CN100468965C - LiNbO3/ZnO/金刚石多层膜结构声表面波器件及其制备方法 - Google Patents
LiNbO3/ZnO/金刚石多层膜结构声表面波器件及其制备方法 Download PDFInfo
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Abstract
本发明公开了一种LiNbO3/ZnO/金刚石多层膜结构声表面波器件及制备方法。所说的多层膜结构声表面波器件是在CVD金刚石膜和LiNbO3薄膜之间有高C-轴择优取向的纳米ZnO中间层。这种LiNbO3/ZnO/金刚石多层膜结构声表面波器件的制备方法,是在CVD金刚石膜表面溅射高C-轴择优取向的纳米ZnO薄膜,而后在纳米ZnO薄膜表面溅射高C-轴择优取向的LiNbO3薄膜。本发明的有益效果是:采用高C-轴择优取向的纳米ZnO作为CVD金刚石和LiNbO3薄膜之间的中间层,可得到平整光滑、结晶度好的高C-轴择优取向的优质LiNbO3纳米膜。该薄膜结构可满足高频、高机电耦合系数、大功率声表面波(SAW)器件等领域的应用需求。
Description
【技术领域】
本发明涉及声表面波器件,特别是一种可用于高频、高机电耦合系数、大功率声表面波(SAW)器件等领域的LiNbO3/ZnO/金刚石多层膜结构声表面波器件及其制备方法。
【背景技术】
近年来,移动通信迅猛发展,使无线电通信频带成为一个有限而宝贵的自然资源,移动通信系统,在第三代数字系统中,全球漫游频率范围为1.8-2.2GHz,卫星定位系统(GPS)1.575GHz;低地球轨道新卫星通信(LEO)应用频率从1.6GHz到2.5GHz,急需高频声表面波(SAW)滤波器。高频SAW滤波器还应用在高频系统的中间频率(IF)滤波中(例如,高比特率无线LANs)。另外,高速数字光纤传输技术发展迅速,光通信的容量平均每2.4年就增长一倍。急需2.5GHz以上高频SAW重新定时滤波器(retiming filter)。除了高频外,移动通信装置也都要求高机电耦合系数、尽量小型化以及大的功率承受能力。
现有常规SAW材料(例如,石英、LiNbO3、LiTaO3等),声速较低(均低于4000m/s),用其制作2.5GHz的SAW器件,其IDT指宽d必须小于0.4μm,5GHz对应的指宽d小于0.2μm,逼近目前半导体工业水平的极限,造成断指严重,成品率太低,严重制约了SAW器件频率的进一步提高;而且,发射端(TX)滤波器是对大功率信号滤波,如此细的指宽d,电阻较大,会产生大量的耗散热,加之以上常规SAW材料热导率很低,所以承受大功率是不可能的。而选择高弹性摸量、低密度、高热导率的材料就成了最佳选择。
金刚石具有很多独一无二的优异特性,金刚石具有所有物质中最高的弹性摸量,较低的材料密度(ρ=3.51g/cm3),从而声速在所有物质中最高,“压电薄膜/金刚石”多层膜结构SAW器件可在很高频率范围工作(1~10GHz)。2.5GHz对应的指宽d可以大于1μm,5GHz对应的指宽d可以大于0.5μm,10GHz对应的指宽d可以大于0.25μm,指宽d是相同频率常规材料的2.5倍,电阻只有常规材料的2/5,产生的耗散热也只有常规材料的2/5;加上金刚石具有所有物质中最高的热导率,它的热扩散率是铜的5倍,是LiTaO3的400倍,所以,金刚石多层膜结构SAW器件具有大功率通信的能力,是具有发展潜力的性能优异的高频、大功率SAW器件。
然而,金刚石的本身并不是压电材料,无法进行电磁波与声表面波的能量转换,因此需要在其上面沉积一层压电薄膜(如ZnO、LiNbO3、AlN等),制成多层膜SAW器件。SAW的性能则由压电薄膜和金刚石衬底共同决定。
