CN100496869C

CN100496869C - 随焊电磁冲击控制焊接热裂纹和变形的装置

Info

Publication number: CN100496869C
Application number: CNB2006101509527A
Authority: CN
Inventors: 方洪渊; 徐文利; 杨建国; 刘雪松; 许威
Original assignee: Harbin Institute of Technology
Current assignee: Harbin Institute of Technology
Priority date: 2006-10-27
Filing date: 2006-10-27
Publication date: 2009-06-10
Anticipated expiration: 2026-10-27
Also published as: CN1943969A

Abstract

随焊电磁冲击控制焊接热裂纹和变形的装置，它涉及一种控制焊接热裂纹和变形的技术领域。为了解决已有装置生产效率低，操作复杂，设备庞大，容易与焊枪干涉，冲击力大小难定量化，不适合中厚及硬度较大材料的焊接，而提供的随焊电磁冲击控制焊接热裂纹和变形的装置。它包含脉冲放电电路(1)、线圈(2)，脉冲放电电路(1)的两个输出端分别连接线圈(2)的两个输入端，线圈(2)设置在焊缝(3)的正上方位置上，线圈(2)的下表面距离焊缝(3)的上表面之间的距离(L2)为2～5mm，线圈(2)的中心到焊枪(7)的中心距离(L1)为25～60mm。本发明操作简单；能量大小易于精确控制；占用空间小；成本低；电磁力为体积力并具有冲击特性；施力线圈无需与被焊工件接触。

Description

随焊电磁冲击控制焊接热裂纹和变形的装置

技术领域

本发明涉及一种控制焊接热裂纹和变形的技术领域。

背景技术

焊接热裂纹、焊接残余应力及残余变形是焊接过程中存在的普遍问题，为解决上述问题，国内外提出了多种控制残余应力及残余变形的装置，如静态和动态温差拉伸、随焊碾压、随焊锤击及随焊冲击碾压装置等，但上述装置均有它们的不足之处。静态和动态拉伸装置不能降低焊缝的横向收缩，生产效率低，操作复杂。随焊碾压装置庞大，碾压轮容易与焊枪干涉，产生打弧现象。随焊锤击装置存在锤头偏摆振动较大，需要增加导向机构的缺点。随焊冲击碾压装置是一种新的控制焊接应力与变形的技术(专利号为：ZL03132581.5)，该方法尽管弥补了随焊碾压与随焊冲击装置的部分不足，但它仍然采用机械力对试件表面进行直接接触式冲击，其冲击效果的保证建立在减小冲击面积的基础上，并且冲击力的大小难于定量化，且不适用于中厚结构及硬度较大材料的焊接。

发明内容

本发明目的是为了解决已有静态和动态拉伸装置不能降低焊缝的横向收缩，生产效率低，操作复杂；随焊碾压装置设备庞大，碾压轮容易与焊枪干涉，产生打弧现象；随焊锤击装置存在锤头偏摆振动较大，需要增加导向机构；随焊冲击碾压装置冲击力的大小难于定量化，不适用于中厚结构及硬度较大材料的焊接，而提供的一种随焊电磁冲击控制焊接热裂纹和变形的装置。

本发明包含脉冲放电电路1、线圈2；脉冲放电电路1的两个输出端分别连接线圈2的两个输入端，线圈2设置在焊缝3的正上方位置上，线圈2的下表面距离焊缝3的上表面之间的距离L2为2～5mm，线圈2的中心到焊枪7的中心距离L1为25～60mm。

本发明能够对2mm厚LY12铝合金板实现低应力、小变形、无热裂的焊接，残余变形能够控制在6％-10％内。本发明依靠电磁力的作用控制焊接应力及变形具有以下优势：操作简单；设备能量的大小易于精确控制，从而使磁场力能够准确定量；电传输与机械力传递相比较为容易，占用空间小；施力线圈制作简单，成本低；电磁力为体积力并具有冲击特性，可以更加有效地促使受力对象产生塑性变形；可以通过改变线圈的结构来控制磁场力的大小和分布；施力线圈无需与被焊工件接触。

附图说明

图1是本发明的主视图；图2是图1的俯视图；图3是图1中脉冲放电电路1的电路结构逻辑框图；图4是图1中脉冲放电电路1的电路结构示意图；图5是具体实施方式六的结构示意图；图6是图5的俯视图。

