CN100466045C - 半导体显示器件及驱动方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种半导体显示器件，其较少产生伪轮廓，同时驱动电路的驱动频率得到抑制。而且，本发明提供一种半导体显示器件，其较少产生伪轮廓，同时图像质量的下降得到抑制。一种半导体显示器件，包括：表格，存储用于确定视频信号的灰度级水平和在多个子帧周期中用于发光的子帧周期之间的关系的数据；控制器，用于根据该数据改变视频信号并输出；以及面板，根据输出的视频信号控制其像素灰度级水平。对于2或更高的灰度级水平中的每一个，根据依照由帧频确定的共享比率R_sb计算的子帧比率R_SF来确定该多个子帧周期的数量和长度。

Description

半导体显示器件及驱动方法

技术领域

本发明涉及一种通过时间灰度级法显示的半导体显示器件及其驱动方法.

背景技术

作为半导体显示器件之一的发光器件的驱动方法，已知一种时间灰度级方法，其中使用数字视频信号的二进制电压控制一个帧周期中的像素的发光周期，以显示灰度级.由于电致发光材料的反应速度通常更快，所以其比液晶等更适合时间灰度级法.尤其，当通过时间灰度级进行显示时，一个帧周期被划分为多个子帧周期.接着，像素根据每个子帧周期内的视频信号来确定发光或不发光.根据上述结构，一个帧周期中的像素的总的实际发光周期可以受视频信号控制，由此可以显示灰度级.

然而，在使用时间灰度级法进行显示的情况下，存在一个问题，即像素部分中可能显示伪轮廓，这取决于帧频.伪轮廓是当通过时间灰度级法显示中间灰度级时经常觉察到的不自然的轮廓线，被认为是主要由由于人的视觉特征导致的感觉亮度的变化而引起.

伪轮廓分为当显示活动图像时发生的活动图像伪轮廓，和当显示静止图像时发生的静止伪轮廓.活动图像伪轮廓由于以下原因发生:在连续的帧周期中，包括在前面的帧周期中的子帧周期和包括在本帧周期中的子帧周期被人眼感觉为一个连续帧周期.也就是说，由于灰度级水平偏离实际帧周期中要显示的灰度级水平，所以活动图像伪轮廓对应于人眼察觉到的像素部分中显示的不自然的亮或暗线.产生静止图像伪轮廓的机理与活动图像伪轮廓的相同.当显示静止图像时发生静止图像伪轮廓，因为人的视点在显示不同灰度级水平的区域之间的边界处水平地或者垂直地微微移动，因而在边界附近的像素中似乎显示活动图像.也就是说，静止图像伪轮廓对应于由于发生在显示不同灰度级水平的区域之间的边界附近的像素中的活动图像伪轮廓而在该边界附近以摇摆方式发生的不自然的亮或暗线.

为了防止上述伪轮廓，专利文献1公开了等离子体显示器的驱动方法，其中发光子帧周期在一个帧周期内连续地出现.根据该驱动方法，可以防止在每个帧周期内的发光周期和不发光周期在相邻的帧周期中颠倒的现象，由此抑制了伪轮廓.

[专利文献1]日本待审专利No.2000-231362(段落0023).

然而，在专利文献1公开的驱动方法中，总灰度级水平和一个帧周期的子帧周期数量彼此相等.因此，当为了增加总灰度级水平而增加子帧周期的数量时，需要缩短每个子帧周期.然而，在每个子帧周期中视频信号通常需要输入到所有行的像素.因而，在子帧周期太短的情况下，需要增加驱动电路的驱动频率.当考虑驱动电路的可靠性时，不优选使子帧周期比需要的短.

注意，可以通过延长帧周期来一定程度地延长每个子帧周期.然而，加长帧周期是不优选的，因为这样不能实现总灰度级水平的剧增，却更多地产生伪轮廓.

在专利文献1中，也描述了在不增加子帧周期的数量的情况下以伪方式增加所要显示的总灰度级水平的技术，其中执行例如抖动的图像处理.然而，通过执行例如抖动的图像处理，可以显示大的总灰度级水平，而显示的图像上好象撒了沙子，不可避免地导致图像质量下降.

发明内容

鉴于上述问题，本发明的目的是提供一种驱动半导体显示器件的方法，其中在抑制驱动电路的驱动频率的同时可以抑制伪轮廓的产生.另外，本发明的一个目的是提供一种半导体显示器件的驱动方法，其中在抑制图像质量降低的同时，可以抑制伪轮廓的产生.

更进一步地，本发明的目的是提供一种半导体显示器件，其中在抑制驱动电路的驱动频率的同时可以抑制伪轮廓的产生.另外，本发明的一个目的是提供一种半导体显示器件，其中在抑制图像质量降低的同时可以抑制伪轮廓的产生.

本发明人发现:在灰度级水平改变1前后的相邻帧周期中共同用于发光的子帧周期的比率越高，产生的伪轮廓就越少.因此，根据本发明，在灰度级水平相差1的相邻帧周期中，共同用于发光的子帧周期的长度比率(共享比率)增加到能够抑制伪轮廓产生的程度，以进行驱动.

通过比较用于特定灰度级水平的帧周期和用于比该特定帧周期高1的灰度级水平的帧周期来获得共享比率.

通过帧频可以获得用于获得抑制伪轮廓效果的最低共享比率.使用共享比率和要显示的总灰度级水平，可以计算出在显示每个灰度级时每个子帧周期的长度和用于发光的子帧周期.

在本发明的驱动方法中，根据通过帧频确定的共享比率R_Sb，计算子帧比率R_SF.对于2或更高的灰度级水平中的每一个，确定一个帧周期内多个子帧周期的数量和长度，以及在该多个子帧周期中用于发光的子帧周期，以便实现子帧比率R_SF.

本发明的发光器件包括:存储数据的表格，该数据用于根据子帧比率R_SF，对于2或更高的灰度级水平中的每一个，确定一个帧周期内多个子帧周期的数量和长度，以及在该多个子帧周期中用于发光的子帧周期；控制器，用于根据该数据改变视频信号的位数和每个位的数据；和面板，其像素灰度级水平根据变化之后的视频信号来控制.根据由帧频确定的共享比率R_sb来计算子帧比率R_SF.

应当注意，在本说明书中，发光元件包含其亮度由电流或电压控制的元件，具体地例如OLED(有机发光二极管)、用于FED(场致发射显示器)的MIM型电子源元件(电子发射元件).

发光元件OLED包括包含当向其施加电场时可以产生光(电致发光)的电致发光材料(以下，称为＂电致发光层＂)的层、阳极和阴极.在阳极和阴极之间提供电致发光层，该电致发光层由单层或多层构成.

这些层可包括无机化合物.在电致发光层中的发光包括当从单激发态回到基态时产生的光(荧光)、和当从三重激发态回到基态时产生的光(磷光).

本发明的半导体显示器件包括在每个像素中提供以有机发光元件(OLED)为代表的发光元件的发光器件、液晶显示器件、DMD(数字微镜器件)、PDP(等离子体显示板)、FED(场致发射显示器)、和其它能够通过时间灰度级法显示的显示器件.

另外，发光器件包括封闭有发光元件的面板、和其中包括控制器的1C等安装在面板上的模块.

作为本发明的发光器件中的晶体管，可以使用使用多晶半导体、微晶半导体(包括半非晶半导体)、或者非晶半导体的薄膜晶体管；然而，本发明的发光器件中的晶体管不局限于薄膜晶体管.可以使用使用单晶体硅的晶体管或者使用SOI的晶体管.或者，可以使用使用有机半导体或者碳纳米管的晶体管.而且，提供于本发明的发光器件的像素中的晶体管可以具有单栅极结构、双栅结构或者具有超过两个栅极的多栅极结构.