现有技术中,中国专利申请2005100139015公开了一种适用SAW器件的纳米金刚石薄膜及其相应的制备方法,该纳米金刚石薄膜采用气相化学沉积(chemical vapor deposition,简称CVD)方法,用Ar/O2/CH4/H2混合气体,利用MPCVD系统制备,得到的纳米金刚石膜具有高弹性模量和C-轴择优取向,可用来制备以C-轴取向纳米金刚石膜为衬底的、高频、大功率声表面波(SAW)器件等。
计算机模拟结果表明“LiNbO3/金刚石”多层薄膜体系相速度达到11890m/s,比用常规SAW材料制作的SAW器件频率高4-5倍,机电耦合系数K2理论计算可高达9%,也比用其它SAW材料制作的SAW器件频率高4-5倍。但在CVD金刚石上制备高C-轴择优取向的LiNbO3薄膜非常困难。因为膜厚15—20μm的CVD金刚石,其晶粒线度为150—200nm就很困难,而且在择优取向上,虽是C-轴择优取向,但不是高C-轴择优取向,用溅射法在CVD金刚石上制备晶粒线度为40—80nm的高C-轴择优取向的LiNbO3薄膜非常困难。而用脉冲激光沉积法沉积的LiNbO3薄膜晶粒线度很不均匀。
【发明内容】
本发明的目的是为了解决现有技术中的问题,而提供一种LiNbO3/ZnO/金刚石多层膜结构声表面波器件及其制备方法,该方案用高C-轴择优取向的纳米ZnO作为CVD金刚石膜和LiNbO3薄膜之间的中间层;通过使用超高真空射频磁控溅射系统,在CVD金刚石膜表面依次溅射高C-轴择优取向的纳米ZnO薄膜和高C-轴择优取向的纳米LiNbO3薄膜。
为实现上述发明目的,本发明公开了一种LiNbO3/ZnO/金刚石多层膜结构声表面波器件,其特征在于所说的多层膜结构声表面波器件是在CVD金刚石膜和LiNbO3薄膜之间有高C-轴择优取向的纳米ZnO中间层。
本发明还公开了这种LiNbO3/ZnO/金刚石多层膜结构声表面波器件的制备方法,其特征在于所说的方法是在CVD金刚石膜表面溅射高C-轴择优取向的纳米ZnO薄膜,而后在纳米ZnO薄膜表面溅射高C-轴择优取向的LiNbO3薄膜。
本发明的有益效果是:本发明用高C-轴择优取向的纳米ZnO作为CVD金刚石和LiNbO3薄膜之间的中间层,可得到平整光滑、结晶度好的高C-轴择优取向的优质LiNbO3纳米膜,。该薄膜结构可满足高频、高机电耦合系数、大功率声表面波(SAW)器件等领域的应用需求。
【具体实施方式】
本发明LiNbO3/ZnO/金刚石多层膜结构声表面波器件,是在CVD金刚石和LiNbO3薄膜之间有高C-轴择优取向的纳米ZnO中间层。其中:CVD金刚石膜为纳米金刚石膜,其晶粒线度为150—200nm,膜厚15—20μm;在CVD金刚石膜表面的ZnO纳米膜,其晶粒线度为30—60nm,膜厚0.10—0.20μm;在ZnO纳米膜表面的LiNbO3薄膜是纳米膜,其晶粒线度为40—80nm,膜厚0.6—1.0μm。
本发明适用于高频、高机电耦合系数、大功率多层膜结构声表面波(SAW)器件的制备,是在CVD金刚石膜表面溅射一层极薄的高C-轴择优取向的纳米ZnO薄膜,在高C-轴择优取向的纳米ZnO薄膜表面溅射高C-轴择优取向的LiNbO3薄膜。
实例1:
①在镜面抛光硅衬底上,在比例为70%Ar:27%H2:3%CH4混合气的气氛中,在微波功率5000W,沉积腔压强80乇,混合气流量600sccm和基底温度750℃条件下,沉积2小时;
②调节基底温度,使基底温度在2小时内从750℃降低到600℃;并且在降低基底温度开始的同时加入氧气,并使气体比例在15分钟内改变为:10%Ar:86.5%H2∶1.5%O2:2%CH4;共沉积2小时;
③在Ar气氛下进行4~5小时400℃回火处理,制得C-轴择优取向的纳米金刚石膜;
