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Abstract

一种防止芯片误动作电路，用于检测芯片的电源输入电压来控制芯片的工作，包括一电压检测电路，一驱动电路，其中，电压检测电路与驱动电路串接于电压源与芯片的使能(Enable)接脚之间。当电压检测电路检测到电源输入电压大于或等于芯片操作电压准位下限时，驱动电路输出使能信号控制芯片开始工作；当电压检测电路检测到电源输入电压小于芯片操作电压准位下限时，驱动电路输出终止(Disable)信号控制芯片停止工作。本发明的防止芯片误动作电路通过更换电压检测电路中的某些元件即可检测准位不同的电源输入电压，节约了成本。

Description

防止芯片误动作电路
【技术领域】
本发明涉及一种防止芯片误动作电路，尤其涉及一种当芯片电源输入电压准位变动时防止芯片误动作电路。
【背景技术】
目前，常用的直流电压源通常有一平滑滤波电解电容使其输出电压波形稳定且无噪声干扰，但也正因为该滤波电容的存在，使直流电压源在开通(ON)和关断(OFF)瞬间，电压波形变化缓慢。故电压源开关瞬间或供电不稳定引起电压下陷时会导致芯片，例如：CPU(Central Processing Unit，中央处理器)、控制芯片等，处于“工作”和“截止”不稳定状态之间，则芯片的I/O(Input/Output，输入/输出)端口传送或接收错误信号，致使芯片误动作发生。一般不稳定状态发生在电源输入电压小于芯片操作电压准位下限时。
为了防止电源电压关断或掉电时控制芯片误动作的发生，通常会使用具有重置功能、电压检测功能的集成电路(Reset IC)，例如：DS1233Z、LMS33460、TL7705A、TL7757A等，来确保芯片不会产生误动作。但是上述Reset IC内部电路较复杂，且其检测电压固定不可调整，若要检测不同芯片操作电压准位下限或者调整检测电压准位，则需更换不同的Reset IC，成本相对较高且不方便。
【发明内容】
本发明所要解决的技术问题在于提供一结构简单、低成本，并且可以检测不同电压准位的防止芯片误动作电路。
为了解决上述技术问题，本发明提供一种防止芯片误动作电路，用于检测芯片的电源输入电压来控制芯片的工作，包括一电压检测电路，一驱动电路，其中，电压检测电路与驱动电路串接于电压源与芯片的使能(Enable)接脚之间。当电压检测电路检测电源输入电压大于或等于芯片操作电压准位下限时，驱动电路输出使能信号控制芯片开始工作；当电压检测电路检测电源输入电压小于芯片操作电压准位下限时，驱动电路输出终止(Disable)信号控制芯片停止工作。
本发明通过更换电压检测电路中的元件来检测准位不同的电源输入电压，节约了成本。
【附图说明】
图1是本发明防止芯片误动作电路的模组图。
图2是本发明防止芯片误动作电路的电路结构图。
【具体实施方式】
图1所示为本发明防止芯片误动作电路1的模块图，其中防止芯片误动作电路1包括一电压检测电路10，一驱动电路11。芯片2的接脚21连接电压源Vcc，接脚22接地。电压检测电路10的输入端连接电压源Vcc，其输出端连接驱动电路11的输入端，驱动电路11的输出端连接芯片2的低电位使能接脚23。
本实施例中，芯片2可以是具有低电位触发使能接脚的芯片(Enable)、也可以是具有高电位触发截止接脚(Shutdown)的芯片，抑或是具有功能选择接脚(Chip Selector)的芯片。电压检测电路10检测输入电压源Vcc的大小，并将其检测结果输入至驱动电路11，驱动电路11根据该检测结果产生一控制信号，芯片2的接脚23根据此控制信号来控制芯片2的工作与否。本实施例中，电压源Vcc的大小是与芯片2操作电压准位下限相比较而言。
当电压源Vcc小于芯片2操作电压准位下限时，电压检测电路10输出一高电压信号给驱动电路11，驱动电路11则会产生一高电压信号给芯片2的接脚23，则芯片2不工作。
当电压源Vcc大于或等于芯片2操作电压准位下限时，电压检测电路10输出一低电压信号给驱动电路11，驱动电路11则会产生一低电压信号给芯片2的接脚23，则芯片2正常工作。
图2所示为本发明防止芯片误动作电路1的电路结构图。本实施例中，电压检测电路10包括一电压源Vcc、一齐纳二极管D1、一NPN晶体管Q1、一可变电阻R2以及多个电阻R1、R3和R4；驱动电路11包括一PNP晶体管Q2，一滤波电容C1，一电阻R5。
齐纳二极管D1的阴极连接电压源Vcc，其阳极连接NPN晶体管Q1的基极。NPN晶体管Q1的基极亦通过电阻R1与电压源Vcc连接，其集电极通过电阻R4与电压源Vcc连接，其发射极接地。可变电阻R2和电阻R3串接于NPN晶体管Q1的基极与地之间。PNP型晶体管Q2的基极与NPN晶体管Q1的集电极连接，其集电极连接地，其发射极通过电阻R5与电压源Vcc连接。滤波电容C1连接在PNP晶体管Q2的发射极与地之间。且PNP晶体管Q2的发射极亦与输出端相连接。本实施例中，该电路只工作在饱和状态或截止状态。
当电压源Vcc大于芯片操作电压准位下限时，该输入电压被电阻R1、可变电阻R2和电阻R3分压，且可变电阻R2和电阻R3上的分压大于NPN晶体管Q1的导通电压0.7V，则NPN晶体管Q1导通，使NPN晶体管的集电极电压下降至其通道饱和电压0.3V。电压检测电路10将此电压输入至驱动电路11，则PNP晶体管Q2的基极电压为0.3V，故PNP晶体管Q2导通，PNP晶体管Q2的发射极电压下降至其通道饱和电压。在本实施例中，该饱和电压小于芯片2的使能参考电压，则芯片2低电位使能接脚23使其处于工作状态。
当电压源Vcc小于芯片操作电压准位下限时，该输入电压在可变电阻R2和电阻R3的分压小于NPN晶体管Q1的导通电压0.7V，则NPN晶体管Q1截止，从而NPN晶体管Q1的集电极电压处于高电位，其值为电源电压Vcc。电压检测电路10将此电压输入至驱动电路11，则PNP晶体管Q2的基极电压为电源电压Vcc，故PNP晶体管Q2截止，PNP晶体管Q2的发射极电压拉至高电位。在本实施例中，该电压大于芯片2的使能参考电压，则芯片2低电位使能接脚23其处于截止状态。
本实施例中，通过更换阻值不同的电阻R1、电阻R3和崩溃电压值不同的齐纳二极管D1来检测不同电压，考虑到防止芯片误动作电路1在本实施例中位于芯片2之前，故电阻R1和R3阻值的选取需考虑以下两个因素：1.芯片2操作电压准位下限；2.齐纳二极管D1的崩溃电压。再结合电路结构本身电压之间的关系，例如：芯片2操作电压准位下限/NPN晶体管Q1的基极偏置电压(0.7V)＝R1+R2+R3/R2+R3，由于电阻R2是微调电阻，其阻值较小，故在上述比例关系中可忽略不计。根据上述比例关系，初步确定电阻R1和R3阻值的范围，继而通过实验确定电阻R1和R3的阻值。
本实施例中，若芯片2的操作电压准位下限为3.1V，为了保证电阻R2和R3的分压大于NPN型晶体管Q1的基极导通电压0.7V，则选择崩溃电压为2.4V的齐纳二极管D1，根据初步确定的阻值范围，先设定电阻R3为1KΩ，然后通过计算得到电阻R1为3.43K
Ω。电阻R4和R5均为4.7KΩ，该值是根据NPN晶体管Q1工作在饱和区或截止区的电流关系计算得出，该值通常较大；若芯片2的操作电压准位下限为4.75V，则选择崩溃电压为4.0V的齐纳二极管D1，亦根据阻值范围先设定电阻R3为1KΩ，然后通过计算得到电阻R1为5.79KΩ，电阻R4和R5均为4.7KΩ，该值亦是根据NPN晶体管Q1工作在饱和区或截止区的电流关系计算得出，该值通常较大。
本实施例中，可变电阻R2的作用是用来补偿电阻R3的阻值，保证NPN晶体管Q1基极的电压与齐纳二极管D1崩溃电压的稳定。PNP晶体管Q2和电阻R5的作用是保证电路输出的控制电压更加准确且稳定。电阻R4起限流的作用，其保证PNP晶体管Q2在NPN晶体管Q1导通时顺利导通。滤波电容C1为0.1μF，其作用是滤除高频噪声。在本发明的实施方式中，NPN晶体管Q1可采用型号为2N3904的晶体管，PNP晶体管Q2可采用型号为2N3906的晶体管。