半非晶半导体具有在非晶和晶体(包括单晶和多晶)结构之间的中间结构.半非晶半导体具有就自由能而言是稳定的第三态，并具有短程有序和晶格畸变，其中颗粒尺寸为0.5至20nm的晶体可以分散在非单晶半导体中.在该半非晶半导体中，拉曼光谱移向低于520cm^-1的频带，通过X射线衍射观察到被认为源自于Si晶格的(111)和(220)的衍射峰.更进一步地，该半导体与至少1atom％的氢或者卤素混合，用于终止悬挂键.在这里，为了方便起见称这样的半导体是半非晶半导体(SAS).通过混合稀有气体元素(例如氦、氢、氪和氖)进一步促进晶格畸变，可获得具有改善稳定性的良好半非晶半导体.

根据本发明的上述结构，与传统的结构不同，不要求总灰度级水平和子帧周期的数量彼此相等，可以在抑制子帧数量的同时进行具有高的总灰度级水平的显示.因此，可以在不执行降低图像质量的处理(例如抖动)的情况下，增加总灰度级水平.

另外，进行驱动以便实现比需要值更高的共享比率，以便在抑制帧频和驱动电路的驱动频率的同时，防止伪轮廓.

附图说明

图1是在实验中用于显示的图案，以观察共享比率和伪轮廓的产生之间的关系.

图2的曲线图显示表示一个帧周期中子帧周期SF₁的比率的R₁(％)与察觉到伪轮廓产生的最低帧频F(Hz)之间的关系.

图3的曲线图显示帧频(Hz)和用于抑制伪轮廓产生的最低的共享比率(％)之间的关系.

图4的曲线图显示灰度级水平与发光子帧周期、以及通过与低1的灰度级水平比较获得的共享比率R_sb(％)之间的关系.

图5A和5B是显示本发明的发光器件构成的方框图.

图6A至6C是显示本发明的发光器件中的像素的实例的示图.

图7是根据本发明的驱动方法在显示4位灰度级的情况下的时间图。

图8A至8C是本发明的发光器件中的像素的截面图.

图9A至9C是本发明的发光器件中的像素的截面图.

图10是本发明的发光器件中的像素的截面图.

图11A和图11B分别是本发明的发光器件的顶视图和截面图.

图12A至12C是分别使用本发明发光器件的电子装置的视图.

图13是显示灰度级比率与觉察到伪轮廓产生的最小帧频率F(Hz)之间关系的曲线图.

图14A是常规子帧周期结构的对比图以及图14B是本发明的子帧周期结构的图示.

图15是显示灰度级水平与发光子帧周期、以及通过与用于低1的灰度级水平的情况比较而获得的共享比率R_sb(％)之间关系的曲线图.

具体实施方式

尽管将参照附图通过实施方式和实施例来描述本发明，但可以理解各种变化和修改对本领域的技术人员来说是显而易见的.因此，除非这种修改和变化脱离本发明的范围，否则就应当是认为包含在其中.

发明人实施下面的实验以观察共享比率与伪轮廓的产生之间的关系.首先，将一个帧周期分为两个子帧周期SF₁和SF₂，并且在第一帧周期和第二帧周期中显示图1中所示的图案.具体地，子帧周期SF₁中显示方格图案，在子帧周期SF₂中在整个区域中显示白色.注意，在第一帧周期和第二帧周期中，在子帧周期SF₁中显示的图案的白色区域和黑色区域是颠倒的.接着，将两个帧周期设定为交替出现.采用这种方式，检查伪轮廓的产生.

当用R₁(％)表示一个帧周期内子帧周期SF₁的比率时，R₁(％)和察觉到伪轮廓产生的最小帧频率F(Hz)具有图2中所示的关系.如图2中所示，R₁(％)越低，察觉到伪轮廓产生的最小帧频率F(Hz)就越低.相反，R₁(％)越高，察觉到伪轮廓产生的最小帧频率F(Hz)就越高.

换句话说，子帧周期SF₁越短，产生伪轮廓就越少，其中对于每个帧周期每个像素的显示在子帧周期SF₁变化.子帧周期SF₂越长，其中在子帧周期SF₂在相邻的帧周期中每个像素的显示是相同的，产生伪轮廓就越少.根据上述实验结果，发现在相邻帧周期中共同用于发光的子帧周期的比率(共享比率)越高，就越能抑制伪轮廓的产生.

图14A和14B显示在实际发光器件中使用的子帧周期结构的实例.图14A显示在用2⁴的总灰度级水平显示的情况下，用于灰度级水平7的子帧周期结构和用于灰度级水平8的子帧周期结构.在图14A中，使用四个子帧周期SF₁至SF₄，并且子帧周期SF₄进一步分成两个.子帧周期SF₁至SF₄的比率设定为SF1:SF2:SF3:SF4＝1:2:4:8.应当注意，周期BK对应于强制使发光元件不发光的周期(非显示周期)，其对灰度级水平无贡献.

在图14A中，在显示7个灰度级的情况下，用于发光的子帧周期是SF₁、SF₂和SF₃，用于非发光的子帧周期是SF₄.在图14A中的显示8个灰度级的情况下，用于发光的子帧周期是SF₄，用于非发光的子帧周期是SF₁、SF₂和SF₃.因此，没有共同的发光子帧周期，所以共享比率是0％.根据图14A所示的子帧周期结构，容易产生伪轮廓.

接下来，图14B显示不同于图14A所示结构的子帧周期结构.图14B显示在用类似于图14A的2⁴总灰度级水平显示的情况下，用于灰度级水平7的子帧周期结构和用于灰度级水平8的子帧周期结构.在图14B中，使用8个子帧周期SF₁至.子帧周期SF₁至

的比率设定为SF1:SF2:SF3:SF4:SF5:SF6:SF7:SF8＝1:1:1:2:2:2:3:3.应当注意，周期BK对应于用于非显示周期的周期，其对灰度级水平无贡献.

在图14B中，在显示7个灰度级的情况下，用于发光的子帧周期是SF₃、SF₇和，用于非发光的子帧周期是SF₁、SF₂、SF₄、SF₅和SF₆.在显示图14B中的8个灰度级的情况下，用于发光的子帧周期为SF₆、SF₇和

，用于非发光的子帧周期是SF₁、SF₂、SF₃、SF₄和SF₅.因此，共同用于发光的子帧周期是SF₇和

，所以共享比率是通过(SF₇+SF₁)×100(SF₇+SF₈+SF₆)获得的75％.根据图14B所示的子帧周期结构，比图14A所示的情况更少产生伪轮廓.

下面详细地描述为了执行本发明的驱动方法，根据共享比率R_sb和总灰度级水平确定一个帧周期内每个子帧周期的长度的方法.

首先，基于驱动使用的帧频计算共享比率R_sb。在高帧频的情况下较少产生伪轮廓，而在低帧频的情况下产生地更多.因而，通过预先确定帧频，对于每个发光器件可以确定用于抑制伪轮廓产生的最低共享比率.

图3显示帧频(Hz)和用于抑制伪轮廓产生的最低共享比率(％)之间关系的一个例子.应当注意，用100(％)-R₁(％)表示共享比率(％).如图3所示，共享比率越低，抑制伪轮廓产生所需的帧频就越高。注意可以任意地确定用于判断伪轮廓是否产生的标准；因此，不必获得与图3中所示相同的关系.然而，在用于判断的某种预先确定的标准下，帧频(Hz)和用于抑制伪轮廓产生的最低的共享比率(％)之间的关系导致帧频越高，就越能抑制伪轮廓产生.