具体实施方式

具体实施方式一：结合图1、图2、图3、图4说明本实施方式，本实施方式由脉冲放电电路1、线圈2组成；脉冲放电电路1的两个输出端分别连接线圈2的两个输入端，线圈2设置在焊缝3的正上方位置上，线圈2的下表面距离焊缝3的上表面之间的距离L2为2～5mm，线圈2的中心到焊枪7的中心距离L1为25～60mm。

脉冲放电电路1由主电路1-1、IGBT触发电路1-2、时基电路1-3、可控硅触发电路1-4、滞回电压比较器电路1-5、第一逻辑电路1-6、第二逻辑电路1-7、第一开关电路1-8和第二开关电路1-9组成；

主电路1-1的电压信号输出端连接滞回电压比较器电路1-5的输入端，滞回电压比较器电路1-5的输出端连接第一逻辑电路1-6的一个输入端和第二逻辑电路1-7的一个输入端，时基电路1-3的输出端连接第一逻辑电路1-6的另一个输入端和第二逻辑电路1-7的另一个输入端，第一逻辑电路1-6的输出端连接第一开关电路1-8的输入端，第二逻辑电路1-7的输出端连接第二开关电路1-9的输入端，第一开关电路1-8的两个输出端分别连接IGBT触发电路1-2的两个输入端，第二开关电路1-9的两个输出端分别连接可控硅触发电路1-4的两个输入端，IGBT触发电路1-2的三个输出端分别连接主电路1-1的三个输入端，可控硅触发电路1-4的两个输出端分别连接主电路1-1另外两个输入端；主电路1-1由扼流圈L、第六电容C6、第三十一电阻R31、IGBT模块Q5、第七电容C7、第三十二电阻R32和第三十四电阻R34、可控硅Q6、第三十三电阻R33、第五电容C5、第六二极管D6组成；扼流圈L的一端连接电源VCC的输出端，扼流圈L的另一端连接第三十一电阻R31的一端和第六电容C6的一端，第三十一电阻R31的另一端连接IGBT模块Q5的源极，IGBT模块Q5的漏极连接第七电容C7的一端、第三十二电阻R32的一端和可控硅Q6的阳极，第三十二电阻R32的另一端连接第三十四电阻R34的一端和输出电压信号端，第三十三电阻R33的一端连接可控硅Q6的阳极，第三十三电阻R33的另一端与第五电容C5的一端连接，可控硅Q6的阴极连接第六二极管D6的阴极端、第五电容C5的另一端和输出脉冲电流的一端，第六电容C6的另一端、第七电容C7的另一端、第三十四电阻R34的另一端、第六二极管D6的阳极端和输出脉冲电流端的另一端接地GND-A；滞回电压比较器电路1-5由第一电阻R1、第一运算放大器U1A、第三电阻R3、第一可变电阻器R27、第二电阻R2、第七稳压管D7、第十电阻R10组成；主电路1-1电压信号输出端连接滞回电压比较器电路1-5的第一电阻R1的一端，第一电阻R1的另一端连接第一运算放大器U1A的反向输入端脚2，第一运算放大器U1A的同相输入端脚3连接第三电阻R3的一端，第三电阻R3的另一端连接第一可变电阻器R27的可变端，第一可变电阻器R27的两个固定端分别连接电源VCC???