹入形成于第一、第二、第三子电极142、144和146中的每一个的中部上。因而，如上所述，可省去研磨工艺和排列层。

根据图18和图19中的LCD装置，阵列基板包括具有三个子电极的像素电极部件，其中每个子电极包括相对于每个子电极中心沿径向排列的图案化开口。公共电极部件具有相应于各子电极中部的凹入。从而，位于像素电极部件上的液晶层200具有多个畴。

图20为横截面视图，显示图18中所示LCD装置的操作。

参见图20，当向图18中所示的像素电极部件140和公共电极部件1320施加电压时，邻近图案化开口142a和凹入1312a的电场被扭曲，从而使液晶层200中的液晶排列被改变。液晶的长轴朝向图案化开口142a和凹入1312a排列。也就是说，当电压被施加到图18中所示的像素电极部件140和公共电极部件1320上时，液晶相对于由公共电极部件1320和图18中所示像素电极部件140形成的电场倾斜。

这样，由阵列基板100的图案化开口142a和彩色滤光片基板1300的凹入1312a形成多个畴。

在某些实施例中，LCD装置还可包括至少一个覆盖至少一个子电极的反射层(未示出)。所形成的LCD装置将可在反射-透射模式下操作。

图21为平面图，显示根据本发明另一个实施例的LCD装置。图22为沿图21中所示V-V’线所剖切的横截面视图。除了彩色滤光层和涂覆层之外，图21和图22中的阵列基板与图18至图19中的实施例相似。因而，相同的附图标记将被用于指代与图18和图19中所述相同或相似的元件，且将省略任何关于以上元件的进一步说明。在图21和22中，LCD装置具有透射型阵列阵列基板。

参见图21和22，LCD装置包括阵列基板100、液晶层200和彩色滤光片基板2300。彩色滤光片基板2300与阵列基板100相结合，从而液晶层200被夹设在彩色滤光片基板2300和阵列基板100之间。图21和图22中的阵列基板与图1和图2中的阵列基板相似。因而，相同的附图标记将被用于指代与图1和图2中所述相同或相似的零件，且将省略任何关于以上元件的进一步说明。

彩色滤光片基板2300包括第一透明基板2305、位于第一透明基板2305上的彩色滤光层2310，位于彩色滤光层2310上的涂覆层2320，以及位于涂覆层2320上的公共电极部件2330。彩色滤光片基板2300与阵列基板100相结合，从而使液晶层200被夹设于彩色滤光片基板2300与阵列基板100之间。在图21和22中的LCD装置中，液晶层200处于垂直排列(VA)模式下。

涂覆层2320具有第一孔2332a、第二孔2332b和第三孔2332c。或者，涂覆层2320可具有第一、第二和第三凹入，其深度小于涂覆层2320的厚度。第一、第二和第三孔2332a、2332b和2332c分别对应于第一、第二和第三子电极142、144和146的中部。

公共电极部件2330位于涂覆层2320上，以沿着第一、第二和第三孔2332a、2332b和2332c覆盖彩色滤光层2310，从而使凹入对应于第一、第二和第三孔2332a、2332b和2332c形成于公共电极部件2330上，公共电极部件2330的凹入形成一个扭曲的电场，以形成多个畴。

在第一、第二、第三子电极142、144和146中的每一个上形成十六个畴，且凹入形成于第一、第二、第三子电极142、144和146中的每一个的中部上。因而，可省去研磨工艺和排列层。

根据图21和图22中的LCD装置，依据公共电极部件2330的凹入的所需深度来调整涂覆层2320的厚度，从而提高了LCD装置的色彩重现性。涂覆层2320的台阶部分可通过当形成涂覆层2320时调整对光致抗蚀剂的曝光量来形成。

此外，阵列基板包括具有三个子电极的像素电极部件，其中每个子电极包括从接近每个子电极中心的区域起、沿径向延伸的图案化开口。公共电极部件2330具有相应于各子电极中部的凹入。从而，位于像素电极部件上的液晶层200具有多个畴。