从图3所示的曲线图，在特定的帧频下，获得用于抑制伪轮廓产生的最低共享比率(％)，从而可以确定其值等于或大于该最低共享比率的共享比率R_sb.共享比率R_sb确定后，确定每个子帧周期的长度.

首先，按长度递增排列的一个帧周期的n个子帧周期称为SF₁至SF_n.这里假设当在所有SF₁至SF_p(p<n)中进行发光时，可以显示m个灰度级(m<2ⁿ).在这种情况下，当T_m表示在显示m个灰度级时用于发光的子帧周期SF₁至SF_p的总长时，可以通过下面公式1获得T_m:

[公式1]

$T_m=\underset{n=1}{\overset{p}{\mathrm{\&Sigma;}}}{\mathrm{SF}}_n$

然后，考虑显示(m+1)个灰度级的情况.因为可以通过在所有的SF₁至SF_p中发光来显示m个灰度级，所以为了显示(m+1)个灰度级，有必要使用比SF_p长的SF_p+1.同时，必须从SF₁至SF_p减去一个或者多个子帧周期以显示，对应于通过从SF_p+1减去用于一个灰度级的长度(例如，对应于SF₁的长度)而获得的长度.因此，当T_m+1表示在显示(m+1)个灰度级时用于发光的子帧周期的总长时，可以通过以下公式2获得T_m+1.

[公式2]

$T_{m+1}=\underset{n=1}{\overset{p+1}{\mathrm{\&Sigma;}}}{\mathrm{SF}}_n-({\mathrm{SF}}_{p+1}-{\mathrm{SF}}_1)$

另外，当子帧比率R_SF表示子帧周期SF₁至SF_p+1的总和中SF_p+1的比率时，可以通过以下公式3获得R_SF.

[公式3]

$R_{\mathrm{SF}}=\frac{{\mathrm{SF}}_{p+1}}{\underset{n=1}{\overset{p+1}{\mathrm{\&Sigma;}}}{\mathrm{SF}}_n}$

下面公式4可以从公式3导出.

[公式4]

${\mathrm{SF}}_{p+1}=\underset{n=1}{\overset{p+1}{\mathrm{\&Sigma;}}}{\mathrm{SF}}_n\&times;R_{\mathrm{SF}}$

另外，当W_m/m+1表示在显示m个灰度级和在显示(m+1)个灰度级时共同用于发光的子帧周期的总长时，可以通过下面的公式5获得W_m/m+1.

[公式5]

W_m/m+1＝T_m-(SF_p+1-SF₁)

因此，下面公式6从公式1、公式4和公式5得出.

[公式6]

$W_{m/m+1}$

$=\underset{n=1}{\overset{p}{\mathrm{\&Sigma;}}}{\mathrm{SF}}_n-({\mathrm{SF}}_{p+1}-{\mathrm{SF}}_1)$

$=\underset{n=1}{\overset{p+1}{\mathrm{\&Sigma;}}}{\mathrm{SF}}_n-{\mathrm{SF}}_{p+1}-({\mathrm{SF}}_{p+1}-{\mathrm{SF}}_1)$

$=\underset{n=1}{\overset{p+1}{\mathrm{\&Sigma;}}}{\mathrm{SF}}_n-2\&times;R_{\mathrm{SF}}\&times;\underset{n=1}{\overset{p+1}{\mathrm{\&Sigma;}}}{\mathrm{SF}}_n+{\mathrm{SF}}_1$

通过下面的公式7获得在显示m个灰度级和在显示(m+1)个灰度级时共同用于发光的子帧周期的共享比率R_sb.

[公式7]

R_sb＝W_m/m+1/T_m+1

因此，下面的公式8从公式2、公式4、公式6和公式7得出.

[公式8]

$R_{\mathrm{sh}}$

$=\{\underset{n=1}{\overset{p+1}{\mathrm{\&Sigma;}}}{\mathrm{SF}}_n-2\&times;R_{\mathrm{SF}}\&times;\underset{n=1}{\overset{p+1}{\mathrm{\&Sigma;}}}{\mathrm{SF}}_n+{\mathrm{SF}}_1\}/\{\underset{n=1}{\overset{p+1}{\mathrm{\&Sigma;}}}{\mathrm{SF}}_n-R_{\mathrm{SF}}\&times;\underset{n=1}{\overset{p+1}{\mathrm{\&Sigma;}}}{\mathrm{SF}}_n+{\mathrm{SF}}_1\}$

$\&ap;\{\underset{n=1}{\overset{p+1}{\mathrm{\&Sigma;}}}{\mathrm{SF}}_n-2\&times;R_{\mathrm{SF}}\&times;\underset{n=1}{\overset{p+1}{\mathrm{\&Sigma;}}}{\mathrm{SF}}_n\}/\{\underset{n=1}{\overset{p+1}{\mathrm{\&Sigma;}}}{\mathrm{SF}}_n-R_{\mathrm{SF}}\&times;\underset{n=1}{\overset{p+1}{\mathrm{\&Sigma;}}}{\mathrm{SF}}_n\}$

$=(1-{2R}_{\mathrm{SF}})/(1-R_{\mathrm{SF}})$

因此，下面公式9从公式8得出.

[公式9]

R_SF＝(1-R_sh)/(2-R_sh)

因此，可以通过将共享比率R_sb的值代入公式9而获得子帧比率R_SF的值.子帧比率R_SF是SF_p+1在子帧周期SF₁至SF_p+1的总和中的比率.通过使用上述子帧比率R_SF，可以根据最长的子帧周期SF_n顺序确定每个子帧周期的长度.

注意，在该实施方式中分别将恒定子帧比率R_SF应用于SF_n至SF₁的每一个.例如，在2ⁿ的总灰度级水平的情况下，子帧周期的数量不必限于n.当将遵循公式9计算出的长度应用于每个子帧周期时，在很多情况下，子帧周期的数量导致超过n.然而，对于用于显示低灰度级的短子帧周期，即使没有实现共享比率R_sh的上述值，也不会很大地影响伪轮廓的产生.理由如下:在低灰度级水平的情况下，灰度级水平的倒数×100的值(灰度级水平的比率)大于高灰度级水平的情况.因此，察觉到由于灰度级水平之间的差异而产生的轮廓，其使伪轮廓更少地被觉察.

图13是显示灰度级水平的比率(％)与察觉到伪轮廓产生的最小帧频F(Hz)之间关系的曲线图.在图13中，水平轴表示灰度级水平的比率(％)，垂直轴表示察觉到伪轮廓产生的最小帧频F(Hz).从图13发现灰度级水平的比率(％)越高，即，灰度级水平越低，可以抑制伪轮廓产生的帧频就越低.

因此，优选减小短子帧周期的数量以调整驱动电路的驱动频率减少的总重，而不提供很多对伪轮廓的产生无影响的子帧.特别地，为了计算，当提供每个对应于1个灰度级的多个短子帧周期时，缩减(thinout)它们中的一个或几个.

特别地，将总灰度级水平三等分，不必要求在它们中最低的灰度级组实现共享比率R_sb的值.相反地，在它们中的中等和最高的灰度级组实现共享比率R_sb的值.例如，在总灰度级水平是2⁶＝64的情况下，三等分灰度级水平0至63，导致21.在这种情况下，最低的灰度级水平是0至21，中间的灰度级水平是22至42，最高灰度级水平是43至63.注意，在总灰度级水平不能被三等分的情况下，可以上舍入或者下舍入小数.

