CN100462888C - 侦测调整电路 - Google Patents

Abstract

本发明为一种侦测调整电路，于电压参考电路的主要电阻上设置有复数个与主要电阻串联的调整电阻，且各调整电阻分别并联有晶体管开关，且各晶体管开关为连接于逻辑控制器，且逻辑控制器为依序连接有与晶体管开关数量相等的侦测电路及保险丝，当侦测电路接收一个低到高的电源重置信号来侦测保险丝是否烧断，进而发出“0″代表未烧断或“1″代表烧断的电压位准给逻辑控制器，逻辑控制器依据逻辑转换表转换接收到电压位准控制相对的晶体管开关，以决定各晶体管开关的导通与否，来微调电压参考电路的主要电阻值。

Description

侦测调整电路

技术领域

本发明为一种侦测调整电路，尤其是指利用晶体管开关来对参考电压产生电路进行调整的侦测调整电路。

背景技术

目前半导体工业正走向以设计为主的趋势，而在此趋势的带领下，又以三C整合与系统单芯片(SOC)的发展最为炙手可热，因为当重点放在低价格、高效能、省电、轻薄短小、可携带这几个方面时，唯有在更精确的设计技术及更好的制程互相搭配下才会达到，而现今单位芯片内所能容纳的晶体管数目越来越多愈多，且各类元件的整合也成为逐渐在开发者的努力下有显著的成果。

然而，在各种芯片电路上，都需要参考电压产生电路来产生参考电压，故我们以此为范例说明。电压参考源的主要目标是希望有很好的温度稳定度及对供应电压变化的稳定度，也就是要与一切外界环境因素独立。然而，参考电压产生电路，会因半导体制程变异而造成输出电压的偏差，所以，相关业者为了解决此输出电压偏差的问题，遂以复数个小电阻串联于主电阻来解决此问题，请参阅图1、图2所示，为现有技术用参考电压产生电路的电路图及电压输出表，由图中可清楚看出，设计者为了补偿输出电压的偏差，于参考电压产生电路A的主电阻A1上串联一微调电路B，此微调电路包含有复数个串联于主电阻A1的电阻B1，且各电阻B1为分别并联有保险丝B2，藉此，利用各电阻B1来微调主电阻A1的绝对值，而微调的动作是以各电阻B1所并联的保险丝B2被烧断与否来达成。

上述现有技术用的参考电压产生电路，存在有诸多缺陷，如下列所述：

1、现有技术用的参考电压产生电路A于芯片制成后，只能选择烧断保险丝B2，而不能长出保险丝B2，所以，为了能达到正负两向微调，芯片在未处理前，所有的保险丝B2皆未烧断(短路)，所以其参考电压产生电路A的输出电压A2必定是偏低的(如图2所示)。

2、现有技术的保险丝B2是利用电流来做烧断的动作，而当电流发生控制不当的情形时，会破坏到参考电压产生电路A，而使参考电压产生电路A失去作用。

由此，如何有效的解决上述现有技术的问题与缺陷，即为从事此行业的相关厂商所亟欲研究改善的方向所在。

发明内容

本发明的主要目的在于提供一种侦测调整电路，该侦测调整电路利用所设置的逻辑控制器来控制晶体管开关的导通与否，来微调电压参考电路的主电阻的绝对值，使电压参考电路所输出的电压，在未微调处理前不会产生偏低的情形。

为达成上述目的，本发明所采用的技术手段如下：

一种侦测调整电路，用于对参考电压产生电路进行电压调整，其中，

该侦测调整电路连接于电压参考电路所设置的主电阻，且该侦测调整电路具有复数个与主电阻串联的调整电阻，且调整电阻分别并联有晶体管开关，且各晶体管开关为连接于逻辑控制器，且逻辑控制器为分别依序连接有与晶体管开关数量相等的侦测电路及保险丝，藉上，各侦测电路会侦测保险丝是否烧断，并依烧断与否而输出一位准电压给逻辑控制器，使逻辑控制器依据逻辑转换表控制各晶体管开关的导通与否。

本发明的次要目的在于提供一种侦测调整电路，该侦测电路可以侦测保险丝的烧断与否，并输出电压位准给逻辑控制器，使保险丝于进行烧断时，因未直接与电压参考电路连接，所以当修整电路的烧断电流发生控制不当的情形时，也不会破坏到电压参考电路，而使电压参考电路失去作用。