图23为横截面视图，显示图21中所示LCD装置的操作。

参见图23，当向图21中所示的像素电极部件140和公共电极部件2330施加电压时，邻近图案化开口142a和凹入2332a的一个电场被扭曲，从而使液晶层200中的液晶排列被改变。液晶的长轴朝向图案化开口142a和凹入2332a排列。也就是说，当电压被施加到图21中所示的像素电极部件140和公共电极部件2330上时，液晶相对于由公共电极部件2330和图21中所示像素电极部件140形成的电场倾斜。

多个畴由阵列基板100的图案化开口142a和彩色滤光片基板2300的凹入2332a形成。

在其它实施例中，LCD装置还可包括至少一个覆盖着至少一个子电极的反射层(未示出)。在此情况下，LCD装置可为反射-透射型LCD装置。

图24为平面图，显示根据本发明另一个实施例的一个LCD装置。图25为沿图24中所示VI-VI’线所剖切的横截面视图。除了突起外，图24和图25的LCD装置相似于图21至22的实施例。在图24和图25中，LCD装置具有透射型阵列基板。

参见图24和25，LCD装置包括阵列基板400、液晶层200和彩色滤光片基板3300。彩色滤光片基板3300与阵列基板400相结合，从而液晶层200被夹设在彩色滤光片基板3300和阵列基板400之间。图24和图25中的阵列基板与图6和图7中的阵列基板相似。因而，相同的附图标记将被用于指代与图6和图7中所述相同或相似的元件，且将省略任何关于以上元件的进一步说明。

彩色滤光片基板3300包括第一透明基板3305、位于第一透明基板3305上的彩色滤光层3310、位于彩色滤光层3310上的电绝缘的涂覆层3320，以及位于涂覆层3320上的公共电极部件3330。彩色滤光片基板3300与阵列基板400相结合，从而使液晶层200被夹设于彩色滤光片基板3300与阵列基板400之间。在图24和25中的LCD装置中，液晶层200操作在垂直排列(VA)模式下。

涂覆层3320具有第一孔3322a、第二孔3322b和第三孔3322c。在某些实施例中，涂覆层3320可具有比涂覆层3320更薄的第一、第二和第三凹入。第一、第二和第三孔3322a、3322b和3322c分别与第一、第二和第三子电极442、444和446中部上的第一、第二和第三突起电极部分442b、444b和446b对准。

公共电极部件3330位于涂覆层3320上，以沿着第一、第二和第三孔3322a、3322b和3322c覆盖彩色滤光层3310，从而使形成在公共电极部件3330上的凹入与第一、第二和第三孔3322a、3322b和3322c对准。公共电极部件3330的凹入形成一个扭曲的电场，以形成多个畴。

在第一、第二、第三子电极442、444和446中的每一个上形成十六个畴，且凹入形成于第一、第二、第三子电极442、444和446中的每一个的中部上。借助于多个畴，可省去研磨工艺和排列层。

图26为横截面视图，显示图24中所示LCD装置的操作。

参见图26，当向图24中所示的像素电极部件440和公共电极部件3330施加一个电压时，邻近图案化开口442a和凹入3322a的一个电场被扭曲，从而使液晶层200中的液晶排列被改变。液晶的长轴朝向图案化开口442a和凹入3322a排列。也就是说，当电压被施加到图24中所示的像素电极部件440和公共电极部件3330上时，液晶相对于由公共电极部件3330和图24中所示像素电极部件440形成的电场倾斜。