和接地GND-A，第一运算放大器U1A的电源端接电源VCC2，第一运算放大器U1A的端脚4接地GND-B，第一运算放大器U1A的输出端脚1连接第二电阻R2的一端，第二电阻R2的另一端连接第七稳压管D7的阴极、第十电阻R10的一端、第一逻辑电路1-6的输入端和第二逻辑电路1-7的输入端，第十电阻R10的另一端连接第一运算放大器U1A的同相输入端脚3，第七稳压管D7的阳极接地GND-B；时基电路1-3由第三555芯片U3、第二十三电阻R23、第二十四电阻R24、第二十五电阻R25、第二可变阻器R29、第三可变阻器R30、第八稳压管D8、第四电容C4、第四二极管D4和第五二极管D5组成；第三555芯片U3的复位输入端脚4和电源端脚8连接电源VCC3，第三555芯片U3的脚6和脚2、第四电容C4的一端连接第三可变阻器R30的一个固定端，第三可变阻器R30的另一个固定端和可变端连接第二可变阻器R29的可变端，第二可变阻器R29的两个固定端分别连接第四二极管D4的阳极端和第五二极管D5的阴极端，第四二极管D4的阴极端连接第二十五电阻R25的一端，第二十五电阻R25的另一端、第五二极管D5的阳极端和第二十三电阻R23的一端连接第三555芯片U3的脚7，第二十三电阻R23的另一端连接电源VCC3，第三555芯片U3的输出脚3连接第二十四电阻R24的一端，第二十四电阻R24的另一端连接第八稳压管D8的阴极端、第一逻辑电路1-6的输入端和第二逻辑电路1-7的输入端，第三555芯片U3的接地端脚1、第四电容C4的另一端和第八稳压管D8的阳极端接地GND-B；第一逻辑电路1-6由第一与非门U7A、第一非门U8A组成；滞回电压比较器电路1-5的输出端连接第一与非门U7A的输入端脚1，时基电路1-3的输出端连接第一与非门U7A的输入端脚2，第一与非门U7A的输出端脚3连接第一非门U8A的输入端脚1上，第一非门U8A的输出端脚2连接第一开关电路1-8的输入端；第二逻辑电路1-7由第二与非门U7B、第二非门U8B、第三非门U8C组成；滞回电压比较器电路1-5的输出端连接第二非门U8B的输入端脚3，时基电路1-3的输出端连接第三非门U8C的输入端脚5，第二非门U8B的输出端脚4与第三非门U8C的输出端脚6分别连接第二与非门U7B的输入端脚4和输入端脚5上，第二与非门U7B的输出端脚6连接第二开关电路1-9的输入端；第一开关电路1-8由第一光耦开关U4、第六电阻R6、第一发光二极管DS1组成；第一逻辑电路1-6输出端连接第一光耦开关U4的输入端脚2，第一光耦开关U4的输入端脚1与第一发光二极管DS1的阴极之间串联第六电阻R6，第一发光二极管DS1的阳极连接在电源VCC4上，第一光耦开关U4的输出端脚3和脚4分别连接IGBT触发电路1-2的二个输入端上；第二开关电路1-9由第二光耦开关U5、第二十二电阻R22、第二发光二极管DS2组成；第二逻辑电路1-7输出端连接第二光耦开关U5的输入端脚2，第二光耦开关U5的输入端脚1与第二发光二极管DS2的阴极之间串联第二十二电阻R22，第二发光二极管DS2的阳极连接电源VCC4上，第二光耦开关U5的输出端脚3和脚4分别连接可控硅触发电路1-4的二个输入端上；IGBT触发电路1-2由第二555芯片U2、第十一电阻R11、第二二极管D2、第十二电阻R12、第一电容C1、第四电阻R4、第十八电阻R18、第五电阻R5、第二电容C2、第十三电阻R13、第四可变电阻器R28、第十七电阻R17、第十五电阻R15、第一二极管D1、第十六电阻R16、第十九电阻R19、第十稳压管D10、第一NPN三极管Q1、第二NPN三极管Q2、第八电阻R8、第九电阻R9、第三二极管D3、PNP三极管Q4、第七电阻R7、第十一稳压管D11、第九稳压管D9、第十四