为达成上述目的，本发明所采用的技术手段如下：

一种侦测调整电路，用于对电压参考电路进行电压调整，该侦测调整电路连接于电压参考电路所设置的主电阻，且该侦测调整电路具有逻辑控制器、复数个调整电阻、复数个晶体管开关、复数个侦测电路及复数个保险丝；其中，

该复数个调整电阻为串联于电压产生电路的主电阻；

该复数个晶体管开关为分别并联于该复数个调整电阻；

该逻辑控制器为连接于各晶体管开关及各侦测电路之间，且该逻辑控制器会接收由侦测电路所发出的电压位准，而据以来控制各晶体管开关的导通与否；

该复数个侦测电路为分别具有第一反向器，而第一反向器的输出端分别连接于第二反向器的输入端与第一晶体管开关，且第一晶体管开关的源极为分别连接于第三反向器的输入端与第四反向器的输出端，而第二反向器的输出端连接有第二晶体管开关，且第二晶体管开关的源极为连接于第三反向器的输出端与第四反向器的输入端，而第二晶体管开关的漏极连接有电阻；

该复数个保险丝为分别连接于各侦测电路所设置的电阻。

通过上述技术特征，本发明的侦测调整电路可改善现有技术的关键在于：

(一)本发明利用调整电路所设置复数串联的调整电阻，且各调整电阻分别并联有晶体管开关，而各晶体管开关连接于逻辑控制器，使逻辑电路于接收到侦测位准时，会依据逻辑转换表输出”0”或”1”给相对的晶体管开关，以控制各晶体管开关的导通与否，使电压参考电路的主电阻，可利用调整电路所设置的调整电阻来微调其的绝对值，使电压参考电路所输出的电压不产生偏低的情形。

(二)本发明为利用侦测电路来侦测保险丝的烧断与否，并输出电压位准给逻辑控制器，使逻辑控制器可控制各晶体管开关的导通或关闭，而在保险丝于进行烧断时，因侦测电路并未与电压参考电路直接连接，所以当烧断保险丝的电流发生控制不当的情形时，也不会破坏到电压参考电路，而使电压参考电路失去作用。

(三)本发明为利用增加侦测电路及逻辑控制器，来微调参考电压产生电路的主电阻的绝对值，而不需增加PAD的数量，以避免占用太多的空间。

以下将结合附图与本发明的较佳实施例详加说明其特征与功能，以利完全了解。

附图说明

图1为现有技术参考电压产生电路的电路图。

图2为现有技术参考电压产生电路的电压输出表。

图3为本发明的电路图。

图4为本发明的电压输出表。

图5为本发明的侦测电路的应用电路图(一)。

图6为本发明的侦测电路的应用电路图(二)。

1：  电压参考电路            11： 主要电阻

12： 输出电压                2：  侦测调整电路

21： 调整电阻                243：第三反向器

22： 晶体管开关              244：第四反向器

23： 逻辑控制器              245：第一晶体管开关

24： 侦测电路                246：第二晶体管

241：第一反向器              247：电阻

242：第二反向器              25： 保险丝

A：  参考电压产生电路        A1： 电阻

A2： 电压                    B：  微调电路

B1： 电阻                    B2： 保险丝

具体实施方式

请参阅图3所示，为本发明的电路图，由图中可清楚看出，本发明于电压参考电路(bandgap)1所设置的主要电阻11上连接侦测调整电路2，而该侦测调整电路2具有复数与主要电阻11串联的调整电阻21，而调整电阻21分别并联有晶体管开关22，且各晶体管开关22为连接于逻辑控制器23，而逻辑控制器23为依序连接有与晶体管开关22数量相等的侦测电路24及保险丝25。

请同时参阅图3、图4所示，为本发明的电路图及电压输出表，由图中可清楚得知，当侦测调整电路2对电压参考电路(bandgap)1所输出的电压(VBG)12进行微调时，各侦测电路24会侦测保险丝25是否烧断，保险丝25若烧断，则侦测电路24会输出高位准电压给逻辑控制器23，反之，则输出低位准电压给逻辑控制器23，而当逻辑控制器23接收到电压位准信号时，则会依逻辑转换表转换控制电压位准信号”0”或”1”给相对的晶体管开关22，以控制各晶体管开关22的导通与否，使电压产生电路1的主要电阻11利用各调整电阻21来微调主电阻11的绝对值，如此，在芯片未处理前，可利用逻辑控制器23来调整对晶体管开关22的导通与否，以避免电压参考电路1的输出电压12偏低的问题，且当烧断电流发生控制不当的情形时，也不会破坏到电压参考电路1，而使电压参考电路1失去作用。