图4显示在使用4位视频信号、利用2⁴总灰度级水平进行显示的情况下，灰度级水平与用于发光的子帧周期之间关系.在图4中，水平轴表示灰度级水平，左侧垂直轴表示用于发光的子帧周期的总长(发光周期).由发光长度确定要显示的灰度级水平.同时，在图4中，右垂直轴表示通过与低1的灰度级水平的情况比较而获得的共享比率R_sb(％).注意在图4中，使用9个子帧周期SF₁至SF₉进行显示.从SF₁顺序地将9个子帧周期SF₁至SF₉的长度比设定为1:1:1:1:1:2:2:3:3.

在图4中，确定每个子帧周期的长度，使得在显示从3至15的灰度级的情况下将共享比率R_sb(％)保持在65％或更大.应当注意，由共享比率R_sb(％)的定义，在灰度级水平0和1中没有实现该共享比率R_sb(％).另外，在低灰度级水平2中，在图4中不实现该共享比率R_sb(％).然而，在较少产生伪轮廓的低灰度级水平中，不必需实现该共享比率R_sb(％).

图15显示在使用6位视频信号、使用2⁶总灰度级进行显示的情况下，灰度级水平与用于发光的子帧周期之间关系.在图15中，水平轴表示灰度级水平，左侧垂直轴表示发光子帧周期的总长(发光周期).要显示的灰度级水平由发光长度确定.同时，在图15中，右边垂直轴表示通过与低1的灰度级水平的情况比较而获得的共享比率R_sb(％).注意在图15中，使用12个子帧周期SF₁至SF₁₂来进行显示.从SF₁开始将12个子帧周期SF₁至SF₁₂的长度比顺序设定为1:2:3:3:4:4:5:6:7:8:9:11.

在图15中，确定每个子帧周期的长度，使得在显示从12至63的灰度级的情况下将共享比率R_sb(％)保持在70％或者更高.应当注意，由共享比率R_sb(％)的定义，在灰度级水平0和1中没有实现该共享比率R_sb(％).另外，在从2到11低灰度级水平中，在图15中不实现该共享比率R_sb(％).然而，在产生较少伪轮廓的低灰度级水平中，不必需实现该共享比率R_sb(％).

根据本发明的驱动方法，参照一表格控制每个子帧周期发光还是不发光，该表格中确定了视频信号的灰度级水平和发光子帧周期之间的关系.表1示出了在图4的情况下，视频信号的灰度级水平与每个发光子帧周期和每个不发光子帧周期之间的关系.

表1

 

位	灰度级水平	SF<sub>1</sub>	SF<sub>2</sub>	SF<sub>3</sub>	SF<sub>4</sub>	SF<sub>5</sub>	SF<sub>6</sub>	SF<sub>7</sub>	SF<sub>8</sub>	SF<sub>9</sub>
											0000	0	×	×	×	×	×	×	×	×	×
0001	1	○	×	×	×	×	×	×	×	×
											0010	2	○	○	×	×	×	×	×	×	×
0011	3	○	○	○	×	×	×	×	×	×
											0100	4	○	○	○	○	×	×	×	×	×
0101	5	○	○	○	○	○	×	×	×	×
											0110	6	○	○	○	○	×	○	×	×	×
0111	7	○	○	○	○	○	○	×	×	×
											1000	8	○	○	○	○	×	○	○	×	×
1001	9	○	○	○	○	○	○	○	×	×
											1010	10	○	○	○	○	○	○	×	○	×
1011	11	○	○	○	○	×	○	○	○	×
											1100	12	○	○	○	○	○	○	○	○	×
1101	13	○	○	○	○	○	○	×	○	○
											1110	14	○	○	○	○	×	○	○	○	○
1111	15	○	○	○	○	○	○	○	○	○

表1是显示4位视频信号与9个子帧周期之间关系的表格.根据该表格，控制每个子帧周期SF₁至SF₉发光还是不发光.在表1中，＂○＂表示发光，＂×＂表示不发光.如此，根据本发明，根据表格1所示的数据转换视频信号，并使用转换后的视频信号来进行显示.

注意执行上述的本发明的驱动方法的发光器件包括用于输出关于输入信号预先确定的信号的表格.通过包含存储器(例如ROM和RAM)的硬件来构造该表格，所述存储器储存例如表格1所示的数据.当然，该表格的数据不局限于表格1所示的数据，可以根据待显示图像的总灰度级水平和子帧周期的数量和长度任意地设定.

接下来，描述本发明的发光器件的具体结构.图5A是本发明的发光器件的示范性结构的方框图.图5A和5B所示的发光器件包括面板101、控制器102、和表格103.面板101包括含有多个分别具有发光元件的像素的像素部分104、信号线驱动电路105、和扫描线驱动电路106.

通过包含存储器(例如ROM和RAM)的硬件来构造表格103.存储器储存这样的数据，该数据用于根据子帧比率R_SF确定一个帧周期中多个子帧周期的数量和长度，以及在每个灰度级水平的情况下该多个子帧周期中用于发光的子帧周期.按照根据帧频确定的共享比率R_sb计算子帧比率R_SF.

控制器102能够按照表格103中存储的数据、根据输入视频信号的灰度级水平确定发光的子帧周期.特别地，例如根据表1，当视频信号的灰度级水平是10时，用于发光的子帧周期是SF₁至SF₆、和SF₁.另外，控制器102具有帧存储器，并能够根据存储在表103中的多个子帧周期的每个长度、信号线驱动电路105和扫描线驱动电路106等的驱动频率来产生各种控制信号，例如时钟信号和起始脉冲信号.

应当注意，视频信号转化和拉制信号产生均由图5A中的控制器102执行，然而，本发明不局限于该结构.可以在发光器件中分别提供用于转换视频信号的控制器和用于产生控制信号的控制器.

图5B是在图5A中所示的面板101的示范性具体结构.

在图5B中，信号线驱动电路105包含移位寄存器110、锁存器A111、和锁存器B112.例如时钟信号(CLK)和起始脉冲信号(SP)的控制信号输入到移位寄存器110.当输入时钟信号(CLK)和起始脉冲信号(SP)时，在移位寄存器110中产生定时信号.产生的定时信号顺序地输入到第一级锁存器A 111.当完成定时信号到锁存器A 111的输入时，从控制器102输入的视频信号与输入的定时信号的脉冲同步地顺序输入到锁存器A 111，并保持.应当注意，在该实施方式中视频信号顺序地输入到锁存器A 111，然而，本发明不局限于这种结构.可供选择地，可以执行分开驱动，即，将锁存器A 111的多个级划分为几个组并且视频信号并行输入每组.注意这里将组的数量称为分开数.例如，当将锁存器分成四个组的级时，执行四分驱动.

将用于完成将视频信号输入到锁存器A 111所有锁存级的周期称为行选择周期.事实上，存在这样的情况，行选择周期除了上述的行选择周期之外还包括水平回扫周期.

一个行选择周期终止，接着的是控制信号之一的锁存信号(LatchSignal)供给第二级锁存器B 112.与该锁存信号同步，保持在锁存器A111中的视频信号立刻写入锁存器B 112.当向锁存器B 112的视频信号发送终止时，再次与来自移位寄存器110的定时信号同步将下一位的视频信号顺序地输入锁存器A 111.在第二个一行选择周期中，将写入和保持在锁存器B 112中的视频信号输入到像素部分104.

应当注意，可以使用能够选择信号线的电路(例如解码器)代替移位寄存器110.

然后，描述扫描线驱动电路106的构成.该扫描线驱动电路106包括移位寄存器113和缓冲器114.更进一步地，如有必要可以包括电平转移电路.在扫描线驱动电路106中，时钟信号(CLK)和起始脉冲信号(SP)输入到移位寄存器113以产生选择信号.在缓冲器114中放大产生的选择信号以将其供给对应的扫描线.因为提供给扫描线的选择信号控制包含在一行像素中的晶体管的操作，因此优选将相对大量的电流供给扫描线的缓冲器用作缓冲器114.