电阻R14、第二运算放大器U6A组成；第二555芯片U2的脚2与第二555芯片U2的脚6和第十一电阻R11的一端连接，第十一电阻R11的另一端连接第一光耦开关U4的输出端脚4的，第一光耦开关U4的输出端脚4与接地GND-C之间串联第十八电阻R18，第二555芯片U2的脚4连接第二二极管D2的阳极上，第二二极管D2的阴极连接电源VCC5，第二555芯片U2的脚3与主电路1-1的IGBT模块Q5栅极端之间串联第十二电阻R12，第二555芯片U2的脚3与第二555芯片U2的脚7连接，第二555芯片U2的脚5与接地GND-C之间串联第一电容C1，第二555芯片U2的脚7与电源VCC5之间串联第四电阻R4，第十三电阻R13的一端连接电源VCC5，第十三电阻R13的另一端连接第四可变电阻器R28的一个固定端和第十五电阻R15的一端，第四可变电阻器R28的另一个固定端接地GND-C，第四可变电阻器R28的可变端连接第十七电阻R17的一端，第十七电阻R17的另一端连接第二运算放大器U6A的反向输入端脚4，第二运算放大器U6A的同相输入端脚5连接第十五电阻R15的另一端和第一二极管D1的阳极端，第一二极管D1的阴极端连接主电路1-1的IGBT模块Q5源极端，第二运算放大器U6A的输出端脚2与第二运算放大器U6A的电源端脚3之间串联第十六电阻R16，第二运算放大器U6A的输出端脚2连接第十九电阻R19的一端，第十九电阻R19的另一端与第十稳压管D10的阴极连接，第十稳压管D10的阳极连接第二NPN三极管Q2的基极和第一NPN三极管Q1的基极，第二NPN三极管Q2的集电极连接第五电阻R5的一端、第二电容C2的一端和第八电阻R8的一端，第八电阻R8的另一端和第五电阻R5的另一端连接电源VCC5，第二电容C2的另一端接地GND-C，第一NPN三极管Q1的集电极连接第九电阻R9的一端和第三二极管D3的阴极端，第九电阻R9的另一端连接电源VCC5，第三二极管D3的阳极端连接PNP三极管Q4的基极上，PNP三极管Q4的集电极连接第十一稳压管D11的阴极、第七电阻R7的一端、第十四电阻R14的一端和主电路1-1的IGBT模块Q5漏极端，第十四电阻R14的另一端连接第九稳压管D9阴极端，PNP三极管Q4的发射极连接第九稳压管D9的阳极上，第九稳压管D9的阴极连接主电路1-1的IGBT模块Q5栅极端，第二555芯片U2的接地端脚1、第二运算放大器U6A的接地端脚1、第十一稳压管D11的阳极、第一NPN三极管Q1的发射极和第一NPN三极管Q1的发射极接地GND-C，第二555芯片U2的脚8、第二光耦开关U5的输出端脚3、第二运算放大器U6A的电源端脚3、第七电阻R7的另一端和第九电阻R9的另一端连接电源VCC5；可控硅触发电路1-4是由第二十一电阻RR21、第二十电阻R20、第二十六电阻R26、第三电容C3、第三NPN三极管Q3组成；第二光耦开关U5的脚3与电源VCC6之间串联第二十一电阻R21，电源VCC6与可控硅Q6的控制极之间串联第二十电阻R20，第二光耦开关U5的输出端脚4与接地端GND-D之间串联第二十六电阻R26，第三电容C3并联在的二十六电阻R26的两端，第三NPN三极管Q3的基极连接第二光耦开关U5的输出端脚4上，第三NPN三极管Q3的发射极接地，第三NPN三极管Q3的集电极连接可控硅Q6的阴极端。