再者，该晶体管开关22可为NMOS或PMOS，而此实施例以NMOS说明之。

请参阅图3、图5、图6所示，为本发明的电路图、侦测电路的应用电路图(一)及侦测电路的应用电路图(二)说明例，由图中可清楚看出，该侦测电路24具有第一反向器241，而第一反向器241的输出端分别连接于第二反向器242的输入端与第一晶体管开关245，且第一晶体管开关245的源极为分别连接于第三反向器243的输入端与第四反向器244的输出端，而第二反向器242的输出端连接有第二晶体管246，且第二晶体管246的源极为连接于第三反向器243的输出端与第四反向器244的输入端，而第二晶体管246的漏极连接有电阻247，且电阻247为连接于PAD，而当保险丝25未烧断时，其动作如图5所示，此时侦测电路24为输出一低电压位准给逻辑控制器23，而保险丝25烧断时，其动作如第六图所示，此时侦测电路24为输出高电压位准给逻辑控制器23，使逻辑控制器23可依其所收到的侦测位准信号配合逻辑转换机制输出”0”或”1”给相对的晶体管开关22，以控制各晶体管开关22的导通与否，使电压参考电路1的主要电阻11利用各调整电阻21来微调主电阻11的绝对值，以达到无偏差的调整目的。

上述详细说明以电压参考电路(bandgap)为说明例，但其功用并不因此而局限本发明的申请专利范围，凡其它未脱离本发明所揭示的技艺精神下所完成的均等变化与修饰变更，均应包含于本发明所涵盖的专利范围中。

综上所述，本发明的侦测调整电路于使用时具有显著的功效增进，诚符合新颖性、发明性及进步性的专利要件，依法提出申请。

Claims (5)

1.一种侦测调整电路，用于对参考电压产生电路进行电压调整，其特征是，

该侦测调整电路连接于电压参考电路所设置的主电阻，且该侦测调整电路具有复数个与主电阻串联的调整电阻，且调整电阻分别并联有晶体管开关，且各晶体管开关为连接于逻辑控制器，且逻辑控制器为分别依序连接有与晶体管开关数量相等的侦测电路及保险丝，藉上，各侦测电路会侦测保险丝是否烧断，并依烧断与否而输出一位准电压给逻辑控制器，使逻辑控制器依据逻辑转换表控制各晶体管开关的导通与否。

2.如权利要求1所述的侦测调整电路，其特征是，该晶体管开关为PMOS晶体管。

3.如权利要求1所述的侦测调整电路，其特征是，该晶体管开关为NMOS晶体管。

4.一种侦测调整电路，用于对电压参考电路进行电压调整，该侦测调整电路连接于电压参考电路所设置的主电阻，且该侦测调整电路具有逻辑控制器、复数个调整电阻、复数个晶体管开关、复数个侦测电路及复数个保险丝；其特征是，

该复数个调整电阻为串联于电压产生电路的主电阻；

该复数个晶体管开关为分别并联于该复数个调整电阻；

该逻辑控制器为连接于各晶体管开关及各侦测电路之间，且该逻辑控制器会接收由各侦测电路所发出的电压位准，而据以来控制各晶体管开关的导通与否；

该复数个侦测电路为分别具有第一反向器，而第一反向器的输出端分别连接于第二反向器的输入端与第一晶体管开关，且第一晶体管开关的源极为分别连接于第三反向器的输入端与第四反向器的输出端，而第二反向器的输出端连接有第二晶体管开关，且第二晶体管开关的源极为连接于第三反向器的输出端与第四反向器的输入端，而第二晶体管开关的漏极连接有电阻；

该复数个保险丝为分别连接于各侦测电路所设置的电阻。

5.如权利要求4所述的侦测调整电路，其特征是，该些晶体管开关、第一晶体管开关及第二晶体管开关为NMOS晶体管。

Images