应当注意，可以使用能够选择信号线的电路(例如解码器)代替移位寄存器113.

在本发明中，扫描线驱动电路106和信号线驱动电路105可形成在与像素部分104相同的衬底上，或者形成在不同的衬底上.本发明的发光器件中的面板的结构不局限于图5A或图5B所示的，只要面板101具有根据从控制器102输入的视频信号控制像素灰度级水平的结构即可.

[实施例1]

接下来，使用图6A至6C描述本发明的发光器件中的像素的电路图.

图6A是像素的等效电路图的例子，其包括信号线6114、电源线6115、扫描线6116、发光元件6113、TFT 6110和6111、和电容器6112.通过信号线驱动电路将视频信号输入信号线6114.TFT 6110可以根据输入到扫描线6116的选择信号控制视频信号电位向TFT 6111的栅极的供给.TFT 6111可以根据视频信号的电位控制向发光元件6113的电流供给.电容器6112可以保持TFT 6111的栅源电压.应当注意，图6A中提供电容器6112，然而，如果TFT 6111的栅电容或者其它的寄生电容足以保持栅源电压，那么可以不提供电容器6112.

图6B是在图6A所示的像素中另外提供TFT 6118和扫描线6119的像素的等效电路图.通过TFT 6118，TFT 6111的栅和源的电位彼此相等以使迫使没有电流流入发光元件6113.因此，每个子帧周期的周期可以设置得比用于将视频信号输入到全部像素的周期更短.因此，可以在抑制驱动频率的同时，用高总灰度级水平进行显示.

图6C是在图6B所示的像素中另外提供TFT 6125和布线6126的像素的等效电路图.通过布线6126稳定TFT 6125的栅电位.另外，TFT 6111和6125在电源线6115和发光元件6113之间串联连接.因此，在图6C中，TFT 6125控制提供给发光元件6113的电流量，而TFT 6111控制电流是否供给发光元件6113.

应当注意，本发明的发光器件中的像素结构不局限于在该实施例中所述的.该实施例可以自由地与上述的实施方式结合.

[实施例2]

在该实施例中，在图4描述的驱动方法的情况下描述出现每个子帧周期的时间安排.

图7是使用图4所示的驱动方法的4位灰度级显示情况下的时间图.在图7中，水平轴表示在一个帧周期内子帧周期SF₁到SF₉的长度，垂直轴显表示扫描线的选择顺序.从SF₁开始将子帧周期SF₁至SF₉的长度比顺序设置为1:1:1:1:1:2:2:3:3.

当每个子帧周期开始时，共享扫描线的一行的每一像素执行视频信号输入.在视频信号输入到像素之后，发光元件根据视频信号的数据发光或不发光.每个象素中的发光元件根据视频信号的数据保持发光或者不发光直到下一个子帧周期开始.

应当注意在图7所示的时间图中，在视频信号输入到像素之后发光元件立即根据视频信号的数据发光或不发光，然而，本发明不局限于该结构.可供选择地，可能在将视频信号输入到所有像素的时间段期间发光元件保持在不发光状态，并且在视频信号输入到所有的像素之后，发光元件根据视频信号的数据发光或不发光.

另外，在图7所示的时间表中，所有子帧周期连续出现，然而，本发明不局限于该结构.在子帧周期之间可提供强制使发光元件不发光的周期(非显示周期).非显示周期在正好在非显示周期前的子帧周期中可以出现在视频信号输入到所有像素完成之前或之后，显现为非显示周期.

[实施例3]

在该实施例中，使用图8A至8C描述了一个象素的截面结构，其中用于控制向发光元件的电流供给的晶体管是P沟道型的.注意，在本说明书中，将发光元件的阳极和阴极中的电势能够通过晶体管控制的一个称为第一电极，另一个称为第二电极.在图8A至8C中第一电极是阳极并且第二电极是阴极的情况下进行说明.然而，第一电极是阴极而第二电极是阳极也是可以的.

图8A是晶体管6001是P沟道型并且从发光元件6003发出的光从第一电极6004一侧提取的情况下的像素剖视图.发光元件6003的第一电极6004电连接至图8A中的晶体管6001.

晶体管6001被层间绝缘膜6007覆盖，并且具有开口的堤6008形成在层间绝缘膜6007上.在堤6008的开口中，部分地暴露第一电极6004，并且依次堆叠第一电极6004、电致发光层6005和第二电极6006.

层间绝缘膜6007由有机树脂膜、无机绝缘膜、或者包含基于硅氧烷的材料作为起始材料并具有Si-O-Si键(以下称为＂硅氧烷绝缘膜＂)绝缘膜形成.硅氧烷包含由硅(Si)和氧(O)的键形成的骨架，其中包含至少包含氢(例如烷基或者芳烃)的有机基团作为取代基.可供选择地，可以使用氟基团作为取代基.还可供选择地，使用氟基团和包含至少氢的有机基团作为取代基.也可以使用所谓的低介电常数材料(低k材料)形成层间绝缘膜6007.

堤6008可以使用有机树脂膜、无机绝缘膜、或者硅氧烷绝缘膜形成.例如在有机树脂膜的情况下，可以使用丙烯酸树脂、聚酰亚胺、或者聚酰胺，而在无机绝缘膜的情况下，可以使用氧化硅、氧氮化硅(silicon nitride oxide).优选地，堤6008使用光敏有机树脂膜形成并且在第一电极6004上具有开口，其侧面具有曲率连续的斜坡，这可以防止第一电极6004和第二电极6006短路.

第一电极6004由材料形成或者具有足以透射光的厚度，并且由适合用作阳极的材料形成.例如，第一电极6004由氧化铟锡(ITO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟锌(IZO)、掺镓的氧化锌(GZO)、或者另外的透光导电氧化物形成.或者，第一电极6004可以由包含ITO的铟锡氧化物和氧化硅的混合物(以下简称ITSO)或者包含氧化硅的氧化铟与2％至20％的氧化锌(ZnO)的混合物形成.此外第一电极6004可以通过使用，例如，TiN、ZrN、Ti、W、Ni、Pt、Cr、Ag、Al等中的一种或多种的单层膜；氮化钛膜和包含铝作为主要成分的膜的层叠膜；或者氮化钛膜、包含铝作为主要成分的膜和氮化钛膜的三层结构形成.然而，当采用非透光导电氧化物之外的材料时，将第一电极6004形成足透射光的厚度(优选约5至30nm).

第二电极6006由材料形成并具有足以反射或者遮蔽光的厚度，可以由分别具有低功函数的金属、合金、导电化合物、或者其混合物形成.特别地，可以使用例如Li和Cs的碱金属、例如Mg、Ca和Sr的碱土金属、包含上述金属的合金(Mg:Ag，Al:Li，Mg:In等等)、上述的金属的化合物(CaF2或CaN)、或者例如Yb和Er的稀土金属.当提供电子注入层时，也可以使用另外的导电层，例如Al层.

通过单层或者多层构造电致发光层6005.在多层的情况下，根据载流子运输性质这些层可以分为空穴注入层、空穴输运层、发光层、电子输运层、电子注入层等等.当电致发光层6005除发光层之外还具有空穴注入层、空穴输运层、电子输运层和电子注入层中的任何层时，在第一电极6004上依次堆叠空穴注入层、空穴输运层、发光层、电子输运层和电子注入层.注意，层之间的边界不必清楚，由于形成各层的材料部分混合，所以在一些情况下边界不能清楚地区分.每层可以由有机材料或者无机材料形成.至于有机材料，可以使用高、中等和低分子量材料中的任何材料.注意，中等分子量材料指的是其中重复结构单元的数量(聚合度)大约为2至20的低聚物.在空穴注入层和空穴输运层之间不存在清楚的区别，两者都不可避免地具有空穴输运特性(空穴迁移率).空穴注入层与阳极接触，与空穴注入层接触的层称为空穴传输层以便方便区分.同样可以应用于电子输运层和电子注入层.与阴极接触的层叫作电子注入层而与电子注入层接触的层叫作电子输运层.在一些情况下发光层具有电子输运层的功能，因此可以称为发光电子输运层.