工作原理：在通过脉冲放电电路1产生脉冲电流，当线圈2通入脉冲电流时，置于线圈2下方的焊件6感应出与线圈2电流方向相反的感应电流，从而产生感应磁场，感应磁场与线圈2的磁场作用，使得线圈2对焊件6产生一个瞬间向下的脉冲电磁力，焊件6的脆性温度区间5两侧金属由于受到脉冲电磁力的作用产生延展，因此脆性温度区间5内的金属受到压缩应变，从而防止了焊接热裂纹的产生。线圈2通入脉冲电流，熔池4后方的处于高温的焊件6受到向下的脉冲电磁力，焊缝3发生塑性延展，使得焊接残余应力及残余变形得到降低。

具体实施方式二：结合图1、图2说明本实施方式，本实施方式与实施方式一的不同点在于线圈2中心到焊枪7中心距离L1为25～45mm，其它组成和结构与具体实施方式一相同。

具体实施方式三：结合图1、图2说明本实施方式，本实施方式与实施方式二的不同点在于线圈2中心到焊枪7中心距离L1为26mm，其它组成和结构与具体实施方式二相同。

具体实施方式四：结合图1、图2说明本实施方式，本实施方式与实施方式二的不同点在于线圈2中心到焊枪7中心距离L1为35mm，其它组成和结构与具体实施方式二相同。

具体实施方式五：结合图1、图2说明本实施方式，本实施方式与实施方式二的不同点在于线圈2中心到焊枪7中心距离L1为44mm，其它组成和结构与具体实施方式二相同。

具体实施方式六：结合图5、图6说明本实施方式，本实施方式与实施方式一不同点在于它增加了第一线圈2-1、第二线圈2-2和第一脉冲放电电路1-10；第一脉冲放电电路1-10的两个输出端分别连接第一线圈2-1的一端和第二线圈2-2的一端，第一线圈2-1的另一端连接到第二线圈2-2的另一端，第一线圈2-1和第二线圈2-2分别对称放置于焊缝3两侧上方，第一线圈2-1和第二线圈2-2的中心分别距焊缝3中心线距离L3为20～30mm，第一线圈2-1和第二线圈2-2的中心距焊枪7中心的垂直的距离是L4为25～35mm，线圈2的中心距焊枪7的中心距离L1为45～60mm，其它组成和结构与具体实施方式一相同。

具体实施方式七：结合图5、图6说明本实施方式，本实施方式与实施方式六不同点在于第一线圈2-1和第二线圈2-2的中心分别距焊缝3中心线距离L3为20mm，第一线圈2-1和第二线圈2-2的中心距焊枪7中心的垂直的距离是L4为25mm，线圈2的中心距焊枪7的中心距离L1为44mm，其它组成和结构与具体实施方式六相同。

具体实施方式八：结合图5、图6说明本实施方式，本实施方式与实施方式六不同点在于第一线圈2-1和第二线圈2-2的中心分别距焊缝3中心线距离L3为25mm，第一线圈2-1和第二线圈2-2的中心距焊枪7中心的垂直的距离是L4为30mm，线圈2的中心距焊枪7的中心距离L1为50mm，其它组成和结构与具体实施方式六相同。

具体实施方式九：结合图5、图6说明本实施方式，本实施方式与实施方式六不同点在于第一线圈2-1和第二线圈2-2的中心分别距焊缝3中心线距离L3为30mm，第一线圈2-1和第二线圈2-2的中心距焊枪7中心的垂直的距离是L4为35mm，线圈2的中心距焊枪7的中心距离L1为59mm，其它组成和结构与具体实施方式六相同。

Claims

1、随焊电磁冲击控制焊接热裂纹和变形的装置，其特征在于它包含脉冲放电电路(1)、线圈(2)，脉冲放电电路(1)的两个输出端分别连接线圈(2)的两个输入端，线圈(2)设置在焊缝(3)的正上方位置上，线圈(2)的下表面距离焊缝(3)的上表面之间的距离(L2)为2～5mm，线圈(2)的中心到焊枪(7)的中心距离(L1)为25～60mm。

2、根据权利要求1所述的随焊电磁冲击控制焊接热裂纹和变形的装置，其特征在于脉冲放电电路(1)由主电路(1-1)、IGBT触发电路(1-2)、时基电路(1-3)、可控硅触发电路(1-4)、滞回电压比较器电路(1-5)、第一逻辑电路(1-6)、第二逻辑电路(1-7)、第一开关电路(1-8)和第二开关电路(1-9)组成；主电路(1-1)的电压信号输出端连接滞回电压比较器电路(1-5)的输入端，滞回电压比较器电路(1-5)的输出端连接第一逻辑电路(1-6)的一个输入端和第二逻辑电路(1-7)的一个输入端，时基电路(1-3)的输出端连接第一逻辑电路(1-6)的另一个输入端和第二逻辑电路(1-7)的另一个输入端，第一逻辑电路(1-6)的输出端连接第一开关电路(1-8)的输入端，第二逻辑电路(1-7)的输出端连接第二开关电路(1-9)的输入端，第一开关电路(1-8)的两个输出端分别连接IGBT触发电路(1-2)的两个输入端，第二开关电路(1-9)的两个输出端分别连接可控硅触发电路(1-4)的两个输入端，IGBT触发电路(1-2)的三个输出端分别连接主电路(1-1)的三个输入端，可控硅触发电路(1-4)的两个输出端分别连接主电路(1-1)另外两个输入端。