Claims (10)

1.一种防止芯片误动作电路，连接于一电压源与一芯片之间，用于检测不同的电压源输入电压，其特征在于该防止芯片误动作电路包括：
一电压检测电路，包括一与电压源相连的输入端，一输出端，当所述电压源大于或等于所述芯片操作电压准位下限时，所述电压检测电路的输出端输出低电平，当所述电压源小于所述芯片操作电压准位下限时，所述电压检测电路的输出端输出高电平；
一驱动电路，包括一与电压检测电路输出端相连的输入端，一与芯片相连的输出端，当所述电压检测电路输出端为高电平时，所述驱动电路输出端为高电平，当所述电压检测电路输出端为低电平时，所述驱动电路输出端为低电平。
2.如权利要求1所述防止芯片误动作电路，其特征在于电压检测电路包括：
一第一电阻，其一端与电压源相连；
一第二电阻，其连接在第一电阻的另一端与地之间；
一第三电阻，其一端与电压源相连；
一第一晶体管，该第一晶体管的基极与第一电阻的另一端相连，其发射极接地，其集电极与第三电阻的另一端相连。
3.如权利要求2所述防止芯片误动作电路，其特征在于电压检测电路的输出端与该第一晶体管的集电极相连。
4.如权利要求2所述防止芯片误动作电路，其特征在于电压检测电路包括一齐纳二极管，该齐纳二极管的阴极与电压源相连，阳极与该第一晶体管的基极相连。
5.如权利要求2所述防止芯片误动作电路，其特征在于电压检测电路包括一可变电阻，其连接在该第一晶体管的基极与地之间。
6.如权利要求2所述防止芯片误动作电路，其特征在于该第一晶体管为NPN晶体管。
7.如权利要求2所述防止芯片误动作电路，其特征在于驱动电路包括：
一电阻，其一端与电压源相连；
一第二晶体管，该第二晶体管的发射极与上述电阻的另一端相连，其集电极接地。
8.如权利要求7所述防止芯片误动作电路，其特征在于驱动电路的输入端与该第二晶体管的基极相连，输出端与该第二晶体管的发射极相连。
9.如权利要求7所述防止芯片误动作电路，其特征在于驱动电路包括一电容，其连接在该第二晶体管的发射极与地之间。
10.如权利要求7所述防止芯片误动作电路，其特征在于该第二晶体管为PNP晶体管。
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