多个畴由阵列基板400的图案化开口442a和突起电极部分442b，以及彩色滤光片基板3300的凹入3322a形成。

或者，LCD装置还可包括至少一个覆盖着至少一个子电极的反射层(未示出)。也就是说，LCD装置可为反射-透射型LCD装置。

图27为平面图，显示根据本发明另一个实施例的LCD装置。图28为沿图27中所示VII-VII’线所剖切的横截面视图。除了阻挡层结构之外，图27和图28中的阵列基板与图6、图7、图24和图25中的实施例相似。因而，相同的附图标记将被用于指代与图24和图25中所述相同或相似的元件，且将省略任何关于以上元件的进一步说明。在图27和28中，LCD装置具有透射型阵列阵列基板。

参见图27和28，LCD装置包括阵列基板400、液晶层200和彩色滤光片基板4300。彩色滤光片基板4300与阵列基板400相结合，从而液晶层200被夹设在彩色滤光片基板4300和阵列基板400之间。

阵列基板400还可包括第一阻挡图案426a、第二阻挡图案426b和第三阻挡图案426c。第一、第二、第三阻挡图案426a、426b和426c与TFTs的漏电极424间隔开来。第一、第二、第三阻挡图案426a、426b和426c分别相应于第一、第二和第三突起电极部分442b、444b和446b，阻挡透过液晶层200的一部分的光。在图27和28中，第一、第二、第三阻挡图案426a、426b和426c由与源线420相同的层形成。然而，在某些实施例中，第一、第二、第三阻挡图案426a、426b和426c可由不同于源线420的层形成。

在图27和28中，第一、第二、第三阻挡图案426a、426b和426c分别小于第一、第二和第三突起电极部分442b、444b和446b。当反射层(未示出)形成于第一、第二和第三子电极442、444和446中的至少之一上时、第一、第二、第三阻挡图案426a、426b和426c可分别大于第一、第二和第三突起电极部分442b、444b和446b。

彩色滤光片基板4300包括第一透明基板4305、第一透明基板4305上的彩色滤光层4310、彩色滤光层4310上的涂覆层4320，以及涂覆层4320上的公共电极部件4330。彩色滤光片基板4300与阵列基板400相结合，从而使液晶层200被夹设于彩色滤光片基板4300与阵列基板400之间。在图27和28中的LCD装置中，液晶层200具有垂直排列(VA)模式。

涂覆层4320具有第一孔4322a、第二孔4322b和第三孔4322c。在某些实施例中，涂覆层4320可具有比涂覆层4320更薄的第一、第二和第三凹入。第一、第二和第三孔4322a、4322b和4322c分别与第一、第二和第三子电极442、444和446中部上的第一、第二和第三突起电极部分442b、444b和446b对准。

公共电极部件4330位于涂覆层4320上，以沿着第一、第二和第三孔4322a、4322b和4322c覆盖彩色滤光层4310，从而使凹入对应于第一、第二和第三孔4322a、4322b和4322c，形成于公共电极部件4330上。公共电极部件4330的凹入形成一个扭曲的电场，以形成多个畴。

在第一、第二、第三子电极442、444和446中的每一个上形成十六个畴，且凹入形成于第一、第二、第三子电极442、444和446中的每一个的中部上。从而，可省去研磨工艺和排列层。

图29为横截面视图，显示图27中所示LCD装置的操作。

参见图29，当向图27中所示的像素电极部件440和公共电极部件4330施加一个电压时，邻近图案化开口442a和凹入4322a的一个电场被扭曲，从而使液晶层200中的液晶排列被改变。液晶的长轴朝向图案化开口442a和凹入4322a排列。也就是说，当电压被施加到图27中所示的像素电极部件440和公共电极部件4330上时，液晶相对于由公共电极部件4330和图27中所示像素电极部件440形成的电场倾斜。

多个畴由阵列基板400的图案化开口442a和突起电极部分442b，以及彩色滤光片基板4300的凹入4322a形成。阻挡图案426相应于突起电极部分阻挡了透过液晶层200的一部分的光，尽管LCD装置显示黑色。