④使用超高真空射频磁控溅射系统,在得到的CVD金刚石膜表面溅射一层极薄的纳米ZnO薄膜,薄膜晶粒线度40nm,膜厚0.12μm。在纯氧气氛中,在500℃温度下,退火1.5小时,形成高C-轴择优取向的纳米ZnO薄膜;
⑤使用超高真空射频磁控溅射系统,在Ar:O2=15:1气氛中,衬底温度500℃,射频功率60W,直流偏压电场7V/cm,在高C-轴择优取向的纳米ZnO薄膜表面,制备高C-轴择优取向的LiNbO3薄膜,它为压电材料,是产生声表面波(SAW)的薄膜。在ZnO纳米膜表面的LiNbO3薄膜是纳米膜,其晶粒线度为70nm,膜厚0.9μm。
实例2:
重复上述①-③步骤,制备纳米CVD金刚石膜;
④使用超高真空射频磁控溅射系统,在得到的CVD金刚石膜表面溅射一层极薄的纳米ZnO薄膜,薄膜晶粒线度50nm,膜厚0.15μm,在纯氧气氛中,在600℃温度下,退火1.0小时,形成高C-轴择优取向的纳米ZnO薄膜,
⑤使用超高真空射频磁控溅射系统,在Ar:O2=15:1气氛中,衬底温度450℃,射频功率55W,直流偏压电场7V/cm,在高C-轴择优取向的纳米ZnO薄膜表面,制备高C-轴择优取向的LiNbO3薄膜。在ZnO纳米膜表面的LiNbO3薄膜是纳米膜,其晶粒线度为50nm,膜厚0.7μm。
本发明增加一层高C-轴择优取向的纳米ZnO薄膜是由于:C-轴取向LiNbO3和C-轴取向ZnO都属于六角密排晶格,晶格基矢a1(ZnO)/a1(LiNbO3)≈2/3。而在高C-轴择优取向的ZnO薄膜上较易生成高C-轴择优取向的LiNbO3薄膜。
外加电场7V/cm的作用是引入一个静电能,使静电能取代界面能而成为决定总自由能改变量的主要项,使静电能的影响超过界面能的影响,使LiNbO3较易生成高C-轴择优取向的薄膜。
Claims (4)
1.一种LiNbO3/ZnO/金刚石多层膜结构声表面波器件,其特征在于所说的多层膜结构声表面波器件是在CVD金刚石膜和LiNbO3薄膜之间有高C-轴择优取向的纳米ZnO中间层;所说的CVD金刚石膜为纳米金刚石膜,其晶粒线度为150—200nm,膜厚15—20μm;所说的在CVD金刚石膜表面的ZnO纳米膜,其晶粒线度为30—60nm,膜厚0.10—0.20μm;所说的在ZnO纳米膜表面的LiNbO3薄膜是纳米膜,其晶粒线度为40—80nm,膜厚0.6—1.0μm。
2.一种权利要求1的LiNbO3/ZnO/金刚石多层膜结构声表面波器件的制备方法,其特征在于所说的方法是在纳米CVD金刚石膜表面溅射高C-轴择优取向的纳米ZnO薄膜,而后再在纳米ZnO薄膜表面溅射高C-轴择优取向的LiNbO3薄膜。
3.按照权利要求2所述的方法,其特征在于所说的在纳米CVD金刚石膜表面溅射高C-轴择优取向的纳米ZnO薄膜,是使用超高真空射频磁控溅射系统,在纳米CVD金刚石膜表面溅射纳米ZnO薄膜,后在纯氧气氛中,在600℃温度下,退火1小时,形成高C-轴择优取向的纳米ZnO薄膜;
4.按照权利要求2或3所述的方法,其特征在于所说的在纳米ZnO薄膜表面溅射高C-轴择优取向的LiNbO3薄膜,是使用超高真空射频磁控溅射系统,在Ar:O2=15:1气氛中,衬底温度400—500℃,射频功率50—70W,直流偏压电场7V/cm条件下,在高C-轴择优取向的纳米ZnO薄膜表面,制备高C-轴择优取向的LiNbO3薄膜。
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金刚石薄膜压力传感器的研究. 杨保和,常明,杨晓萍,呈晓国.材料导报,第14卷第8期. 2000 |
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