3、根据权利要求2所述的随焊电磁冲击控制焊接热裂纹和变形的装置，其特征在于主电路(1-1)由扼流圈(L)、第六电容(C6)、第三十一电阻(R31)、IGBT模块(Q5)、第七电容(C7)、第三十二电阻(R32)和第三十四电阻(R34)、可控硅(Q6)、第三十三电阻(R33)、第五电容(C5)、第六二极管(D6)组成；扼流圈(L)的一端连接电源VCC的输出端，扼流圈(L)的另一端连接第三十一电阻(R31)的一端和第六电容(C6)的一端，第三十一电阻(R31)的另一端连接IGBT模块(Q5)的源极，IGBT模块(Q5)的漏极连接第七电容(C7)的一端、第三十二电阻(R32)的一端和可控硅(Q6)的阳极，第三十二电阻(R32)的另一端连接第三十四电阻(R34)的一端和输出电压信号端，第三十三电阻(R33)的一端连接可控硅(Q6)的阳极，第三十三电阻(R33)的另一端与第五电容(C5)的一端连接，可控硅(Q6)的阴极连接第六二极管(D6)的阴极端、第五电容(C5)的另一端和输出脉冲电流的一端，第六电容(C6)的另一端、第七电容(C7)的另一端、第三十四电阻(R34)的另一端、第六二极管(D6)的阳极端和输出脉冲电流端的另一端接地GND-A。

4、根据权利要求2所述的随焊电磁冲击控制焊接热裂纹和变形的装置，其特征在于滞回电压比较器电路(1-5)由第一电阻(R1)、第一运算放大器(U1A)、第三电阻(R3)、第一可变电阻器(R27)、第二电阻(R2)、第七稳压管(D7)、第十电阻(R10)组成；主电路(1-1)电压信号输出端连接滞回电压比较器电路(1-5)的第一电阻(R1)的一端，第一电阻(R1)的另一端连接第一运算放大器(U1A)的反向输入端脚2，第一运算放大器(U1A)的同相输入端脚3连接第三电阻(R3)的一端，第三电阻(R3)的另一端连接第一可变电阻器(R27)的可变端，第一可变电阻器(R27)的两个固定端分别连接电源VCC1和接地GND-A，第一运算放大器(U1A)的电源端接电源VCC2，第一运算放大器(U1A)的端脚4接地GND-B，第一运算放大器(U1A)的输出端脚1连接第二电阻(R2)的一端，第二电阻(R2)的另一端连接第七稳压管(D7)的阴极、第十电阻(R10)的一端、第一逻辑电路(1-6)的输入端和第二逻辑电路(1-7)的输入端，第十电阻(R10)的另一端连接第一运算放大器(U1A)的同相输入端脚3，第七稳压管(D7)的阳极接地GND-B。

5、根据权利要求2所述的随焊电磁冲击控制焊接热裂纹和变形的装置，其特征在于时基电路(1-3)由第三555芯片(U3)、第二十三电阻(R23)、第二十四电阻(R24)、第二十五电阻(R25)、第二可变阻器(R29)、第三可变阻器(R30)、第八稳压管(D8)、第四电容(C4)、第四二极管(D4)和第五二极管(D5)组成；第三555芯片(U3)的复位输入端脚4和电源端脚8连接电源VCC3，第三555芯片(U3)的脚6和脚2、第四电容(C4)的一端连接第三可变阻器(R30)的一个固定端，第三可变阻器(R30)的另一个固定端和可变端连接第二可变阻器(R29)的可变端，第二可变阻器(R29)的两个固定端分别连接第四二极管(D4)的阳极端和第五二极管(D5)的阴极端，第四二极管(D4)的阴极端连接第二十五电阻(R25)的一端，第二十五电阻(R25)的另一端、第五二极管(D5)的阳极端和第二十三电阻(R23)的一端连接第三555芯片(U3)的脚7，第二十三电阻(R23)的另一端连接电源VCC3，第三555芯片(U3)的输出脚3连接第二十四电阻(R24)的一端，第二十四电阻(R24)的另一端连接第八稳压管(D8)的阴极端、第一逻辑电路(1-6)的输入端和第二逻辑电路(1-7)的输入端，第三555芯片(U3)的接地端脚1、第四电容(C4)的另一端和第八稳压管(D8)的阳极端接地GND-B。