在某些实施例中，LCD装置还可包括至少一个覆盖至少一个子电极的反射层(未示出)。所形成的LCD装置可操作在反射-透射型模式下。

根据本发明，阵列基板的像素电极部件具有直线形或呈旋涡状曲线形的图案化开口，从而形成多个畴。

此外，阵列基板的像素电极具有图案化开口，且彩色滤光片基板的公共电极部件具有凹入，从而形成多个畴。此外，形成阻挡图案与突起对准，以防止邻近突起的区域中光的泄漏。

因而，增加了LCD装置的视角，从而提高了图像显示质量。

尽管已经描述了本发明的示例性实施例，但应理解本发明不应被局限于这些示例性实施例，而是可由本领域普通技术人员在权利要求所界定的本发明的精神和范围之内，进行各种变化和修改。

Claims (31)

1、一种阵列基板，包括：

基板，所述基板具有像素区域；

开关元件，形成于所述像素区域中；以及

像素电极部件，电连接到所述开关元件，所述像素电极部件包括：

多个子电极；以及

连接电极，电连接彼此相邻的所述子电极，所述连接电极具有比所述子电极的宽度小的宽度，

其中每个所述子电极具有多个图案化开口，在同一个子电极中的所述多个图案化开口每个沿彼此不同的径向延伸，

其中在每个所述子电极中所述图案化开口具有曲线形状以形成旋涡图案。

2、如权利要求1所述的阵列基板，其中，所述像素电极部件还包括：

反射部分，形成于至少一个所述子电极上，以反射光。

3、如权利要求2所述的阵列基板，其中，相应于所述反射部分的所述子电极包括多个具有凸起形状的第一部分和多个第二部分，且第一部分具有大于第二部分的高度。

4、如权利要求2所述的阵列基板，其中，所述反射部分形成于所述子电极上，所述子电极被电连接到所述开关元件。

5、如权利要求2所述的阵列基板，其中，每个子电极具有四边形形状、带圆角的四边形形状或圆形形状。

6、如权利要求1所述的阵列基板，其中，关于每个子电极的中心彼此相对的所述图案化开口具有相等的宽度。

7、如权利要求1所述的阵列基板，其中，所述像素电极部件还包括位于每个所述子电极的中心的突起。

8、一种制造阵列基板的方法，所述方法包括：

在基板的单元像素区域中，形成栅线、源线以及电连接到所述栅线和源线的开关元件；以及

形成被电连接到所述开关元件的像素电极部件，所述像素电极部件包括：

多个子电极；以及

连接电极，电连接彼此相邻的所述子电极，所述连接电极具有比所述子电极的宽度小的宽度，

其中每个所述子电极具有多个图案化开口，在同一个子电极中的所述多个图案化开口每个沿彼此不同的径向延伸，且

其中在每个所述子电极中所述图案化开口具有曲线形状以形成旋涡图案。

9、如权利要求8所述的方法，其中，在所述像素电极部件的形成之前还包括：

在其上形成所述栅线、所述源线和所述开关元件的所述基板上形成有机绝缘层；并且

在所述有机绝缘层上形成多个具有凸起形状的第一部分和多个具有比所述第一部分更小高度的第二部分。

10、如权利要求9所述的方法，其中，所述像素电极部件的形成还包括在所述子电极上形成反射部分。

11、一种显示装置，包括：

上基板，具有公共电极部件；

液晶层；和

下基板，与所述上基板相结合，以使所述液晶层被夹设在所述上基板和所述下基板之间，所述下基板包括面对所述公共电极部件的像素电极部件，所述像素电极部件包括：

多个子电极；以及

连接电极，电连接彼此相邻的所述子电极，所述连接电极具有比所述子电极的宽度小的宽度，

其中每个所述子电极具有多个图案化开口，在同一个子电极中的所述多个图案化开口每个沿彼此不同的径向延伸，且

其中在每个所述子电极中所述图案化开口具有曲线形状以形成旋涡图案。

12、如权利要求11所述的显示装置，其中，所述下基板还包括：