在图8A所示的像素中，从发光元件射出的光可以从第一电极6004一侧提取，如空心箭头所示.

图8B是一个像素的截面图，其中晶体管6011是P沟道型并且从发光元件6013发出的光从第二电极6016一侧提取.发光元件6013的第一电极6014电连接到图8B中的晶体管6011.在第一电极6014上，依次堆叠电致发光层6015和第二电极6016.

第一电极6014由材料形成并具有足以反射或者遮挡光的厚度，并且由适于用作阳极的材料形成.例如，第一电极6014可以由TiN、ZrN、Ti、W、Ni、Pt、Cr、Ag、Al等等中的一种或多种的单层；氮化钛膜和包含铝作为主要成分的膜的叠层；或者氮化钛膜、包含铝作为主要成分的膜和氮化钛膜的三层结构形成.

第二电极6016由材料形成并具有足以透射光的厚度，并且可以由分别具有低功函数的金属、合金、导电化合物、或者其混合物形成.特别地，可以使用碱金属(例如Li和Cs)、碱土金属(例如Mg、Ca和Sr)、包含上述金属的合金(Mg:Ag，Al:Li，Mg:In等等)、上述的金属的化合物(CaF₂或CaN)、或者稀土金属(例如Yb和Er).当提供电子注入层时，也可以使用另外的导电层，例如Al层.而且，将第二电极6016形成足以透射光的厚度(优选约5至30nm).注意，第二电极6016可以由另外的透光导电氧化物形成，例如氧化铟锡(ITO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟锌(IZO)、和掺镓的氧化锌(GZO).或者，可以使用包含ITO的铟锡氧化物和氧化硅的混合物(ITSO)或者包含氧化硅的氧化铟和2至20％的氧化锌(ZnO)的混合物.在采用透光导电氧化物的情况下，优选在电致发光层6015中提供电子注入层.

可以类似于图8A所示的电致发光层6005形成电致发光层6015.

在图8B所示的像素中，从发光元件6013射出的光可以从第二电极6016一侧提取，如空心箭头所示.

图8C是一个像素的截面图，其中晶体管6021是P沟道型并且从发光元件6023发出的光从第一电极6024一侧和第二电极6026一侧提取.发光元件6023的第一电极6024电连接至图8C中的晶体管6021.在第一电极6024上，依次堆叠电致发光层6025和第二电极6026.

可以类似于图8A所示的第一电极6004形成第一电极6024，同时可以类似于图8B所示的第二电极6016形成第二电极6026时.可以类似于图8A所示的电致发光层6005形成电致发光层6025.

在图8C所示的像素中，从发光元件6023射出的光可以从第一电极6024一侧和第二电极6026一侧提取，如空心箭头所示.

该实施例可以自由地同上述实施方式和实施例相结合.

[实施例4]

在本实施例中，使用图9A至9C描述晶体管是n沟道型的像素的截面结构.注意，在图9A至9C中第一电极是阴极而第二电极是阳极.然而，第一电极是阳极而第二电极是阴极也是可以的.

图9A是一个像素的截面图，其中晶体管6031是N沟道型并且从发光元件6033发出的光从第一电极6034一侧提取.发光元件6033的第一电极6034电连接至图9A中的晶体管6031.在第一电极6034上，依次堆叠电致发光层6035和第二电极6036.

第一电极6034由材料形成或者具有足以透射光的厚度，并且可以由分别具有低功函数的金属、合金、导电化合物、或者其混合物形成.特别地，可以使用碱金属(例如Li和Cs)、碱土金属(例如Mg、Ca和Sr)、包含上述金属的合金(Mg:Ag，Al:Li，Mg:In等等)、上述金属的化合物(CaF₂或CaN)、或者稀土金属(例如Yb和Er).当提供电子注入层时，也可以使用另外的导电层，例如Al层.而且，将第一电极6034形成为足以透射光的厚度(优选约5至30nm).另外，为了抑制第一电极6034的薄层电阻，可以另外使用透光导电氧化物形成透光导电层以便与具有足以透射光的厚度的上述导电层的顶部或底部接触.注意第一电极6034可以通过仅使用采用氧化铟锡(ITO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟锌(IZO)、掺镓的氧化锌(GZO)、或者另外的透光导电氧化物的导电层形成.或者，可以使用包含ITO的铟锡氧化物和氧化硅的混合物(ITSO)或者包含氧化硅的氧化铟和2至20％的氧化锌(ZnO)的混合物.在采用透光导电氧化物的情况下，优选在电致发光层6035中提供电子注入层.

第二电极6036由材料形成并具有足以反射或者遮挡光的厚度，并由适于用作阳极的材料形成.例如，第二电极6036可以由TiN、ZrN、Ti、W、Ni、Pt、Cr、Ag、Al等等中的一种或多种的单层；氮化钛膜和包含铝作为主要成分的膜的叠层；或者氮化钛膜、包含铝作为主要成分的膜和氮化钛膜的三层结构形成.

可以类似于图8A所示的电致发光层6005形成电致发光层6035.在电致发光层6005除发光层之外还具有空穴注入层、空穴输运层、电子输运层和电子注入层中的任何层的情况下，在第一电极6034上依次堆叠电子注入层、电子输运层、发光层、空穴输运层和空穴注入层.

在图9A所示的像素中，从发光元件6033射出的光可以从第一电极6034一侧提取，如空心箭头所示.

图9B是一个像素的截面图，其中晶体管6041是N沟道型并且从发光元件6043发出的光从第二电极6046一侧提取.发光元件6043的第一电极6044电连接到图9B中的晶体管6041.在第一电极6044上，依次堆叠电致发光层6045和第二电极6046.

第一电极6044由材料形成并具有足以反射或者遮蔽光的厚度，并且可以由分别具有低功函数的金属、合金、导电化合物、或者其混合物等等形成.特别地，可以使用碱金属(例如Li和Cs)、碱土金属(例如Mg、Ca和Sr)、包含上述金属的合金(Mg:Ag，Al:Li，Mg:In等等)、上述的金属的化合物(CaF₂或CaN)、或者稀土金属(例如Yb和Er).当提供电子注入层时，也可以使用另外的导电层，例如Al层.

第二电极6046由材料形成并具有足以透射光的厚度，并且由适于用作阳极的材料形成.例如，第二电极6046可以由氧化铟锡(ITO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟锌(IZO)、掺镓的氧化锌(GZO)、或者另外的透光导电氧化物形成.或者，第二电极6046可以由包含ITO的铟锡氧化物和氧化硅的混合物(ITSO)或者包含氧化硅的氧化铟和2％至20％的氧化锌(ZnO)的混合物形成.此外，除了上述透光导电氧化物之外，第二电极6046可以通过使用，例如，TiN、、ZrN、Ti、W、Ni、Pt、Cr、Ag、Al等中的一种或多种的单层膜；氮化钛膜和包含铝作为主要成分的膜的叠层膜；或者氮化钛膜、包含铝作为主要成分的膜和氮化钛膜的三层结构形成.然而，当采用非透光导电氧化物的材料时，将第二电极6046形成为足以透射光的厚度(优选约5至30nm).

类似于图9A所示的电致发光层6035形成电致发光层6045.