6、根据权利要求2所述的随焊电磁冲击控制焊接热裂纹和变形的装置，其特征在于第一逻辑电路(1-6)由第一与非门(U7A)、第一非门(U8A)组成；滞回电压比较器电路(1-5)的输出端连接第一与非门(U7A)的输入端脚1，时基电路(1-3)的输出端连接第一与非门(U7A)的输入端脚2，第一与非门(U7A)的输出端脚3连接第一非门(U8A)的输入端脚1上，第一非门(U8A)的输出端脚2连接第一开关电路(1-8)的输入端；第二逻辑电路(1-7)由第二与非门(U7B)、第二非门(U8B)、第三非门(U8C)组成；滞回电压比较器电路(1-5)的输出端连接第二非门(U8B)的输入端脚3，时基电路(1-3)的输出端连接第三非门(U8C)的输入端脚5，第二非门(U8B)的输出端脚4与第三非门(U8C)的输出端脚6分别连接第二与非门(U7B)的输入端脚4和输入端脚5上，第二与非门(U7B)的输出端脚6连接第二开关电路(1-9)的输入端；第一开关电路(1-8)由第一光耦开关(U4)、第六电阻(R6)、第一发光二极管(DS1)组成；第一逻辑电路1-6输出端连接第一光耦开关(U4)的输入端脚2，第一光耦开关(U4)的输入端脚1与第一发光二极管(DS1)的阴极之间串联第六电阻(R6)，第一发光二极管(DS1)的阳极连接在电源VCC4上，第一光耦开关(U4)的输出端脚3和脚4分别连接IGBT触发电路(1-2)的二个输入端上；第二开关电路(1-9)由第二光耦开关(U5)、第二十二电阻(R22)、第二发光二极管(DS2)组成；第二逻辑电路(1-7)输出端连接第二光耦开关(U5)的输入端脚2，第二光耦开关(U5)的输入端脚1与第二发光二极管(DS2)的阴极之间串联第二十二电阻(R22)，第二发光二极管(DS2)的阳极连接电源VCC4上，第二光耦开关(U5)的输出端脚3和脚4分别连接可控硅触发电路(1-4)的二个输入端上。