栅线；

源线；和

开关元件，被电连接到所述栅线和源线，所述开关元件包括被电连接到所述像素电极部件的漏电极。

13、如权利要求11所述的显示装置，其中，所述上基板还包括一个彩色滤光层，且所述公共电极部件位于所述彩色滤光层上以覆盖所述彩色滤光层。

14、如权利要求13所述的显示装置，其中，所述公共电极部件具有平面形状。

15、如权利要求11所述的显示装置，其中，所述像素电极部件还包括：

反射部分，反射光，所述反射部分形成于至少一个所述子电极上。

16、一种显示装置，包括：

液晶层；

阵列基板，所述阵列基板包括形成于像素区域中的开关元件和电连接到所述开关元件的像素电极部件，所述像素电极部件包括

多个子电极；以及

连接电极，电连接彼此相邻的所述子电极，所述连接电极具有比所述子电极的宽度小的宽度，

其中每个所述子电极具有多个图案化开口，在同一个子电极中的所述多个图案化开口每个沿彼此不同的径向延伸，且

其中在每个所述子电极中所述图案化开口具有曲线形状以形成旋涡图案；以及

彩色滤光片基板，所述彩色滤光片基板包括公共电极部件，所述公共电极部件具有形成于所述像素区域中的凹入，以对应于所述像素区域在所述液晶层中形成多个畴。

17、如权利要求16所述的显示装置，其中，由所述公共电极部件的凹入和所述像素电极部件产生的一个电场在所述像素区域的所述液晶层中形成了所述多个畴。

18、如权利要求17所述的显示装置，其中，所述彩色滤光片基板还包括形成于所述像素区域中的彩色滤光层，且所述公共电极部件位于所述彩色滤光层上以覆盖所述彩色滤光层。

19、如权利要求18所述的显示装置，其中，所述彩色滤光层具有孔，所述孔在形成所述公共电极部件时产生所述凹入。

20、如权利要求18所述的显示装置，其中，所述彩色滤光片基板还包括绝缘层以覆盖所述彩色滤光层，且所述绝缘层具有孔，所述孔在形成所述公共电极部件时产生所述凹入。

21、如权利要求16所述的显示装置，其中，所述开关元件包括：

栅电极，被电连接到栅线；

源电极，被电连接到源线；

漏电极，被电连接到所述像素电极部件；和

半导体层，介于所述源电极和漏电极之间。

22、如权利要求16所述的显示装置，其中，所述像素电极部件还包括：

反射部分，形成于至少一个所述子电极上以反射光。

23、如权利要求22所述的显示装置，其中，相应于所述反射部分的所述子电极包括多个具有凸起形状的第一部分和多个具有比第一部分更小的高度的第二部分。

24、如权利要求22所述的显示装置，其中，所述反射部分形成于所述子电极上，所述子电极被电连接到所述开关元件。

25、如权利要求22所述的显示装置，其中，每个子电极具有带圆角的四边形形状或圆形形状。

26、如权利要求22所述的显示装置，其中，所述像素电极部件包括多个子电极，所述多个子电极被互相电连接到一起，并具有所述图案化开口，并且对于每个子电极中心彼此相对的所述图案化开口具有基本上相等的宽度。

27、如权利要求16所述的显示装置，其中，所述像素电极部件还包括位于每个所述子电极的中心的突起。

28、如权利要求27所述的显示装置，其中，所述阵列基板还包括相对应于所述突起的阻挡图案。

29、如权利要求28所述的显示装置，其中，所述阻挡图案包括与所述开关元件的栅电极相同的材料。

30、如权利要求28所述的显示装置，其中，所述阻挡图案包括与所述开关元件的源电极和漏电极相同的材料。

31、如权利要求27所述的显示装置，其中，所述突起形成于所述阵列基板的透射区域中，且所述凹入形成于相应于所述阵列基板的反射区域的彩色滤光片基板上。

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