在图9B所示的像素中，从发光元件6043发出的光可以从第二电极6046一侧提取，如空心箭头所示.

图9C是一个像素的截面图，其中晶体管6051是N沟道型并且从发光元件6053发出的光从第一电极6054一侧和第二电极6056一侧提取.发光元件6053的第一电极6054电连接至图9C中的晶体管6051.在第一电极6054上，依次堆叠电致发光层6055和第二电极6056.

可以类似于图9A所示的第一电极6034形成第一电极6054，而类似于图9B所示的第二电极6046形成第二电极6056.可以类似于图9A所示的电致发光层6035形成电致发光层6055.

在图9C所示的像素中，从发光元件6053射出的光可以从第一电极6054一侧和第二电极6056一侧提取，如空心箭头所示.

该实施例可以自由地同上述实施方式和实施例相结合.

[实施例中5]

可以通过以丝网印刷和胶版印刷、或者液滴喷射(dropletdischarging)法为代表的印刷法制造本发明的发光器件.液滴喷射法是通过从微孔喷射包含预定成分的液滴来形成预定图案的方法，其包含喷墨法.当使用上述的印刷法或者液滴喷射法时，可以不使用曝光掩模形成以信号线、扫描线、和选择线为代表的各种布线、TFT的栅极、发光元件的电极等等.然而，印刷法或者液滴喷射法不必用于形成图案的所有步骤.因此，这样的过程是可能的，即通过印刷法或液滴喷射法形成布线和栅极，而通过光刻法图形化半导体膜，其中印刷法或者液滴喷射法用于该过程的一部分，并且另外使用光刻法.注意可以通过印刷法或者液滴喷射法形成用于图形化的掩模.

图10是使用液滴喷射法形成的本发明的发光器件的示范性截面图.在图10中，参考数字1301和1302分别表示晶体管，1304表示发光元件.注意，晶体管1302电连接至发光元件1304的第一电极1350.晶体管1302优选为N沟道型，在这种情况下，优选第一电极1350是阴极而第二电极1331是阳极.

要用作开关元件的晶体管1301具有栅极1310、包含沟道形成区域的第一半导体薄膜1311、形成在栅极1310和第一半导体薄膜1311之间的栅绝缘膜1317、用作源极或者漏极的半导体薄膜1312和1313、连接到第二半导体薄膜1312的布线1314、和连接到第二半导体薄膜1313的布线1315.

晶体管1302具有栅极1320、包含沟道形成区域的第一半导体薄膜1321、形成在栅极1320和第一半导体薄膜1321之间的栅绝缘膜1317、用作源极或者漏极的半导体薄膜1322和1323、连接到第二半导体薄膜1322的布线1324、和连接到第二半导体薄膜1323的布线1325.

布线1314对应于信号线，布线1315电连接至晶体管1302的栅极1320.布线1325对应于电源线.

通过使用液滴喷射法或者印刷法形成图案，可以简化包括光致抗蚀剂形成、曝光、显影、蚀刻和剥离的光刻法的一系列步骤.另外，当采用液滴喷射法或者印刷法时，与采用光刻法的情况不同，可以避免通过蚀刻除去的材料的浪费.此外，由于不需要用于曝光的昂贵的掩模，所以可以降低发光器件的生产成本.

另外，与光刻法不同，不需要蚀刻来形成布线.因此，可以在比光刻法情况下短得多的时间内完成形成布线的步骤.特别地，当布线的厚度形成为0.5μm或更厚，更优选2μm或更厚时，可以抑制布线电阻，因此，可以在减少形成布线的步骤所需的时间的同时，抑制随着发光器件的增大而导致的布线电阻增加.

注意，第一半导体薄膜1311和1321或者是非晶半导体或者是半非晶半导体(SAS).

可以通过辉光放电分解硅化物气体获得非晶半导体.作为典型的硅化物气体，可以使用SiH₄和Si₂H₆.可以用氢气或者氢气和氦气稀释硅化物气体.

类似地，可以通过辉光放电分解硅化物气体获得SAS.作为典型的硅化物气体，除了Si₂H₆，SiH₂Cl₂SiHCl₃，SiCl₄，SiF₄等，还可以使用SiH₄.通过用氢气或者氢气和从氦、氩、氪、和氖中选择的稀有气体元素中的一种或多种的混合气体来稀释硅化物气体，可以容易地形成SAS.硅化物气体优选按1:2至1:1000的比率稀释.此外，可以用碳化物气(例如CH₄和C₂H₆)、锗气体(例如GeH₄和GeF₄)或者F₂混合硅化物气体，以便将能带宽度控制在1.5至2.4eV，或者0.9至1.1eV.使用SAS作为第一半导体薄膜的TFT可以表现出1至10cm²/Vsec或更大的迁移率.

另外，可以使用通过用激光结晶非晶半导体或者半非晶半导体(SAS)获得的半导体形成第一半导体薄膜1311和1321.

该实施例可以自由地同上述实施方式和实施例相结合.

[实施例6]

在本实施例中，参照图11A和11B对对应于本发明发光器件的一个模式的面板的外视图进行说明.图11A是一个面板的顶视图，其中在第一衬底和第二衬底之间用密封剂密封形成在第一衬底上的晶体管和发光元件.图11B是沿线A-A′截取的图11A的截面图.

提供密封剂4005以包围形成在第一衬底4001上的像素部分4002、信号线驱动电路4003和扫描线驱动电路4004.另外，在其上提供第二衬底4006.因此，第一衬底4001、密封剂4005和第二衬底4006与填料4007一起紧密地密封像素部分4002、信号线驱动电路4003、和扫描线驱动电路4004.

形成在第一衬底4001上的像素部分4002、信号线驱动电路4003、和扫描线驱动电路4004分别包括多个晶体管.在图11B中，说明了信号线驱动电路4003中的晶体管4008、和像素部分4002中的晶体管4009.

参考数字4011表示发光元件，并且连接到晶体管4009的漏极的布线4017部分地用作发光元件4011的第一电极.透明导电薄膜4012用作发光元件4011的第二电极.注意发光元件4011不局限于本实施例中描述的结构，可以根据从发光元件4011发出的光的提取方向、晶体管4009的导电性等适当地改变发光元件4011的结构.

虽然在图11B中的截面图中没有显示，但提供给信号线驱动电路4003、扫描线驱动电路4004和像素部分4002的各种信号和电压经导线4014和4015从连接端子4016提供.

在本实施例中，使用与发光元件4011的第一电极相同的导电薄膜形成连接端子4016.使用与布线4017相同的导电薄膜形成导线4014.使用与晶体管4009和4008的各自的栅极相同的导电薄膜形成导线4015.

连接端子4016经由各向异性导电薄膜4019电连接至FPC4018的端子.

应当注意，第一衬底4001和第二衬底4006均可以由玻璃、金属(典型地，不锈钢)、陶瓷、或者塑料形成.至于塑料，可以使用FRP(玻璃纤维增强塑料)衬底、PVF(聚氟乙烯)膜、密拉(mylar)薄膜、聚酯(polyester)薄膜或者丙烯酸树脂膜.另外，也可以使用具有由PVF膜或者密拉薄膜夹着铝的结构的薄板.

注意由于第二衬底4006放置在提取从发光元件4011射出的光的一侧，所以要求第二衬底4006透光.在这种情况下，使用透光材料，例如玻璃板、塑料板、聚酯薄膜和丙烯酸树脂膜.

至于填料4007，可以使用惰性气体(例如氮和氩)、紫外线固化树脂或者热固化树脂，并且可以使用例如，PVC(聚氯乙烯)、丙烯酸树脂、聚酰亚胺、环氧树脂、有机硅树脂(silicone resn)、PVB(聚乙烯醇缩丁醛)或者EVA((ethylene vinyl acetate)乙烯乙酸乙烯酯).在本实施例中，使用氮作为填料.