7、根据权利要求2所述的随焊电磁冲击控制焊接热裂纹和变形的装置，其特征在于它的IGBT触发电路(1-2)由第二555芯片(U2)、第十一电阻(R11)、第二二极管(D2)、第十二电阻(R12)、第一电容(C1)、第四电阻(R4)、第十八电阻(R18)、第五电阻(R5)、第二电容(C2)、第十三电阻(R13)、第四可变电阻器(R28)、第十七电阻(R17)、第十五电阻(R15)、第一二极管(D1)、第十六电阻(R16)、第十九电阻(R19)、第十稳压管(D10)、第一NPN三极管(Q1)、第二NPN三极管(Q2)、第八电阻(R8)、第九电阻(R9)、第三二极管(D3)、PNP三极管(Q4)、第七电阻(R7)、第十一稳压管(D11)、第九稳压管(D9)、第十四电阻(R14)、第二运算放大器(U6A)组成；第二555芯片(U2)的脚2与第二555芯片(U2)的脚6和第十一电阻(R11)的一端连接，第十一电阻(R11)的另一端连接第一光耦开关(U4)的输出端脚4的，第一光耦开关(U4)的输出端脚4与接地GND-C之间串联第十八电阻(R18)，第二555芯片(U2)的脚4连接第二二极管(D2)的阳极上，第二二极管(D2)的阴极连接电源VCC5，第二555芯片(U2)的脚3与主电路(1-1)的IGBT模块(Q5)栅极端之间串联第十二电阻(R12)，第二555芯片(U2)的脚3与第二555芯片(U2)的脚7连接，第二555芯片(U2)的脚5与接地GND-C之间串联第一电容(C1)，第二555芯片(U2)的脚7与电源VCC5之间串联第四电阻(R4)，第十三电阻(R13)的一端连接电源VCC5，第十三电阻(R13)的另一端连接第四可变电阻器(R28)的一个固定端和第十五电阻(R15)的一端，第四可变电阻器(R28)的另一个固定端接地GND-C，第四可变电阻器(R28)的可变端连接第十七电阻(R17)的一端，第十七电阻(R17)的另一端连接第二运算放大器(U6A)的反向输入端脚4，第二运算放大器(U6A)的同相输入端脚5连接第十五电阻(R15)的另一端和第一二极管(D1)的阳极端，第一二极管(D1)的阴极端连接主电路(1-1)的IGBT模块(Q5)源极端，第二运算放大器(U6A)的输出端脚2与第二运算放大器(U6A)的电源端脚3之间串联第十六电阻(R16)，第二运算放大器(U6A)的输出端脚2连接第十九电阻(R19)的一端，第十九电阻(R19)的另一端与第十稳压管(D10)的阴极连接，第十稳压管(D10)的阳极连接第二NPN三极管(Q2)的基极和第一NPN三极管(Q1)的基极，第二NPN三极管(Q2)的集电极连接第五电阻(R5)的一端、第二电容(C2)的一端和第八电阻(R8)的一端，第八电阻(R8)的另一端和第五电阻(R5)的另一端连接电源VCC5，第二电容(C2)的另一端接地GND-C，第一NPN三极管(Q1)的集电极连接第九电阻(R9)的一端和第三二极管(D3)的阴极端，第九电阻(R9)的另一端连接电源VCC5，第三二极管(D3)的阳极端连接PNP三极管(Q4)的基极上，PNP三极管(Q4)的集电极连接第十一稳压管(D11)的阴极、第七电阻(R7)的一端、第十四电阻(R14)的一端和主电路(1-1)的IGBT模块(Q5)漏极端，第十四电阻(R14)的另一端连接第九稳压管(D9)阴极端，PNP三极管(Q4)的发射极连接第九稳压管(D9)的阳极上，第九稳压管(D9)的阴极连接主电路(1-1)的IGBT模块(Q5)栅极端，第二555芯片(U2)的接地端脚1、第二运算放大器(U6A)的接地端脚1、第十一稳压管(D11)的阳极、第一NPN三极管(Q1)的发射极和第一NPN三极管(Q1)的发射极接地GND-C，第二555芯片(U2)的脚8、第二光耦开关(U5)的输出端脚3、第二运算放大器(U6A)的电源端脚3、第七电阻(R7)的另一端和第九电阻(R9)的另一端连接电源VCC5。

8、根据权利要求2所述的随焊电磁冲击控制焊接热裂纹和变形的装置，其特征在于它的可控硅触发电路(1-4)是由第二十一电阻(R21)、第二十电阻(R20)、第二十六电阻(R26)、第三电容(C3)、第三NPN三极管(Q3)组成；第二光耦开关(U5)的脚3与电源VCC6之间串联第二十一电阻(R21)，电源VCC6与可控硅(Q6)的控制极之间串联第二十电阻(R20)，第二光耦开关(U5)的输出端脚4与接地端GND-D之间串联第二十六电阻(R26)，第三电容(C3)并联在的二十六电阻(R26)的两端，第三NPN三极管(Q3)的基极连接第二光耦开关(U5)的输出端脚4上，第三NPN三极管(Q3)的发射极接地，第三NPN三极管(Q3)的集电极连接可控硅(Q6)的阴极端。

9、根据权利要求1所述的随焊电磁冲击控制焊接热裂纹和变形的装置，其特征在于线圈(2)中心到焊枪(7)中心距离(L1)为25～45mm。

10、根据权利要求1所述的随焊电磁冲击控制焊接热裂纹和变形的装置，其特征在于它增加了第一线圈(2-1)、第二线圈(2-2)和第一脉冲放电电路(1-10)；第一脉冲放电电路(1-10)的两个输出端分别连接第一线圈(2-1)的一端和第二线圈(2-2)的一端，第一线圈(2-1)的另一端连接到第二线圈(2-2)的另一端，第一线圈(2-1)和第二线圈(2-2)分别对称放置于焊缝(3)两侧上方，第一线圈(2-1)和第二线圈(2-2)的中心分别距焊缝(3)中心线距离(L3)为20～30mm，第一线圈(2-1)和第二线圈(2-2)的中心距焊枪(7)中心的垂直的距离(L4)为25～35mm，所述线圈(2)的中心距焊枪(7)的中心距离(L1)为45～60mm。