该实施例可以自由地与上述的实施方式和实施例结合.

[实施例7]

本发明的半导体显示器件可以抑制伪轮廓的产生，即使手摇晃，其适于手持使用的便携式电子装置(例如便携式电话、便携式游戏机或者电子图书)、摄影机(例如摄像机)、以及数码相机.另外，因为本发明的半导体显示器件可以防止伪轮廓，本发明适用于具有显示部分(例如可以通过其播放活动图像并欣赏图像的显示器件)的电子装置.

另外，本发明的半导体显示器件可以应用于电子装置，例如摄影机(如摄像机和数码相机)、护目镜类型显示器(头戴式显示器)、导航系统、声音再现装置(汽车音响系统、音响组成系统(audiocomponent system)等等)、笔记本个人计算机、游戏机、装备有记录媒质的图像再现装置(典型地，再现例如DVD(数字通用盘)的记录媒体且具有用于显示再现的图像的显示器的装置).在图12A至12C中说明了上述电子装置的具体例子.

图12A说明包括主体2101、显示器部分2102、音频输入部分2103、音频输出部分2104、和操作键2105的便携式电话.通过使用本发明的半导体显示器件形成显示部分2102可以完成是本发明的电子装置之一的便携式电话.

图12B说明包括主体2601、显示器部分2602、外壳2603、外部连接端口2604、遥控接收部分2605、图像接收部分2606、电池2607、音频输入部分2608、操作键2609、和目镜部分2610的摄像机.通过使用本发明的半导体显示器件形成显示部分2602可以完成是本发明的电子装置之一的摄像机.

图12C说明包括外壳2401、显示器部分2402、和扬声器部分2403的显示装置.通过使用本发明的半导体显示器件形成显示部分2402可以完成是本发明的电子装置之一的显示装置.注意该显示装置包括用于显示信息的任何显示装置，例如用于个人计算机、用于接收TV广播和用于显示广告的显示装置.

如上所述，本发明的申请范围如此宽以致其能够应用于各种领域的电子装置.本实施例可以自由地与上述的实施方式和实施例结合.

本申请以2004年5月18日向日本专利局提交的日本专利申请no.2004-147874和2004年6月25日向日本专利局提交的日本专利申请no.2004-187673为基础，其全部内容以引用的形式并入本文.

Claims (14)

1.一种半导体显示器件，包括：

表格，其中存储视频信号的灰度级水平和用于发光的子帧周期之间的关系；

控制器，用于根据该表格转换视频信号；

面板，其像素灰度级水平由转换后的视频信号控制，

其中基于子帧比率R_SF确定用于发光的子帧周期，并且

其中子帧比率R_SF和由帧频确定的共享比率R_sh满足R_SF＝(1-R_sh)/(2-R_sh)，

其中子帧比率R_SF是子帧周期SF_p+1在子帧周期SF₁至SF_p+1的总和中的比率，并且

其中共享比率R_sh是在灰度级水平相差1的相邻帧周期中共同的用于发光的子帧周期的长度比率。

2.根据权利要求1的半导体显示器件，其中该半导体显示器件结合到选自下述组中的电子装置中，所述组包括：摄影机、护目镜型显示器、导航系统、声音再现装置、计算机、游戏机、显示装置、便携式电话和装备有记录媒质的图像再现装置。

3.根据权利要求1的半导体显示器件，其中该半导体显示器件是选自包含发光器件、液晶显示器件、数字微镜器件、等离子体显示面板和场致发射显示器的组中的一种。

4.根据权利要求1的半导体显示器件，其中所述表格被存储在存储器中。

5.一种半导体显示器件，包括：

表格，其中存储视频信号的灰度级水平和用于发光的子帧周期之间的关系；

控制器，用于根据该表格转换视频信号；

面板，其像素灰度级水平由转换后的视频信号控制，

其中当总灰度级水平被三等分时，在中间和最高灰度级组中基于子帧比率R_SF确定用于发光的子帧周期，

其中子帧比率R_SF和由帧频确定的共享比率R_sh满足R_SF＝(1-R_sh)/(2-R_sh)，

其中子帧比率R_SF是子帧周期SF_p+1在子帧周期SF₁至SF_p+1的总和中的比率，并且

其中共享比率R_sh是在灰度级水平相差1的相邻帧周期中共同的用于发光的子帧周期的长度比率。

6.根据权利要求5的半导体显示器件，其中该半导体显示器件结合到选自下述组中的电子装置中，所述组包括：摄影机、护目镜型显示器、导航系统、声音再现装置、计算机、游戏机、显示装置、便携式电话和装备有记录媒质的图像再现装置。

7.根据权利要求5的半导体显示器件，其中该半导体显示器件是选自包含发光器件、液晶显示器件、数字微镜器件、等离子体显示面板和场致发射显示器的组中的一种。

8.根据权利要求5的半导体显示器件，其中所述表格被存储在存储器中。

9.一种驱动半导体显示器件的方法，包括：

将一个帧周期分成多个子帧周期SF₁至SF_p+1；

根据由帧频确定的共享比率R_sh计算子帧比率R_SF；和

基于子帧比率R_SF在该多个子帧周期SF₁至SF_p+1中确定用于发光的子帧周期，

其中子帧比率R_SF和共享比率R_sh满足R_SF＝(1-R_sh)/(2-R_sh)，

其中子帧比率R_SF是子帧周期SF_p+1在子帧周期SF₁至SF_p+1的总和中的比率，并且

其中共享比率R_sh是在灰度级水平相差1的相邻帧周期中共同的用于发光的子帧周期的长度比率。

10.一种驱动半导体显示器件的方法，包括：

将一个帧周期分成多个子帧周期SF₁至SF_p+1；

根据由帧频确定的共享比率R_sh计算子帧比率R_SF；和

当总灰度级水平被三等分时，在中间和最高的灰度级组中基于子帧比率R_SF确定多个子帧周期SF₁至SF_p+1中用于发光的子帧周期，

其中子帧比率R_SF和共享比率R_sh满足R_SF＝(1-R_sh)/(2-R_sh)，

其中子帧比率R_SF是子帧周期SF_p+1在子帧周期SF₁至SF_p+1的总和中的比率，并且

其中共享比率R_sh是在灰度级水平相差1的相邻帧周期中共同的用于发光的子帧周期的长度比率。

11.一种半导体显示器件，包括：

表格，其中存储视频信号的灰度级水平和用于发光的子帧周期之间的关系；

控制器，用于根据该表格产生控制信号；

面板，其像素灰度级水平由该控制信号控制，

其中基于子帧比率R_SF确定用于发光的子帧周期，以及

其中子帧比率R_SF和由帧频确定的共享比率R_sh满足R_SF＝(1-R_sh)/(2-R_sh)，

其中子帧比率R_SF是子帧周期SF_p+1在子帧周期SF₁至SF_p+1的总和中的比率，并且

其中共享比率R_sh是在灰度级水平相差1的相邻帧周期中共同的用于发光的子帧周期的长度比率。

12.根据权利要求11的半导体显示器件，其中该半导体显示器件结合到选自下述组中的电子装置中，所述组包括:摄影机、护目镜型显示器、导航系统、声音再现装置、计算机、游戏机、显示装置、便携式电话和装备有记录媒质的图像再现装置。

13.根据权利要求11的半导体显示器件，其中该半导体显示器件是选自包含发光器件、液晶显示器件、数字微镜器件、等离子体显示面板和场致发射显示器的组中的一种。

14.根据权利要求11的半导体显示器件，其中所述表格被存储在存储器中。

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